专利名称：用于电炉的电源单元的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于电炉的电源单元，具体地，涉及一种具有扼流线圈、功率元件、升压变压器等的，并实现了小型化、轻量化、低成本和高可靠性的电源单元。
背景技术：
图9是具有扼流线圈、功率元件、升压变压器等的常规磁控管驱动器电源单元的结构图。图中，来自商品化电源11的交变电流通过整流电路13整流成直流，整流后的电流通过设置在整流电路13的输出侧的扼流线圈14和滤波电容15平滑，并且平滑后的电流施加到反相器(inverter)16的输入侧。通过反相器16中的半导体开关元件的开/关来将直流电流转变成所需的高频(20至40kHz)。反相器16包括其中例如并联有多个功率MOSFET的用于高速切换直流电流的两组开关元件组，以及一个驱动这些开关元件组的驱动电路。构成开关元件组的功率MOSFET的漏极分别连接到升压变压器18的初级线圈181的一端和另一端，构成这两个开关组的功率MOSFET的两个源极相连，此外构成开关组的功率MOSFET的栅极分别连接到开关元件驱动电路。由功率MOSFET构成的开关元件组通过反相器控制电路161驱动，且流经升压变压器18的初级侧的电流高速切换开/关状态。
整流电路13的初级侧电流作为控制电路161的输入信号而由CT17检测，检测到的电流输入到控制电路161中，以用于反相器16的控制。
扼流线圈14和滤波电容15执行在将高频转换成直流时不将高频噪声传输到商品化电源11的功能，因此，扼流线圈14和滤波电容15具有一定大小的电感和电容，以将高频噪声去除。
在扼流线圈14的磁心(core)较小时，大的冲击电流以快速饱和态进行流动，从而不能起作用。相反，在采用大磁心的情况下，线圈不饱和，但是其缺点在于扼流线圈自身尺寸变大，且其重量增加。于是，通过采用一种扼流线圈来解决饱和问题，该扼流线圈利用电线来缠绕如图8所示的具有纵向裂口的管形磁心物体。
在升压变压器18中，反相器16输出的高频电压施加到初级线圈181上，并在次级线圈182上获得与匝数比(turn ratio)相应的高电压。匝数较少的线圈183设置在升压变压器18的次级侧，并用于加热磁控管12的灯丝121。在升压变压器18的次级线圈182侧，设置一电压倍增半波整流电路(voltage doublerhalf-wave rectifying circuit)19，以对升压变压器18的输出进行整流。电压倍增半波整流电路19包括一个高压电容191和两个高压二极管192和193，高压电容191和高压二极管192在正周期中导通(例如图中次级线圈182的上端为正)，且图中高压电容191的左侧电极板带正电荷，在右侧电极板上带负电荷。接着，在负周期中(次级线圈182的下端为正)，高压二极管193导通，且先前充电的高压电容器191和次级线圈182的倍增电压加电压施加到磁控管12的阳极122和阴极121之间。
图7示出了在印刷电路板上安装传统电炉的电源单元的例子。安装示例显示了在印刷电路板80上设置将电源供给至磁控管(未示出)的升压变压器20′、CT、扼流线圈30′和散热鳍片60′。
于是，在传统单元中，检测整流电路13(图9)的初级侧电流的电流互感器(current transformer)CT(图9中的17)设置在电路板上。CT的匝数比为约1∶2000，流过一个线圈的电流可以以1/2000的微小电流进行检测，且CT以低损耗传送至反相器控制电路。
扼流线圈30′设置在电路板上。
图8A至8C是说明扼流线圈30′的示图，图8A是平面图，图8B是正视图，图8C是透视图。图中，附图标记31是由高磁导率材料(例如铁氧体材料)构造的圆筒形磁心。附图标记32是在圆筒形磁心31的内侧和外侧上缠绕许多圈的线圈，附图标记33是覆盖整个圆柱形磁心31的树脂，圆柱形磁心31和线圈32通过树脂绝缘。附图标记34是用于抑制饱和的气隙，由于诸如铁氧体等的高磁导率材料在大电流下迅速饱和。
回到图7，设置在电路板上的升压变压器20′示出了采用铁氧体磁心的传统升压变压器的一个示例。图7中，在两个相向的马蹄铁形铁氧体磁心204和205的同一个轴上平行布置有初级线圈201、次级线圈202和加热线圈203。在磁控管驱动器电源频繁处理大功率的情况下，流行采用通过电压共振的零伏特开关系统(zero volt switching system)(以下称作ZVS系统)。在ZVS系统中，需要将升压变压器的耦合系数设置为约0.6至0.85，以获得共振电压，因此，设置气隙G。于是，即使在大电流下，升压变压器20′无饱和地将施加在初级线圈201上的低电压转换为在次级线圈202上产生的、与匝数比相应的高电压。
散热鳍片60′设置在呈封装件P状态的功率半导体元件上，在该封装件中，功率半导体元件被覆有模铸树脂。通过提供散热鳍片60′，功率半导体元件产生的热通过封装件P传输到散热鳍片60′，由于该热自此有效地扩散，所以功率半导体元件不被加热，因此功率半导体元件的热故障不发生。
由于CT较大，所以其匝数如上所述为1∶200，CT在电路板上占据的空间不能忽略。
在现有升压变压器采用两个相向的马蹄铁形铁氧体磁心204和205的情形下，需要在升压变压器20′中增加流经升压变压器初级侧的峰值电流，以使磁控管的输出进一步提高。籍此，铁氧体磁心由于饱和磁通密度特性较差而变得易于饱和，且为了不饱和需要大尺寸的铁氧体磁心。这防碍了电源的小型化。
由于散热鳍片60′处于封装件P的其中的功率半导体元件被覆有模铸树脂的状态下，所以功率半导体元件中产生的热经过封装件P传输到散热鳍片60′，使得散热性能不够好。
为了解决该缺陷，本发明提供了一种用于电炉的电源单元，它使得不使用CT就能检测电流，并通过小型化升压变压器并借助小尺寸散热鳍片来实现小型化、轻量化和低成本，在该散热鳍片中，半导体元件的冷却效率较高。
发明内容
为了解决以上问题，根据用于电炉的电源单元，该单元在基板上提供一整流电路、一设置在整流电路输出侧的扼流线圈、通过切换功率半导体元件来将直流电流转变成高频电源的反相器、控制该反相器的反相器控制电路、以及将反相器的输出电压升压的升压变压器，其中，扼流线圈在其磁心部分具有气隙，且在该气隙中设置有霍尔(Hall)元件。
优选地，在用于电炉的电源单元中，霍尔元件的输出信号被传输至反相器控制电路。
根据以上发明，由于不需要使用CT，该CT因如上所述的1∶2000的匝数比而变大，所以获得了小型化、质量轻、且低成本的电源单元。
此外，在用于电炉的电源单元中，功率半导体元件通过焊接而直接附着在散热鳍片上。
根据以上发明，由于功率半导体元件直接附着在散热鳍片上，所以散热效率提高，且获得了小型、质轻且低成本的电源单元。
此外，在用于电炉的电源单元中，功率半导体元件通过焊接而经由冲孔铜板直接附着在散热鳍片上。
根据以上发明，由于功率半导体元件通过冲孔铜板直接附着在散热鳍片上，所以由于散热效率提高且可以进行高密度安装，获得了更加小型化、轻量化和低成本的电源单元。
再者，在用于电炉的电源单元中，该升压变压器是磁控管驱动器升压变压器，其中初级线圈和次级线圈围绕条形铁氧体磁心，一矩形中空形磁心面向该条形铁氧体磁心安装在初级线圈和次级线圈外围，并设置成在条形铁氧体磁心轴向端部和矩形中空形磁心的周边之间有气隙。
根据以上发明，由于将高频损失小的铁氧体磁心用作主铁氧体磁心，并将矩形中空形磁心设置成面向该主铁氧体磁心具有气隙，所以本发明由于结构尺寸小、坚固，并进一步机械地保护了每个线圈的外部而有利于获得更加小型化、轻质化和低成本的电源单元。
再者，在用于电炉的电源单元中，升压变压器是磁控管驱动器升压变压器，其中，初级线圈和次级线圈围绕条形铁氧体磁心，矩形中空形磁心在初级线圈和次级线圈外围安装而面对所述条形铁氧体磁心，并布置成在条形铁氧体磁心的轴向端部和矩形中空形磁心的内侧之间有气隙。
根据以上发明，由于将高频损失小的铁氧体磁心用作主铁氧体磁心，并将矩形中空形磁心设置成面向该主铁氧体磁心具有气隙，所以本发明由于结构尺寸小、坚固，并进一步机械地保护了每个线圈以及铁氧体磁心整个的外部而有利于获得更加小型化、轻质化和低成本的电源单元。
图1是根据本发明的采用扼流线圈、功率元件、升压变压器等的磁控管驱动电源的结构图；
图2是示出在印刷电路板上安装根据本发明的电炉电源单元的示例的示图；图3A至3C是显示说明根据本发明的扼流线圈的示图，图3A为平面图，图3B为主视图，图3C为透视图；图4A至4D是显示根据本发明的升压变压器的第一示例的示图，图4A为主视图，图4B为平面图，图4C为侧视图，图4D为透视图；图5A至5D是显示根据本发明的升压变压器的第二示例的示图，图5A为主视图，图5B为平面图，图5C为侧视图，图5D为透视图；图6A至6C为显示直接将功率半导体元件附着在散热鳍片上的具体的三个示例的示图；图7是显示将用于电炉的传统电源单元安装在印刷电路板上的示例的示图；图8A至8C是说明传统扼流线圈的示图，图8A为平面图，图8B为主视图，图8C为透视图；以及图9为采用扼流线圈、功率元件、升压变压器等的磁控管驱动电源的传统结构。
具体实施例方式
图2显示了根据本发明将用于电炉的电源单元安装在印刷电路板上的安装示例。在印刷电路板80上，分别设置根据本发明的升压变压器20、扼流线圈30和散热鳍片60，该鳍片用于散失包括功率半导体元件的封装件的热损。
首先，将说明根据本发明的扼流线圈30。在本发明中，霍尔元件用于检测电流，而不是CT。霍尔元件产生与外加磁场成比例的电压，即霍尔电压，因此，通过沿电流通路布置霍尔元件，与流经电流通路的电流成比例地产生的磁场对霍尔元件起作用，从而获得与来自霍尔元件的电流成比例的电压。作为具体电路结构的一个示例，例如公开了日本未审实用新型公开第S61-52272号。在该公开中，由流经线圈的电流在磁心中产生的磁通通过霍尔元件转换为电压，从而通过用流过待测电流的电线缠绕磁心，通过在磁心中设置气隙，并通过在气隙中布置霍尔元件，获得自电压检测到的电流值。
本发明采用了此原理，且试图用具有气隙的磁心型霍尔元件来代替图9的CT17。结果，与采用CT17的情形相似地获得了良好的电流检测，且其令人满意。
然而，由于仅利用霍尔元件来代替CT17不利于电源单元的小型化、轻量化和低成本，所以本申请人作了更进一步的试验与改进。结果，本申请人发现，尽管正和负方向不同，但是图9中的整流电路13的输入电流值和输出电流值在数值上成比例，并且本申请人试图在整流电路13的输出侧设置一个具有气隙的磁心型霍尔元件。然而，仅在整流电路13的输出侧采用霍尔元件不利于电源单元的小型化、轻量化和低成本。
于是，本申请人的目的在于图9的扼流线圈14具有带气隙的磁心结构，并试图在气隙处布置霍尔元件。
图3A至3C是说明根据本发明的扼流线圈的示图，图3A为平面图，图3B为主视图，图3C为透视图。图中，附图标记30为根据本发明的扼流线圈，附图标记31为由高磁导率材料(例如铁氧体材料)构成的圆筒形磁心。附图标记32为在圆筒形磁心31的内侧和外侧上缠绕了许多圈的线圈，附图标记33是用于支撑圆筒形磁心31和线圈的支撑体，附图标记34为设置的气隙，使得诸如铁氧体等的高磁导率材料不饱和。此外，本发明中，霍尔元件H设置在气隙34中。
作为霍尔元件H的磁感测膜，例如，采用具有高迁移率和良好感测性的InSb，或者具有大的能带间隙宽度和良好温度特性的GaAs。在其结构中，在通过注入Si等而在半绝缘GaAs衬底表面上形成诸如InSb、InAs、GaAs等的磁感测膜之后，构图所需图案，在磁感测膜上形成内电极以允许电流流到诸如SiO2、SiN等的无机保护膜上，然后进行切片、管芯接合和引线键合，并用树脂连接线将该霍尔元件模铸到电极上。
图1是根据本发明的磁控管驱动器电源单元的结构图。
霍尔元件H的输出信号传输到反相器161。此时，由于不必像传统电源元件那样提供用于检测整流电路13的输入电流的CT17，所以CT17被去掉。
通过以上描述，所采用的扼流线圈14利用相同的形状获得了与常规相同的电流检测效果，并且不使用CT17，从而电源单元小型化，变得更轻，变得更加低成本。
再回到图2，设置在印刷电路板80上的升压变压器20关系到目的在于使单元小型化的本发明，高频损失小的铁氧体磁心用于主磁心26，设置气隙G以不饱和，且在初级线圈21、次级线圈22和加热线圈23外围面对气隙布置难以饱和的小尺寸金属磁心27。
图4A至4D是详细显示升压变压器20的示图，图4A是主视图，图4B是平面图，图4C是侧视图，图4D是透视图。图中，附图标记20是根据本发明第一实施例的升压变压器，附图标记21是初级线圈，附图标记22是次级线圈，附图标记23是加热线圈。初级线圈21与次级线圈22相比线圈截面大且匝数小。加热线圈23与次级线圈22相比匝数非常少，因此在图中未示出。由于加热线圈23可以由其它部件构成，所以它在此处不是必要部件。附图标记26是条形铁氧体磁心，且在此处采用矩形平行六面体形。初级线圈21、次级线圈22和加热线圈23分别围绕直角平行六面体形铁氧体磁心26的外周，且它们在磁心轴向上堆叠布置。
附图标记27是本发明采用的金属磁心，且通过多次(约10至40匝)呈矩形中空形地卷绕包括非晶硅钢片等的长金属薄片，并通过在每层之间绝缘来形成。在矩形中空形金属磁心的内径中，使得一个内径(图4C中金属磁心27的左右方向的内径)比初级线圈21、次级线圈22和加热线圈23的任何一个外径大，并使得另一内径(图4C中金属磁心27的上下方向的内径)形成得比初级线圈21、次级线圈22和加热线圈23三个线圈的堆叠长度大。
因此，图中的金属磁心27在初级线圈21、次级线圈22和加热线圈23的外围，面向铁氧体磁心26地安装在该三个线圈上，且面对铁氧体磁心布置成与条形铁氧体磁心26保持气隙G，如图4D所示。铁氧体磁心26与金属磁心27之间的间隙约0.3至0.8mm。
通过以上结构，高频损失小的铁氧体磁心用于主磁心，设置间隙以不饱和，且在初级线圈21、次级线圈22和加热线圈23外围面对间隙布置难以饱和的小尺寸金属磁心，这样的结构使得与仅由铁氧体磁心构成的传统升压变压器20′(图7)相比非常有利于小型化。即，在传统升压变压器20′中，铁氧体磁心的布置在初级线圈21、次级线圈22和加热线圈23外围的部分由几乎与主铁氧体磁心的大量凸伸在初级线圈21、次级线圈22和加热线圈23之外的部分相同的横截面面积构成。另一方面，在根据本发明的升压变压器20中，由于是金属磁心，所以磁心横截面面积相比于铁氧体磁心的部分做得非常小，于是磁心不凸伸到初级线圈21、次级线圈22和加热线圈23之外(见图2)。
此外，采用卷绕10至40匝的长金属薄片，且涡流流动方向处于横截卷绕许多匝的金属薄片层的方向上。因此，涡流难以流动，因为涡流不在一个金属薄片的横截面中流动，且一个金属薄片的横截面的电阻值大。因此，通过直到布置如上构造的金属磁心，即使在高频下高频损失(金属磁心在高频下的一种故障)也变小，从而获得具有铁氧体磁心和金属磁心两者优点的升压变压器。
图5A至5D是显示根据本发明的升压变压器的第二实施例的示图，图5A是主视图，图5B是平面图，图5C是侧视图，图5D是透视图。图中，附图标记50是根据本发明的升压变压器的第二实施例。附图标记21是初级线圈，附图标记22是次级线圈，附图标记23是加热线圈，它们与图2中的相同。即，相比于次级线圈22，初级线圈21的线圈截面大，且匝数小。相比于次级线圈22，加热线圈23的匝数非常少，因此图中未示出。
于是，在根据本发明的升压变压器的第二实施例中，采用了柱形铁氧体磁心56，初级线圈21、次级线圈22和加热线圈23围绕在磁心周围，从而分别在磁心轴向上堆叠。
升压变压器的金属磁心通过将多片(10至40片)矩形中空形金属薄片用绝缘粘接剂在厚度方向上叠压来制造。在矩形中空形金属磁心的内径中，一个内径(图5C中金属磁心57的左右方向内径)形成得比初级线圈21、次级线圈22和加热线圈23的任何一个外径大，另一内径(图5C中金属磁心57的上下方向内径)形成得比柱形铁氧体磁心56的长度大。这样的金属磁心57面向铁氧体磁心56安装至柱形铁氧体磁心56上，并面向铁氧体磁心56的轴向端部布置得保持气隙G，如图5D所示。
通过以上结构，由于将高频损失小的铁氧体磁心用作主磁心，设置气隙以不饱和，还将难以饱和的小尺寸金属布置在初级线圈21、次级线圈22、加热线圈23和铁氧体磁心56外围，所以该铁氧体磁心与仅由铁氧体磁心构成的传统升压变压器20′(图7)相比非常有利于小型化。
此外，叠压10至40片金属薄片27a，涡流流动方向位于横截层叠很多片的金属薄片层的方向上。于是，涡流难以流动，因为涡流不在一个金属薄片的横截面中流动，且一个金属薄片的横截面的电阻值大。
因此，通过直到布置如上构造的金属磁心57，即使在高频下高频损失(金属磁心57在高频下的一种故障)变小，从而获得具有铁氧体磁心和金属磁心两者优点的升压变压器。
此外，由于升压变压器的铁氧体磁心为柱形，所以比直角平行六面体易于制造。由于铁氧体磁心56和金属磁心57的相互面对的部分在磁通通过的气隙G处平行，所以形成在其间的气隙G是同宽的，从而变得易于设计耦合系数等。
再有，由于矩形中空形金属磁心57从外围覆盖了铁氧体磁心56、以及每个线圈21、22和23的一部分，所以该结构用作其机械保护。
图2的根据本发明的散热鳍片60直接设置在散热鳍片上，而不使用封装来对功率半导体元件进行散热。图6A至6C示出了将功率半导体元件直接安装在散热鳍片60上的三个具体安装示例，图6A示出了通过引线键合方法的示例，图6B示出了通过管芯接合的方法的示例，图6C示出了通过冲孔铜板法的示例。
在通过引线键合方法的图6A中，附图标记P1和P2是热的半导体元件，例如前者是功率半导体元件，后者是反相器16中使用的半导体二极管(图1)，两者都是必需避免过热的元件，因为它们自身发热。根据本发明，这些功率半导体元件P1和P2等通过焊接62直接附着在散热鳍片61上。附图标记68是设置在印刷电路板80上的接线端，附图标记67是连接功率半导体元件P1、半导体二极管P2和接线端68的导线，且虚线表示的复合部分C(功率半导体元件P1、半导体二极管P2、焊接部件62、接线端68和导线67)由树脂模铸。
通过该安装方法，由于功率半导体元件P1和半导体二极管P2通过焊接62直接附着在散热鳍片61上，所以热并不如传统散热鳍片那样通过导热树脂来散失。因此，热导变好，实现了导热鳍片61的尺寸减小。
由于散热鳍片可以通过将散热鳍片61做得较小来接近电源电路，所以布线图变短，且噪声的形成降低。
冷却效率大为提高。此外，由于功率半导体元件P1和半导体二极管P2通过引线键合67连接到印刷电路板80的接线端68，所以不必使用如双面安装板那样的昂贵安装装置，使得低成本安装成为可能。
在通过管芯接合方法的图6B中，附图标记P1和P2是热的半导体元件，诸如功率半导体元件，且根据本发明，这些功率半导体元件P1和P2等通过焊接62直接附着在散热鳍片61上。附图标记64是具有通孔的双面板，且附图标记65是绝缘体。对于印刷电路板80，采用低成本的纸苯酚(paperphenol)。附图标记65是设置在功率半导体元件P1和P2的电极部分上的焊料凸点。
由于功率半导体元件P1和半导体二极管P2通过该安装方法直接通过焊接62附着在散热鳍片上，所以冷却效率极大提高，因为热并不如传统散热鳍片那样通过导热树脂来散失。由于功率半导体元件P1和P2通过通孔64和设置在功率半导体元件P1和P2上的凸点65相反侧的接线端66来连接至印刷电路板80，所以功率半导体元件的驱动电路可以接近电路板。因此，理想的驱动得以进行，不再具有驱动电路的寄生电感和电阻成分，从而转换散失和噪声得以降低。
此外，通过如图6A的引线键合法绘制引线67的工作得以省去，使得组装变得快速。
在通过冲孔铜板方法(punching copper plate method)的图6C中，附图标记P1和P2是热的半导体元件，诸如功率半导体元件，且根据本发明，这些功率半导体元件P1和P2等在布置在冲孔铜板69上的状态下直接通过焊接62部分地附着在散热鳍片61上。附图标记66是类似地利用冲孔铜板而电连接至印刷电路板80的接线端。通过虚线所示的复合部分C，功率半导体元件P1、半导体二极管P2、焊接部件62、接线端66和冲孔铜板69以树脂来模铸。
由于功率半导体元件P1和半导体二极管P2通过该安装方法，经由冲孔铜板69利用焊接62直接附着在散热鳍片61上，所以冷却效率极大地提高，因为热并不如传统散热鳍片那样通过导热树脂来散失。由于冲孔铜板69自身具有热沉的作用，所以散热效率好。由于功率半导体元件P1和P2通过冲孔铜板69和接线端66连接到印刷电路板80，所以通过如图6A的引线键合法绘制引线67的工作得以省去，使得组装变快。
此外，由于不需要双面板，所以成本降低。由于通过利用冲孔铜板而在导体的厚度方向上具有自由度，所以整个电路可以做得很小。
以上示出了提供有扼流线圈、功率元件、升压变压器等的本发明的磁控管驱动器电源单元的例子。然而，驱动器电源不限于此，它可以是利用扼流线圈、功率元件、升压变压器等进行DC-AC转换并升压的任何类型的电源。
本发明已经参照特定实施例进行了详细解释。但是，对本领域普通技术人员而言显然的是，在不脱离本发明的精髓和范围的情况下，可对本发明作各种改变或修改。
本申请基于2002年3月12日提交的第2002-67105号日本专利申请，并且其内容在此处得以参考和引用。
工业应用如上所述，根据本发明，用于电炉的电源单元在板上提供了整流电路、设置在整流电路输出侧的扼流线圈、通过功率半导体元件的切换将直流电流转变成高频电源的反相器、控制反相器的反相器控制电路、以及将反相器的输出电压升高的升压变压器，其中，扼流线圈在磁心部分上具有气隙，且在气隙中设置霍尔元件。功率半导体元件通过焊接直接附着在散热鳍片上，且升压变压器是磁控管驱动器升压变压器，其中初级线圈和次级线圈分别围绕条形磁心。通过在从初级线圈和次级线圈外围安装到条形铁氧体磁心上的状态下，面向条形铁氧体磁心布置矩形中空形磁心以具有一气隙，不使用CT而检测电流成为可能。通过制造这样的升压变压器，并通过形成功率半导体元件的冷却效率的小尺寸散热鳍片，用于电炉的电源单元得以小型化、轻量化，且成本降低。
权利要求
1.一种用于电炉的电源单元，包括一整流电路；一扼流线圈，其设置在整流电路的输出侧，且在磁心部分具有气隙；一反相器，其用于通过功率半导体元件的切换来将直流电流转变成高频电源；一控制该反相器的反相器控制电路；在一板上将反相器的输出电压升压的升压变压器；以及设置在该扼流线圈的气隙中的一霍尔元件。
2.如权利要求1所述的用于电炉的电源单元，其中，霍尔元件的输出信号被传输至所述反相器控制电路。
3.如权利要求1所述的用于电炉的电源单元，还包括用于对该板上设置的所述功率半导体元件的热量进行散失的散热鳍片，其中，所述功率半导体元件通过焊接直接附着在所述散热鳍片上。
4.如权利要求1所述的用于电炉的电源单元，还包括用于对该板上设置的所述功率半导体元件的热量进行散失的散热鳍片，其中，所述功率半导体元件借助焊接，通过冲孔铜板直接附着在所述散热鳍片上。
5.如权利要求1所述的用于电炉的电源单元，其中，所述升压变压器为磁控管驱动器升压变压器，包括条形铁氧体磁心；设置成围绕所述条形铁氧体磁心的初级线圈和次级线圈；矩形中空形磁心，其设置成从所述初级线圈和次级线圈外围面对所述条形铁氧体磁心，并在所述条形铁氧体磁心和所述矩形中空形磁心周边之间具有气隙。
6.如权利要求1所述的用于电炉的电源单元，其中，所述升压变压器为磁控管驱动器升压变压器，包括条形铁氧体磁心；设置成围绕所述条形铁氧体磁心的初级线圈和次级线圈；矩形中空形磁心，其设置成从所述初级线圈和次级线圈外围面对所述条形铁氧体磁心，并在所述条形铁氧体磁心和所述矩形中空形磁心内侧之间具有气隙。
全文摘要
在其磁心部分具有气隙的扼流线圈(30)中布置一霍尔元件(H)。功率半导体元件(P1和P2)通过焊接直接贴附在散热鳍片(61)上。由呈矩形中空状地卷绕长金属薄片多匝的金属磁心形成的矩形中空形磁心(27)从初级线圈(21)和次级线圈(22)的外围安装在条形铁氧体磁心(26)上。矩形中空形状一侧的内径比初级线圈(21)和次级线圈(22)两者的外径大，且矩形中空形状另一侧的内径比初级线圈(21)和次级线圈(22)的堆叠长度大。在上述情况下，该矩形中空形磁心(27)设置得具有气隙(G)。
文档编号H05B6/66GK1484884SQ02803024
公开日2004年3月24日 申请日期2002年12月26日 优先权日2002年3月12日
发明者三原诚, 安井健治, 治, 北泉武 申请人:松下电器产业株式会社