集成电路薄膜电容器的低温淀积与极快速退火的制作方法

专利名称：集成电路薄膜电容器的低温淀积与极快速退火的制作方法
技术领域：
本发明的实施例涉及集成电路封装件，具体而言，涉及集成电路 封装件中的电容器。
背景技术：
计算机和电子器件通常包括集成电路封装件。封装件常设有安装 在封装件的基底或衬底上的棵片。该棵片可包含用于执行电功能的集 成电路。封装件还可具有在衬底上形成的一个或多个电容器。可根据 集成电路的功能以各种方式来使用电容器。电容器可由导电材料和介 质材料的多层薄膜形成。在一些常规技术中，电容器在独立工序中预先形成，然后在另一 个独立工序中，将整个预先形成的电容器安装或层叠到封装件的衬底 上。常规技术中预先形成的电容器装到村底上的工序常称作电容器-村底层叠工序。使用具有层叠工序的常规技术在封装件中形成电容器的步骤可能 需要在层叠之前仔细处理预先形成的电容器的薄膜并需要层叠期间的 高对准精度。有一些常规技术还会是昂贵且费时的。


图1示出根据本发明的一个实施例的装置。图2至图9示出根据本发明的一个实施例的位于各种工序中的集 成薄膜电容器。图10示出根据本发明的一个实施例的具有在衬底的衬底部分的 两侧形成的集成薄膜电容器的封装件。图11示出根据本发明的一个实施例的方法的流程图。图12示出根据本发明的一个实施例的系统。
具体实施方式
图1示出根据本发明的一个实施例的封装件100。封装件100可 以是集成电路封装件。封装件100包括贴附在村底104上的棵片102。 衬底104可称作封装件村底。棵片102可包含一个或多个集成电路。 在一些实施例中，棵片102可包含执行处理器、通信装置、存储器或 者它们的某种组合的功能的集成电路。棵片102还可包^^丸行其它功 能的集成电路。在一些实施例中，封装件IOO位于系统或装置中，例 如计算机或通信装置(例如蜂窝电话)中。封装件100包括位于村底104的一侧的导电触垫或焊盘161 、162、 163、 164以及位于村底104的另一侧的导电触垫或焊盘181、 182、 183、 184。封装件IOO还包括在触垫161至164与触垫181至184之间延伸 的导电通路或互连191、 192、 193、 194。棵片102通过导电元件例如 通过焊球151、 152、 153、 154与村底104连接。在系统或装置例如计算机或无线通信装置中，导电触垫181至184 可与例如电路板(未示出)等平台连接，以让棵片102通过导电通路191 、 192、 193、 194与其它部件交换信息或数据。 一组导电通3各191至194 可与作为电源的正端子和地端子的电源端子连4妾。另一组导电通路191 至194可与系统或装置的其它部件连^t妻，以传递数据。图l示出封装 件100，其中具有作为示例的四条导电通路191至194。封装件100的 导电通路数可以改变。例如，封装件100可包括形成高密度互连配置 的许多导电通路。村底104包括核心层112和增设层113、 114、 115。核心层112 可包括有机材料。增设层113、 114和115可包括有机材料。在一些实 施例中，增设层113、 114和115中一个或多个可包括聚合物材料或 Ajinomoto的增设膜(ABF)。衬底104还包括阻挡层130。阻挡层130可为非导电层。阻挡层 130可包括无机材料。在一些实施例中，阻挡层130可包括部分或完 全氧化的材料。在其它实施例中，阻挡层130可包括至少一种非导电 材料与氧或氮或者与氧和氮的化合物。在其它一些实施例中，阻挡层 130可包括至少一种半导体材料与氧或氮或者与氧和氮的化合物。半 导体材料可包括硅。例如，阻挡层130可包括二氧化硅、氮化硅或者 氮氧化硅。在一些实施例中，阻挡层130的厚度为约1微米。多个薄膜电容器111在阻挡层130上形成，嵌入在衬底104中。 如图1所示，薄膜电容器111嵌入在增设层113与村底104的其它层 之间的衬底104中。薄膜电容器111称作集成薄膜电容器。为了清晰 起见，图1示出薄膜电容器111的高级简图。薄膜电容器lll的一些 实施例的详细形成如图2至图9所示。在本文的描述中，薄膜电容器 (TFC)lll统称为TFC 111。术语"TFC"如TFC 111可指单个集成薄膜 电容器或者一组多个集成薄膜电容器。在图1中，可按照不同方式来 使用TFC 111。例如，TFC 111的一个或多个可用作信号滤波或功率分 布电路中的滤波电容器或耦合电容器。TFC 111包括导电层或电极层121和122以及介质层120。导电层 121和122可包括铜、镍或其它导电材料。在一些实施例中，导电层 121和122中的至少一个可以是厚度为约IO微米的箔或薄膜。在其它 实施例中，导电层121和122中的至少一个可以是厚度为约15微米的 薄膜。在其它一些实施例中，导电层121和122中的至少一个可以是 厚度在约IO微米与约15微米之间的薄膜。介质层120可包括高介电常数(高k)材料。在一些实施例中，介质 层120可具有约400的介电常数。在另一些实施例中，介质层120可 具有约6000的介电常数。在又一些实施例中，介质层120可具有约 400与约6000之间的介电常数。介质层120可包括陶资材料。介质层 120的材料的一些示例包括钬酸钡BaTi03、钛酸锶SrTi03和钬酸锶钡 BaSrTi03。在一些实施例中，介质层120的厚度为约1微米。在图1中，TFC 111的各组成部分如导电层121、122和^h质层120 不通过层叠工序而直接在村底104上形成并嵌入衬底104,因此，TFC 111的部分或组成部分均不是预先形成后再层叠到村底104上。在一些实施例中，TFC 111可在现场过程(in-situ process )中形成， 使得TFC 111的各组成部分单独地直接在衬底104的一层或多层上形 成。例如，在该现场过程中，导电层121可直接在阻挡层130、核心 层112和增设层114、 115上形成。在该现场过程中，介质层120直接 在导电层121之上形成，然后当介质层120位于导电层121、阻挡层 130、核心层112和增设层114、 115之上时进行退火。在该现场过程 中，当介质层120位于导电层121、阻挡层130、核心层112和增设层 114、 115之上时，导电层122可直接在介质层120上形成。用于直接 在衬底104上形成TFC 111的现场过程可以只是制造工序，从而可减 少制造时间。在一些实施例中，可省略封装件100的一个或多个层。例如，可 省略增设层114,使得阻挡层130直接在核心层112上形成。在另一 些实施例中，可省略阻挡层130,使得TFC 111直接在增i殳层114上 形成。在又一些实施例中，阻挡层130和增设层114均可碎支省略，使 得TFC 111直接在核心层112上形成。图1示出在核心层112之上形成的TFC 111。在一些实施例中， TFC 111可在核心层112之下形成。例如，TFC 111可在核心层112 与增设层115之间形成。在一些实施例中，除了TFC1U之外，可在 村底104中形成并嵌入一个或多个附加TFC。图2至图9示出根据本发明的一个实施例的各种工序中的薄膜电 容器(TFC)。图2示出衬底部分216以及在村底部分216上形成的阻挡层230。 村底部分216可以是封装件衬底，如图1的封装件100的衬底104的 一部分。村底部分216可包括封装件衬底的增设层或核心层或者核心 层与至少一个增设层的组合。例如，用图l作为参考，图2的衬底部分216可包括如增设层114等增设层、如核心层112等核心层或者如 核心层112与增设层114、 115的至少一个构成的层組合。在图2中，衬底部分216可包括有机材料。在一些实施例中，衬 底部分216可包括至少一个聚合物层。在一些实施例中，衬底部分216 可包括Ajinomoto的增设膜(ABF)。在图2中，阻挡层230可直接淀积 在衬底部分216上。例如，可通过物理汽相淀积(PVD)来淀积阻挡层 230。阻挡层230可通过其它方法来形成。阻挡层230可包括氧化物、 氮化物或其它材料。例如，阻挡层230可包括氧化硅、氮化硅或者氮 氧化硅。在一些实施例中，阻挡层230的厚度为约1微米。图3示出导电层221。图3示出贯穿阻挡层230和衬底部分216 的导电段371、 372。导电段371和372可在形成导电层221之前或之 后来形成。在一些实施例中，在形成导电层221之前，通过形成穿过 阻挡层230和衬底部分216的通路孔341、 342，然后用导电材料填充 通路孔341、 342来形成导电段371和372。在另一些实施例中，在形 成导电层221之后，通过形成穿过导电层221、阻挡层230和衬底部 分216的通路孔341、 342,然后用导电材料填充通路孔341、 342来 形成导电段371和372。导电段371和372的材料可不同于导电层221 的导电材料。可通过钻孔或者通过其它方法来形成通路孔341和342。 在一些实施例中，可用激光器来形成通路孔341和342。在一些实施例中，可通过在阻挡层230上淀积导电材料来形成导 电层221。导电层221可包括单一导电材料或者多种材料的化合物。 在一些实施例中，导电层221可包括铜或镍。在另一些实施例中，导 电层221可包括其它导电材料。在一些实施例中，导电层221的厚度 为约15微米。图4示出具有开口 402的导电层221。如图4所示，开 口 402露出阻挡层230的一部分。可在阻挡层230和衬底部分216上 形成导电层221之后对导电层221形成图案，>*而形成开口 402。在 一些实施例中，可用蚀刻、激光钻孔或者其它方法来对导电层221形 成图案，从而形成开口 402。图5示出在导电层221上形成的介质层220。如图5所示，介质 层220的一部分在开口 402处直接与阻挡层230接触。可通过直接在 导电层221上淀积介质材料来形成介质层220。形成介质层220的方 法的一些示例包括溅射、离子镀、等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)、等离子体喷涂、热喷涂、印刷和气溶胶。可使用其它方法。 在一些实施例中，介质层220的介质材料可包括陶瓷材料。介质层220 的材料的一些示例包括钬酸钡BaTi03、钛酸锶SrTi03和钬酸锶钡 BaSrTi03。在一些实施例中，介质层220具有约1微米的厚度。可在使得可避免对介质层220之下的层的热损伤的温度下形成介 质层220。在一些实施例中，可在为约200。C的温度下形成介质层220。 在其它实施例中，可在低于200°C的温度下形成介质层220。在另一 些实施例中，可在室温例如约25。C的温度下形成介质层220。在一些实施例中，在约200°C或更低的温度下形成介质层220可 防止对介质层220之下的结构、如村底部分216的热损伤。例如，衬 底部分216可能具有低熔点，使得在高于200。C的温度下形成介质层 220时会在衬底部分216上发生热损伤。因此，在一些实施例中，在 约200。C或更低的温度下形成介质层220可防止对介质层220以下的 层的热损伤。图6示出在被退火的介质层220。能量源699用于对介质层220 进行退火。在一些实施例中，能量源699可包括激光源、如受激准分 子(激态复合物)激光源。激光源可包括紫外(UV)或深UV激光源。图6中，介质层220的退火使之能够具有较高的介电常数即高k。 在一些实施例中，介质层220可具有约400的介电常数。在其它实施 例中，介质层220可具有约6000的介电常数。在另一些实施例中，介 质层220可具有约400与约6000之间的介电常数。在一些实施例中， 介质层220可在室温下形成(如图5所示)，并以不同的温度退火，以使 介质层220能够具有在约2000与约4000之间的介电常数。在其它实 施例中，介质层220可在室温下形成(如图5所示)，并在约600。C与约800。C之间的温度下退火，以便使介质层220具有约3000的介电常 数。在一些实施例中，可通过快速热退火工序对介质层220进行退火。在一些实施例中，可在足以允许介质层220的介电常数位于约400 与约6000之间而没有引起对村底部分216的热损伤的温度下，对介质 层220进行退火。在一些实施例冲，在为约600。C的温度下对介质层 220进行退火。在另一些实施例中，在为约800。C的温度下对介质层 220进行退火。在一些实施例中，在约600。C与约800。C之间的温度 下对介质层220进行退火。在一些实施例中，可采用局部加热对介质层220快速退火，局部 加热可使来自能量源699的能量或热量的大部分加到介质层220上。 用局部加热对介质层220进行退火可阻止热量分散到衬底部分216, 从而防止对村底部分216的热损伤。在一些实施例中，可用激光对^h质层220快速退火。例如，来自 能量源699的激光束可在激光退火工序中扫描介质层220的整个表面。 在一些实施例中，激光束可对介质层220的每个独立部分扫描不到10 微秒。在一些实施例中，激光束可具有约IO纳秒的脉冲持续时间。采 用激光对介质层220进行退火便于得到介质层220内的浅热扩散长度， 并防止热能量分散到村底部分216。于是，可避免对衬底部分216的 热损伤。另外，图6所示的结构有助于分散或传递在退火工序中产生的热 量，从而进一步防止对衬底部分216的热损伤。例如，可在退火工序 中将热量传递到导电层221和导电段371、 372,从而减少所产生的会 影响村底部分216的热量。部分216带来热损伤。例如，在一些实施例中，衬底部分216会具有 低熔点，使得在没有阻挡层230的情况下，以某些温度对介质层220 进行退火可引起衬底部分216的热损伤。但是，根据本文所述的一个 实施例，通过包含可充当热阻挡层的阻挡层230，防止来自能量源699的热能量在退火工序中通过衬底部分216传导，由此可进一步避免对 衬底部分216的热损伤。图7示出具有开口 702的介质层220。可通过对介质层220形成 图案来形成开口 702。在一些实施例中，蚀刻、激光钻孔或者其它方 法可用于对^h质层220形成图案，从而形成开口 702。在图7中，在 对介质层220进行退火之后对它形成图案。在一些实施例中，可在对 介质层220进行退火之前对它形成图案。例如，可在对介质层220进 行退火之前，在图6所述的工序中对介质层220形成图案。如图7所 示，在对介质层220进行退火之后对介质层220形成图案，可在对介 质层220进行退火时更加保护衬底部分216。图8示出在介质层220上形成的导电层222。对导电层222形成 图案，以形成开口或间隙802。图8还示出TFC811的结构。TFC811 的介质层包括^bt层220的部分820 。 TFC 811的底电极层包括导电层 221的部分821。 TFC811的顶电极层包括导电层222的部分822。图9示出衬底部分913;导电段971、 972;以及导电触垫或焊 盘961、 962。可通过形成通路孔941、 942并用导电材料填充来形成 导电段971和972。在一些实施例中，导电段371、 372、 971、 972和 导电层221、 222的每个可采用不同的材料。如图9所示，导电段371 和971可以是导电通if各991的一部分；导电段372和972可以是导电 通路992的一部分。在一些实施例中，图9的导电通路991和992可 以是例如图1的导电通路191、 192等导电通路的一部分；图9的导电 触垫961和962可以是例如图1的导电触垫161、 162等导电触垫。图 9所示的结构可以是衬底904的一部分。如图2至图9所示，TFC811 的第一和第二导电层n、 222以及介质层220各自单独地直接在衬底 904上形成。在一些实施例中，衬底904可以是封装件衬底，例如图l 的封装件100的衬底104。在一些实施例中，在形成衬底904或TFC 811的一个或多个组成 部分时，散热装置901可联接或固定到衬底904上，以传递或分散来自衬底904的热量。例如，散热装置901可用来分散在形成第一导电 层221、介质层220和第二导电层222中的至少一个时所产生的热量。 使用散热装置(如散热装置901)可进一步降低在对介质层220进行 退火时产生的热量对衬底部分216的影响，由此可进一步避免对衬底 部分216的热损伤。在一些实施例中，散热装置901可包括散热器。在图2至图9中，按示例给出的顺序来形成衬底904和TFC 811 的组成部分。在一些实施例中，可按照与本文所述顺序不同的顺序来 形成衬底904和TFC 811的组成部分。在图2至图9中，首先在村底部分216上形成阻挡层230,然后 形成其它层。如图2至图9所示，形成阻挡层230,以防止在形成衬 底部分216之上的其它层时对村底部分216的热损伤。但是，在一些 实施例中，在形成衬底部分216之上的其它层时不会引起对衬底部分 216的热损伤的情况下，可省略阻挡层230。例如，在形成导电层221、 介质层220和导电层222而不会引起对衬底部分216的热损伤时，可 省略阻挡层230。图2至图9示出形成TFC如TFC811的一个示例。可在与图2至 图9中所示相似的工序中形成多个薄膜电容器，例如图9的多个TFC 811。如图2至图9所示，通过直接在衬底904上单独或分别形成TFC 811的各组成部分，在衬底904(图9)中形成和嵌入整个TFC 811。因 此，根据本发明的实施例，TFC (如TFC 811)直接在村底904上形成 并嵌入村底904而无需层叠工序，以至于没有任何TFC 811的部分或 组成部分预先形成、然后再层叠到衬底904上。根据本发明的实施例在封装件中形成TFC (例如形成TFC 111或 TFC 811)可消除对于仔细处理预先形成的电容器的需要，消除对于层 叠工序的准确对齐的需要，并且可降低成本并缩短制造时间。另外， 根据本发明的实施例在封装件中形成电容器(例如形成TFC 111或 TFC811)可便于轻松地形成通路孔。例如，在形成各层时，可在不同层形成时随之形成通路孔。另外，根据本发明的实施例在封装件中形成电容器(例如形成TFC 111或TFC 811)便于实现在村底上形成TFC的现场过程，因为TFC 无需在单独的工序中预先形成。用于直接在衬底上形成TFC的现场过 程可以只是制造工序，从而可减少制造时间。图10示出根据本发明的一个实施例、具有在衬底的衬底部分的两 側形成的集成TFC的封装件。封装件1000包括贴附在衬底1004上的 棵片1002。衬底1004包括村底部分1012、 1013和10";在衬底部 分1012的一側形成的TFC 1011和阻挡层1030;以及在衬底部分1012 的另 一侧形成的TFC 1022和阻挡层1032。村底部分1012、 1013和1015 中的每个可包括一个或多个有机层。TFC 1011和TFC 1022中的每个可代表单个集成薄膜电容器或者一組多个集成薄膜电容器。如图10所 示，TFC 1011以及TFC 1022嵌入在村底1004中。在一些实施例中，可在至少与图2至图9所示的工序相似的工序中形成TFC 1011、 TFC1022和阻挡层1030、 1032。图11是根据本发明的一个实施例的方法的流程图。方法1100直 接在村底上形成集成TFC，而无需预先形成整个TFC、然后将整个预 先形成的TFC层叠到衬底上。方法1100在现场过程中单独地直接在 衬底上形成TFC的各部件。在一些实施例中，方法UOO可用来形成 图1的TFC 111、图9的TFC 811以及图10的TFC 1011、 TFC 1022。在图11中，方法1100的步骤1110在封装件衬底的衬底部分上形 成阻挡层。该村底部分可包括至少一个有机层。该阻挡层可包括无机 层。在一些实施例中，形成阻挡层，以在衬底上随后形成一个或多个 其它层时防止热量传递到衬底上。在一些实施例中，步骤1110可用来 形成阻挡层130(图1)或阻挡层230(图2)。图11中，步骤1120在阻挡层上形成第一导电层。可对笫一导电 层形成图案，以形成开口而露出阻挡层的一部分。第一导电层可包括 铜、镍或其它导电材料。在一些实施例中，步骤1120可用来形成如图3所示的导电层221。
方法1100的步骤1130在第一导电层上形成介质层。该介质层可 通过直接在第 一导电层上淀积介质材料来形成。介质材料可包括陶瓷 材料。在一些实施例中，可在约200。C或更低的温度下淀积介质材料。 该介质层的至少 一部分可通过第 一导电层的开口与阻挡层直接接触。 在一些实施例中，步骤1130可用来形成图5所示的介质层220。
方法1100的步骤1140对介质层进行退火。激光器可用于对介质 层快速退火。在一些实施例中，用受激准分子激光器对介质层进行局 部退火，从而避免对介质层之下的衬底部分的热损伤。在一些实施例 中，可用约600。C与约800。C之间的温度对介质层进行退火。介质层 可具有约400与约6000之间的介电常数。在一些实施例中，散热装置 可贴附在村底上，以传递或分散在对介质层进行退火时产生的热量， 从而进一步防止对衬底的热损伤。在一些实施例中，步骤1140可用于 对图6所示的介质层220进行退火。
方法1100的步骤1150对介质层形成图案。可在对介质层进行退 火之前或之后对介质层形成图案。在一些实施例中，步骤1150可用于 对图7所示的介质层220形成图案。
方法1100的步骤1160在介质层上形成第二导电层。第二导电层 可包括铜、镍或其它导电材料。第二导电层可被形成图案，以将第二 导电层的一部分与第一导电层分隔开，从而形成电容器的电极。在一 些实施例中，步骤1160可用来形成如图8所示的导电层222。
方法1100的步骤1170在第二导电层上形成附加衬底部分。该附 加衬底部分可包括有机材料，例如聚合物材料。在一些实施例中，步 骤1170可用来形成如图9所示的衬底部分913。
方法1110的步骤1180形成多个导电通路，以使连接能够到达第 一和第二导电层。这些导电通路可包括在1110至1170中的一个或多 个步骤中形成的导电段。
在用方法1100形成的结构中，通过步骤1110至1180形成的第一
16导电层的一部分、介质层的一部分以及第二导电层的一部分是嵌入在
封装件的村底中的集成TFC的组成部分。如方法1100所述，集成TFC 的各组成部分在现场过程中单独地直接在衬底上形成而无需使用层叠 工序。
方法1100的各单个步骤无需按照所示顺序或者按照任何特定顺 序来执行。 一些步骤可重复进行，而另一些步骤可仅发生一次。各种 实施例可具有比图11所示的更多或更少的步骤。
图12示出根据本发明的一个实施例的系统。系统1200包括处理 器1210、存储器1220、存储控制器1230、图形控制器1240、输入输 出(I/0)控制器1250、显示器1252、键盘1254、指点器1256、外部设 备1258以及总线1260。
处理器1210可以是通用处理器或专用集成电路(ASIC)。存储器 1220可以是动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器 (SRAM)、闪速存储器或者这些存储器的组合。I/O控制器1250可包括 用于有线或无线通信的通信;溪块。可将系统1200中所示的组成部分中 的一个或多个包含在一个或多个集成电路封装件中。例如，可将处理 器1210或存储器1220或者I/0控制器1250中的至少一部分或者这些 部件的组合包含在集成电路封装件，如图1的封装件100中。因此， 可将系统1200中所示的組成部分中的一个或多个包含在封装件中，其 中封装件包括嵌入封装件衬底中的至少一个集成薄膜电容器，例如嵌 入图1的村底104中的TFC 111或者嵌入图9的衬底904中的TFC 811。
图12示出具有显示器(如显示器1252)的系统1200。在一些实 施例中，系统1200可以不包括显示器。
系统1200可包括计算机(例如台式计算机、膝上型电脑、手提 电脑、服务器、网络应用装置、路由器等)；无线通信装置(例如蜂窝 电话、无绳电话、寻呼机、个人数字助理等)；计算机相关外设(例如 打印机、扫描仪、监视器等)；娱乐装置(例如电视机、收音机、立体 声系统、磁带或光盘播放器、盒式录像机、便携摄像机、数码相机、MP3(运动图像专家小组，音频层3)播放器、电子游戏机、手表等)； 以及其他装置。
以上的描述和附图充分说明本发明的一些具体实施例，使本领域 的技术人员能够实施本发明的实施例。其它的实施例可加入结构、逻 辑、电气、工序上的改变及其它变更。附图中，相似的标记在若干视
图中描述的实质上相似的特征。示例只代表可能的变更。 一些实施例 的部分和特征可包^^在其它实施例的部分或特征中，或者作为其替代。
通过阅读和理解以上描述，本领域技术人员将会清楚地知道其它许多
实施例。因此，各种实施例的范围由所附权利要求以及被授以这些权
利要求的等同物确定。
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权利要求
1.一种方法，包括在有机衬底之上形成第一导电层；在所述第一导电层之上形成介质层；在所述第一导电层和所述有机衬底之上形成所述介质层后，对所述介质层进行退火；以及在所述介质层之上形成第二导电层。
2. 如权利要求1所述的方法，还包括 在形成所述第一导电层之前形成阻挡层，其中，形成所述第一导电层后，所述阻挡层位于所述有机衬底与所述第一导电层之间。
3. 如权利要求2所述的方法，其中，所述阻挡层包括与所迷有机衬底的材料不同的材料，以防止对所述有机衬底的热损伤。
4. 如权利要求3所述的方法，其中，所述介质层包括陶瓷材料。
5. 如权利要求4所述的方法，其中，所述第一导电层、介质层和 所述第二导电层是电容器的组成部分。
6. 如权利要求l所述的方法，还包括.'通过所述介质层的第一开口形成第一导电通路，所述第一导电通 路与所述第一导电层连接；以及通过所述介质层的第二开口形成第二导电通Jf各，所述第二导电通 路与所述第二导电层连"l妄。
7. 如权利要求2所述的方法，还包括所述介质层形成之前形成所述第一导电层中的开口，以露出所述 阻挡层的一部分，使得所述介质层的至少一部分在形成所述介质层之 后与所述阻挡层直接接触。
8. 如权利要求l所述的方法，其中，在低于约200。C的溫度下形 成所述介质层。
9. 如权利要求8所述的方法，其中，在约600。C与约800。C之间的温度下对所述介质层进行退火。
10. 如权利要求9所述的方法，其中，所述介质层具有约400与 约6000之间的介电常数。
11. 如权利要求10所述的方法，其中，用激光对所述介质层进行 退火。
12. —种方法，包括直接在集成电路封装件的衬底上形成电容器，其中，所述电容器 包括第一电极层、第二电极层以及所迷第一与第二电极层之间的介质 层，所述第一和第二电极层中的每一层和所述介质层均直接在所述衬 底上形成。
13. 如权利要求12所述的方法，其中，所述衬底包括有机层。
14. 如权利要求13所述的方法，其中，形成所述电容器的步骤包括在所述有机层之上淀积所述第一电极层； 在所述第 一 电极层之上淀积所述介质层；在所述第一导电层和所述有机层之上形成所述介质层后，对所述 介质层进行退火；以及在所述介质层之上淀积所述第二电极层。
15. 如权利要求14所述的方法，还包括在所述第 一 电极层形成前形成阻挡层，使得在形成所述第 一电极 层后，所述阻挡层位于所述有机层与所述第 一 电极层之间。
16. 如权利要求15所述的方法，还包括将热量从所述衬底传递到散热装置，以减少在所述第一电极层、 所述介质层和所述第二电极层中的至少一层形成时来自所迷村底的热量。
17. 如权利要求15所述的方法，其中，所述介质材料包括陶瓷材 料，并且所述阻挡层包括氧化物材料。
18. 如权利要求17所述的方法，其中，在室温下形成所述介质层，并且在所述介质层退火后，所述介质层具有约2000与约4000之间的 介电常数。
19. 一种装置，包括 有机衬底；覆盖所述有机村底的阻挡层； 覆盖所述阻挡层的第一电极层； 覆盖所述第一电极层的介质层；以及覆盖所述介质层的第二电极层，其中，所述第一电极层、^h质层 和所述第二电极层是电容器的组成部分。
20. 如权利要求19所述的装置，其中，所述有机村底部分包括聚合物层。
21. 如权利要求20所述的装置，其中，所述阻挡层包括无机材料。
22. 如权利要求19所述的装置，其中，所述^h质层的厚度为约l 微米。
23. 如权利要求19所述的装置，其中，所述介质材料包括化合物， 其中所述化合物包^^l太。
24. 如权利要求23所述的装置，其中，所述阻挡层包括氧化物材料。
25. 如权利要求19所述的装置，还包括贯穿所述介质层的第一开口的笫一导电通路，所述第一导电通路 与所述第一电极层连接；以及贯穿所述介质层的第二开口的第二导电通路，所述笫二导电通路 与所述第二电极层连接。
26. 如权利要求25所述的装置，其中，所述第一导电通路的所述 至少 一部分贯穿所述有机村底，且所迷第二导电通路的所述至少一部 分贯穿所述有机衬底。
27. 如权利要求19所述的装置，还包括贴附在所述有机衬底上 的棵片，其中，所述棵片和所述有机衬底是集成电路封装件的组成部
28. —种系统，包括包含有机衬底、覆盖所述有机衬底的阻挡层、覆盖所述阻挡层的 第一电极层、覆盖所述笫一电极层的介质层以及覆盖所述介质层的第 二电极层的集成电路封装件，其中，所述第一电极层、所述介质层和 所述第二电极层是电容器的組成部分；与所述有机村底连接的集成电路；以及与所述集成电路连接的显示器。
29. 如权利要求28所迷的系统，其中，所述介质层包括陶瓷材料， 并且所述阻挡层包括氧化物材料。
30. 如权利要求29所述的系统，还包括贯穿所述介质层的笫一开口的第一导电通路，所述第一导电通路 与所述笫一电极层连接；以及贯穿所述介质层的第二开口的第二导电通路，所述第二导电通路 与所迷笫二电极层连接。
全文摘要
本发明的一些实施例包括在集成电路封装件的封装件衬底上形成的薄膜电容器。薄膜电容器的至少一个包括第一电极层、第二电极层以及第一与第二电极层之间的介质层。第一和第二电极层中的每一层及介质层均各自直接在封装件衬底上形成。并描述了其它实施例并提出了权利要求。
文档编号H05K1/16GK101410914SQ200780010702
公开日2009年4月15日 申请日期2007年3月19日 优先权日2006年3月27日
发明者I·萨拉马, Y·闵 申请人:英特尔公司