发光二极管之矩阵结构的制作方法

文档序号:8127388阅读:442来源:国知局
专利名称:发光二极管之矩阵结构的制作方法
技术领域
本实用新型为一种发光二极管之矩阵结构,尤指可于任一对水平 扫描线及垂直扫描线之间,连接控制二组发光二极管的发光二极管之 矩阵结构。
背景技术
图1为习用的发光二极管之矩阵结构示意图,其中包含了发光二
极管11、发光二极管12、第一垂直扫描线13、发光二极管14、发光 二极管15、第二垂直扫描线16、第一水平扫描线17及第二水平扫描 线18。
习用的2X2发光二极管矩阵,如图1所示,具有一组水平扫描线 及一组垂直扫描线。水平扫描线包含二条水平扫描线,分别是第一水 平扫描线17及第二水平扫描线18。垂直扫描线包含二条垂直扫描线, 分别是第一垂直扫描线13及第二垂直扫描线16。在每一对水平扫描 线17、 18及垂直扫描线13、 16之间,都可以连接一个发光二极管 11、 12、 14及15。因此,具有二条水平扫描线17、 18的水平扫描线 与具有二条垂直扫描线13、 16的垂直扫描线,共可以驱动四个发光 二极管ll、 12、 14及15,组成2X2的发光二极管矩阵。
习用的2X2发光二极管矩阵,是在水平扫描线的水平扫描线17、 18上以扫描方式输出高位准,并且在需要驱动的发光二极管所连接
的垂直扫描在线输出低位准,借此促使发光二极管发亮。若是某个发 光二极管不需导通,即可直接于对应的垂直扫描在线输出高位准即
可。例如欲促使发光二极管11导通发亮,可在扫描第一水平扫描 线17时,于第一垂直扫描线13上输出低位准即可达成(发光二极管 11的正端部分连接输出高位准的第一水平扫描线17,负端部分连接 输出低位准的第一垂直扫描线13,因此会导通发亮)。反之若不要促 使发光二极管15导通发亮,即可于扫描第二水平扫描线18时,于第 二垂直扫描线16上输出高位准即可达成(发光二极管15的正端部分 连接输出高位准的第二水平扫描线18,负端部分连接输出同样为高 位准的第二垂直扫描线16,因此不会导通发亮)。
习用的技术具有下列缺点
习用的发光二极管矩阵,每一对水平扫描线及垂直扫描线之间, 仅可连接控制一个发光二极管,并无法驱动更多个发光二极管。
因此,如何改进上述习用的缺点,使得发光二极管之矩阵结构能 同时驱动更多发光二极管,为本实用新型所关注的。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一新颖且进步的发光二极管之矩阵 结构,在每一对水平扫描线及垂直扫描线之间,以正负端相反的形式 连接二个发光二极管,并利用在水平扫描线及垂直扫描在线交替输出 高低位准的方式,促使发光二极管之矩阵结构能同时驱动更多发光二 极管。
为达上述目的,本实用新型提出一种发光二极管之矩阵结构,由
复数个发光二极管单元所构成,其中一发光二极管单元包含 一水平扫描线; 一垂直扫描线;
一第一发光二极管,连接于该水平扫描线及一垂直扫描线之间, 并且以正端部分连接该水平扫描线,以负端部分连接该垂直扫描线;
一第二发光二极管,连接于该水平扫描线及一垂直扫描线之间, 并且以正端部分连接该垂直扫描线,以负端部分连接该水平扫描线。
其中,该复数个发光二极管单元透过连接每一发光二极管单元的 水平扫描线及垂直扫描线,构成该发光二极管之矩阵结构。
如所述的发光二极管之矩阵结构,其中该第一发光二极管的驱动 方式,是利用于水平扫描在线输出高位准,在垂直扫描在线输出低位 准的方式来达成。
如所述的发光二极管之矩阵结构,其中该第二发光二极管之驱动 方式,是利用在水平扫描在线输出低位准,在垂直扫描在线输出高位 准的方式来达成。
本实用新型具有下列优点
本实用新型所提出的发光二极管之矩阵结构,能在每一对水平扫 描线及垂直扫描线之间,驱动控制二个发光二极管,使得整体结构能 多驱动一倍数量的发光二极管。

图1为习用的发光二极管的矩阵结构示意图2为本实用新型较佳实施例的发光二极管之矩阵结构示意图。
图中主要组件符号说明:
发光二极管............11
发光二极管............12
第一垂直扫描线..........13
发光二极管............14
发光二极管............15
第二垂直扫描线.......... 16
第一水平扫描线.......... 17
第二水平扫描线.......... 18
第一发光二极管.......... 21
第一发光二极管.......... 22
第一垂直扫描线.......... 23
第二发光二极管.......... 24
第二发光二极管.......... 25
第一发光二极管.......... 26
第一发光二极管.......... 27
第二垂直扫描线.......... 28
第二发光二极管.......... 29
第一水平扫描线.......... 210
第二发光二极管.......... 211
第二水平扫描线.......... 212
发光二极管单元.......... 21具体实施方式
图2为本实用新型较佳实施例的发光二极管之矩阵结构示意图, 其中包含了第一发光二极管21、第一发光二极管22、第一垂直扫描 线23、第二发光二极管24、第二发光二极管25、第一组发光二极管 26、第一发光二极管27、第二垂直扫描线28、第二发光二极管29、 第一水平扫描线210、第二发光二极管211、第二水平扫描线212及 发光二极管单元213。
在本实用新型所提出的发光二极管之矩阵结构中,如图2所示, 由四个发光二极管单元213所组成的2X2矩阵结构,具有一组水平 扫描线及一组垂直扫描线。水平扫描线同样包含二条水平扫描线,分 别是第一水平扫描线210及第二水平扫描线212。垂直扫描线同样包 含二条垂直扫描线,分别是第一垂直扫描线23及第二垂直扫描线28。 不同于习用的技术,本实用新型所提出的发光二极管之矩阵结构,在 每一对水平扫描线210、 212及垂直扫描线23、 28之间,都可连接二 个发光二极管21、 22、 24、 25、 26、 27、 29及211。第一发光二极 管21、 22、 26及27的正端部分是连接在水平扫描线210及212上, 负端部分是连接在垂直扫描线23及28上。而第二发光二极管24、 25、 29及211的正端部分是连接在垂直扫描线23及28上,负端部 分是连接在水平扫描线210及212上。因此,具有二条水平扫描线 210、 212的水平扫描线与具有二条垂直扫描线23、 28的垂直扫描线, 共可以驱动八个发光二极管21、 22、 24、 25、 26、 27、 29及211。
本实用新型所提出的发光二极管之矩阵结构中,第一发光二极管
21、 22、 26及27的驱动,采用与习用相同的推动方式(在欲导通的 第一发光二极管21、 22、 26及27所对应的水平扫描线210、 212上 输出高位准,以及于所对应的垂直扫描线23及28上输出低位准)。 然而,对于第二发光二极管24、 25、 29及211,本实用新型采用另 一种特殊的驱动方式,当第一发光二极管2K 22、 26及27扫描驱动 完成之后,改于水平扫描线210、 212上输出低位准,并于欲导通的 第二发光二极管24、 25、 29及211所对应的垂直扫描线23及28上 输出高位准,借此来达到导通第二发光二极管24、 25、 29及211之 目的。这样的驱动方式,不仅能在第一发光二极管21、 22、 26及27 导通时保持第二发光二极管24、 25、 29及211不导通;在第二发光 二极管24、 25、 29及211导通时保持第一发光二极管21、 22、 26及 27不导通,并且在相同的结构下,更能多驱动一倍数量的发光二极 管。
综上所述,本实用新型所提的发光二极管之矩阵结构,在每一对 水平扫描线及垂直扫描线之间,以正负端相反的形式连接二个发光二 极管,并利用交替输出高低位准于水平扫描线及垂直扫描线的方式, 使得发光二极管之矩阵结构能驱动多一倍的发光二极管数量,进步新 颖且实用,如其变更设计,例如采用不同类型的发光二极管或增加输 出端口的扫描线个数等,只要是在发光二极管之矩阵结构中,采用将 二个发光二极管以正负端相反的形式,连接于一对水平扫描线及垂直 扫描线之间的,都是本实用新型所保护的范围。
权利要求1. 一种发光二极管之矩阵结构,由复数个发光二极管单元所构成,其特征为其中一发光二极管单元包含一水平扫描线;一垂直扫描线;一第一发光二极管,连接于该水平扫描线及该垂直扫描线之间,并且以正端部分连接该水平扫描线,以负端部分连接该垂直扫描线;一第二发光二极管,连接于该水平扫描线及该垂直扫描线之间,并且以正端部分连接该垂直扫描线,以负端部分连接该水平扫描线;其中,该复数个发光二极管单元透过连接每一发光二极管单元的水平扫描线及垂直扫描线,构成该发光二极管之矩阵结构。
2. 根据权利要求1所述的发光二极管之矩阵结构,其特征为其 中该第一发光二极管的驱动方式,是利用在该水平扫描在线输出高位 准,且在该垂直扫描在线输出低位准的方式来达成。
3. 根据权利要求1所述的发光二极管之矩阵结构,其特征为其 中该第二发光二极管的驱动方式,是利用在该水平扫描在线输出低位 准,且在垂直扫描在线输出高位准的方式来达成。
专利摘要本实用新型为一种发光二极管之矩阵结构,由复数个发光二极管单元所构成,其中一发光二极管单元包含一水平扫描线;一垂直扫描线;一第一发光二极管,连接于该水平扫描线及一垂直扫描线之间,并且以正端部分连接该水平扫描线,以负端部分连接该垂直扫描线;一第二发光二极管,连接于该水平扫描线及一垂直扫描线之间,并且以正端部分连接该垂直扫描线,以负端部分连接该水平扫描线。其中,该复数个发光二极管单元透过连接每一发光二极管单元的水平扫描线及垂直扫描线,构成该发光二极管之矩阵结构。
文档编号H05B37/00GK201212659SQ200820114309
公开日2009年3月25日 申请日期2008年5月8日 优先权日2008年5月8日
发明者林正隆 申请人:森富科技股份有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1