专利名称：一种金属发热体的制作方法
技术领域：
本发明为晶体生长热场，特别是一种多用途可控梯度的金属发热体。
背景技术：
随着光通讯、激光工业和LED产业的发展、需要的各种光功能晶体材料的质量和 尺寸越来越大。生长大尺寸高质量的光功能晶体尤其是高温氧化物晶体存在这技术难题， 关键是解决发热体和温度梯度的问题。
发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供一种多种方法生长高温氧化物晶体的通用性 金属发热体，通过发热体的设计来调节温场，并得到晶体生长所需要的高温和温度分布，从 而提高了晶体的尺寸和质量，解决大尺寸高温氧化物晶体的生长困难问题。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现 —种金属发热体，由金属法兰和金属发热体构成，金属法兰固定在金属发热体的 开口处，通过金属法兰将金属发热体固定成一体，其特征在于所述金属发热体由金属发热 丝弯折组合而成，在所述弯折后的金属发热丝之间的间距、密排度呈现不规则状或规则状， 构成的金属发热体高度在100-2000mm之间。 所述金属发热丝的截面为丝状、棒状、片状或圆状，直径在0. l-10mm之间，构成棒 状的金属丝不少于两根。 在所述金属发热丝弯折而成金属发热体的底面为底面发热体，所述底面发热体的 分布方式为均匀状或不均匀状，中心具有孔或中心不具有孔。
所述每根金属发热丝折弯呈n型，在n型折弯面上具有多种形式。 所述金属法兰由多片金属法兰片构成，有两片结构，三片结构、四片结构、五片结
构和六片结构。 本发明的有益效果是金属发热体内可达到的温度范围在1000 250(TC之间，通过 调节金属发热体的间距、密排度、折弯形式和高度可以获得生长不同晶体所需要的温度和 温度分布，从而提高了晶体的尺寸和质量，解决大尺寸高温氧化物晶体的生长困难问题。
图1是本发明金属发热体的结构示意图； 图2是图1的俯视图； 图3是金属发热体底面金属发热丝均匀分布或中心无孔结构示意图； 图4是金属发热体底面金属发热丝不均匀分布或中心有孔结构示意图； 图5是金属发热丝多种折弯示意图； 图6是金属法兰座结构示意图。
具体实施例方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结 合具体图示，进一步阐述本发明。 如图1和2所示，一种金属发热体，由金属法兰1和金属发热体2构成，金属法兰 1固定在金属发热体2的开口处，通过金属法兰1将金属发热体2固定成一体，金属发热体 2由金属发热丝3弯折组合而成，在弯折后的金属发热丝3之间的间距、密排度呈现不规则 状或规则状，构成的金属发热体高度在100-2000mm之间。其中金属发热丝3的截面直径在 0. l-10mm之间。 如图3和图4所示，金属发热丝3弯折而成金属发热体的底面为底面发热体4，底 面发热体4的分布方式为均匀状或不均匀状，中心具有孔或中心不具有孔。
如图5所示，每根金属发热丝3折弯呈n型，在n型折弯面上具有多种形式。
如图6所示，金属法兰1由多片金属法兰片构成，有两片结构，三片结构、四片结 构、五片结构和六片结构，固定在金属法兰座5上。 以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术 人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本 发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变 化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其 等效物界定。
权利要求
一种金属发热体，由金属法兰和金属发热体构成，金属法兰固定在金属发热体的开口处，通过金属法兰将金属发热体固定成一体，其特征在于所述金属发热体由金属发热丝弯折组合而成，在所述弯折后的金属发热丝之间的间距、密排度呈现不规则状或规则状，构成的金属发热体高度在100-2000mm之间。
2. 根据权利要求1所述新型的金属发热体，其特征在于所述金属发热丝的截面为丝 状、棒状、片状或圆状，直径在0. l-10mm之间，构成棒状的金属丝不少于两根。
3. 根据权利要求1所述新型的金属发热体，其特征在于所述金属发热丝弯折而成金 属发热体的底面为底面发热体，所述底面发热体的分布方式为均匀状或不均匀状，中心具 有孔或中心不具有孔。
4. 根据权利要求1所述新型的金属发热体，其特征在于所述每根金属发热丝折弯呈 n型，在n型折弯面上具有多种形式。
5. 根据权利要求1所述新型的金属发热体，其特征在于所述金属法兰由多片金属法兰片构成，有两片结构，三片结构、四片结构、五片结构和六片结构。
全文摘要
一种金属发热体，为晶体生长热场，由金属法兰和金属发热体构成，金属法兰固定在金属发热体的开口处，通过金属法兰将金属发热体固定成一体，其特征在于所述金属发热体由金属发热丝弯折组合而成，在所述弯折后的金属发热丝之间的间距、密排度呈现不规则状或规则状，构成的金属发热体高度在100-2000mm之间。有益效果是金属发热体内可达到的温度范围在1000~2500℃之间，通过调节金属发热体的间距、密排度、折弯形式和高度可以获得生长不同晶体所需要的温度和温度分布，从而提高了晶体的尺寸和质量，解决大尺寸高温氧化物晶体的生长困难问题。
文档编号H05B3/62GK101760782SQ20091019635
公开日2010年6月30日 申请日期2009年9月25日 优先权日2009年9月25日
发明者黄小卫 申请人:上海元亮光电科技有限公司