一种晶体生长炉的绝热结构的制作方法

文档序号:8187106阅读:310来源:国知局
专利名称:一种晶体生长炉的绝热结构的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种晶体生长炉,特别涉及一种晶体生长炉的绝热结构。
背景技术
LED产业链相对较长,跨越了晶体生长,掏棒,基片切割,MOCVD外延及芯片,封装等等,蓝宝石晶体生长的特点为周期长,能耗高,且晶体质量无法直接反馈,随着蓝宝石晶体生长尺寸的增大和LED产业的快速普及,许多晶体生长过程中的实际问题也愈发明显,如能耗,周期,热场寿命,加工难度等引起了人们的关注。为了进一步推广LED照明产业的发展,降低生产成本,制备高质量的蓝宝石晶体成为行业目前亟待解决的课题。为了减少不必要的热损失,传统方法是使用石墨软毡作为传统保温材料,然而在蓝宝石炉的高温环境下,软毡容易挥发造成碳杂质进入氧化铝熔体,污染晶体。因此,为了实现对蓝宝石晶体炉热场的保温效果,现多采用金属热屏结构,即采用多个O. 1-5毫米厚的钨或钥板,弯成直径由小到大的圆筒状,并且套叠在一起并相互固定起来,最终形成一定厚度的保温层。保温层的厚度及高度,由热场需要保持的温度及热场高度决定,多为8-12层/5-7厘米厚。同时,该热场材料的使用寿命仅为18个月,因此为了保证热场使用效果及纯度,该保温材料材料需要定期更换。在实际晶体成本中,热场材料作为消耗品占成本中很大比例,而且该钨/钥金属层的保温效果在高温环境下不如传统石墨软毡。亟需寻找一种使用寿命长、绝热性能好且不污染晶体的新的绝热结构。

实用新型内容为了解决上述问题,本实用新型提供了一种新的晶体生长炉的绝热结构,该结构对传统两种绝热结构进行改进,结合它们的优点,克服各自的缺陷。一种晶体生长炉的绝热结构,该绝热结构包括内层、中心层、外层,内层和外层为钨钥板,中心层为石墨软毡。其中,所述中心层的厚度为5-100毫米。其中,所述内层的厚度为O. 1-5毫米。其中,所述外层的厚度为O. 1-5毫米。其中,所述绝热结构还包括底板和顶部,底板和顶部为钨钥板。优选地,所述底板的厚度为O. 1-5毫米。优选地,所述顶部的厚度为O. 1-5毫米。其中,所述绝热结构的内层、中心层和外层用钥钉连接。本实用新型提供的新的晶体生长炉的绝热结构为金属-石墨软毡-金属的三明治 式的混合结构,石墨软毡夹在两层金属保温筒之间,并加以顶部和底层,可防止高温下软毡挥发而污染晶体,且具有良好的保温效果。显然,根据本实用新型的上述内容,按照本领域的普通技术知识和惯用手段,在不脱离本实用新型上述基本技术思想前提下,还可以做出其它多种形式的修改、替换或变更。[0016]以下通过实施例形式的具体实施方式
,对本实用新型的上述内容再作进一步的详细说明。但不应将此理解为本实用新型上述主题的范围仅限于以下的实例。凡基于本实用新型上述内容所实现的技术均属于本实用新型的范围。

图I本实用新型的结构示意图。其中,I是内层,2是中心层,3是外层,4是底板,5是顶部,6是钥钉。
具体实施方式如图I所示,一种晶体生长炉的绝热结构,该绝热结构包括内层I、中心层2、外层3,内层I和外层3为钨钥板,中心层2为石墨软毡。其中,所述中心层2的厚度为5-100毫米。其中,所述内层I的厚度为O. 1-5毫米。其中,所述外层3的厚度为O. 1-5毫米。其中,所述绝热结构还包括底板4和顶部5,底板4和顶部5为钨钥板。优选地,所述底板4的厚度为O. 1-5毫米。优选地,所述顶部5的厚度为O. 1-5毫米。其中,所述绝热结构的内层I、中心层2和外层3用钥钉6连接。本实用新型提供的新的晶体生长炉的绝热结构克服了传统绝热结构的缺陷,具有良好的工业应用前景。
权利要求1.一种晶体生长炉的绝热结构,其特征在于该绝热结构包括内层(I)、中心层(2)、外层(3),内层⑴和外层(3)为钨钥板,中心层⑵为石墨软毡。
2.根据权利要求I所述的绝热结构,其特征在于所述中心层(2)的厚度为5-100毫米。
3.根据权利要求I所述的绝热结构,其特征在于所述内层(I)的厚度为0.1-5毫米。
4.根据权利要求I所述的绝热结构,其特征在于所述外层(3)的厚度为0.1-5毫米。
5.根据权利要求I所述的绝热结构,其特征在于所述绝热结构还包括底板(4)和顶部(5),底板⑷和顶部(5)为钨钥板。
6.根据权利要求5所述的绝热结构,其特征在于所述底板(4)的厚度为0.1-5毫米。
7.根据权利要求5所述的绝热结构,其特征在于所述顶部(5)的厚度为0.1-5毫米。
8.根据权利要求I所述的绝热结构,其特征在于所述绝热结构的内层(I)、中心层(2)和外层(3)用钥钉(6)连接。
专利摘要本实用新型提供了一种晶体生长炉的绝热结构,该绝热结构包括内层、中心层、外层,内层和外层为钨钼板,中心层为石墨软毡。本实用新型提供的晶体生长炉的绝热结构具有寿命长、绝热性能好且不污染晶体的优点,克服传统绝热结构的缺陷,具有良好的市场应用前景。
文档编号C30B35/00GK202380135SQ20112045199
公开日2012年8月15日 申请日期2011年11月15日 优先权日2011年11月15日
发明者吕铁铮 申请人:吕铁铮
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