陶瓷覆铜板的制作方法

文档序号:8185077阅读:1121来源:国知局
专利名称:陶瓷覆铜板的制作方法
技术领域
本实用新型涉及电路板及其制备方法领域技术,尤其是指一种氧化铝或氮化铝陶瓷覆铜板。
背景技术
陶瓷材料具有高的导热系数、低的介电常数、与芯片相近的热膨胀系数、高耐热及电绝缘性等特点,陶瓷材料已广泛应用电子产品及电子设备中。现有技术中,多采用在陶瓷基板上如下工艺:清洗——真空溅镀——化学沉铜——电路布线——贴干膜、曝光、显影——电镀铜加厚——化学刻蚀等工艺制成陶瓷电路板,现有技术中,在真空溅镀过程中,先溅射一层钛层后溅射一铜层,然而在实际应用中,由于钛金属特别容易钝化,而溅射镀铜层不够致密,在后续加工过程中药水浸泡时,难以确保钛层不被氧化、钝化。因此加厚镀铜层与钛层之间的附着力比较难以保证,容易出现抗剥离强度达不到要求。另外,金属钛的导热系数是15.24ff/m.K,低于氧化铝陶瓷的导热系数24-28 ff/m.K,更低于氮化铝陶瓷的导热系数170-230 W/m.K,这在一定程度上成为导热系数提高的瓶颈因素。而金属镍的导热系数为 90.7 ff/m.K。

实用新型内容有鉴于此,本实用新型针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种陶瓷覆铜板及其制备方法,所制得的陶瓷覆铜板具有优良的导电性且易于加工生产。为实现上述目的,本实用新型采用如下之技术方案:一种陶瓷覆铜板,包括有一陶瓷基板,该陶瓷基板上依次设置钛层、镍层以及铜层,该钛层附着于陶瓷基板上,该镍层附着于钛层上,该铜层附着于镍层上。作为一种优选方案,所述 钛层的厚度为3(Γ100纳米,所述镍层的厚度为3(Γ100纳米,所述铜层的厚度为5(Γ150纳米。作为一种优选方案,所述铜层上还电镀有一铜加厚层。作为一种优选方案,所述陶瓷基板为氧化铝陶瓷基板或氮化铝陶瓷基板。本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果,具体而言,由上述技术方案可知:通过在陶瓷基板上依次设置有钛层、镍层以及铜层,该钛层与陶瓷基板之间具有较好的附着力,该镍层与钛层及铜层之间具有很好的附着力,如此能够使得铜层与陶瓷基板的连接更加稳固以便后续加工,如刻蚀等工艺。通过在陶瓷基板上依次溅镀钛层、镍层以及铜层后,在铜层上先通过化学沉铜的方式沉积一层薄铜,然后再继续电镀一铜加厚层,客户可以根据不同电路需求进行不同的电路设计,只需多加一道刻蚀的工艺即可得到所要的陶瓷电路板;通过本实用新型的设计,满足了客户对不同电路的电路板需求,从而有利于大批量生产,降低产品成本,提高市场竞争力。[0011]为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效,
以下结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明:

图1是本实用新型之较佳实施例的工艺流程图;图2是本实用新型之较佳实施例的陶瓷覆铜板截面图;图3是本实用新型之较佳实施例的陶瓷电路板截面图。附图标识说明:10、陶瓷基板20、铜层30、钛层40、镍层50、铜加厚层。
具体实施方式
请参照图2所示,其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构,:一种陶瓷覆铜板,包括有一陶瓷基板10,该陶瓷基板20上依次设置钛层20、镍层30以及铜层40,该钛层20附着于陶瓷基板10上,该镍层30附着于钛层20上,该铜层40附着于镍层30上;所述钛层20的厚度为3 0 100纳米,所述镍层30的厚度为30 100纳米,所述铜层40的厚度为5(Γ150纳米;所述铜层40上还电镀有一铜加厚层50。如图1所示,一种陶瓷覆铜板及其电路板的制备方法,包括以下步骤:(I)清洗:对陶瓷基板10用酒精进行清洗,然后在200°C下烘烤60分钟,去除陶瓷基板表面的杂质和污溃;(2)等离子体处理:对清洗后的陶瓷基板10表面进行等离子体蚀刻处理;(3)真空溅镀:以真空溅镀方式在离子源蚀刻后的陶瓷基板表面依序溅射一钛层20、一镍层30以及一铜层40,所述钛层20的厚度为30 100纳米,所述镍层30的厚度为30 100纳米;该铜层40的厚度为50 150纳米;(4)电镀加厚:在铜层40上先通过化学沉铜的方式沉积一层薄铜,然后再继续电镀一铜加厚层50,形成0.50Z、10Z、20Z、30Z等各种标准规格铜厚以及其他非标准规格铜厚的陶瓷覆铜板;(5)线路制作:在陶瓷覆铜板上贴干膜或者印刷湿膜,然后利用菲林覆于陶瓷基板的表面上进行曝光、显影处理,以获得电路图案;(6)化学蚀刻:采用化学蚀刻方式去除陶瓷基板表面除留下做导电电路导体60以外的钛层、镍层、铜层以及铜加厚层,以获得陶瓷电路板,如图3所示。由上述制备方法,本实用新型人做了大量相关实验,并采用测得相关产品的导热系数及附着力;导热系数的测试方法及条件:采用ASTM-D5470对所制得的陶瓷电路板进行测试。附着力测试方法及条件:采用ICP-TM-650 2.4.8对所制得的陶瓷电路板进行测试。[0032]—、以导热系数为24W/m*K的96%氧化招陶瓷基板为例,具体数据如下:
权利要求1.一种陶瓷覆铜板,其特征在于:包括有一陶瓷基板,该陶瓷基板上依次设置钛层、镍层以及铜层,该钛层附着于陶瓷基板上,该镍层附着于钛层上,该铜层附着于镍层上。
2.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜板,其特征在于:所述钛层的厚度为3(Γ100纳米,所述镍层的厚度为3(Γ100纳米,所述铜层的厚度为5(Γ150纳米。
3.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜板,其特征在于:所述铜层上还电镀有一铜加厚层。
4.根据权利要求1所述的陶瓷覆铜板,其特征在于:所述陶瓷基板为氧化铝陶瓷基板或氮化铝陶 瓷基板。
专利摘要本实用新型公开一种陶瓷覆铜板,包括有一陶瓷基板,该陶瓷基板上依次设置钛层、镍层以及铜层,该钛层附着于陶瓷基板上,该镍层附着于钛层上,该铜层附着于镍层上,所述铜层上还电镀有一铜加厚层。该陶瓷覆铜板的制备方法,包括清洗、等离子体处理、真空溅镀、加厚镀铜等步骤,该钛层与陶瓷基板之间具有较好的附着力,该镍层与钛层及铜层之间具有很好的附着力,如此能够使得铜层与陶瓷基板的连接更加稳固以便后续加工;采用本实用新型的陶瓷覆铜板,客户可以根据不同电路需求进行不同的电路设计,只需多加一道刻蚀工艺即可得到所要的陶瓷电路板;满足了客户对不同电路设计的电路板需求,从而有利于大批量生产,降低产品成本,提高产品市场竞争力。
文档编号H05K1/03GK203120290SQ20132006261
公开日2013年8月7日 申请日期2013年2月4日 优先权日2013年2月4日
发明者翟克峰 申请人:深圳市佳捷特陶瓷电路技术有限公司
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