专利名称：一种多晶硅的硅芯母料的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种多晶娃的娃芯母料。
背景技术：
在多晶硅的生产中，热载体从最初的钥丝或钽管到区熔法生产的硅芯，再到线切方硅芯，历经了数代的改进和进步，每一次进步都给多晶硅的质量和工艺带来提升。用钥丝或钽管做热载体，使用方便设备简单，但高温下金属原子扩散影响多晶硅纯度和品质，这一工艺很快被硅芯热载体取而代之。硅是半导体，具有温度越高电阻越低的负阻效应.用区熔法拉制的硅芯作为热载体在还原炉内进行CVD生长多晶硅，生产的多晶硅质量明显提高。随着线切技术的日趋成熟，线切方硅芯应运而生，用CZ直拉法所生产的圆柱体硅芯母料进行线切割加工，一次可以切出一百多根方硅芯，生产效率比区熔法拉制的圆硅芯更上一层楼。目前多晶硅生产采用的热载体全部为圆硅芯和方硅芯，钥丝或钽管已不再使用。目前，硅芯母料主要由两种生产方法:方法一:用还原炉中得到的硅芯母料直接切割；这往往受到硅芯母料的长度的限制而无法得到理想长度的硅芯，直接还原得到的硅芯母料质地较为疏松，切割过程中成品率低，最终得到的硅芯的强度较差，在生产中使用易产生倒炉现象。方法二:用CZ直拉法单晶生长炉生产硅芯母料；这样得到的母料克服了上述方法一中长度、质地等不足，但受限于工艺得到的硅芯母料的电阻率均匀性较差，且同上述方法一的一样均为圆柱体硅芯母料固存在在切割过程中都存在边皮的损耗较大，最终成品硅芯的得材率较低；单晶生 长炉功率大拉制时间久能耗高，相应的也增加了最终成品硅芯的生产成本。
实用新型内容本实用新型目的在于针对现有技术的不足，将硅芯母料进行改进，提供一种损耗小，得材率高，成本低的硅芯母料。本实用新型为实现上述目的，采用如下技术方案:一种多晶硅的硅芯母料，包括母料本体，其特征在于所述母料本体的形状为长方体。进一步特征在于:所述母料本体长度不低于1500mm,宽和高不低于100mm。与现有技术相比，本实用新型采用定向凝固法生产的长方体硅芯母料，用于切割方硅芯，切割过程中边皮的损耗极小，得材率高；生产出来的硅芯母料电阻率均匀，成品合格率较高；采用定向凝固法生产的硅芯母料，能耗大幅降低，相应的硅芯生产成本也降低；产量大，可生产单个达500公斤以上的硅芯母料。
图1为本实用新型生广多晶娃的娃芯母料的不意图；[0012][0010]图2为传统型圆柱体硅芯母料的示意具体实施方式
如图1所示的一种生产多晶硅的硅芯母料，包括母料本体1，其特征在于:所述母料本体I的形状为长方体。作为本实用新型的一种优化结构:所述母料本体I长度不低于1500mm，宽和高不低于100mm。本实用新型采用定向凝固法生产硅芯母料，不同于传统的直拉法所生产的硅芯母料，如图2所示圆柱体硅芯母料，区别在于本实用新型所生产的硅芯母料形状为长方体而非圆柱体。而且长度要求达到所要求的成品硅芯的长度，生产出来的硅锭专门用于切割硅芯的母料。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围 之内。
权利要求1.一种多晶硅的硅芯母料，包括母料本体，其特征在于:所述母料本体的形状为长方体。
2.根据权利要求1所述的多晶硅的硅芯母料，其特征在于:所述母料本体长度不低于1500mm,宽和高不低 于100mm。
专利摘要本实用新型公布了一种多晶硅的硅芯母料，包括母料本体，其特征在于所述母料本体的形状为长方体。本实用新型采用定向凝固法生产的长方体硅芯母料，用于切割方硅芯，切割过程中边皮的损耗极小，得材率高；生产出来的硅芯母料电阻率均匀，成品合格率较高；采用定向凝固法生产的硅芯母料，能耗大幅降低，相应的硅芯生产成本也降低；产量高，可生产单个达500公斤以上的硅芯母料。
文档编号C30B29/06GK203128691SQ201320083449
公开日2013年8月14日 申请日期2013年2月25日 优先权日2013年2月25日
发明者孙勇 申请人:无锡中硅科技有限公司