1.一种保护膜形成用片，其具备第一支撑片和叠层在所述第一支撑片的第一面侧的保护膜形成膜，其中，
所述保护膜形成膜由固化性材料形成，
所述保护膜形成膜具有以下特性：
使所述保护膜形成膜固化而形成保护膜时，所述保护膜在50℃下的断裂形变为20％以下，并且损耗角正切值的峰值温度T1为25℃至60℃。
2.根据权利要求1所述的保护膜形成用片，其中，所述保护膜形成膜还具有以下特性：
所述保护膜在25℃下的储能模量为3.0×109Pa以上。
3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用片，其中，所述保护膜形成膜还具有以下特性：
所述保护膜在25℃下的损耗角正切值为0.4以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的保护膜形成用片，其中，所述保护膜形成膜还具有以下特性：
所述保护膜对波长1064nm的光线的透射率为40％以上。
5.一种带有保护膜的芯片的制造方法，该方法包括：
粘贴工序，使权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成用片所具备的所述保护膜形成膜的与面向所述第一支撑片的面相反侧的面露出，将所述露出的面与工件的一面粘贴，从而得到具备所述保护膜形成用片和所述工件的第一叠层体；
第一固化工序，通过使所述第一叠层体中的所述保护膜形成膜固化而得到所述保护膜；
第一分割工序，在使经过了所述第一固化工序的所述第一叠层体中的所述保护膜的温度T2保持在40℃至70℃范围内的状态下，使所述第一支撑片拉伸，将所述保护膜与所述工件一起进行分割，得到第二叠层体，所述第二叠层体是所述工件和所述保护膜的叠层体以在厚度方向上产生切断面的方式被分割而成的多个带有保护膜的芯片配置在所述第一支撑片的一个面上而成的；以及
第一拾取工序，将所述第二叠层体所具备的所述多个带有保护膜的芯片分别从所述第一支撑片上分离，得到作为加工物的所述带有保护膜的芯片，
其中，在开始所述第一分割工序之前，包含下述改性层形成工序：以聚焦于设定在所述工件内部的焦点的方式照射红外区域的激光，在所述工件内部形成改性层。
6.根据权利要求5所述的带有保护膜的芯片的制造方法，其中，所述温度T2为所述温度T1以上。
7.一种带有保护膜的芯片的制造方法，该方法包括：
叠层工序，使权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成用片所具备的所述保护膜形成膜的与面向所述第一支撑片的面相反侧的面露出，将所述露出的面与工件的一面粘贴，并且将所述保护膜形成用片的所述第一支撑片从所述保护膜形成膜上剥离，从而得到具备所述工件和所述保护膜形成膜的第三叠层体；
第二固化工序，通过使所述第三叠层体所具备的所述保护膜形成膜固化而得到所述保护膜；
第二粘贴工序，将具备第三基材和叠层在所述第三基材的一面侧的第三粘合剂层的加工用片的叠层有所述第三粘合剂层一侧的面与经过所述第二固化工序后的所述第三叠层体的所述保护膜侧的面贴合，从而得到具备所述加工用片和所述第三叠层体的第四叠层体；
第二分割工序，在将所述第四叠层体所具备的所述保护膜的温度T3保持在40℃至70℃范围内的状态下，使所述第四叠层体所具备的所述加工用片拉伸，将所述保护膜与所述工件一起进行分割，从而得到第五叠层体，所述第五叠层体是所述工件和所述保护膜的叠层体以在厚度方向上产生切断面的方式被分割而成的多个带有保护膜的芯片配置在所述加工用片的一个面上而成的；以及
第二拾取工序，将所述第五叠层体所具备的所述多个带有保护膜的芯片分别从所述加工用片上分离，得到作为加工物的所述带有保护膜的芯片，
其中，在开始所述第二分割工序之前，包含下述改性层形成工序：以聚焦于设定在所述工件内部的焦点的方式照射红外区域的激光，在所述工件内部形成改性层。
8.根据权利要求7所述的带有保护膜的芯片的制造方法，其中，所述温度T3为所述温度T1以上。