瓦数进行相加的总输入瓦数。
[0161 ]另外，在表3中，第8列的咐间ks"表示过剩热持续时间，第9列的"发热量/W从电极 溫度计算"表示从电极(卷绕型反应体50)的溫度计算出的发热量，第10列的"发热量/W从反 应炉溫度计算"表示从反应炉42的外壁溫度计算出的发热量，第11列的"Hout/Hin从电极溫 度"表示从电极(卷绕型反应体50)的溫度计算出的输出/输入比，第12列的"Hout/Hin从反 应炉溫度计算"表示根据反应炉42的外壁溫度计算出的输出/输入比。
[0162] 并且，在使用重氨气体的试样No. 33中，不进行等离子体放电，且也不进行通过加 热器的对电极对的加热，在运种情况下，从第11列和第12列的输出/输入比可知，不产生过 剩热。
[0163] 另外，对于其他的试样，从第11列和第12列的输出/输入比可知，产生过剩热。另 夕h还可知，在发热装置41中，进行发热反应处理时，不仅是重氨气体，即使向反应炉42内供 给重水气体或者轻水气体，从而使反应炉42内成为重水气体氛围或者轻水气体氛围的情况 下，也能够通过由加热器对卷绕型反应体50、51和反应体26进行加热来产生过剩热。
[0164] 接着，在发热装置41中，将使用轻氨化2)气体时的验证试验结果表示在表4中。在 运种情况下，卷绕型反应体50、51由Ni形成，并将所述卷绕型反应体50、51作为电极对，在与 得到上述的表1的结果的条件相同的条件下进行等离子体处理。接着，在发热装置41中进行 发热反应处理，结果得到如表4所示的结果。
[0167]在表4中，第3列的"压力"表示向反应炉42内供给轻氨气体时的气体压力化，第4列 的"输入/W"表示对卷绕型反应体50、51和反应体26进行加热时的加热器的输入加热瓦数W， 第5列的咐间As"表示过剩热持续时间，第6列的"内部溫度计算"表示从反应炉42内的溫 度^:计算出的发热量，第7列的"炉溫度计算"表示从反应炉42自身溫度°0计算出的发热量。 另外，在表4中，第8列的"内部溫度计算"表示根据从反应炉42内的溫度计算出的发热量来 求出的输出/输入比，第9列的"炉溫度计算"表示根据从反应炉42自身的溫度计算出的发热 量来求出的输出/输出比。
[01側在表4中，从第8列的"内部溫度计算"和第9列的"炉溫度计算"的输出/输入比的至 少一个为IW上的结果可知，通过使反应炉42内成为轻氨气体氛围，在该状态下通过加热器 对反应炉42内的卷绕型反应体50、51和反应体26进行加热，来能够产生过剩热。
[0169] W上，从表1至表4可知，在发热装置41中，在反应炉42内设置由通过等离子体处理 来在表面形成纳米尺寸的多个金属纳米粒子的储氨金属构成的卷绕型反应体50、51和反应 体26，使保持真空状态的反应炉42内成为重氨气体氛围或者重水气体氛围、轻氨气体氛围、 轻水气体氛围，并通过加热器对卷绕型反应体50、51和反应体26进行加热来赋予能量，从而 能够稳定地产生加热溫度W上的热。
[0170] (4-3)其他实施方式的反应体
[0171] 在图1中示出的发热装置1或者图5中示出的发热装置41、图12中示出的发热装置 65中，在通过细线W网格状形成的反应体26、80、81的表面，作为金属纳米凸部形成纳米尺 寸的多个金属纳米粒子，但是，也可W在反应体26、80、81表面的金属纳米粒子表面附着例 如比金属纳米粒子(金属纳米凸部)小的微细的粒子状的Ni或Pd、Pt、Ti的储氨金属（W下， 称为储氨金属微粒子体），从而通过储氨金属微粒子体使金属纳米粒子的表面形成为凹凸 状。
[0172] 例如，在通过上述的"(1-2)等离子体处理"形成金属纳米粒子(金属纳米凸部)后， 在氨气氛围中，在1~50化的压力条件下，通过产生等离子体，从而由储氨金属构成的其他 电极的一部分被削掉而作为储氨金属微粒子体在反应炉42内飞散。飞散的储氨金属微粒子 体附着在反应体26、80、81表面的金属纳米粒子表面，从而使金属纳米粒子的表面形成为微 细的凹凸状。而且，上述的发热装置1、41、65，具有在所述金属纳米粒子表面附着储氨金属 微粒子体的结构，因此氨原子也能够吸藏于储氨金属微粒子体中。在表面附着储氨金属微 粒子体的金属纳米粒子中，在所述储氨金属微粒子体中电子也会从周围的金属原子或者其 他电子受到强烈影响而起到重电子的作用，结果，在储氨金属微粒子体中氨原子之间的核 间距缩短，隧道核聚变反应的产生概率上升，从而与现有技术相比能够稳定地产生热。
[0173] 例如，图1中示出的发热装置1中，构成一个电极的反应体26由Ni或Pd、Pt等形成， 构成另一电极的卷绕型反应体25的轴部35和细线36(图2)由Ni或者PcUPt等形成。在如上所 述的图1所示的发热装置1中，通过在反应炉2内产生等离子体，由此例如电极对的一方的卷 绕型反应体25的一部分被削掉而作为储氨金属微粒子体在反应炉2内飞散，能够将由Ni或 者Pd等构成的微细的储氨金属微粒子体附着在反应体26表面的金属纳米粒子表面。由此， 发热装置1中，例如由Ni等构成的金属纳米粒子表面附着由相同的Ni或者不同种类的Pd等 构成的多个储氨金属微粒子体，从而使反应体26表面进一步凹凸化，使随后进行的发热反 应处理时隧道核聚变反应的产生概率会进一步提高，从而与现有技术相比能够产生稳定的 热。
[0174] 另外，图5所示的发热装置41中，例如，反应体26由Ni或者PcUPt等形成，卷绕型反 应体50、51的细线53、61由Ni或者PcUPt等形成。在如上所述的图5所示的发热装置41中，通 过在反应炉42内产生等离子体，构成电极对的卷绕型反应体50、51的一部分被削掉而作为 储氨金属微粒子体在反应炉42内飞散，从而由Pd构成的微细的储氨金属微粒子体附着在反 应体26表面的金属纳米粒子表面。由此，发热装置41中，由Ni等构成的金属纳米粒子表面附 着由相同的Ni或者不同种类的Pd等构成的多个储氨金属微粒子体，从而使反应体26表面进 一步凹凸化，使随后进行的发热反应处理时隧道核聚变反应的产生概率会进一步提高，从 而与现有技术相比能够产生稳定的热。
[0175] 并且，在图12中示出的发热装置65中，构成一个电极的反应体26由Ni或PcUPt等形 成，构成另一电极的卷绕型反应体66的轴部69和细线68、70由Ni或者PcUPt等储氨金属形 成。并且，发热装置65的内侧反应体72可W由Ni或者PcUPt等储氨金属中的与反应体26相同 的储氨金属形成，或者可W由与卷绕型反应体66相同的储氨金属形成，或者可W由不同于 所述反应体26和卷绕型反应体66的储氨金属形成。
[0176] 在如上所述的图12所示的发热装置65中，通过在反应炉2内产生等离子体，由此例 如反应体26或者卷绕型反应体66、内侧反应体72的一部分被削掉而作为储氨金属微粒子体 在反应炉2内飞散，从而由Ni或者Pd构成的微细的储氨金属微粒子体能够附着在反应体26 或者卷绕型反应体66、内侧反应体72的各金属纳米粒子表面。由此，发热装置65中，例如在 由Ni等构成的金属纳米粒子表面附着由相同的Ni或者不同种类的Pd等构成的多个储氨金 属微粒子体，从而使反应体26、卷绕型反应体66、内侧反应72的各表面进一步凹凸化，使随 后进行的发热反应处理时隧道核聚变反应的产生概率会进一步提高，从而与现有技术相比 能够产生稳定的热。
[0177] 并且，在表面形成比金属纳米粒子微细的储氨金属微粒子体的金属纳米粒子是可 W在反应炉内设置反应体26、80、81或者卷绕型反应体25、50、51、66、内侧反应体72之前，预 先利用化学气相沉积（chemical vapor d邱OSition，CVD)法或者瓣射法，形成在所述反应 体26、80、81或者卷绕型反应体25、50、51、66、内侧反应体72的表面。
[017引附图标号说明 [01巧]1、41、65:发热装置
[0180] 2、42:反应炉
[0181] 3:气体供给装置
[0182] 26、80、81:反应体
[0183] 72:内侧反应体(反应体）
[0184] 25、50、51、66:卷绕型反应体(反应体）
【主权项】
1. 一种反应体，其特征在于， 所述反应体设置在重氢气体氛围、重水气体氛围、轻氢气体氛围、或者轻水气体氛围的 反应炉内，并且， 所述反应体由储氢金属形成，且在其表面上形成有lOOOnm以下的纳米尺寸的多个金属 纳米凸部。2. 根据权利要求1所述的反应体，其特征在于， 在所述表面上形成有宽度为300nm以下的多个所述金属纳米凸部。3. 根据权利要求1或2所述的反应体，其特征在于， 所述金属纳米凸部为球形粒子、椭圆形粒子、或者蛋形粒子的一部分埋入于所述表面 而具有弯曲表面的金属纳米粒子。4. 根据权利要求1至3中任一项所述的反应体，其特征在于， 通过由所述储氢金属构成的细线形成为网格状，在所述细线的表面形成有所述金属纳 米凸部。5. 根据权利要求1至3中任一项所述的反应体，其特征在于，包括： 由所述储氢金属构成的细线，和 所述细线被卷绕的支承部。6. 根据权利要求1至5中任一项所述的反应体，其特征在于， 与电源电连接，并且起到用来在所述反应炉内产生等离子体的电极的作用。7. 根据权利要求1至6中任一项所述的反应体，其特征在于， 在所述金属纳米凸部的表面附着有小于所述金属纳米凸部且由储氢金属构成的多个 储氢金属微粒子体， 所述金属纳米粒子的表面通过所述储氢金属微粒子形成为凹凸状。8. 根据权利要求7所述的反应体，其特征在于， 所述储氢金属微粒子由不同于所述金属纳米凸部的所述储氢金属的储氢金属形成。9. 根据权利要求8所述的反应体，其特征在于， 所述金属纳米凸部由Ni、Pt及Pd中的任意一种储氢金属形成，所述储氢金属微粒子体 由Ni、Pt及Pd中不同于所述金属纳米凸部的储氢金属形成。10. -种发热装置，其特征在于，包括： 反应炉，重氢气体、重水气体、轻氢气体、或者轻水气体中的任意一种被供给到保持真 空状态的炉内； 反应体，其设置在所述反应炉内，且由表面上形成有lOOOnm以下的纳米尺寸的多个金 属纳米凸部的储氢金属构成， 通过在所述反应炉内产生等离子体或者对所述反应体进行加热，使氢原子吸藏于所述 金属纳米凸部。11. 根据权利要求10所述的发热装置，其特征在于， 所述反应体起到产生所述等离子体的电极的作用。12. 根据权利要求10或11所述的发热装置，其特征在于， 所述反应体通过由所述储氢金属构成的细线以网格状形成，且沿着所述反应炉内的内 壁配置，并设置成覆盖所述内壁。13. 根据权利要求12所述的发热装置，其特征在于， 在所述反应体的中空区域设置有由所述储氢金属形成、且在表面上形成有纳米尺寸的 多个金属纳米凸部的内侧反应体。14. 根据权利要求10至13中任一项所述的发热装置，其特征在于， 在所述金属纳米凸部的表面附着有小于所述纳米凸部且由储氢金属构成的多个储氢 金属微粒子体， 所述金属纳米粒子的表面通过所述储氢金属微粒子形成为凹凸状。15. -种发热方法，其特征在于，包括： 供给步骤，在设置有由储氢金属构成的反应体的反应炉内产生等离子体或者对所述反 应体进行加热，并通过气体供给装置将重氢气体、重水气体、轻氢气体、或者轻水气体中的 任意一种供给到真空状态的所述反应炉内； 发热步骤，使氢原子吸藏于所述反应体表面上形成的l〇〇〇nm以下的纳米尺寸的多个金 属纳米凸部，从而所述反应体产生中子的同时产生热。16. 根据权利要求15所述的发热方法，其特征在于， 在所述供给步骤中对所述反应体进行加热时，在所述发热步骤之后包括发热促进步 骤，在所述发热促进步骤中，在重氢气体氛围、重水气体氛围、轻氢气体氛围、或者轻水气体 氛围的所述反应炉内产生等离子体，从而促进发热而使发热温度上升。17. 根据权利要求15或16所述的发热方法，其特征在于， 在所述供给步骤之前包括通过设置在所述反应炉内的电极对来产生等离子体以在所 述反应体的表面形成多个所述金属纳米凸部的形成步骤。
【专利摘要】本发明提供一种相比现有技术能够更加稳定地产生热的反应体、发热装置及发热方法。在通过将由表面上形成有纳米尺寸的多个金属纳米粒子(金属纳米凸部)的储氢金属构成的反应体(26)设置在重氢气体氛围的反应炉内，使氢原子吸藏于反应体(26)的金属纳米粒子中时，所述金属纳米粒子中的电子从周围的金属原子或者其他电子受到强烈影响而起到重电子的作用，结果，金属纳米粒子中的氢原子之间的核间距缩短，隧道核聚变反应的产生概率上升，从而相比现有技术能够稳定地产生热。
【IPC分类】G21B1/00, G21B3/00
【公开号】CN105493196
【申请号】CN201480040068
【发明人】水野忠彦
【申请人】水素技术应用开发株式会社, 绿净星球股份有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年7月18日
【公告号】CA2918343A1, EP3023991A2, US20160155518, WO2015008859A2, WO2015008859A3