晶圆切割用保护膜的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体切割技术领域，具体是说，是涉及一种晶圆切割用保护膜。
【背景技术】
[0002]目前，在晶圆等半导体切割领域通常的方法是采用高粘保护膜，于加热的条件下覆于晶圆表面，切割后再冷冻取下晶片，最后对晶片进行清洗。但是在切割过成功中，由于局部温度比较高，常常造成保护膜的胶粘层脱落在晶片表面，需要大量的溶剂去清洗，而有些溶剂会对晶片带来损伤，并且带来环境的污染。
[0003]上述缺陷，值得解决。
【发明内容】
[0004]为了克服现有的技术的不足，本实用新型提供一种晶圆切割用保护膜。
[0005]本实用新型技术方案如下所述:
[0006]晶圆切割用保护膜，其特征在于，包括设于晶圆上下两侧的高分子膜，位于所述晶圆下方的所述高分子膜的下方设有高粘膜。
[0007]进一步的，所述高粘膜的宽度大于所述晶圆和所述高分子膜。
[0008]进一步的，所述高分子膜通过喷涂和浸渍的方式覆于所述晶圆的上下两侧。
[0009]进一步的，所述高分子膜为聚乙烯醇缩丁醛。
[0010]更进一步的，所述聚乙烯醇缩丁醛采用的是部分水解后的聚乙烯醇进行缩丁醛化处理。
[0011]更进一步的，所述聚乙烯醇的水解率为40%-88%。
[0012]更进一步的，所述聚乙烯醇的缩醛率为15%_40%。
[0013]根据上述结构的本实用新型，其有益效果在于，本实用新型采用喷涂或者浸渍的方式涂覆在晶圆层表面，可以使得高粘膜不与晶圆直接接触，切割后取下的晶片表面的污染物是粘附在高分子膜的表面，容易清除，避免了有机溶剂的大量使用，方便易于操作，节约了成本，减少了对环境的危害。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型的结构示意图。
[0015]在图中，1、尚分子I旲；2、晶圆；3、尚粘I旲；。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述:
[0017]如图1所示，一种晶圆切割用保护膜，包括设于晶圆2上下两侧的高分子膜1，位于晶圆2下方的高分子膜1的下方设有高粘膜3，其中，高分子膜1通过喷涂和浸渍的方式覆于晶圆2的上下两侧。
[0018]优选的，高粘膜3的宽度大于晶圆2和高分子膜1。
[0019]在本实用新型中，高分子膜1为部分水解的聚乙烯醇进行缩丁醛化处理，形成聚乙烯醇缩丁醛，并配置成水溶液。优选的，聚乙烯醇的水解率为40%-88%，缩醛率为15%-40%，其浓度为 6%-20%。
[0020]在晶圆2表面形成了高分子膜1，固定用的高粘膜3不与晶圆2直接接触，切割过程中脱落的保护膜胶粘剂都粘附在高分子膜1表面，取下晶片后用纯净水在超声清洗机中很容易的将污染物清除。避免了有机溶剂的大量使用，方便易于操作，节约了成本，减少了对环境的危害。
[0021]应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
[0022]上面结合附图对本实用新型专利进行了示例性的描述，显然本实用新型专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本实用新型专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.晶圆切割用保护膜，其特征在于，包括设于晶圆上下两侧的高分子膜，位于所述晶圆下方的所述高分子膜的下方设有高粘膜。2.根据权利要求1所述的晶圆切割用保护膜，其特征在于，所述高粘膜的宽度大于所述晶圆和所述高分子膜。3.根据权利要求1所述的晶圆切割用保护膜，其特征在于，所述高分子膜通过喷涂和浸渍的方式覆于所述晶圆的上下两侧。4.根据权利要求1所述的晶圆切割用保护膜，其特征在于，所述高分子膜为聚乙烯醇缩丁醛。5.根据权利要求4所述的晶圆切割用保护膜，其特征在于，所述聚乙烯醇缩丁醛采用的是部分水解后的聚乙烯醇进行缩丁醛化处理。6.根据权利要求5所述的晶圆切割用保护膜，其特征在于，所述聚乙烯醇的水解率为40%-88%。7.根据权利要求5所述的晶圆切割用保护膜，其特征在于，所述聚乙烯醇的缩醛率为15%-40%o
【专利摘要】本实用新型公开了一种晶圆切割用保护膜，包括设于晶圆上下两侧的高分子膜，位于晶圆下方的高分子膜的下方设有高粘膜。本实用新型采用喷涂或者浸渍的方式涂覆在晶圆层表面，可以使得高粘膜不与晶圆直接接触，切割后取下的晶片表面的污染物是粘附在高分子膜的表面，容易清除，避免了有机溶剂的大量使用，方便易于操作，节约了成本，减少了对环境的危害。
【IPC分类】B32B27/06
【公开号】CN205086431
【申请号】CN201520792148
【发明人】陈来来, 葛敬银, 余冲冲, 叶智, 叶勇
【申请人】深圳市丰兆新材料股份有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年10月15日