晶圆切割方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种可对晶圆作同步升降及完整同步切割，进而有效提升切割产能的晶圆切割方法。
【背景技术】
[0002]中国台湾专利申请第87110593号精密切削装置及切削方法专利案，其提出了多种双刀的切削装置，请参阅图1所示，其是在机台上设有门型的引导基盘10，在该引导基盘10的侧面配设有一 Y轴向的一对导轨11、第一螺杆12及第二螺杆13，第一螺杆12及第二螺杆13并可分别由马达14、15驱动旋转，第一切削机构21及第二切削机构22，以垂吊状态被支持在导轨11上，并各自螺合在第一螺杆12及第二螺杆13上，利用第一螺杆12及第二螺杆13带动，而可分别于Y轴向分度进给，第一切削机构21在Y轴向配设有具旋转轴的第一主轴组件211以及安装在第一主轴组件211前端的第一刀片212，第二切削机构22则在Y轴向配设有具旋转轴的第二主轴组件221以及安装在第二主轴组件221前端的第二刀片222，且使该第一主轴组件211及第二主轴组件221略呈一直线，而第二刀片222与第一刀片212则在一直线上呈相对向设置，另第一切削机构21配设有控制第一主轴组件211作Z轴向运动的马达213，在第二切削机构22上则配设有控制第二主轴组件221作Z轴向运动的马达223，而使第一主轴组件211及第二主轴组件221可分别独立在Z轴向移动以调整切割的深度。在引导基盘10的空洞部16，在垂直于引导基盘10的方向设有可作X轴向进给及旋转的夹头台30，该夹头台30供承载晶圆，使得夹头台30在作X轴向进给时，可由第一切削机构21的第一刀片212及第二切削机构22的第二刀片222对晶圆进行切割作业。
[0003]请参阅图2A、图2B、图2C及图3A、图3B、图3C，其是图1所示切削装置的第一种切削方法，首先如图2A所示，第一刀片212是被定位在半导体晶圆31的侧边部，第二刀片222则被定位在半导体晶圆31的中央部，下降第一切削机构21及第二切削机构22，同时使得夹头台30在X轴方向移动，而可同时分别由第一刀片212及第二刀片222在半导体晶圆31的侧边部及中央部切削出X轴向的切割线(如图3A所示)。接着如第2B、2C所示，将第一切削机构21及第二切削机构22作等距的Y轴向分度进给，并维持第一刀片212与第二刀片222在相同的间隔，当夹头台30再作X轴向进给时，即可如图3B、图3C所示，在半导体晶圆31上间隔切削出X轴向的切割线。然而该切削方法是有存在有很大的问题，请参阅图4A，晶圆31在切割前，是在一金属制的框架32上固定有一粘膜层33，晶圆31再粘附于该粘膜层33上，而可以框架32搬移晶圆31，由于第一主轴组件211及第二主轴组件221呈一直线，因此第一刀片212及第二刀片222应该位于相同的X轴向位置上，当第二刀片222被定位在半导体晶圆31的中央部时，第一刀片212应该是被定位在相同于第二刀片222X轴向位置(半导体晶圆31侧边部的前方位置)，当晶圆31作X轴向进给时，若第一刀片212与第二刀片222同步下降，势必第一刀片212会切削到框架32，因此第一刀片212与第二刀片22必须作不同步升降，也即如图4B所示，第一刀片212必须于框架32通过其下刀位置后才能下降，之后，第二次切削、第三次切削、第四次切削……，第一刀片212与第二刀片222间下刀的相对时间点将会更加复杂，进而因不同步升降造成不易控制进行切削的问题。
[0004]请参阅图5A、图5B、图5C及图6A、图6B、图6C，其是图1所示切削装置的第二种切削方法，首先如如图5A所示，第一刀片212与第二刀片222是被定位在半导体晶圆31的Y轴向二侧边部，下降第一切削机构21及第二切削机构22，同时使得夹头台30在X轴方向移动，而可同时分别由第一刀片212及第二刀片222在半导体晶圆31的二侧边部切削出X轴向的切割线(如图6A所示)。接着如图5B所示，将第一切削机构21及第二切削机构22作相对方向等距的Y轴向分度进给，当夹头台30再作X轴向进给时，即可如图6B所示，在半导体晶圆31上由外往内间隔切削出X轴向的切割线。该切削方法由于第一刀片212与第二刀片22在X轴向的下刀点位置左右对称相同，而可使第一刀片212与第二刀片22作同步升降，但，如同其说明书中所述，实际上第一刀片212及第二刀片222的前端安装有刀片固定用的凸缘等，且刀片是利用刀片盖而覆盖；因此，在半导体晶圆31的中央部(如图5B中未形成切削槽的部分)必须预留以分隔第一切削机构21与第二切削机构22，否则第一切削机构21与第二切削机构22将会作相对方向进给而产生碰撞的情形；接着就必须如图5C所示，由于该半导体晶圆31的中央部预留区域的空间并无法提供第一切削机构21与第二切削机构22作相对方向进给，也无法提供容纳第一切削机构21与第二切削机构22作相同方向的同步进给(因作相同方向的同步进给，必须先使第一切削机构21或第二切削机构22作Y轴向的移动，而任一切削机构作Y轴向的移动将会直接撞击到另一切削机构)，因此必须先退出其中一切削机构，由另外一切削机构单独进行切削，譬如单独由第一刀片212来进行切削，即可如图6C所示，在半导体晶圆31上完整的间隔切削出X轴向的切割线。该第二种切削方法，由于在最后的半导体晶圆31中央部预留区域，以一切削机构单独进行切肖IJ，而无法继续作同步切削，因此该部份单一刀片的切削方式会影响到整个的切削效率。
[0005]请参阅图7A、图7B、图7C及图8A、图8B、图8C，其是图1所示切削装置的第三种切削方法，首先如如图7A所示，第一切削机构21及第二切削机构22相互趋近至不会撞击的最小范围内，而使第一刀片212与第二刀片22被定位在半导体晶圆31Y轴向最小范围的中央部，下降第一切削机构21及第二切削机构22，同时使得夹头台30在X轴方向移动，而可同时分别由第一刀片212及第二刀片222在半导体晶圆31的中央部切削出X轴向的切割线(如图8A所示)。接着如图7B所示，将第一切削机构21及第二切削机构22作相反方向等距的Y轴向分度进给，当夹头台30再作X轴向进给时，即可如图SB所示，在半导体晶圆31上由内往外间隔切削出X轴向的切割线。该切削方法由于第一刀片212与第二刀片22在X轴向的下刀点位置左右对称相同，而可使第一刀片212与第二刀片22作同步升降，但，如前所述，该半导体晶圆31的中央部(如图7B中未形成切削槽的部分)是第一切削机构21及第二切削机构22避免撞击的最小范围，由于该半导体晶圆31的中央部空间并无法提供第一切削机构21与第二切削机构22作相对方向进给，也无法提供容纳第一切削机构21与第二切削机构22作相同方向的同步进给(因作相同方向的同步进给，必须先使第一切削机构21或第二切削机构22作Y轴向的移动，而任一切削机构作Y轴向的移动将会直接撞击到另一切削机构)，因此接着就必须如图7C所示，先退出其中一切削机构，由另外一切削机构单独进行切削，譬如单独由第一刀片212来进行切削，即可如图SC所示，在半导体晶圆31上完整的间隔切削出X轴向的切割线。该第三种切削方法，由于在最后的半导体晶圆31中央部以一切削机构单独进行切削，而无法继续作同步切削，因此该部份单一刀片的切削方式也会影响到整个的切削效率。
[0006]有鉴于此，本发明人遂以其多年从事相关行业的研发与制作经验，针对目前所面临的问题深入研究，经过长期努力的研究与试作，终究研创出一种可同时利用二刀片做同步升降，并对晶圆作完整同步切割的切割方法，以有效提升切割产能，此即为本发明的设计占匕
λΚ曰。
【发明内容】
[0007]针对现有技术的不足，本发明的目的在于:提供一种晶圆切割方法，是可同时利用二刀片做同步升降，并对晶圆作完整同步切割的切割方法，以有效提升切割产能。
[0008]为实现上述目的，本发明采用的技术方案是:
[0009]一种晶圆切割方法，其特征在于:其针对使用于至少具备有一承载晶圆并作X轴向进给移动的载台，以及作Y-Z轴向进给移动以对该载台上的晶圆进行切割作业的第一切割机构及第二切割机构，该第一切割机构是在第一转轴上装设有第一刀片，该第二切割机构是在第二转轴上装设有第二刀片，该第一转轴与第二转轴略呈一直线排列，并使第一刀片与第二刀片呈相对向设置；该切割方法包括有:
[0010]非同向移距进给步骤