:是晶圆二侧部的第一切割区的切割作业，其将第一刀片与第二刀片定位在晶圆二侧部的Y轴向的边侧，并在Y轴向上作相对方向的移距进给，在载台承载晶圆作X轴向进给移动时，在该第一切割区上，以同步升降同步切割的方式，由外往内间隔切削出X轴向的切割线；
[0011]同向移距进给步骤:是晶圆中央部的第二切割区的切割作业，其移动第一切割机构及第二切割机构至晶圆中央部的第二切割区，而使第一刀片及第二刀片分别位于该第二切割区的二间隔位置上，并在Y轴向上作相同方向的移距进给，在载台承载晶圆作X轴向进给移动时，在该第二切割区上，以同步升降同步切割的方式，同向间隔切削出X轴向的切割线。
[0012]一种晶圆切割方法，其特征在于:其针对使用于至少具备有一承载晶圆并作X轴向进给移动的载台，以及作Y-Z轴向进给移动以对该载台上的晶圆进行切割作业的第一切割机构及第二切割机构，该第一切割机构是在第一转轴上装设有第一刀片，该第二切割机构是在第二转轴上装设有第二刀片，该第一转轴与第二转轴略呈一直线排列，并使第一刀片与第二刀片呈相对向设置；该切割方法包括有:
[0013]非同向移距进给步骤:是晶圆二侧部的第一切割区的切割作业，其将第一刀片与第二刀片定位在晶圆二侧部的第一切割区近中央部的二侧位置上，并在Y轴向上作相反方向的移距进给，在载台承载晶圆作X轴向进给移动时，在该第一切割区上，以同步升降同步切割的方式，由内往外间隔切削出X轴向的切割线；
[0014]同向移距进给步骤:是晶圆中央部的第二切割区的切割作业，其移动第一切割机构及第二切割机构至晶圆中央部的第二切割区，而使第一刀片及第二刀片分别位于该第二切割区的二间隔位置上，并在Y轴向上作相同方向的移距进给，在载台承载晶圆作X轴向进给移动时，在该第二切割区上，以同步升降同步切割的方式，同向间隔切削出X轴向的切割线。
[0015]在较佳的技术方案中，还可增加如下技术特征:
[0016]该晶圆中央部的第二切割区，指第一刀片或第二刀片位于晶圆中心最前端位置时，另一刀片在晶圆中央部同步下降不切削到框架的最大范围。
[0017]该晶圆二侧部的第一切割区，指晶圆在第二切割区以外的二侧部。
[0018]该同向移距进给步骤移动第一切割机构使第一刀片位于晶圆中央部的第二切割区的中心位置，第二切割机构的第二刀片则位于晶圆中央部的第二切割区边侧的间隔位置上。
[0019]与现有技术相比较，本发明具有的有益效果是:提供一种晶圆切割方法，针对使用于至少具备有一承载晶圆并作X轴向进给移动的载台，以及作Y轴向进给移动以对该载台上的晶圆进行切割作业的第一切割机构及第二切割机构，该第一切割机构是在第一转轴上装设有第一刀片，该第二切割机构是在第二转轴上装设有第二刀片，该第一转轴与第二转轴略呈现一直线排列，并使第一刀片与第二刀片呈相对向设置，使得载台承载晶圆作X轴向进给移动时，可利用该第一切割机构及第二切割机构以同步升降同步切割的方式，进行晶圆的切割作业，进而达到有效提升切割产能的实用效益。
【附图说明】
[0020]图1是中国台湾第87110593号专利案切削装置的示意图；
[0021]图2A?图2C是中国台湾第87110593号专利案切削方法一的动作示意图；
[0022]图3A?图3C是图2A?图2C在半导体晶圆形成切削槽的示意图；
[0023]图4A?图4B是中国台湾第87110593号专利案切削方法一的说明示意图；
[0024]图5A?图5C是中国台湾第87110593号专利案切削方法二的动作示意图；
[0025]图6A?图6C是图5A?图5C在半导体晶圆形成切削槽的示意图；
[0026]图7A?图7C是中国台湾第87110593号专利案切削方法三的动作示意图；
[0027]图8A?图8C是图7A?图7C在半导体晶圆形成切削槽的示意图；
[0028]图9是本发明应用的切削装置的示意图；
[0029]图10是本发明应用的晶圆的不意图；
[0030]图1lA?图1lD是本发明切削方法一的动作示意图；
[0031]图12A?图12D是图1lA?图1lD在晶圆形成切削槽的示意图；
[0032]图13A?图13D是本发明切削方法二的动作示意图；
[0033]图14A?图14D是图13A?图13D在晶圆形成切削槽的示意图。
[0034]附图标记说明:
[0035]现有部份:10_引导基盘；11_导轨；12_第一螺杆；13-第二螺杆；14_马达；15_马达；16-空洞部；21_第一切削机构；211_第一主轴组件；212-第一刀片；213_马达；22_第二切削机构；221_第二主轴组件；222_第二刀片；223_马达；30_夹头台；31_晶圆；
[0036]本发明部份:
[0037]40-载台；41_第一切割机构；411-第一转轴；412_第一刀片；42_第二切割机构；421-第二转轴；422_第二刀片；50_晶圆；51_框架；S1_第一切割区S2-第二切割区。
【具体实施方式】
[0038]为使贵审查委员对本发明作更进一步的了解，兹举较佳实施例并配合图式，详述如后:
[0039]请参阅图9，本发明提供一种晶圆切割方法，针对使用于至少具备有一承载晶圆并作X轴向进给移动的载台40，以及作Y-Z轴向进给移动以对该载台40上的晶圆进行切割作业的第一切割机构41及第二切割机构42，该第一切割机构41是在第一转轴411上装设有第一刀片412，该第二切割机构42是在第二转轴421上装设有第二刀片422，该第一转轴411与第二转轴421略呈一直线排列，并使第一刀片412与第二刀片422呈相对向设置，在载台40承载晶圆作X轴向进给移动时，可利用第一切割机构41及第二切割机构42对晶圆进行切割作业。
[0040]本发明提供一种晶圆切割方法，首先，由【背景技术】的图4A、图4B可以得知，晶圆粘附于一粘膜层上，粘膜层再固定于一金属制的框架上，由于第一主轴组件211及第二主轴组件221呈一直线，因此第一刀片212及第二刀片222的下刀位置是位于相同的X轴向位置上，在这样的基础条件下，该【背景技术】的第一种切削方法为了避免切削到金属制的框架，第一刀片212与第二刀片22就必须作不同步升降。至于该【背景技术】的第二种或第三种切削方法，虽然第一阶段可以作同步升降同步切割，但第二阶段则受限于第一刀片212及第二刀片222过于趋近会造成撞击的问题，而必须以单刀进行切割，无法接续进行同步切割。本发明首先由框架及晶圆的关位置进行分析，请参阅图10，假设第一刀片412在晶圆50中心最前端的O点作为下刀点，那么与第一转轴411略呈一直线排列的第二转轴421，其上的第二刀片422在不切削到金属框架51的最大范围位置点，将会落在左侧P点的位置，也即第一刀片412及第二刀片422分别在O点及P点使可以安全的同步下刀，相对的，我们也可以在右侧找到与O点安全同步下刀的Q点，也即在P点与Q点间的晶圆50区域范围内，第一刀片412及第二刀片422是可以作同步升降的下刀，并且不会切削到金属制的框架51，而该P点与Q点间的晶圆50区域范围称的为第二切割区S2，也即该第二切割区S2指第一刀片412或第二刀片422位于晶圆中心最前端位置时，另一刀片在晶圆中央部同步下降不切削到金属制的框架51的最大范围，而晶圆50除第二切割区S2以外的二侧部则称的为第一切割区SI。
[0041]本发明第一种晶圆切割方法，请参阅图11A、图11B、图11C、图1lD及图12A、图12B、图12C、图12D，首先对晶圆二侧部的第一切割区SI进行非同向移距进给的同步切割步骤，如图11A、图12A所示，第一刀片412与第二刀片422是被定位在晶圆50 二侧部的Y轴向的边侧，当载台40承载晶圆50作X轴向进给移动后，同步下降第一切割机构41及第二切割机构42，而可同时分别由第一刀片412及第二刀片422在晶圆50的二侧边部切削出X轴向的切割线(如图12A所示)。接着如图1lB所示，将第一切割机构41及第二切割机构42作相对方向的移距进给，在本实施例中，第一切割机构41及第二切割机构42是在Y轴向上以等距移动的方式，作相对方向的移距进