表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体及其加工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子装置领域，具体是指表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体及其加工方法。
【背景技术】
[0002]现有电子产品的壳体涂覆有避免信号干扰的金属层以获得较好的操作强度和质感，但金属层不具备清洁功能，表面容易积聚灰尘、汗渍等等，影响电子产品的使用。
[0003]钛具有密度低、强度高、耐腐蚀、储氢性能好等特点，是生物相容性最好的金属材料，被广泛应用于航天航空、船艇、热能、建筑、化工、汽车以及电子设备等领域。二氧化钛膜具有较好的光催化作用，在紫外线照射下可使部分有机物分解。
[0004]磁控溅射沉积是指具有足够高能量的粒子轰击靶材表面，使靶材中的原子通过碰撞获得足够的能量，从而从表面发射出来，再通过施加磁场而改变高能量粒子的运动方向，并束缚和延长粒子的运动轨迹，进而提高粒子对工作气体的电离效率和溅射沉积率。磁控溅射技术现在已经成为工业镀膜生产中最主要的技术之一，特别适合于大面积镀膜的生产，其最突出的优点是膜与基体的附着力更强；还具有成膜速率高、均匀性好等优点；另外，整个镀膜过程中不产生其余有害废气、废液，绿色环保。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体及其加工方法，有效解决电子装置外壳容易积灰、受污的问题，提供一种便于清洁的电子装置外壳及其加工方法，加工简单、产品质量稳定。
[0006]表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体，包括陶瓷基体、覆盖陶瓷基体外表面的纳米二氧化钛膜和连接陶瓷基体与纳米二氧化钛膜的纳米钛预置层；所述纳米二氧化钛膜为金红石相晶格结构或锐钛矿相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度为 30_60nm。
[0007]本发明提供的表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体，不干扰电子信号，且具有易清洁和自清洁的特性。纳米二氧化钛膜不仅可以使壳体呈现出金属外观，还可在可见光或紫外光的照射下分解掉粘附于壳体表面的灰尘、汗渍或残留有机污染物等，从而对壳体表面起到清洁保护的作用。另一方面，由于纳米二氧化钛膜具有较强的亲水性，当有水流流过壳体表面时，水流还会自动带走壳体上被纳米二氧化钛膜分解之后残留的污染物。如此，用户在享受电子装置高品质外观的同时，又可以时刻保持壳体表面的清洁，减少细菌的滋生或传播，保证人体健康，提高产品竞争力。
[0008]所述纳米钛预置层既能增强陶瓷基体与纳米二氧化钛膜之间的结合度，又能够隔离陶瓷基体与纳米二氧化钛膜，防止陶瓷基体被纳米二氧化钛膜氧化分解。
[0009]所述纳米二氧化钛膜的厚度为30-60nm，在该厚度范围内，纳米二氧化钛膜不会对电子信号的收发产生干扰。
[0010]表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤:
步骤SlOO:对陶瓷基体进行表面处理；
步骤S200:将经过表面处理的陶瓷基体稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体输送至真空室，真空室内腔的上方同时安装有金属钛靶和二氧化钛靶；
步骤S300:关闭真空室的出入口，抽真空至IxlO-3 — 3xl(T3Pa，通入氩气至0.8-1.2Pa ；步骤S400:打开金属钛靶，确保二氧化钛靶关闭，在功率为300-600W，偏压200-300V，靶距30-40mm，陶瓷基体温度100-300 °C的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为100-200min ；
步骤S500:关闭金属钛靶，打开二氧化钛靶，补充氩气至1.2-1.4Pa ；
步骤S600:在功率为150-250W，偏压200-300V，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为50-200min ；
步骤S700:关闭二氧化钛靶并静置lOmin，打开真空室，取出完成件。
[0011]本方法通过磁控溅射实现在陶瓷基体上制备纳米二氧化钛薄膜的目的，通过纳米钛预置层加强二氧化钛膜与陶瓷基体的结合力。本方法可均匀控制整体膜厚在80nm以下，既能保证电子装置外壳易清洁的性能，又可有效控制产品厚度而适用于微型化。
[0012]另外，本发明涉及的加工方法，使得金属钛预置层和纳米二氧化钛膜的溅射集中在一个真空室中进行操作，减少重复抽取真空的过程，工序简单易操作，加工效率高，产品质量稳定。
[0013]进一步地，所述步骤SlOO具体是指以下流程:
步骤SllO:将陶瓷基体放入水温60-80°C的水域中静置l_2h ；
步骤S120:将陶瓷基体放入配置20-50%丙酮溶液的清洗槽中，采用超声波清洗10_20min ；
步骤S130:用流动的去离子水冲洗陶瓷基体，去除丙酮溶液；
步骤S140:取出陶瓷基体并用冷风将其表面吹干，待用。
[0014]进一步地，所述步骤S200具体是指操作人员佩戴无尘手套或使用洁净取件器将经过表面处理的陶瓷基体摆放在托盘中，由磁控溅射机配置的传输装置将其运输至指定位置。
[0015]进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至l_2Pa，然后用分子泵抽真空至 1χ1(Γ3 — 3xl(T3Pa。
[0016]进一步地，所述步骤S400具体是指在功率450W，偏压250V，靶距35mm，陶瓷基体温度250°C的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间120min。
[0017]进一步地，所述步骤S500具体是指以流速30-32ml/min补充氩气至工作压强为1.2Pa0
[0018]进一步地，所述步骤S600具体是指在功率180W，偏压250V，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间120min。
[0019]进一步地，所述氩气作为溅射气体，其纯度大于99.999%。
[0020]进一步地，所述金属钛靶的纯度大于99.96% ;所述二氧化钛靶的纯度大于99.9%。
[0021]本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
(I)本发明提供一种表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体及其加工方法，使得电子装置壳体具有易清洁和自清洁的特性，用户在享受电子装置高品质外观的同时，又可以时刻保持壳体表面的清洁，减少细菌的滋生或传播，保证人体健康，提高产品竞争力。
[0022](2)纳米钛预置层与纳米二氧化钛膜在一个真空室中完成溅射，加工过程操作简单、效率高。
【附图说明】
[0023]图1为表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工流程示意图。
[0024]图2为表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的结构示意图。
[0025]其中:101—陶瓷基体，102—纳米钛预置层，103—纳米二氧化钛膜。
【具体实施方式】
[0026]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0027]实施例1:
表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体，如图2所示，包括陶瓷基体101、覆盖陶瓷基体101外表面的纳米二氧化钛膜103和连接陶瓷基体101与纳米二氧化钛膜103的纳米钛预置层102 ;所述纳米二氧化钛膜103为金红石相晶格结构或锐钛矿相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度为30-60nm。
[0028]本发明提供的表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体，不干扰电子信号，且具有易清洁和自清洁的特性。纳米二氧化钛膜103不仅可以使壳体呈现出金属外观，还可在可见光或紫外光的照射下分解掉粘附于壳体表面的灰尘、汗渍或残留有机污染物等，从而对壳体表面起到清洁保护的作用。另一方面，由于纳米二氧化钛膜103具有较强的亲水性，当有水流流过壳体表面时，水流还会自动带走壳体上被纳米二氧化钛膜103分解之后残留的污染物。如此，用户在享受电子装置高品质外观的同时，又可以时刻保持壳体表面的清洁，减少细菌的滋生或传播，保证人体健康，提高产品竞争力。
[0029]所述纳米钛预置层102既能增强陶瓷基体101与纳米二氧化钛膜103之间的结合度，又能够隔离陶瓷基体101与纳米二氧化钛膜103，防止陶瓷基体101被纳米二氧化钛膜103氧化分解。
[0030]实施例2:
表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体