的加工方法，如图1所示，包括以下步骤: 步骤SlOO:对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200:将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体101输送至真空室，真空室内腔的上方同时安装有金属钛靶和二氧化钛靶；
步骤S300:关闭真空室的出入口，抽真空至IxlO-3 — 3xl(T3Pa，通入氩气至0.8-1.2Pa ；步骤S400:打开金属钛靶，确保二氧化钛靶关闭，在功率为300-600W，偏压200-300V，靶距30-40mm，陶瓷基体101温度100-300 °C的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为100-200min ；
步骤S500:关闭金属钛靶，打开二氧化钛靶，补充氩气至1.2-1.4Pa ；
步骤S600:在功率为150-250W，偏压200-300V，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为50-200min ；
步骤S700:关闭二氧化钛靶并静置lOmin，打开真空室，取出完成件。
[0031]本方法通过磁控溅射实现在陶瓷基体101上制备纳米二氧化钛薄膜的目的，通过纳米钛预置层102加强二氧化钛膜与陶瓷基体101的结合力。本方法可均匀控制整体膜厚在SOnm以下，既能保证电子装置外壳易清洁的性能，又可有效控制产品厚度而适用于微型化。另外，本发明涉及的加工方法，使得金属钛预置层和纳米二氧化钛膜103的溅射集中在一个真空室中进行操作，减少重复抽取真空的过程，工序简单易操作，加工效率高，产品质星稳走O
[0032]实施例3:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤SlOO具体是指以下流程:
步骤SllO:将陶瓷基体101放入水温60-80°C的水域中静置l_2h ；
步骤S120:将陶瓷基体101放入配置20-50%丙酮溶液的清洗槽中，采用超声波清洗10_20min ；
步骤S130:用流动的去离子水冲洗陶瓷基体101，去除丙酮溶液；
步骤S140:取出陶瓷基体101并用冷风将其表面吹干，待用。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0033]实施例4:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S200具体是指操作人员佩戴无尘手套或使用洁净取件器将经过表面处理的陶瓷基体101摆放在托盘中，由磁控溅射机配置的传输装置将其运输至指定位置。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0034]实施例5:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至l_2Pa，然后用分子泵抽真空至1χ10_3 — 3xlO_3Pa。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0035]实施例6:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S400具体是指在功率450W，偏压250V，靶距35mm，陶瓷基体101温度250°C的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间120min。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0036]实施例7:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S500具体是指以流速30-32ml/min补充氩气至工作压强为1.2Pa。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0037]实施例8:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S600具体是指在功率180W，偏压250V，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间120min。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0038]实施例9: 本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S500具体是指以流速30-32ml/min补充氩气至工作压强为1.2Pa。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0039]实施例10:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述金属钛靶的纯度大于99.96% ;所述二氧化钛靶的纯度大于99.9%。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0040]实施例11:
表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤:
步骤SlOO:对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200:将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体101输送至真空室，真空室内腔的上方同时安装有金属钛靶和二氧化钛靶；
步骤S300:关闭真空室的出入口，抽真空至IxlO-3 — 3xl(T3Pa，通入氩气至0.8-1.2Pa ；步骤S400:打开金属钛靶，确保二氧化钛靶关闭，在功率为300-600W，偏压200-300V，靶距30-40mm，陶瓷基体101温度100-300 °C的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为100-200min ；
步骤S500:关闭金属钛靶，打开二氧化钛靶，补充氩气至1.2-1.4Pa ；
步骤S600:在功率为150-250W，偏压200-300V，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为50-200min ；
步骤S700:关闭二氧化钛靶并静置lOmin，打开真空室，取出完成件。
[0041]进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至l_2Pa，然后用分子泵抽真空至 1χ1(Γ3 — 3xl(T3Pa。
[0042]进一步地，所述步骤S400具体是指在功率450W，偏压250V，靶距35mm，陶瓷基体101温度250°C的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间120min。
[0043]实施例12:
表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤:
步骤SlOO:对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200:将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体101输送至真空室，真空室内腔的上方同时安装有金属钛靶和二氧化钛靶；
步骤S300:关闭真空室的出入口，抽真空至IxlO-3 — 3xl(T3Pa，通入氩气至0.8-1.2Pa ；步骤S400:打开金属钛靶，确保二氧化钛靶关闭，在功率为300-600W，偏压200-300V，靶距30-40mm，陶瓷基体101温度100-300 °C的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为100-200min ；
步骤S500:关闭金属钛靶，打开二氧化钛靶，补充氩气至1.2-1.4Pa ；
步骤S600:在功率为150-250W，偏压200-300V，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为50-200min ；
步骤S700:关闭二氧化钛靶并静置lOmin，打开真空室，取出完成件。
[0044]进一步地，所述步骤S500具体是指以流速30-32ml/min补充氩气至工作压强为1.2Pa0
[0045]进一步地，所述步骤S600具体是指在功率180W，偏压250V，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间120min。
[0046]实施例13:
表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤:
步骤SlOO:对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200:将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体101输送至真空室，真空室内腔的上方同时安装有金属钛靶和二氧化钛靶；
步骤S300:关闭真空室的出入口，抽真空至IxlO-3 — 3xl(T3Pa，通入氩气至0.8-1.2Pa ；步骤S400:打开金属钛靶，确保二氧化钛靶关闭，在功率为300-600W，偏压200-300V，靶距30-40mm，陶瓷基体101温度100-300 °C的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为100-200min ；
步骤S500:关闭金属钛靶，打开二氧化钛靶，补充氩气至1.2-1.4Pa ；
步骤S600:在功率为150-25