石斛增殖扩繁方法

文档序号:307102阅读:344来源:国知局
石斛增殖扩繁方法
【专利摘要】本发明公开了一种石斛增殖扩繁方法,包括如下步骤:采取石斛鲜茎,自然晾干至半脱水状;将经预处理的所述石斛鲜茎置于低温冷藏一天以上;将经冷藏处理的所述石斛鲜茎转置于黑暗环境下若干天;将处理过的鲜茎移出置于苗筛中,苗筛内铺放覆盖潮湿基质;将苗筛摆放于常温遮阴、光强15000-20000lux的环境中。经对比验证,采用本发明的石斛增殖扩繁方法,总萌芽率达到70%左右;采用本发明的石斛增殖扩繁方法,可直接通过石斛茎段增殖扩繁而得到生产用苗,繁育过程相对简单,投入的生产成本极低,生产时间140天以内,极大提高了生产效率,节约了生产成本和生产时间,而且栽培成活率更高,更适于大规模的生产。
【专利说明】石斛增殖扩繁方法
【【技术领域】】
[0001]本发明涉及石斛生产技术,特别涉及石斛的繁殖方法。
【【背景技术】】
[0002]石斛属兰科植物,其中有不少是名贵中药,在《本草纲目》中石斛被列为上品中药。我国76种石斛属植物中有近40种可作药用,著名的有金钗石斛、铁皮石斛和霍山石斛等。中国传统中医认为铁皮石斛等药用石斛性微寒,味甘,入肺、胃、肾经,主治热病伤津,口干烦渴,病后虚热,夜盲,阴伤目暗,有滋阴补肾,清热生津,益智安神,强筋壮骨之功效。在中国民间一直以石斛来治疗各种疑难杂症。现代临床应用和药理研究也证实,药用石斛对增加免疫力、抗衰老、防治癌症、治疗糖尿病和萎缩性胃炎都有确切疗效,对烟酒、劳累、夜生活、用眼用脑过度人群及声带撕哑者有恢复作用。
[0003]随着国人生活水平的提高、保健意识的提高,药用石斛的保健价值受到越来越多人的青睐,药用石斛制品的价格水涨船高,药用石斛的人工培植成为一个越多越庞大的产业。
[0004]石斛的人工培植中,常用分株、扦插和组培等方法繁殖幼苗,成活后的栽培方式一般为盆栽。分株繁殖,春秋两季都可进行,以3月下旬至4月上旬发芽前栽种较好,选生长健壮、根系发达、萌蘖多、无病虫害的1、2年生植株连根挖出,视茎数多少分为若干丛,剪去枯茎、断枝和过长的须根,每丛留有健壮茎2 - 5枝,分别种植,达到分株目的。扦插,即将植株肉质茎分为多段,每段带2-3节,插于基质中,待生根后再移植于盆中。组培,即通过组织培养,快速大量繁殖组培苗,再对组培苗进行移栽。其中,组培由于出苗效率高,成为产业化中解决种苗问题的有效途径,但采用组培的方式,从原球茎增殖培养,再繁育成小植株,再通过不断地继代培养获得生产用苗,通过炼苗后再栽种,整个过程花费时间至少在一年以上。在常用繁殖方法中,分株和扦插等传统方式的繁殖率极低。

【发明内容】

[0005]本发明的主要目的是:提供一种石斛增殖扩繁方法。
[0006]为此,本发明提出了一种石斛增殖扩繁方法,包括如下步骤:
[0007]材料预处理:采取石斛鲜茎,自然晾干至半脱水状;
[0008]冷藏处理:将经预处理的所述石斛鲜茎置于低温冷藏一天以上;
[0009]暗藏处理:将经冷藏处理的所述石斛鲜茎转置于黑暗环境下若干天;
[0010]基质覆盖:将处理过的鲜茎移出置于苗筛中,苗筛内铺放覆盖潮湿基质;
[0011]催芽:将苗筛摆放于常温遮阴、光强15000-200001UX的环境中。
[0012]上述的石斛增殖扩繁方法,其中的实施方式中,所述基质保持以双手挤压至不滴水的湿度为宜。
[0013]上述的石斛增殖扩繁方法,其中的实施方式中,所述基质采用椰糠。
[0014]上述的石斛增殖扩繁方法,其中的实施方式中,所述冷藏处理的温度为摄氏3°C _7°C,时间为1-3天;所述暗藏处理的时间为8-12天。
[0015]上述的石斛增殖扩繁方法,其中的实施方式中,所述基质覆盖步骤中,铺放覆盖基质的厚度为2-4cm。
[0016]经对比验证,采用本发明的石斛增殖扩繁方法,总萌芽率达到70%左右,总萌芽率比对照I (常温处理)提高40个左右百分点,比对照2 (暗处理,未作低温处理)提高40个左右百分点,总萌芽率的提高达极显著水平。
[0017]采用本发明的石斛增殖扩繁方法,可直接通过石斛茎段增殖扩繁而得到可分株栽种的生产用苗,繁育过程相对简单,投入的生产成本极低,生产时间不超过140天,节约了生产成本和生产时间,极大提高了生产效率;而且栽培成活率更高,更适于大规模的生产。
【【具体实施方式】】
[0018]下面通过具体的实施例对本发明作进一步详细的描述。
[0019]实施例一:
[0020]本例的实施地点为深圳市农科植物克隆种苗公司坪山基地。
[0021]本例的具体实施步骤包括:
[0022]材料及预处理:品种为浙江主栽品种一红杆软脚铁皮石斛,选取田间2.5寸杯栽苗已封顶鲜茎(5-10天),茎长30-50cm,采后自然晾干至半脱水状。
[0023]冷藏处理:将晾过的鲜茎置于5°C的低温冰箱冷藏48小时;
[0024]暗藏处理:将经冷藏的鲜茎取出后在常温、透气的黑暗环境下放置10天;例如,可置入黑胶袋透气暗环境内摆放;
[0025]基质覆盖:将处理过的鲜茎移出横放在苗筛中,苗筛内铺放2-4cm厚的潮湿椰糠,椰糠在清水中浸泡约I个小时,以双手挤压至椰糠不滴水的湿度为宜;
[0026]催芽:苗筛摆放大棚移动苗床上,常温(20-30 °C)遮阴,忌暴晒,约15000-200001ux 的光强;
[0027]30天后腋芽陆续萌芽,萌芽后60-90天可以分株栽种。
[0028]对照例为同品种不加低温和暗处理。
[0029]结果:每次处理20条鲜茎,30天时检测统计总萌芽率78%,对照I (常温处理)萌芽率31%,对照2 (暗处理,未作低温处理)43%。处理的萌芽率比对照I提高42个百分点,比对照2提高31个百分点,二者差异达极显著水平。
[0030]该项铁皮石斛无性繁殖催芽技术已应用于本单位生产。
[0031]实施例二:
[0032]本例的实施地点为深圳市农科植物克隆种苗公司坪山基地。
[0033]本例的具体实施步骤包括:
[0034]材料及预处理:品种为广南软脚绿杆铁皮石斛,选取田间3寸杯栽苗已封顶鲜茎(5-10天),?长30-50cm,采后自然晾干至半脱水状。
[0035]冷藏处理::将晾过的鲜茎置于3°C的低温冰箱冷藏24小时;
[0036]暗藏处理:将经冷藏的鲜茎取出后在常温黑暗环境下放置8天;
[0037]基质覆盖:之后将处理过的鲜茎移出横放在苗筛中,苗筛内铺放3cm厚的基质,基质保持以双手挤压至不滴水的湿度为宜,基质采用杂树皮、 椰糠、水苔、桫椤碎、小石头+树皮+椰糠、树皮+小石头、椰糠+椰丝等单一或混合的轻型、排水好、透气的材料;
[0038]催芽:苗筛摆放大棚苗床上,常温遮阴,忌暴晒,约15000-200001ux的光强;
[0039]28天后腋芽陆续萌芽。萌芽后60-90天可以分株栽种。
[0040]对照例为同品种不加低温和暗处理。
[0041]结果:每次处理20条鲜茎,28天时检测统计总萌芽率69%,对照I (常温处理)萌芽率29%,对照2 (暗处理,未作低温处理)40%。处理的萌芽率比对照I提高40个百分点,比对照2提高39个百分点,二者差异达极显著水平。
[0042]实施例三:本例的实施地点为深圳市农科植物克隆种苗公司坪山基地。
[0043]本例的具体实施步骤包括:
[0044]材料预处理:品种为浙江硬脚红杆石斛,选取田间3寸杯栽苗已封顶鲜茎(5-10天),莖长30-50cm,采后自然晾干至半脱水状;
[0045]冷藏处理:将晾过的鲜茎置于7 V的低温冰箱冷藏72小时;
[0046]暗藏处理:将经冷藏的鲜茎取出后在常温黑暗环境下放置12天;
[0047]基质覆盖:之后将处理过的鲜茎移出横放在苗筛中,苗筛内铺放4cm厚的潮湿椰糠,椰糠在清水中浸泡约I个小时左右,以双手挤压至椰糠不滴水的湿度为宜;
[0048]催芽:苗筛摆放大棚苗床上,常温遮阴,忌暴晒,约15000-200001ux的光强。
[0049]35天后腋芽陆续萌芽。
[0050]对照例为同品种不加低温和暗处理。
[0051]结果:每次处理20条鲜茎,35天时检测统计总萌芽率73%, 对照I (常温处理)萌芽率32%,对照2 (暗处理,未作低温处理)44%。处理的萌芽率比对照I提高41个百分点,比对照2提高39个百分点,二者差异达极显著水平。
[0052]以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。例如,冷藏的温度、时间可以适当调整,暗藏的温度、时间也可以适当调整,基质可采用现有石斛种植的各种适用材料,催芽时的温度和光强也可以进行适当的调整。对于本发明所属【技术领域】的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种石斛增殖扩繁方法,包括如下步骤: 材料预处理:采取石斛鲜茎,自然晾干至半脱水状; 冷藏处理:将经预处理的所述石斛鲜茎置于低温冷藏一天以上; 暗藏处理:将经冷藏处理的所述石斛鲜茎转置于黑暗环境下若干天; 基质覆盖:将处理过的鲜茎移出置于苗筛中,苗筛内铺放覆盖潮湿基质; 催芽:将苗筛摆放于常温、光强15000-200001UX的环境中。
2.如权利要求1所述的石斛增殖扩繁方法,其特征是:所述基质保持以双手挤压至不滴水的湿度为宜。
3.如权利要求1所述的石斛增殖扩繁方法,其特征是:所述基质采用杂树皮、椰糠、水苔、桫椤碎、小石头+树皮+椰糠、树皮+小石头、椰糠+椰丝中单一或混合的轻型、排水好、透气的材料。
4.如权利要求1所述的石斛增殖扩繁方法,其特征是:所述冷藏处理的温度为摄氏30C _7°C,时间为1-3天。
5.如权利要求1所述的石斛增殖扩繁方法,其特征是:所述暗藏处理的时间为8-12天。
6.如权利要求1所述的石斛增殖扩繁方法,其特征是:所述基质覆盖步骤中,铺放覆盖基质的厚度为2-4cm。
7.如权利要求1所述的石斛增殖扩繁方法,其特征是:所述材料预处理步骤中,采取已封顶鲜茎,茎长30-50cm。
8.如权利要求4所述的石斛增殖扩繁方法,其特征是:所述冷藏处理的温度为摄氏5°C,时间为2天。
9.如权利要求5所述的石斛增殖扩繁方法,其特征是:所述暗藏处理的环境为常温、透气。
10.如权利要求6所述的石斛增殖扩繁方法,其特征是:所述基质覆盖步骤中,铺放覆盖基质的厚度为3cm。
【文档编号】A01G1/00GK103460928SQ201310400347
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年9月5日 优先权日:2013年9月5日
【发明者】赵贵林, 郑平, 陈肖英, 徐明全, 卢运明, 王维部, 赵杨敏, 肖增魁, 金英子, 吴瑕, 李芳
申请人:深圳市农科集团有限公司
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