专利名称：辐射检测器及其制造方法以及包括其的x射线成像系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种能够通过检测X射线来产生目标体的内部图像的辐射检测器
背景技术：
X射线设备可用于通过将X射线施加到动物或病人的身体，检测穿过身体的X射线并处理检测到的X射线以获得身体的内部图像来诊断疾病，而不需要切开动物或病人的身体。用于成像的X射线是在高速电子与物体碰撞时从物体发射的高穿透形式的电磁辐射。通常，用于产生X射线的X射线管包括用于产生热电子的灯丝以及在将高压施加到其时形成强电场的电极。通过施加到X射线管的高压源来产生高压，从而从形成X射线管的阴极部分的灯丝发射热电子。在强电场的影响下使发射的热电子偏移，并使热电子碰撞X射线管的阳极部分。在热电子在阳极上碰撞的局部位置处产生X射线。X射线检测器检测在如上所述地产生X射线时穿过(或穿透)物体的X射线的量。该检测器是成像设备的用于根据检测X射线的穿透量的结果来显示物体内部图像的一部分。通常，X射线检测器包括薄膜晶体管阵列基底和光电传感器。然而，问题在于，在驱动薄膜晶体管的过程中会产生漏电流，从而导致信号输出过程中的噪声。另外，问题在于，由于占据像素区的薄膜晶体管的区域，所以X射线检测器基底的开口率减小，即,接收X射线的区域减小。该问题随着像素尺寸的减小而增多。
发明内容
总体上，本发明提供了一种包括光电传感器和电容器的辐射检测器。将在下面的描述中阐述本发明的附加方面，并且部分地，将通过描述而清楚，或者可通过实施本发明而知晓。根据本发明的一方面，一种福射检测器包括多个光电传感器，具有形成在光电传感器的前表面和后表面上的前电极和后电极；绝缘层，形成在光电传感器的后表面上；多个数据电极，形成在绝缘层的后表面上；多个信号电极，形成在光电传感器的前表面上；以及电容器，包括形成在光电传感器的后表面上的后电极、形成在后电极的后表面上的绝缘层和形成在绝缘层的后表面上的数据电极。数据电极可响应于由光电传感器产生的电信号而感生电信号。 信号电极可将电压施加到所述多个光电传感器。信号电极和数据电极可被布置成以基本垂直的方式彼此交叉。光电传感器的前电极可以是透明电极。前电极可由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)中的任意一种制成。光电传感器可以是PIN光电二极管或PN光电二极管中的任意一种。辐射检测器还可包括形成在光电传感器的前电极的前表面上的闪烁器，所述闪烁器将施加到辐射检测器的辐射转换为可见光。辐射检测器还可包括保护层，保护层是绝缘层，被形成为围绕光电传感器。保护层可由从包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、笨并环丁烯和聚酰胺的组中选择的材料制成。根据本发明的另一方面，一种福射检测器包括多个光电传感器，具有形成在光电传感器的前表面和后表面上的前电极和后电极；多个数据电极 ，形成在光电传感器的后表面上；绝缘层，形成在光电传感器的前表面上；多个电容器电极，埋置在绝缘层中；多个信号电极，形成在所述多个电容器电极的前表面上；以及电容器，包括形成在光电传感器的前表面上的前电极、形成在前电极的前表面上的绝缘层以及埋置在绝缘层中的电容器电极。数据电极可接收从光电传感器产生的电信号。 信号电极可将电压施加到所述多个电容器电极。信号电极和数据电极可被布置成彼此交叉。光电传感器的前电极可以是透明电极。前电极可由从氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)中选择的任意一种制成。光电传感器可以是PIN光电二极管或PN光电二极管中的任意一种。辐射检测器还可包括形成在电容器电极的前表面上的闪烁器，闪烁器将施加到辐射检测器的辐射转换为可见光。辐射检测器还可包括保护层，保护层是绝缘层，被形成为围绕光电传感器。保护层可由从包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、苯并环丁烯和聚酰胺的组中选择的材料制成。根据本发明的另一方面，一种制造辐射检测器的方法包括下述步骤在基底上形成多个数据电极；在数据电极的前表面上形成绝缘层；在绝缘层的前表面上形成多个光电传感器，多个光电传感器具有形成在光电传感器的前表面和后表面上的前电极和后电极；以及形成包括后电极、绝缘层和数据电极的电容器。根据本发明的另一方面，一种制造辐射检测器的方法包括下述步骤在基底上形成多个数据电极；在数据电极的前表面上形成多个光电传感器，多个光电传感器具有形成在光电传感器的前表面和后表面上的前电极和后电极；在光电传感器的前表面上形成绝缘层；在绝缘层中形成多个电容器电极；以及形成包括电容器电极、绝缘层和前电极的电容器。根据本发明的另一方面，一种X射线成像系统被设置为包括根据一个或多个示出的实施例的辐射检测器。根据本发明的一方面的辐射检测器可通过解决在使用薄膜晶体管时产生的漏电流的问题来减少噪声。另外，根据本发明的一方面的辐射检测器可通过省略薄膜晶体管而增大开口率。
通过下面结合附图对实施例的描述，本发明的这些和/或其它方面将变得明显和更容易理解，在附图中图I是示出根据本发明一个实施例的辐射检测器的示意性剖视图2是示出根据本发明实施例的可具有如图I中所示的剖面的辐射检测器的正视图/俯视图；图3是示出根据本发明另一实施例的辐射检测器的示意性剖视图；图4A至图4C是示出根据本发明一个实施例的辐射检测器(例如图I中所示的检测器)的操作的示意图；图5示出了传统的X射线成像系统的基本组件，然而对其进行了修改，以包括根据图2或图3的实施例中的一个或多个实施例构造的辐射检测器。
具体实施方式
提供下面参照附图进行的描述以帮助全面地理解如权利要求及其等同物所限定的本发明的示例性实施例。其包括各种具体细节以帮助该理解，然而它们应当被认为仅仅是示例性的。因此，本领域普通技术人员将明白的是，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，能够对这里描述的实施例进行各种改变和修改。另外，为了清楚和简要，省略了对公知的功能和结构的描述。 在全部附图中，相同的标记将被理解为表示相同的部件、组件和结构。图I是示出根据本发明一个实施例的辐射检测器的从Z-X平面中观察的示意性剖视图。根据本发明一个实施例的辐射检测器包括闪烁器1，形成在发生辐射入射的入射表面上；多个光电传感器3，形成在闪烁器I的后表面上；保护层6，是绝缘材料，被形成为围绕光电传感器3 ;多个信号电极7,形成在光电传感器3的前表面上；绝缘层8,形成在光电传感器3的后表面上；多个数据电极9，形成在绝缘层8的后表面上；以及基底10，数据电极9形成在基底10上。闪烁器I可形成在检测器的前向(+z轴方向)方向中，以允许穿过目标体的X射线入射到闪烁器I上并在闪烁器I中被吸收。闪烁器I可将吸收的X射线转换为光波长，S卩，在绿色波长范围内的可见光，然后光波长可在检测器的光电传感器3处被吸收。闪烁器I可由卤素化合物例如掺杂有铊或钠的碘化铯制成，或者可包括诸如氧硫化钆的氧化物。然而，本发明的实施例不限于此。此外，闪烁器I可包括形成在闪烁器I的X射线入射的前表面上的光反射层2。反射层2可由允许X射线穿透的材料制成。例如，反射层2可由诸如铝或钛的金属或者诸如玻璃、碳或陶瓷的无机材料制成。然而，本发明的实施例不限于此。反射层2可通过将闪烁器I发射的转换而来的可见光中损失的可见光反射回闪烁器I中来提高辐射利用效率。闪烁器I可以以薄膜附着到光电传感器3的前表面，或者通过化学气相沉积(CVD)沉积在光电传感器3的前表面上。光电传感器3可形成在闪烁器I的后表面上，通过穿过闪烁器I而转换得到的可见光在光电传感器3中被吸收并被转换为电信号。每个光电传感器3可具有分别形成在光电传感器3的前表面和后表面上的前电极4和后电极5。前电极4与将电压施加到光电传感器3的信号电极7接触,后电极5与绝缘层8接触。
前电极4可由透明导电材料制成，以允许从外部吸收的光穿透。例如，前电极4可由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)制成。然而，本发明的实施例不限于此。光电传感器3可由诸如硅的半导体材料制成。具体地说，光电传感器3可以是PIN光电二极管或PN光电二极管，PIN光电二极管具有包括P (正)型半导体层、I (本征)型半导体层和N(负)型半导体层的所谓PIN结构，PN光电二极管具有包括P (正)型半导体层和N(负)型半导体层的所谓PN结构。本不例性实施例描述了使用PIN光电二极管。例如，在PIN光电二极管的情况下，可见光穿过P型非晶硅层并被I型非晶硅层吸收。吸收的可见光的能量大于I型非晶硅层中的非晶硅的光学带隙，从而产生电子和空穴。可通过内电场在P型硅层和N型硅层收集I型非晶硅层中产生的电子和空穴。最后，通过电极将电子和空穴供应到外部电路。以每像素一个光电传感器的比例设置光电传感器3，并且可以以二维阵列将光电传感器3布置成矩阵，以形成如图2中所示的X射线检测器。例如，可以以具有四行和四列的方形矩阵来布置光电传感器3 (见图2)。光电传感器3可被作为绝缘材料的保护层6覆盖/围绕。保护层6可由诸如氧化娃、氮化娃或氮氧化娃的无机绝缘材料或者诸如苯并环丁烯或聚酰胺的有机绝缘材料制成。信号电极7形成在光电传感器3的前电极4的前表面上以用于电接触。信号电极7可从外部电源(未示出)接收反向偏压和正向偏压。如图2中所示，线形式的多个信号电极7可以分别设置在以二维阵列布置成矩阵的光电传感器3的每一行(X轴方向)上。例如，线形式的信号电极7分别设置在布置成具有四行和四列的矩阵的光电传感器3的每一行上。结果，可将电压施加到每行光电传感器3。即，当电压被施加到一行信号电极7时，电压被施加到设置在该行中的全部光电传感器3,并且电压未被施加到其它光电传感器3。信号电极7可由诸如铝、钥、铬、钕、钽、钛、钨、铜或银的金属单独制成或由它们的合金制成。然而，本发明的实施例不限于此。
绝缘层8形成在光电传感器3的后表面上。绝缘层8与将在下面描述的光电传感器3的后电极5和数据电极9 一起形成电容器13。将与数据电极9的描述一起给出对电容器13的详细描述。数据电极9可形成在基底10的前(顶)表面和绝缘层8的后(底)表面之间。如图2中所示，线形式的多个数据电极9可分别设置在以二维阵列布置成矩阵的光电传感器3的每一列(y轴方向)上。即，上述信号电极7和数据电极9可被布置成彼此交叉。即，信号电极7和数据电极9可被布置成彼此基本垂直。例如，如图2中所示，线形式的数据电极9分别设置在布置成具有四行和四列的矩阵的光电传感器3的每一列上。结果，数据电极9可具有响应于从光电传感器3产生的电信号而在数据电极9上感生的电信号。数据电极9可连接到读出IC(ROIC)，如所公知的(见图5)，在ROIC处检测来自数据电极9的电信号并将对应的图像信号输出至后续的处理和显示单元，以产生并显示靶的各种类型的图像。如结合绝缘层8所描述的，数据电极9与形成在数据电极9的前表面上的绝缘层8和光电传感器3的后电极一起形成电容器13。穿过闪烁器I转换而来的可见光被吸收到光电传感器3中，在光电传感器3中将可见光转换为电信号。当将反向偏压施加到信号电极7时，电子在光电传感器3的后电极5处聚集。由于X射线穿透的程度根据目标体的密度而不同，因此电信号的大小也不同。因此，聚集在后电极5处的电荷的量也改变。当电子在电容器13处聚集的同时将正向偏压施加到信号电极7时,形成电容器13的另一电极的数据电极9响应于在光电传感器3的后电极5处聚集的电荷的量而感生有电荷，从而将电信号传输至数据电极9。读出IC ROIC检测感生至数据电极9的电信号，并输出对应的图像信号。如结合图2所描述的，可以如下地形成电容器13:在基底10上沿列方向(y轴方向)将多个数据电极9形成为矩阵；在所述多个数据电极9的前表面上形成由绝缘材料制成的绝缘层8 ;并在绝缘层8的前表面上形成具有前电极4和后电极5的多个光电传感器3。提供基底10以作为制造福射检测器的基体。基底10可以是板的形式。基底10可由诸如玻璃、石英或塑料的透明绝缘材料制成。图3是示出根据本发明另一实施例的辐射检测器的示意性剖视图。 根据本发明另一实施例的辐射检测器包括闪烁器1，形成在发生辐射入射的入射表面上；绝缘层8，形成在闪烁器I的后表面上；多个电容器电极11，被绝缘层8覆盖；多个信号电极7，形成在电容器电极11的前表面上；多个光电传感器3,形成在绝缘层8的后表面上；保护层6,是绝缘材料,被形成为围绕光电传感器3 ;多个数据电极9,形成在光电传感器3的后表面上；以及基底10，数据电极9形成在基底10上。关于闪烁器I的描述与图I中的相应组件的描述相同，因此将省略对其的额外描述。形成在闪烁器I的后表面上的绝缘层8与将在下面描述的埋置在绝缘层8中的电容器电极11和光电传感器3的前电极4 一起形成电容器13。将与对电容器电极11的描述一起给出对电容器13的详细描述。绝缘层8可由诸如玻璃、石英或塑料的透明绝缘材料制成，以使由X射线穿过闪烁器I转换而来的可见光穿过。电容器电极11可由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料制成。然而，本发明的实施例不限于此。电容器电极11与绝缘层8和光电传感器3的前电极4 一起形成电容器13。穿过闪烁器I转换而来的可见光被吸收到光电传感器3中，可见光在光电传感器3中被转换为电信号。当将反向偏压施加到信号电极7时，电子在光电传感器3的前电极4处聚集。由于X射线穿透的程度根据目标体的密度而不同，因此电信号的大小也不同。因此，聚集在前电极4处的电荷的量也改变。当电子在电容器13处聚集的同时将正向偏压施加到信号电极7时，在光电传感器3的前电极4处聚集的电子通过后电极5被传输至数据电极9。读出IC ROIC检测传输至数据电极9的电信号，并输出对应的图像信号。如结合图2所描述的，可以如下地形成电容器13:在基底10上沿列方向(y轴方向)将多个数据电极9形成为矩阵；在数据电极9的前表面上形成具有前电极4和后电极5的多个光电传感器3 ;在光电传感器3的前表面上形成由绝缘材料制成的绝缘层8 ;并形成埋置在绝缘层8中的电容器电极11。信号电极7形成在电容器电极11的前表面上以用于电接触。信号电极7可从外部电源(未不出)接收正向偏压和反向偏压。如图2中所示，线形式的多个信号电极7可以分别设置在以二维阵列布置成矩阵的光电传感器3的每一行(X轴方向)上。例如，线形式的信号电极7分别设置在布置成具有四行和四列的矩阵的光电传感器3的每一行上。结果，可将电压施加到每行光电传感器3。即，当电压被施加到一行信号电极7时，电压被施加到设置在该行中的全部电容器电极11，并且电压未被施加到其它电容器电极11。信号电极7可由诸如铝、钥、铬、钕、钽、钛、钨、铜或银的金属单独制成或由它们的合金制成。然而，本发明的实施例不限于此。
再参照图3，光电传感器3形成在绝缘层8的后表面上，通过穿过闪烁器I转换而来的可见光在光电传感器3处吸收并转换为电信号。光电传感器3可具有分别形成在光电传感器3的前表面和后表面上的前电极4和后电极5。前电极4与绝缘层8接触，后电极5与数据电极9接触。前电极4可由透明导电材料制成，以允许从外部吸收的光穿透。例如，前电极4可由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)制成。然而，本发明的实施例不限于此。对光电传感器3的描述与图I中的对应组件的描述相同，因此将省略对其的额外描述。光电传感器3可被作为绝缘材料的保护层6围绕。保护层6可由诸如氧化硅、氮化娃或氮氧化娃的无机绝缘材料或者诸如苯并环丁烯或聚酰胺的有机绝缘材料制成。数据电极9可形成在基底10的前表面和光电传感器3的后表面之间。如图2中所示，线形式的多个数据电极9可分别设置在以二维阵列布置成矩阵的光电传感器3的每一列上。上述信号电极7和数据电极9可被布置成彼此交叉。S卩，信号电极7和数据电极9可被布置成彼此基本垂直。例如，如图2中所示，线形式的数据电极9分别设置在布置成具有四行和四列的矩阵的光电传感器3的每一列上。结果，数据电极9可直接接收从光电传感器3产生的电信号。数据电极9可连接到读出IC(ROIC)，在ROIC处检测来自数据电极9的电信号并输出对应的图像信号。关于基底10的描述与图I中的对应组件的描述相同，因此将省略对其的额外的描述。图4A至图4C是示出根据本发明一个实施例的辐射检测器(例如图I中所示的检测器)的操作的示意图。图4A示出了在将X射线施加到目标体(靶)12之前的检测器。这里，信号电极7施加有反向偏压(例如，-5V)以保持关闭状态。如上所述，数据电极9、绝缘层8和光电传感器3的后电极5形成电容器13。当入射到目标体12上的X射线穿透目标体12时，X射线的强度根据目标体12的密度(在图4A至图4C中，密度的差异被示出为目标体12的厚度的差异)而变得衰减，衰减后的X射线入射到/被施加到检测器的闪烁器I (见图4B)。如上所述，施加到闪烁器I的X射线被转换为可见光，然后将可见光施加到光电传感器3。光电传感器3吸收可见光，并将光能转换为电信号。电信号在光电传感器3的后电极5上聚集。数据电极9响应于在后电极5上聚集的电荷而感生有相反的电荷。结果，被形成为包括后电极5、绝缘层8和数据电极9的电容器13被充有电荷。在施加有穿过目标体12的X射线的区域中的光电传感器3产生的电信号的大小与在施加有未穿过目标体12的X射线的区域中的光电传感器3产生的电信号的大小之间存在差异。例如，处于直接施加X射线(即，X射线未穿过目标体12)的区域中的最左侧的两个对应的光电传感器3的电信号大于从左侧数第三个和第四个光电传感器3(处于衰减的X射线穿过目标体12的较低密度部分的区域中)的电信号。另外，从左侧数第三个和第四个光电传感器3的电信号大于其余两个对应的光电传感器3 (处于衰减的X射线穿过目标体12的最高密度部分的区域中)产生的电信号。在图4B至图4C中，这种差异对应于在每个后电极5上聚集的电子的数量差异。在电容器13被充有电荷之后，将正向偏压按照顺序的方式施加到形成在光电传感器3的各个行上并被布置成与数据电极9彼此交叉的线形式的每个信号电极7。当信号电极7开启时，施加到电容器13的数据电极9的电压响应于此而改变。结果，根据电压的变化而传输电荷。例如，当处于关闭状态(例如，施加有-5V的反向偏压)的信号电极7被施加有 +5V的正向偏压来将信号电极7改变为开启状态时,光电传感器3的每个后电极5产生空穴，同时在形成电容器13的另一电极(即，数据电极)处产生响应于电压变化的电子。如图4C所示，当信号电极7从左例至右侧顺序地开启时，电荷传输至左侧。与数据电极9连接的读出IC ROIC检测在数据电极9中产生的电荷的移动(如电极9中的带方向的箭头所示)并输出图像信号。图5示出了传统的X射线成像系统100的基本组件，然而对其进行了修改，以包括根据上述实施例中的一个或多个构造和操作的X射线检测器。参照图5，仅作为示例，X射线成像系统100可包括X射线源110、X射线检测器130、控制器140和图像处理/分析单元150。操作台120可以是被设计为通过将预定量的压力施加到靶或从靶去除施加的压力来选择性地使靶固定的装置。在不同的实施例中，显示器160被包括在图像产生系统100中或与图像产生系统100分开。另外，在一个或更多个实施例中，控制器140、X射线检测器130、图像处理/分析单元150或显示器160中的任意一个还可包括存储器，以存储或随后再现通过成像系统100产生的任何检测到的靶图像、最佳图像或者硬组织图像和软组织图像。在一个或更多个实施例中，图像处理/分析单元150还被构造为控制通过显示器160显示任何检测到的靶图像、最佳图像或者硬组织图像和软组织图像。对本领域普通技术人员来讲，这些组件(除了已经在此描述的检测器130之外)中的每个组件的制造和操作方法均是公知的，因此为了清楚起见，在这里仅给出基本描述。X射线源110可向图5中所示的靶(将要成像的物体)辐射X射线，从而使X射线穿过靶朝X射线检测器130辐射。可通过X射线检测器130来检测穿过靶的X射线。如本领域普通技术人员公知的，可通过控制单元140控制从X射线源110辐射的X射线的量、电压以及辐射时间。X射线检测器130可获取通过使X射线从X射线源110穿过靶而形成的多个靶图像。控制器140可控制X射线源110，从而可在预定的时间段内或在预定的时间段期间以预定量/电压将X射线辐射到靶。另外，在工艺期间的任何时间，控制器140可控制操作台120以调节施加到靶的压力。图像处理/分析单元150可以在预定的时间间隔期间对由X射线检测器130获取的靶图像执行图像处理。然后，可使用一些公知的图像处理方案中的任意一种来基于由X射线检测器130获取的靶图像产生并显示一个或多个图像(例如，组织图像)。
虽然已经示出并描述了本发明的一些实施例，但是本领域技术人员应当理解，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可 以对这些实施例进行修改，本发明的范围由权利要求书及其等同物限定。
权利要求
1.一种辐射检测器，其特征在于包括 多个光电传感器(3),具有形成在光电传感器的前表面和后表面上的前电极(4)和后电极(5)； 绝缘层(8),形成在光电传感器的后表面上； 多个数据电极(9)，形成在绝缘层的后表面上； 多个信号电极(7)，形成在光电传感器的前表面上；以及 电容器(13),包括形成在光电传感器的后表面上的后电极(5)、形成在后电极的后表面上的绝缘层(8)和形成在绝缘层的后表面上的数据电极(9)。
2.如权利要求I所述的辐射检测器，其中，数据电极响应于由光电传感器产生的电信号来感生电信号，信号电极将电压施加到所述多个光电传感器，信号电极和数据电极被布置成彼此基本垂直。
3.如权利要求I所述的辐射检测器，其中，光电传感器的前电极是由氧化铟锡和氧化铟锌中的任意一种制成的透明电极。
4.如权利要求I所述的福射检测器，其中，光电传感器是PIN光电二极管和PN光电二极管中的任意一种。
5.如权利要求I所述的辐射检测器，所述辐射检测器还包括形成在光电传感器的前电极的前表面上的闪烁器(I)，所述闪烁器将施加到辐射检测器的辐射转换为可见光。
6.如权利要求I所述的辐射检测器，所述辐射检测器还包括保护层(6)，保护层是绝缘层，被形成为围绕光电传感器，其中，保护层由从包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、苯并环丁烯和聚酰胺的组中选择的材料制成。
7.一种辐射检测器，其特征在于包括 多个光电传感器(3),具有形成在光电传感器的前表面和后表面上的前电极(4)和后电极(5)； 多个数据电极(9),形成在光电传感器的后表面上； 绝缘层(8),形成在光电传感器的前表面上； 多个电容器电极(11)，埋置在绝缘层中； 多个信号电极(7)，形成在所述多个电容器电极的前表面上；以及 电容器，包括形成在光电传感器的前表面上的前电极(4)、形成在前电极的前表面上的绝缘层(8)以及埋置在绝缘层中的电容器电极(11)。
8.如权利要求7所述的辐射检测器，其中，数据电极接收从光电传感器产生的电信号，信号电极将电压施加到所述多个电容器电极，信号电极和数据电极被布置成彼此基本垂直。
9.如权利要求7所述的辐射检测器，其中，光电传感器的前电极是由从氧化铟锡和氧化铟锌中选择的任意一种制成的透明电极，光电传感器是PIN光电二极管和PN光电二极管中的任意一种。
10.如权利要求7所述的辐射检测器，所述辐射检测器还包括形成在电容器电极的前表面上的闪烁器，闪烁器将施加到辐射检测器的辐射转换为可见光。
11.如权利要求7所述的辐射检测器，所述辐射检测器还包括保护层，保护层是绝缘层，被形成为围绕光电传感器，其中，保护层由从包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、苯并环丁烯和聚酰胺的组中选择的材料制成。
12.一种制造辐射检测器的方法，其特征在于包括 在基底上形成多个数据电极(9)； 在数据电极的前表面上形成绝缘层(8)； 在绝缘层的前表面上形成多个光电传感器(3),多个光电传感器具有形成在光电传感器的前表面和后表面上的前电极⑷和后电极(5);以及形成包括后电极、绝缘层和数据电极的电容器(13)。
13.—种制造辐射检测器的方法，其特征在于包括 在基底上形成多个数据电极； 在数据电极的前表面上形成多个光电传感器，多个光电传感器具有形成在光电传感器的前表面和后表面上的前电极和后电极； 在光电传感器的前表面上形成绝缘层； 在绝缘层中形成多个电容器电极；以及 形成包括电容器电极、绝缘层和前电极的电容器。
14.一种X射线成像系统，所述系统包括 X射线源单元，在控制器的控制下在预定时间段内辐射多个X射线； X射线检测器，在X射线穿过靶之后检测由X射线源单元辐射的X射线，所述X射线检测器响应于所述检测产生至少一个靶图像；以及图像处理/分析单元，产生至少一个组织图像， 其中，X射线检测器包括多个光电传感器,具有形成在光电传感器的前表面和后表面上的前电极和后电极；绝缘层，形成在光电传感器的后表面上；多个数据电极，形成在绝缘层的后表面上；多个信号电极，形成在光电传感器的前表面上；以及电容器，包括形成在光电传感器的后表面上的后电极、形成在后电极的后表面上的绝缘层和形成在绝缘层的后表面上的数据电极。
15.一种X射线成像系统，所述系统包括 X射线源单元，在控制器的控制下在预定时间段内辐射多个X射线； X射线检测器，在X射线穿过靶之后检测由X射线源单元辐射的X射线，所述X射线检测器响应于所述检测产生至少一个靶图像；以及图像处理/分析单元，产生至少一个组织图像， 其中，X射线检测器包括多个光电传感器,具有形成在光电传感器的前表面和后表面上的前电极和后电极；多个数据电极，形成在光电传感器的后表面上；绝缘层，形成在光电传感器的前表面上；多个电容器电极，埋置在绝缘层中；多个信号电极，形成在所述多个电容器电极的前表面上；以及电容器，包括形成在光电传感器的前表面上的前电极、形成在前电极的前表面上的绝缘层以及埋置在绝缘层中的电容器电极。
全文摘要
在这里公开了一种包括光电传感器和电容器的辐射检测器、该辐射检测器的制造方法和包括该辐射检测器的X射线成像系统。所述辐射检测器包括多个光电传感器，具有形成在光电传感器的前表面和后表面上的前电极和后电极；绝缘层，形成在光电传感器的后表面上；多个数据电极，形成在绝缘层的后表面上；多个信号电极，形成在光电传感器的前表面上；以及电容器，被形成为包括形成在光电传感器的后表面上的后电极、形成在后电极的后表面上的绝缘层和形成在绝缘层的后表面上的数据电极。
文档编号A61B6/00GK102628953SQ20121002863
公开日2012年8月8日 申请日期2012年2月7日 优先权日2011年2月7日
发明者金应范 申请人:三星电子株式会社