抗辐射防龋消炎口腔制剂的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于口腔药物制剂技术领域，特别涉及一种多功能抗辐射防龋消炎的口腔 药物制剂。
【背景技术】
[0002] 人体在受到一定剂量的电离辐射作用后不仅在受照射当时可以出现早期急性效 应，而且在受照若干年后甚至更长时间才出现远期效应。电离辐射对人体细胞内的水分 子及生物分子如蛋白质的作用有特别重要的意义，其中水分子的电离和激发（ionization and excitation)产生自由基，而自由基是引起有机分子的放射损伤的主要原因；另外电离 辐射可引起细胞分裂延迟（division delay)改变及细胞死亡。由辐射产生的生物效应包括 直接作用（direct action)和间接作用（indirect action)。直接作用是福射线自身或其 生成的二次粒子直接作用于分子所造成的效应。例如用X射线照射生物体，将能量转给某 个二次电子后，此电子再造成靶分子的游离，产生活性的游离基（free radical)，该游离基 化学性质很活泼，结合至生物体内氢原子以外的原子，即可能造成所结合分子的变性，进而 产生生物效应。间接作用是辐射线自身或由其生成的二次粒子，先作用于介质分子（例如 水分子）上，使之成为化学性质活泼的产物（例如自由基、过氧化氢、水合电子等），此产物 再继续作用于分子形成的效应。间接作用可受福射敏感剂（radiosensitizer)或福射保护 剂（radioprotector)增强或减弱，直接作用则不易改变。引起的细胞损伤分3类：（1)致死 性损伤（lethal damage)不可逆的导致细胞死亡；（2)亚致死性损伤（sublethal damage) 正常情况下几小时内修复；（3)潜在致死性损伤（potentially lethal damage)，在一定条 件下损伤可修复。电离辐射队细胞损伤后的修复可分3个水平：（1)组织水平修复，即未受 损的细胞在组织中再植；（2)细胞水平修复，即由于改变照射后细胞的环境条件或分割，细 胞的存活增高；（3)分子水平的修复，即通过细胞内酶系的作用使受损伤的DNA分子恢复完 整。
[0003] 引起放射性黏膜损伤的主要射线是X线、β线及γ线。X、β线穿透能力强，除 黏膜外，黏膜下组织、腺体，甚至骨骼也受损，有时产生溃疡长期不愈。β线损伤浅，治疗容 易，只要处理得当，预后多数较好。此外，产生相同黏膜损伤所需的吸收剂量不同。γ线损 伤黏膜吸收剂量较大，β线则较小。因为γ线的穿透能力强，电离作用小，传给黏膜的能 量也小，部分能量消耗在深层组织。而β线的电离作用强，黏膜吸收的能量也多。有相当 一部分X或γ线黏膜损伤合并有放射性病，使观察和治疗更为困难。慢性放射性黏膜损伤 的临床表现：有较长的潜伏期，病情有明显的潜在性、进行性、反复性和持续性等特点。放射 性口腔黏膜炎初始为口腔粘膜红肿，随后出现毛细血管反应性扩张，局部充血、红斑、糜烂、 溃疡、假膜覆盖，严重者合并粘膜广泛萎缩和局部感染。常感口腔粘膜不适、口干、口臭，甚 至持续难忍的疼痛感。放射线除直接损伤口腔黏膜外，并使放射野内的微血管发生肿胀，管 壁增厚，管腔变窄或闭塞，出现受损部位供血不足，发生口腔黏膜炎。口干症是以腮腺为主 的涎腺长期受照后出现腺泡和导管损伤，导致分泌量减少，随之唾液成分改变，口腔环境发 生变化以及菌群失调。口腔内环境变化使得对细菌防御能力降低，变形链球菌和乳酸菌等 细菌繁殖导致龋齿发生，甚至出现大面积急性放射性龋齿。同时受辐射后的正常牙齿牙颈 部釉质出现脱矿现象，釉质灶性微孔增多、加深及釉质裂隙的出现，使口腔中的细菌和酸性 物质沿釉质缺损进入釉质内部，并且抗酸性下降，加速龋损的发展进程，导致猖獗龋。目前 临床处理的总体原则是预防为主，减轻症状、促进愈合、防治合并感染。对于放射性口腔黏 膜炎临床上多采用局部消炎、杀菌和止痛剂来治疗和缓解，但是单纯的抗菌消炎对粘膜的 修复起不到积极的作用，而辐射引起机体免疫力降低，常因合并其他感染而加重症状，影响 创面愈合。
[0004] 据第四军医大学口腔医学院对普通人群口腔流行病调查结果显示龋齿发病率为 38. 6%，牙龈炎牙周病发病率为59%，口腔黏膜炎发病率为4. 7%，而口腔咽喉炎、口干症 发病率几乎为0。而同期据对某工作单位500余名相关工作人员口腔流行病学、分子流行病 学的临床现况调查结果显示：放射性龋齿发病率为97. 4%，牙龈炎牙周病发病率为82%， 放射性口腔黏膜炎发病率达53. 6 %，放射性口腔咽喉炎为27 %，放射性口干症发病率高达 87%。通过统计数据，可以看出相关工作人员龋病、口腔黏膜炎等口腔疾病高发，部分疾病 发病率甚至比普通人群平均发病率高几十倍。分析致病因素主要有长期处于直接或间接电 离辐射照射条件下，环境封闭、偏僻，基层医疗条件有限，口腔疾病常常合并有白色念珠菌、 单纯疱疹病毒、厌氧菌等真菌、细菌和病毒的继发感染。同时辐射严重损害全身机体功能，， 导致机体免疫、防御修复机能严重下降，使得病程迀延，反复发作。给相关工作人员带来极 大的身心痛苦，严重影响他们日常工作及应急工作。据前期临床现况调查统计评估出勤率 下降约20% -30%。
[0005] 目前针对辐射性口腔疾病的药物一般是对症治疗，疗效欠佳，有一定的毒副作用， 缺乏针对性和便携性，不适合用于应急保障、野外训练条件下的预防治疗。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的是：提供一种针对放射性口腔疾病、无毒副作用，且便携的多功能抗 辐射防龋消炎口腔制剂、不同剂型及其制备方法。
[0007] 本发明的技术方案是：一种抗辐射防龋消炎口腔制剂，包括奥替普拉、重组人角质 细胞生长因子、度米酚、百里酚和替硝唑。
[0008] 具体地，上述抗辐射防龋消炎口腔制剂中，所述组分按质量分数计，奥替普拉为 0. 5%~5%、重组人角质细胞生长因子为0. 3%~2%、度米酚为0. 02%~0. 2%、百里酚为 0· 02%~0· 2%，替硝唑 0· 02%~0· 5%。
[0009] 更具体地，上述抗辐射防龋消炎口腔制剂还包括清新剂、甜味剂、增塑剂、崩解剂、 清凉剂、稳定剂；所述清新剂为食用香精；所述甜味剂选自以下一种或几种物质：糖蜜素、 二肽甜味剂、阿斯巴甜；所述增塑剂选自以下一种或几种多元醇：甘油、山梨醇、乙醇、丙二 醇和甘露醇；所述崩解剂选自以下一种或几种物质：交联羧甲基纤维素钠，羧甲基淀粉钠， 联聚维酮；所述清凉剂选自以下一种或几种物质：薄荷油，薄荷脑，清凉醇；所述稳定剂选 自可溶性淀粉和/或氨基酸。
[0010] 再具体地，本发明提供了剂型为漱口水的抗辐射防龋消炎口腔制剂，它包括以质 量分数计，0. 5 %的奥替普拉，0. 3 %的重组人角质细胞生长因子，0. 02 %的度米酚，0. 02 % 的百里酚，0.02 %的替硝唑，0.1 %的糖蜜素，0.05 %的薄荷脑，0.01 %的薄荷油，2 %的甘 油，4%的乙醇，余量为蒸馏水；同时提供了所述漱口水的制备方法：在无菌生产车间中，将 奥替普拉、重组人角质细胞生长因子、度米酚、百里酚、替硝唑按上述质量分数依次加入洁 净的玻璃容器中，轻轻搅拌，充分混合均匀后，再加入上述质量分数的薄荷脑、薄荷油、甜味 剂、甘油、乙醇、蒸馏水均匀混合物，将所有混合物充分混匀后，检测合格后灌装于灭菌塑料 瓶中密封入库，室温保存。
[0011] 本发明也提供了剂型为浓缩喷雾液的抗辐射防龋消炎口腔制剂，它包括以质量分 数计，1. 2 %的奥替普拉，0. 8 %的重组人角质细胞生长因子，0. 04%的度米酚，0. 03 %的百 里酚，0. 04%的替硝唑，0. 1 %的糖蜜素，0. 05%的薄荷脑，0. 01 %的薄荷油，2 %的甘油，4% 的乙醇，余量为蒸馏水；同时提供了所述浓缩喷雾液的制备方法：在无菌生产车间中，将奥 替普拉、重组人角质细胞生长因子、度米酚、百里酚、替硝唑，按上述质量分数依次加入洁净 的玻璃容器中，轻轻搅拌，充分混合均匀后，再加入上述质量分数的薄荷脑、薄荷油、甜味 剂、甘油、乙醇、蒸馏水均匀混合物，将所有混合物充分混匀后，输进储存罐，储存2小时，过 滤、灌装50ml塑料喷雾瓶、封口、包装。
[0012] 本发明还提供了剂型为速崩洗消片的抗辐射防龋消炎口腔制剂，它包括以质量分 数计，5%的奥替普拉，2%的重组人角质细胞生长因子，0.2%的