专利名称：一种抗辐射织物的制造方法
技术领域：
本发明涉及到一种新的抗辐射织物的制造方法，属于纺织加工领域。具体的说是将纳米抗辐射整理剂KASUMI-F1通过磁控溅射镀膜技术紧密均勻涂覆在普通纤维的织物上，使其具有抗辐射功能。
背景技术：
在科学技术高速发展的同时，人们对生活质量的要求相应提高，对服装面料的追求也越来越高，优良服装面料的手感与外观，已不能满足人们的需求，人们更希望在穿着舒适的同时能够起到环保、防护和保健的作用。然而，目前网络化办公环境的电脑辐射和强烈的太阳光紫外线照射，已经困扰着众多的电脑操作者和露天作业者。因此开发具有绿色保健、防辐射、防紫外线的高质量、高附加值产品已是重中之重，此类产品的开发能极大地拓展功能纺织品的市场空间。纳米抗辐射整理剂KASUMI-F1的化学组成是纳米级的导电吸波金属阴离子，可以以任何比例与冷水溶解，具有十分优良的特点既能把电磁场屏蔽掉，又能吸收电磁波；赋予织物柔软的手感；透气性好、坚牢、耐洗涤；防辐射性能可达60dB，是一种良好的抗辐射整理剂。磁控溅射技术具有以下优点1、沉积速度快，基材温升低，对膜层的损伤小；2、溅射所获得的薄膜与基片结合较好；3、对于大部分材料，只要能制成靶材，就可以实现溅射； 4、溅射所获得的薄膜纯度高，致密性好，成膜均勻性好；5、溅射工艺可重复性好，可以在大面积基片上获得厚度均勻的薄膜；6、能够精确控制镀层的厚度，同时可通过改变参数条件控制组成薄膜的颗粒大小；7、不同的金属、合金、氧化物能够进行混合，同时溅射于基材上； 8、易于实现工业化。
发明内容
本发明的目的是提供一种新的抗辐射织物的制造方法，利用磁控溅射技术将纳米抗辐射整理剂KASUMI-F1覆盖在普通纤维织物上，得到抗辐射织物，纳米抗辐射整理剂 KASUMI-F1构成的薄膜均勻的覆盖沉积在纤维上，且与纤维有较好的结合，增强了抗辐射织物的使用寿命，同时可根据该抗辐射织物的使用领域不同，精确调控纳米抗辐射整理剂 KASUMI-F1薄膜的厚度，易于实现工业化。该发明的特征在于其制造流程，流程为将纳米抗辐射整理剂KASUMI-F1制成靶材，将普通纤维织物制成基片，采用射频磁控溅射设备，将纳米抗辐射整理剂KASUMI-F1溅射到纤维织物制成的基片上沉积成膜，同时通过改变参数条件控制组成薄膜的颗粒大小， 精确的控制镀层的厚度，经后处理之后，就制成了具有抗辐射功能的织物。
具体实施例方式以下采用实施例具体说明本发明
实施例1样品利用射频反应磁控溅射法在JGP560B型超高真空磁控溅射设备上制备。采用纳米抗辐射整理剂KASUMI-F1制成靶材，直径60mm，厚度4mm。采用30支普通棉纱制成的平纹织物为基片，样品制备过程中真空室气氛为纯度优于99. 99%的氩气，基片与溅射靶的间距为50mm。本底真空为2. 5 X 10-41 ，控制建设过程中的工作气压为0. 751^。基片温度控制在室温，射频溅射功率均控制为85W，样品沉积时间lh。操作流程为基底的前处理一将载波片放在基片架上——检查设备，保证溅射室洁净——抽真空泵2. 5 X 10-4Pa——通入工作气体——预溅射IOmin——结束溅射，取出样品——织物后处理——得到抗辐射织物。实施例2样品利用射频反应磁控溅射法在JGP560B型超高真空磁控溅射设备上制备。采用纳米抗辐射整理剂KASUMI-F1制成靶材，直径60mm，厚度3mm。采用80支涤纶斜纹织物为基片，样品制备过程中真空室气氛为纯度优于99. 99%的氩气，基片与溅射靶的间距为50mm。 本底真空为3. 5 X 10-4Pa,控制建设过程中的工作气压为0. 751^。基片温度控制在室温，射频溅射功率均控制为95W，样品沉积时间lh。操作流程为基底的前处理——将载波片放在基片架上——检查设备，保证溅射室洁净——抽真空泵2. 5 X 10-4Pa——通入工作气体——预溅射IOmin——结束溅射，取出样品——织物后处理——得到抗辐射织物。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应该视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种抗辐射织物的制造方法，其特征在于用纳米抗辐射整理剂KASUMI-F1作为靶材，以普通纤维织物为基片，通过磁控溅射技术将纳米抗辐射整理剂KASUMI-F1紧密均勻覆盖在普通纤维织物上，使其具有抗辐射功能。
2.根据权利要求1所述的一种抗辐射织物的制造方法，其特征在于通过改变参数条件控制组成薄膜的颗粒大小，可以精确的控制镀层的厚度。
全文摘要
一种抗辐射织物的制造方法，其特征在于利用射频反应磁控溅射技术将纳米抗辐射整理剂KASUMI-F1覆盖在普通纤维织物上，得到抗辐射纤维织物，纳米抗辐射整理剂KASUMI-F1构成的薄膜均匀的覆盖在纤维上，且与纤维有较好的结合，增强了抗辐射纤维织物的使用寿命，同时可根据该抗辐射纤维织物的使用领域不同，精确调控纳米抗辐射整理剂KASUMI-F1薄膜的厚度，易于实现工业化。
文档编号D06M11/00GK102493172SQ20111041859
公开日2012年6月13日 申请日期2011年12月15日 优先权日2011年12月15日
发明者徐伯俊, 朱预坤, 王超, 苏旭中, 谢春萍 申请人:江南大学