专利名称：滑动部件的制造方法
技术领域：
本发明涉及滑动部件的制造方法，该制造方法中利用等离子蚀刻法部分地除去形成于基材表面的DLC(类金刚石)覆盖膜。
背景技术：
以往，在缝纫机等各种装置中，多装配有可自由滑动的多种滑动部件，如凸轮、轴、曲轴等。为了防止这些滑动部件中的滑动部的粘附，以及减少磨损，一般向滑动部供给润滑剂，或者在滑动部表面形成耐磨损性优良的覆盖膜。
例如，在日本特许公开公报2003-247691号公报(JP-A-2003-247691)中公开了一种作为滑动部件的缝纫机的针棒。即，在缝纫机针棒的滑动部分形成耐磨损性覆盖膜，该覆盖膜是摩擦系数低且高硬度的类金刚石(Diamond Like Carbon)(以下称为DLC)覆盖膜。但是，使用作为润滑剂的润滑油时，由于该DLC覆盖膜具有拒润滑油的性质，因此供给到滑动部的润滑油会很快流出来。为此，上述公报中是通过在DLC覆盖膜形成油槽，使润滑油贮留于油槽中，由此来极力防止润滑油的流出，保持滑动部的润滑性能。在该滑动部件中，填充在油槽中的润滑油容易随着其它滑动部件的滑动流向和滑动方向相同的方向，润滑油通过油槽的侧壁面供给到DLC覆盖膜的外周面，将滑动部的润滑性保持在较高的状态。此外，在上述公报中，通过如下的做法形成油槽。即，在对滑动部分以近似粘合状实施了掩蔽的状态下，形成DLC覆盖膜，然后除去掩膜，在被掩蔽的部分形成油槽。
除此以外，其他的形成油槽的方法有在整个滑动部分形成DLC覆盖膜，对滑动部分中除要形成油槽的部分以外的部分进行掩蔽，通过在该状态下进行蚀刻，除去DLC覆盖膜形成油槽的技术。还有利用聚焦离子束或激光除去DLC覆盖膜形成油槽的方法。在这种方法中，作为形成油槽的方法之一，会考虑采用干蚀刻法的一种、利用等离子体进行蚀刻的等离子蚀刻法。实施上述这种掩蔽，并利用等离子蚀刻法进行蚀刻时，会发生所谓的边缘蚀刻现象，即连被掩蔽的部分也被蚀刻。为了防止这种边缘蚀刻，采取了如下的对策，即通过与被蚀刻介质粘接，实施掩蔽。
但是，由于粘合型的掩膜无法再利用，因此存在成本增高，形成掩膜层要耗费大量时间的问题。
发明内容
本发明就是鉴于上述情况而作出的，其目的是提供利用等离子蚀刻法部分除去DLC覆盖膜的滑动部件的制造方法。
本发明的滑动部件的制造方法是通过等离子蚀刻法部分除去形成于基材表面的DLC(类金刚石(Diamond Like Carbon))覆盖膜的滑动部件的制造方法，其特征是，蚀刻气体的压力大于0Pa、小于等于26Pa。
图1为表示本发明的一个实施例的等离子蚀刻装置的蚀刻室的示意图。
图2为被加工物和掩蔽构件的侧面放大图。
图3为由掩蔽构件覆盖，经过等离子蚀刻处理的被加工物的放大立体图。
图4为图3的4-4线向视方向的剖面图。
图5为气压和边缘蚀刻率的关系图。
图6为气压和蚀刻速度的关系图。
图7为Ar混合比和蚀刻速度差比率的关系图。
图8为被加工物的温度和蚀刻速度的关系图。
图9为被加工物的温度和DLC覆盖膜的硬度的关系图。
图10为掩膜间隙和边缘蚀刻率的关系图。
具体实施例方式
实施例以下，参照
本发明的实施方式。
在缝纫机等各种装置中，多装配有可自由滑动的多种滑动部件。为了防止这些滑动部件中的滑动部的粘附，或者减少磨损，形成摩擦系数低且高硬度的DLC覆盖膜，并且再在滑动部涂布作为润滑材料的润滑脂。但是，由于该DLC覆盖膜具有拒润滑脂的性质，因此供给到滑动部的润滑脂会很快流出来。为此，本发明的实施方式中采取如下的结构，即通过在DLC覆盖膜形成油槽，使润滑脂贮留于油槽中，由此极力防止润滑脂的流出，保持滑动部的润滑性能。为此，通过等离子蚀刻除去形成在滑动部件上的DLC覆盖膜，形成贮留润滑脂用的油槽。
在本实施方式中，使用本发明者自制的平行平板型高频等离子蚀刻装置。图1是该自制的等离子蚀刻装置的蚀刻室1的示意图。如图1所示，在蚀刻室1内，在正极2和负极3之间形成有等离子处理空间6。正极2还起到供给蚀刻气体的喷头的作用。负极3在本实施方式中是A4尺寸的基板，需要实施等离子蚀刻的被加工物10被安装在掩蔽构件30(参考图2)内后放置在该基板上。负极3通过匹配箱4与RF电源5相连。通过从正极2的气体喷头将蚀刻气体导入蚀刻室1内，由RF电源5施加高频电场，在等离子处理空间6内产生等离子体。在本实施方式中，蚀刻气体使用Ar(氩气)、CF4(四氟化碳)、O2(氧气)的混合气体，由RF电源30向正极2和负极3之间提供13.56MHz、600W的高频电能。此外，CF4和O2是用于与DLC覆盖膜反应的反应性气体，Ar是用于使等离子体稳定的物理气体。
图2是被加工物10和掩蔽构件30的侧面的放大图。图2所示的被加工物10是近似圆柱状的轴，掩蔽构件30是长度大于被加工物10的长度，直径大于被加工物10的直径的圆筒。将被加工物10插入掩蔽构件30内，使掩蔽构件包覆整个被加工物10。掩蔽构件30的厚度为0.75mm，其侧面开有多个近似菱形的开口部31，由该开口部31所开放的部分被蚀刻。此外，将被加工物10的外侧面和掩蔽构件30的内面之间的距离称为掩蔽间距50。
图3为由掩蔽构件30包覆的被加工物10经过等离子蚀刻后的状态、即滑动部件的放大立体图。图4为通过蚀刻DLC覆盖膜被除去的状态的被加工物10和掩蔽构件30的图3的4-4线向视方向的剖面图。如图3所示，DLC覆盖膜13被除去形成了作为油槽的润滑脂保持部40，该保持部40呈和掩蔽构件30的开口部31同样的形状即近似菱形。如图4所示，被加工物10由在将铁的表面淬火所得的淬火钢11的表面上设置倾斜层12而形成的基材，和形成在上述基材表面的DLC覆盖膜13构成，前述倾斜层12是按照组织从淬火钢向DLC覆盖膜13连续地变化而形成的。在该被加工物10上，以不与DLC覆盖膜13粘合的状态配设着掩蔽构件30。通过对该被加工物10实施等离子蚀刻，从掩蔽构件30的开口部31露出于蚀刻室1的等离子处理空间6的这部分DLC覆盖膜13被除去，形成润滑脂保持部40，由此制成滑动部件。此外，虽然在图3及图4中，将开口部31形成近似菱形，但也可以是其它形状。
但是，在进行等离子蚀刻时的环境下，润滑脂保持部40的底面41、即除去DLC覆盖膜后露出的倾斜层12的外表面的面积比开口部31的面积大(所谓的边缘蚀刻)。此外，进行等离子蚀刻时的环境不同，蚀刻速度(每单位分钟除去的DLC覆盖膜的深度)也不同。该蚀刻速度低时，将DLC覆盖膜除去到所希望的深度所需时间增加。
参照表1～表4，和图5～图10所示的试验结果，对影响进行等离子蚀刻时的环境的蚀刻气体的气压、Ar在蚀刻气体中的混合比、被加工物10的温度、掩蔽间距50的距离进行说明。
首先，参照图5及图6，说明有关蚀刻气体的气压的试验结果。表1所示为气压和边缘蚀刻率和蚀刻速度。图5是气压和边缘蚀刻率的关系图。图6是气压和蚀刻速度的关系图。
表1
该试验中，以各种气压导入Ar混合比为70％的蚀刻气体进行等离子蚀刻。在被加工物10形成膜厚2000nm的DLC覆盖膜，然后用掩蔽构件以掩蔽间距0.025mm将被加工物10包覆，进行10分钟的等离子蚀刻。
边缘蚀刻率是润滑脂保持部40的底面41的面积除以掩蔽构件30的开口部31的面积的商。该边缘蚀刻率为“1”表示除去与开口部31相同面积的DLC覆盖膜。边缘蚀刻率大于“1”时表示过多除去DLC覆盖膜，超出了所需的程度(边缘蚀刻状态)，边缘蚀刻率小于“1”时表示DLC覆盖膜的除去不足。因此，边缘蚀刻率最好为“1”。
蚀刻速度表示每分钟被蚀刻除去的DLC覆盖膜的深度。本实施例的蚀刻速度是，在10分钟的等离子蚀刻后，用段差计测量蚀刻深度，该值除以蚀刻时间10分钟所得的商。
如表1及图5所示，在气压117Pa时边缘蚀刻率为9.4，在气压103Pa时边缘蚀刻率为8.6，在气压77Pa时边缘蚀刻率为6.3，在气压42Pa时边缘蚀刻率为4.0，在气压37Pa时边缘蚀刻率为3.1。在这些气压下，边缘蚀刻率在“1”以上，因此大于开口部31的面积的DLC覆盖膜被除去。气压26Pa、气压13Pa、气压5Pa时边缘蚀刻率为1.0，除去和开口部31相同面积的DLC覆盖膜。因此，气压如果是在26Pa以下，则边缘蚀刻率为“1”，能够得到所希望的蚀刻结果。此外，由于即使是5Pa以下的气压，只要是有气压存在，也能够得到同样的试验结果、即边缘蚀刻率为“1”，因此气压只要是大于0的值既可(＞0)。
如表1及图6所示，气压117Pa时蚀刻速度为15nm/m，气压103Pa时蚀刻速度为35nm/m，气压77Pa时蚀刻速度为55nm/m，气压42Pa时蚀刻速度为65nm/m，气压37Pa时蚀刻速度为70nm/m，气压26Pa时蚀刻速度为72nm/m，气压13Pa时蚀刻速度为73nm/m，气压5Pa时蚀刻速度为73nm/m。这里，在边缘蚀刻率为“1”的气压下，测定了对膜厚2000nm的DLC覆盖膜进行等离子蚀刻时所需的处理时间，其结果是，气压26Pa时约为28分钟，气压13Pa及气压5Pa时约为27分钟，都是可以付诸实用的处理时间。因此，只要是气压在26Pa以下，就能够以实用的处理时间完成具有理想的边缘蚀刻率的蚀刻。此外，即使是5Pa以下的气压，只要是有气压存在，就能够以实用的处理时间完成具有理想的边缘蚀刻率的蚀刻，因此气压只要是大于0的值既可。
接着，参照表2及图7，说明有关Ar在蚀刻气体中的混合比的试验结果。表2所示为各种Ar混合比时的蚀刻速度差比率。图7为Ar混合比和蚀刻速度差比率的关系图。
表2
该试验中，在气压13Pa下将蚀刻气体送入蚀刻室1，同时将被加工物放置在负极3的A4大小的基板的3个位置上，进行10分钟蚀刻。被加工物是从基板起算的高度为40mm、直径为10mm的近似圆柱的形成有DLC覆盖膜的旋转轴，而且用在侧面的接近中央处具有直径2mm的开口部的掩蔽构件包覆，掩蔽间距被设定为0.025mm。仅蚀刻对应于该开口部的DLC覆盖膜，蚀刻结束后，测量3个被加工物的蚀刻部分的深度，算出了蚀刻速度差比率。蚀刻速度差比率是由3个被加工物中的最大的蚀刻深度和最小的蚀刻深度之差除以3个被加工物的蚀刻深度的平均值的商乘以100所得的值。此外，这时的DLC覆盖膜的膜厚为2000nm。被加工物以近似等间隔被放置在A4大小的基板的1条成对角线的直线上。即，放置在近基板中心、一个角、与该角隔着中心点相对的另一个角的三个位置上。
3个位置的被加工物的蚀刻深度的差异越大，蚀刻速度差比率越大。蚀刻深度有差异是指基板上的被加工物的放置位置不同，产生蚀刻速度不同，完全除去DLC覆盖膜所需时间不同。因此，即使某个被加工物(第1加工物)的掩蔽构件的开口部的蚀刻结束了，但在放置于其他位置的被加工物(第2加工物)的掩蔽构件的开口部的蚀刻仍没有结束的情况下，被加工物(第1加工物)的蚀刻还会继续，直到被加工物(第2加工物)的蚀刻结束。这样，已经完成蚀刻的第1被加工物就会进行边缘蚀刻。
例如，假设所有的被加工物的蚀刻60分钟全部结束。在蚀刻速度差比率为10％时，最先完成蚀刻的被加工物用了约54分钟完成蚀刻，剩下的约6分钟则进行了多余的蚀刻。此外，如果蚀刻速度差比率为36％，则最先完成蚀刻的被加工物约41分钟就完成了蚀刻，剩下的约19分钟则都是多余的蚀刻。因此，最好是由被加工物的放置位置引起的蚀刻速度的差异小，蚀刻速度差比率的值小。还有，一般来说，蚀刻结束后的超过时间如果超过完成蚀刻所需时间的约20％，则将进行边缘蚀刻。因此，将蚀刻速度差比率的值的判定标准值定为10％。
如表2及图7所示，Ar混合比20％时蚀刻速度差比率为58％，Ar混合比50％时蚀刻速度差比率为36％，它们都大于10％因此不理想。但是，Ar混合比70％时蚀刻速度差比率为10％，Ar混合比90％时蚀刻速度差比率为7％，Ar混合比100％时蚀刻速度差比率为4％，这些都在10％以下，因此是理想的Ar混合比。因此，以Ar为主体并含有CF4或O2中的至少一种的混合气体，即蚀刻气体中Ar混合比最好是在70％以上。此外，上述实施例中，虽然蚀刻气体采用100％Ar，蚀刻速度差比率也非常良好，但是如果考虑到和DLC覆盖膜的反应速度，则在实际应用中必须和CF4或O2中的至少一种混合，即使是极少的量，因此Ar混合比最好是未满100％(＜100％)。
接着，参照表3及图8，表4及图9，说明有关被加工物侧面(DLC覆盖膜)的温度(以下，简称为被加工物的温度)的试验结果。表3所示为被加工物的温度和蚀刻速度及所需处理时间的关系。图8为被加工物的温度和蚀刻速度的关系图。表4所示为被加工物的温度和DLC覆盖膜的硬度的关系图，图9为被加工物的温度和DLC覆盖膜的硬度的关系图。
表3
表4
在该试验中，采用形成有2000nm的DLC覆盖膜的被加工物，该DLC覆盖膜是在成膜室内的温度为250℃的状态下形成的。在被加工物的温度为40℃～250℃的范围内的各种温度下，进行10分钟的等离子蚀刻。此外，蚀刻气体的Ar混合比为70％，气压为13Pa，掩蔽间距为0.025mm。被加工物的温度通过在被加工物的侧面粘贴测温标签来测定。
如表3及图8所示，被加工物的温度为250℃时的蚀刻速度为130nm/m，将2000nm的DLC覆盖膜完全蚀刻所需的处理时间为15分钟；200℃时的蚀刻速度为90nm/m，所需处理时间为22分钟；170℃时的蚀刻速度为73nm/m，所需处理时间为27分钟；130℃时的蚀刻速度为45nm/m，所需处理时间为44分钟；100℃时的蚀刻速度为25nm/m，所需处理时间为80分钟；70℃时的蚀刻速度为10nm/m，所需处理时间为200分钟；50℃时的蚀刻速度为6nm/m，所需处理时间为333分钟。但是，被加工物的温度为40℃时的蚀刻速度为3nm/m，将2000nm的DLC覆盖膜完全蚀刻所需的处理时间为667分钟。即，处理时间需要11小时以上，用1个工作日(例如，我国通常的工作时间为8小时)还无法完成1次蚀刻，不能说是可付诸实用的处理时间，而且从工作效率上来衡量也不能说是有效的。但是，被加工物的温度为250℃～50℃时，将2000nm的DLC覆盖膜完全蚀刻所需的处理时间为15分钟～约5.5小时(130～6nm/m)，由于在1个工作日内就可完成蚀刻，因此这些蚀刻时间可以说是非常高效的。此外，如果在被加工物的温度为170℃以上的高温下进行蚀刻，则虽然需要有用于达到高温的能量，但用15分钟～27钟这样30分钟以内的很短的处理时间就能够完成蚀刻。因此，根据该试验结果，被加工物侧面的温度最好是在50℃以上。
此外，在本试验中只测量到250℃。这是因为，被蚀刻的DLC覆盖膜的温度高于形成DLC覆盖膜时的成膜室内的温度时，会发生DLC覆盖膜的石墨化，DLC覆盖膜自身变得脆弱化。由此，被加工物的DLC覆盖膜就不能承受使用环境的影响。为此，在将DLC覆盖膜高温化时，进行了验证DLC覆盖膜能否保持其硬度的试验。该试验的结果示于表4及图9。在该试验中，采用形成有2000nm的DLC覆盖膜的被加工物，该DLC覆盖膜是在成膜室内的温度为250℃的状态下形成的。将DLC覆盖膜加热至各个温度，在该温度下保持1小时后测定了威氏硬度。此外，威氏硬度的测定使用微型威氏硬度试验机、即显微硬度计(株式会社明石制作所的MVK-E)。
如表4及图9所示，被加工物的温度为100℃、130℃、170℃、200℃、250℃时威氏硬度为2500Hv，保持了加热前的硬度。但是，被加工物的温度为290℃时威氏硬度为2000Hv，320℃时威氏硬度为1200Hv，没能保持加热前的硬度。也就是说，进行蚀刻时如果使温度高于250℃，则虽然蚀刻速度变高，但DLC覆盖膜自身变得脆弱。因此，最好使温度不高于成膜时的成膜室内温度即250℃。因此，根据该试验结果，被加工物侧面的温度最好是在成膜时的成膜室内温度250℃以下。这样，根据这2个试验结果，实施等离子蚀刻时的被加工物的温度(侧面的温度)最好是在成膜时的成膜室内温度以下，而对本实施方式的DLC覆盖膜而言，最好是在成膜时的成膜室内温度250℃以下，50℃以上。
接着，参照表5及图10，说明有关掩蔽间距50的试验结果。表5所示为掩蔽间距和边缘蚀刻率的关系。图10为掩蔽间距和边缘蚀刻率的关系图。
表5
在该试验中，采用掩蔽间距为0.005mm～2.000mm的掩蔽构件。该试验中，在蚀刻室内以气压13Pa导入了Ar混合比为70％的蚀刻气体的状态下，对形成有膜厚2000nm的DLC覆盖膜的被加工物实施27分钟的等离子蚀刻。算出了各掩蔽间距时的边缘蚀刻率。这里，边缘蚀刻率也最好是“1”。
如表5及10所示，掩蔽间距为0.005mm时由于掩蔽构件不能从被加工物上脱卸下来，因此不能进行试验。掩蔽间距为0.010mm、0.025mm、0.050mm、0.100mm、0.500mm、1.000mm时，边缘蚀刻率为1.0，除去和掩蔽构件的开口部相同面积的DLC覆盖膜。但是，掩蔽间距为1.200mm时边缘蚀刻率为1.7；掩蔽间距为1.500mm时为3.2；掩蔽间距为2.000mm时为7.8，边缘蚀刻率都在“1”以上，因此除去了面积大于开口部的DLC覆盖膜。所以，掩蔽间距最好在1.000mm以下。掩蔽间距的下限值则当然最好是大于掩蔽构件能够从被加工物脱离的距离(例如，这种情况下为0.005mm)。
根据以上的试验结果可知，蚀刻气体的压力最好是26Pa以下。以Ar为主体、并含有CF4或O2中的至少一种的混合气体即蚀刻气体的Ar混合比最好是70％以上。被加工物的侧面(DLC覆盖膜)的温度最好是小于等于成膜时的成膜室内温度，本实施方式的DLC覆盖膜最好在50℃以上、250℃以下，掩蔽间距最好是1.000mm以下。
综上所述，在利用等离子蚀刻法部分地除去形成于基材表面的DLC覆盖膜的滑动部件的制造方法中，通过使蚀刻气体的压力为26Pa以下，能够准确地只蚀刻需要蚀刻的部分，而不会发生边缘蚀刻、即蚀刻到被掩蔽的部分。
此外，通过使以Ar为主体并且含有CF4及O2中的至少一种(最好是含有两种气体)的混合气体，即蚀刻气体的Ar混合比为70％以上，能够使蚀刻气体产生稳定的等离子体。
通过使被加工物的侧面(DLC覆盖膜)的温度小于等于形成DLC覆盖膜时的成膜室内温度，能够保持DLC覆盖膜的硬度，并且能够以具有实用价值的蚀刻时间进行蚀刻。
由于在DLC覆盖膜保持在50℃以上、250℃以下的条件下进行蚀刻，因此能够保持例如以250℃成膜的DLC覆盖膜的硬度，并且能够以具有实用价值的蚀刻时间进行蚀刻。
通过使蚀刻间距在1.000mm以下，也就是说，使覆盖没有除去DLC覆盖膜的部分的掩膜和DLC覆盖膜的间隔为1.000mm以下，能够准确地只蚀刻需要蚀刻的部分，而不会发生边缘蚀刻、即蚀刻到被掩蔽的部分。
还有，本发明的滑动部件的制造方法并不限于上述实施方式，在不偏离本发明原理的范围，当然可作各种变更。
构成滑动部件的被加工物的形状并不限于圆筒形，可以是更复杂的形状。
DLC覆盖膜的膜厚不限于2000nm，大于或小于它都可以。
权利要求
1.滑动部件的制造方法，它是利用等离子蚀刻法部分除去形成于基材表面的DLC(类金刚石(Diamond Like Carbon))覆盖膜的滑动部件的制造方法，其特征在于，蚀刻气体的压力大于0Pa、小于等于26Pa。
2.根据权利要求1所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，蚀刻气体是以Ar为主体、并含有CF4或O2中的至少一种的混合气体，Ar的混合比在70％以上且未满100％。
3.根据权利要求1所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，除去DLC覆盖膜时的DLC覆盖膜的温度小于等于形成DLC覆盖膜的成膜室内的该DLC覆盖膜形成时的温度。
4.根据权利要求2所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，除去DLC覆盖膜时的DLC覆盖膜的温度小于等于形成DLC覆盖膜的成膜室内的该DLC覆盖膜形成时的温度。
5.根据权利要求1所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，除去DLC覆盖膜时的DLC覆盖膜的温度在50℃以上、250℃以下。
6.根据权利要求2所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，除去DLC覆盖膜时的DLC覆盖膜的温度在50℃以上、250℃以下。
7.根据权利要求3所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，除去DLC覆盖膜时的DLC覆盖膜的温度在50℃以上、250℃以下。
8.根据权利要求4所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，除去DLC覆盖膜时的DLC覆盖膜的温度在50℃以上、250℃以下。
9.根据权利要求1所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，覆盖没有除去DLC覆盖膜的部分的掩膜和DLC覆盖膜的间隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
10.根据权利要求2所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，覆盖没有除去DLC覆盖膜的部分的掩膜和DLC覆盖膜的间隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
11.根据权利要求3所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，覆盖没有除去DLC覆盖膜的部分的掩膜和DLC覆盖膜的间隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
12.根据权利要求4所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，覆盖没有除去DLC覆盖膜的部分的掩膜和DLC覆盖膜的间隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
13.根据权利要求5所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，覆盖没有除去DLC覆盖膜的部分的掩膜和DLC覆盖膜的间隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
14.根据权利要求6所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，覆盖没有除去DLC覆盖膜的部分的掩膜和DLC覆盖膜的间隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
15.根据权利要求7所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，覆盖没有除去DLC覆盖膜的部分的掩膜和DLC覆盖膜的间隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
16.根据权利要求8所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，覆盖没有除去DLC覆盖膜的部分的掩膜和DLC覆盖膜的间隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的滑动部件的制造方法，其特征在于，基材含有钢材和组成从该钢材向DLC覆盖膜连续变化的倾斜层并由此构成。
全文摘要
利用等离子蚀刻法部分地除去形成于基材表面的DLC(类金刚石(Diamond Like Carbon))覆盖膜的滑动部件的制造方法，其中，蚀刻气体的压力大于0Pa、小于等于26Pa。
文档编号C04B41/72GK1724475SQ20051008209
公开日2006年1月25日 申请日期2005年6月28日 优先权日2004年6月28日
发明者金田英樹, 北村哲弥, 宇野仁 申请人:兄弟工业株式会社