专利名称：无铅低温二极管玻壳的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种封装半导体二极管玻壳的材料组份配置。
背景技术：
用于二极管等电子元器件封装的玻壳，目前，国际上普遍使用含有58-61％氧化铅为主要化学组份的低温玻璃制成；由于封装二极管等电子元器件工艺和技术的特殊需要，其外壳的玻壳必须用封结温度在625-650℃，膨胀系数在87-91×10-7/℃的低温玻璃来制造，为了满足上述二个条件，在传统的玻璃生产工艺和化学组份中，都采用氧化铅。但是，氧化铅会带来环境污染，特别是对人体健康有害，现在甚至提出禁止使用氧化铅。
发明内容
为了解决封装二极管玻壳材料中，不带有氧化铅，而且又能满足封结温度和膨胀系数的要求，本发明提供一种无铅低温二极管玻壳的化学组份配方，该化学组份的配方是化学名称 所占组份％二氧化硅Sio246±1
三氧化二硼B2O319.5±1氧华锌Zno 8.8±0.3氧化钠Na2o 8.5±0.3氧化钾K2O5±0.3氧化钛Tio23.7±0.5氧化锂Li2O 3.8±0.3氧化钡BaO 1.85±0.2氧化铝Al2o31.6±0.5氧化钙Cao 0.95±0.1三氧化二锑Sb2o3≤0.3用上述化学组份作为封装二极管玻壳，可以达到封结温度在630-660℃，膨胀系数在87-91×10-7/℃范围，完全满足二极管封装工艺要求，并能满足工业化生产要求，因而降低了生产成本。
具体实施例方式
按前述化学组份配置，并按规定的封结温度要求，按常规的玻璃生产工艺，便可制成无铅低温二极管玻壳。
权利要求
1.一种无铅低温二极管玻壳，其特征在于该玻壳由以下化学组份配置制成化学名称所占组份％二氧化硅Sio246±1三氧化二硼B2O319.5±1氧华锌Zno 8.8±0.3氧化钠Na2o 8.5±0.3氧化钾K2O 5±0.3氧化钛Tio23.7±0.5氧化锂Li2O 3.8±0.3氧化钡BaO 1.85±0.2氧化铝Al2o31.6±0.5氧化钙Cao 0.95±0.1三氧化二锑Sb2o3≤0.3。
全文摘要
为了解决封装二极管玻壳材料中，不带有氧化铅，而且又能满足封结温度和膨胀系数的要求，本发明提供一种无铅低温二极管玻壳的化学组份配方，该化学组份的配方是二氧化硅SiO
文档编号C03C3/076GK1850681SQ200610026418
公开日2006年10月25日 申请日期2006年5月10日 优先权日2006年5月10日
发明者华嘉荣, 张介林 申请人:华嘉荣, 张介林