专利名称：一种氮化硅基封孔涂层的制备方法
技术领域：
本发明涉及陶瓷封孔涂层材料领域，特别是涉及一种在氮化硅基多孔陶瓷表面制
备致密的氮化硅基封孔涂层的方法。
背景技术：
近年来，氮化硅基多孔陶瓷因同时具有氮化硅陶瓷和多孔陶瓷的优异性能而受到 全球材料界的高度关注。氮化硅陶瓷具有耐高温、耐腐蚀、抗热震、硬度高、韧性好、热膨胀 系数低等特点；而氮化硅基多孔陶瓷除具有氮化硅陶瓷的优异性能外，还具有体积密度小、 比表面积大、热导率低、介电常数和介电损耗低等特点，因此其在气体和液体净化分离、化 工催化载体、传感器和航空航天电磁窗口等方面具有重要的应用前景。但是，氮化硅基多孔 陶瓷的抗粒子侵蚀能力差，表面易吸潮，且表面粗糙，存在大量微裂纹，严重影响其力学强 度和电学、热学等物理性能。为此，在氮化硅基多孔陶瓷表面制备致密的封孔涂层是解决上 述问题的有效途径，不仅可以改善氮化硅基多孔陶瓷的防潮抗渗性能，进一步提高其力学 强度、耐磨性和抗粒子冲蚀等性能，而且还可以提高其电学和热学等物理性能的稳定性。
封孔涂层材料按成分可分为有机封孔涂层和无机封孔涂层两大类。对于陶瓷基复 合材料，有机封孔涂层不耐高温，且耐磨性差；而采用氮化硅作为氮化硅基多孔陶瓷的封孔 涂层材料，由于二者的化学和物理性能相似，可以满足氮化硅基多孔陶瓷的各项使用要求 和物理性能。封孔涂层的制备方法主要有喷涂法、溶胶一凝胶法、气相沉积法、复合镀层法、 激光法等。由于氮化硅在190(TC即分解为硅和氮气，而采用热喷涂法其喷涂温度在2000°C 以上，无法得到涂层；溶胶_凝胶法必须得到分散性好、稳定性好的溶胶，不适宜于氮化硅 材料；化学气相沉积法制备的涂层厚度都在纳米数量级，无法满足封孔涂层的要求。因此， 需要探索一种新的涂层制备工艺，在氮化硅多孔陶瓷基体上制备氮化硅基致密封孔涂层。
通过对国内外专利与文献的查新结果表明还没有关于采用氮化硅和常温喷涂法 在氮化硅基多孔陶瓷表面制备封孔涂层的报道。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种比较简易的方法，利用常温喷涂工艺，在
氮化硅基多孔陶瓷表面得到致密的、厚度可控的氮化硅基封孔涂层。
本发明解决其技术问题采用以下的技术方案 本发明采用氧化镁、氧化铝、氧化硅作为烧结助剂，聚乙烯醇作为粘结剂，三聚磷
酸钠作为分散剂，水作为溶剂，然后按下述步骤制备氮化硅基封孔涂层 (1)将氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉体按重量配比为(50 60) : (6
12) : (4 8) : (20 30)均匀混合，再加入与混合物的质量百分比为0.3%的聚乙烯醇、
0. 3%的三聚磷酸钠、0. 8 1%的水进行球磨混合，得到氮化硅基料浆， (2)将氮化硅基料浆利用常温喷涂的方法在试样进行涂覆，得到涂覆的生坯，所述
试样是指氮化硅基多孔陶瓷表面，
(3)将生坯在常温条件下干燥12 24小时， (4)将干燥后的生坯在200 40(TC进行排胶并保温5 24小时，将热处理后的 产物在1400 170(TC氮气保护气氛下常压烧结，控制升温速率为50 200°C /小时和保 温时间为1 5小时，即得到氮化硅基封孔涂层。
本发明与现有技术相比具有以下主要的优点 本发明通过调制氮化硅基料浆，在氮化硅基多孔陶瓷基体表面利用常温喷涂的方 法制备生坯并于高温烧制制备氮化硅基封孔涂层。为使氮化硅基封孔涂层与氮化硅基多孔 陶瓷满足热物理性能的匹配，采用氧化镁、氧化铝、氧化硅作为烧结助剂，一是为实现封孔 涂层的致密化烧结，二是为调配封孔涂层的热膨胀系数并使之与氮化硅基多孔陶瓷基体的 热膨胀系数接近。制备得到的得到的氮化硅基封孔涂层的主相为a-氮化硅或P-氮化硅， 厚度为10 100iim，结构致密，维氏硬度值1 5GPa，结合强度大于lOMPa，氮化硅基多孔 陶瓷基本保持了初始的形貌特征，且与封孔涂层结合良好，界面清晰、平整，无微观裂纹。
本发明具有工艺简单、原料和工艺成本低、可重复性好等特点，所制备的氮化硅基 封孔涂层具有厚度均匀可控，结构致密，与氮化硅基多孔陶瓷基体结合良好，无微观裂纹等 优异性能。
图1是实施例1产物的X射线衍射图。 图2是实施例1产物断口的扫描电镜图以及X射线能谱分析结果。
具体实施例方式
本发明提供的氮化硅基封孔涂层的制备方法，其包括料浆制备、常温喷涂、干燥、 排胶和烧结工序，具体如下 料浆制备将平均粒径为0. 3 0. 5 ii m的氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉体按 重量配比为(50 60) : (6 12) : (4 8) : (20 30)均匀混合，再加入与混合物的 质量百分比为0. 3%的聚乙烯醇、0. 3%的三聚磷酸钠、0. 8 1%的水进行球磨混合，得到 氮化硅基料浆；在球磨时使用尼龙制球磨罐，以氮化硅球为研磨介质，球磨时间为0. 5 10 小时。 常温喷涂将氮化硅基料浆利用常温喷涂的方法在氮化硅基多孔陶瓷表面(试 样)进行涂覆，得到涂覆的生坯。试样与喷枪之间的距离为10 30厘米，喷涂时间为3 30分钟。 干燥将已涂覆的生坯在常温条件下干燥12 24小时； 排胶和烧结将干燥后的生坯在200 40(TC进行排胶并保温5 24小时，将热 处理后的产物在1400°C 170(TC氮气保护气氛下常压烧结，控制升温速率为50 200°C / 小时并保温时间1 5小时，即得到氮化硅基致密封孔涂层。 所得到的氮化硅基封孔涂层的主相为a-氮化硅或P-氮化硅，结构致密，厚度为 10 100iim，维氏硬度值为1 5GPa，结合强度大于等于lOMPa。
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
实施例1 :
将平均粒径小于0.5ym的氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉按重量配比为
50 : 12 : 8 : 30均匀混合，得到混合物，再加入与混合物的质量百分比为o. 3%的聚乙
烯醇、0. 3%的三聚磷酸钠和0. 8%的水球磨混合2小时，得到混合均匀的料浆，该料浆利用 常温喷涂的方法在氮化硅基多孔陶瓷基体表面进行涂覆，保持试样与喷枪之间的距离为20 厘米，喷涂时间为10分钟，得到生坯，该生坯在常温干燥24小时后于40(TC进行排胶并保温 10小时，然后将热处理后的产物在氮气气氛保护下145(TC进行常压烧结，控制升温速率为 IO(TC /min，保温2小时，随炉冷却，即得到氮化硅基封孔涂层。 分析测试表明(见图1):产物中氮化硅的衍射峰与原料中氮化硅的XRD特征峰一 致，为a-氮化硅相，另外，还检测出方石英、原顽火辉石和堇青石等物相产生，这是加入的 烧结助剂所形成的液相经冷却而成，而液相的出现，促进了氮化硅涂层的致密化和在氮化 硅基多孔陶瓷基体表面的均化铺平。 分析测试表明(见图2):制备得到的封孔涂层的厚度约为50 ii m，结构致密，且封 孔涂层与氮化硅基多孔陶瓷基体结合良好，界面清晰、平整，无微观裂纹。镁、铝、硅元素的 线扫描分布类似，在封孔涂层与基体的结合处呈梯度变化，显示了料浆由孔道渗入氮化硅 基多孔陶瓷内部而产生的封孔效果。
实施例2 : 将平均粒径小于0.5ym的氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉按重量配比为
60 : 12 : 8 : 20均匀混合，得到混合物，再加入与混合物的质量百分比为o.3%的聚乙烯
醇、0. 3%的三聚磷酸钠和1%的水球磨混合1小时，得到混合均匀的料浆，该料浆利用常温 喷涂的方法在氮化硅基多孔陶瓷基体表面进行涂覆，保持试样与喷枪之间的距离为20厘 米，喷涂时间为10分钟，得到生坯，该生坯在常温干燥24小时后于50(TC进行排胶并保温 10小时，然后将热处理后的产物在氮气气氛保护下170(TC进行常压烧结，控制升温速率为 IO(TC /min，保温5小时，随炉冷却。即得到主相为P-氮化硅，厚度约为35 y m，结构致密 的氮化硅基封孔涂层。
实施例3 : 将平均粒径小于0.5ym的氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉按重量配比为
60 : 6 : 4 : 30均匀混合，得到混合物，再加入与混合物的质量百分比为o.3%的聚乙烯
醇、0. 3%的三聚磷酸钠和1%的水球磨混合1小时，得到混合均匀的料浆，该料浆利用常温 喷涂的方法在氮化硅基多孔陶瓷基体表面进行涂覆，保持试样与喷枪之间的距离为15厘 米，喷涂时间为30分钟，得到生坯，该生坯在常温干燥24小时后于50(TC进行排胶并保温 10小时，然后将热处理后的产物在氮气气氛保护下160(TC进行常压烧结，控制升温速率为 IO(TC /min，保温5小时，随炉冷却。即得到主相为P-氮化硅，厚度约为100 y m，结构致密 的氮化硅基封孔涂层。
实施例4 : 将平均粒径为0.3pym的氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉按重量配比为
60 : 6 : 4 : 30均匀混合，得到混合物，再加入与混合物的质量百分比为o.3%的聚乙烯
醇、0. 3%的三聚磷酸钠和1%的水球磨混合0. 5小时，得到混合均匀的料浆，该料浆利用常 温喷涂的方法在氮化硅基多孔陶瓷基体表面进行涂覆，保持试样与喷枪之间的距离为15 厘米，喷涂时间为3分钟，得到生坯，该生坯在常温干燥24小时后于50(TC进行排胶并保温10小时，然后将热处理后的产物在氮气气氛保护下160(TC进行常压烧结，控制升温速率为IO(TC /min，保温5小时，随炉冷却。即得到主相为P _氮化硅，厚度约为10 y m，结构致密的氮化硅基封孔涂层。 上述实施例不是对本发明的限制，其可以作为对本发明更进一步的理解。
权利要求
一种氮化硅基封孔涂层的制备方法，其特征是一种在氮化硅基多孔陶瓷表面进行致密的氮化硅基封孔涂层的制备方法，其按下述步骤进行(1)将氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉体按重量配比为(50～60)∶(6～12)∶(4～8)∶(20～30)均匀混合，再加入与混合物的质量百分比为0.3％的聚乙烯醇、0.3％的三聚磷酸钠、0.8～1％的水进行球磨混合，得到氮化硅基料浆，(2)将氮化硅基料浆利用常温喷涂的方法在试样进行涂覆，得到涂覆的生坯，所述试样是指氮化硅基多孔陶瓷表面，(3)将生坯在常温条件下干燥12～24小时，(4)将干燥后的生坯在200～400℃进行排胶并保温5～24小时，将热处理后的产物在1400～1700℃氮气保护气氛下常压烧结，控制升温速率为50～200℃/小时和保温时间为1～5小时，即得到氮化硅基封孔涂层。
2. 根据权利要求1所述的氮化硅基封孔涂层的制备方法，其特征在于在球磨时使用 尼龙制球磨罐，以氮化硅球为研磨介质，球磨时间为0. 5 10小时。
3. 根据权利要求1所述的氮化硅基封孔涂层的制备方法，其特征在于氮化硅基多孔 陶瓷基体的孔隙率等于和不高于70%。
4. 根据权利要求1所述的氮化硅基封孔涂层的制备方法，其特征在于常温喷涂过程 中，试样与喷枪之间的距离为10 30厘米，喷涂时间为3 30分钟。
5. 根据权利要求1所述的氮化硅基封孔涂层的制备方法，其特征在于所得到的氮化 硅基封孔涂层的主相为a-氮化硅或P-氮化硅，厚度为10 100iim，维氏硬度值为1 5GPa，结合强度大于等于lOMPa。
6. 根据权利要求1所述的氮化硅基封孔涂层的制备方法，其特征在于氮化硅、氧化 镁、氧化铝、氧化硅粉体的平均粒径0. 3 0. 5 ii m。
全文摘要
本发明提供了一种氮化硅基封孔涂层的制备方法，该方法是先将氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉体，与聚乙烯醇、三聚磷酸钠和水按照配比进行充分球磨混合，制得氮化硅基料浆，该料浆利用常温喷涂的方法在氮化硅基多孔陶瓷基体表面进行涂覆，得到生坯；生坯在常温干燥12～24小时后，于200～400℃进行排胶并保温5～24小时；排胶后的生坯在1400～1700℃氮气保护气氛下常压烧结并保温1～5小时，即得到致密的氮化硅基封孔涂层。本发明工艺简单、原料和工艺成本低、可重复性好，所制备的氮化硅基封孔涂层厚度均匀可控，结构致密，无微观裂纹，与氮化硅基多孔陶瓷基体结合良好。
文档编号C04B41/87GK101700985SQ20091027270
公开日2010年5月5日 申请日期2009年11月10日 优先权日2009年11月10日
发明者张联盟, 杨莹, 沈强, 王传彬, 陈斐 申请人:武汉理工大学