专利名称：一种多晶铸锭的线切割方法
技术领域：
本发明涉及多晶铸锭线切割技术领域。
背景技术：
在现多晶晶锭长晶工艺过程中，晶体是以陶瓷坩埚为载体进行结晶、生长。为防止 硅晶体粘附坩埚造成裂锭等不良影响，铸锭工艺中坩埚需要喷涂SiNx细粉。这样在晶体的 生长过程中，坩埚以及表面涂层中SiNx的杂质优先向靠近坩埚的多晶硅锭扩散，造成此表 面金属杂质和SiC、SiN及SiCNx等硬度系数明显高内部的多晶硅。目前在多晶铸锭切片工 艺中，采用的工艺方法一般是将开方、截断、磨面、粘棒，线切割。在粘棒时，因为对入刀面 不进行选择，如果将位于铸锭四周的硅块的靠近坩埚的一面作为入刀面，由于该面硬度系 数高，容易造成跳线、蹦边甚至断线等不良影响，降低硅片的合格率，增加了硅片的切割成 本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种多晶铸锭的线切割方法，解决开方后多 晶铸锭边缘靠近坩埚的硅块切片合格率偏低的问题，达到提高多晶铸锭的硅片出片率，降 低硅片的切割成本的目的。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种多晶铸锭的线切割方法，该生 产方法如下(一 )、标记将多晶铸锭进行开方得到硅块，对铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块进 行标识，以区分硅块的A、B面，B面靠近坩埚，A面是B面的对应面；( 二)、将开方后得硅块经IR测试、LT测试、截断、磨面；(三)、粘棒将区分A、B面的硅块的B面粘结在晶托上，其他硅块正常粘棒，待粘 胶固化后上棒切片；(四)、切片将固化好的硅块上机切片，区分A、B面的硅块的A面为入刀面。本发明的有益效果是通过对开方后铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块标识A面、B 面，将B面粘在玻璃板上，通过玻璃板固定在晶托上，这样在硅块上机进行线切割的时候， 杂质含量较低的A面为入刀面，杂质和硬点高的B面为出刀面。这样切割的好处是，刚开始 切割时，由于A面的杂质和硬点少，钢线比较容易进入晶体，大大降低了跳线、蹦边等不良 记录；如果将B面为入刀面，由于B面靠近坩埚导致该面的金属杂质、SiC、SiNx及SiCNx含 量较高，钢线不容易切入晶体，导致跳线等不良记录偏高。甚至容易导致断线而引起晶棒报 废、车间产能损失、原材料辅材浪费等问题。因此本发明大大提高了硅片的出片率，降低了 硅片切割成本，提高了企业的经济效率。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明；
图1是本发明中多晶硅锭开方后的示意图；图2是本发明中标记A、B面的硅块的示意图；图3是本发明中标记A、B面的硅块粘棒的示意图。
具体实施例方式一种多晶铸锭的线切割方法，该生产方法如下(一 )、标记将多晶铸锭进行开方得到硅块，对铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块进 行标识，以区分硅块的A、B面，B面靠近坩埚，A面是B面的对应面。为方便描述，在在图1中对硅块进行编号，编号1至16号的开方后得到的硅块为 需要区分硅块的A B面的硅块。其余编号的硅块无需进行标识。进行标识的方法只要方便 区分A面、B面即可采用。(二)、将开方后得硅块经IR测试、LT测试、截断、磨面；(三)、粘棒如图2和3所示，将区分A、B面的硅块的B面粘结在晶托上，其他硅 块正常粘棒，待粘胶固化后上棒切片；(四)、切片将固化好的硅块上机切片，区分A、B面的硅块的A面为入刀面。
权利要求
1. 一种多晶铸锭的线切割方法，该生产方法如下(一)、标记将多晶铸锭进行开方得到硅块，对铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块进行标 识，以区分硅块的A、B面，B面靠近坩埚，A面是B面的对应面；(二)、将开方后得硅块经顶测试、LT测试、截断、磨面；(三)、粘棒将区分A、B面的硅块的B面粘结在晶托上，其他硅块正常粘棒，待粘胶固 化后上棒切片；(四)、切片将固化好的硅块上机切片，区分A、B面的硅块的A面为入刀面。
全文摘要
本发明涉及多晶铸锭线切割技术领域，特别是一种多晶铸锭的线切割方法，该生产方法如下(一)标记将多晶铸锭进行开方得到硅块，对铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块进行标识，以区分硅块的A、B面，B面靠近坩埚，A面是B面的对应面；(二)将开方后得硅块经IR测试、LT测试、截断、磨面；(三)粘棒将区分A、B面的硅块的B面粘结在晶托上，其他硅块正常粘棒，待粘胶固化后上棒切片；(四)切片将固化好的硅块上机切片，区分A、B面的硅块的A面为入刀面。将杂质和硬点少的A面作为入刀面，钢线比较容易进入晶体，大大降低了跳线、蹦边等不良记录，大大提高了硅片的出片率，降低了硅片切割成本，提高了企业的经济效率。
文档编号B28D5/04GK102133776SQ201010620010
公开日2011年7月27日 申请日期2010年12月31日 优先权日2010年12月31日
发明者刘振淮, 李毕武, 贺洁, 黄振飞 申请人:常州天合光能有限公司