专利名称：可钢化low-e镀膜玻璃的制造方法
技术领域：
本发明涉及LOW-E玻璃的制造方法，特别是一种可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法。
背景技术：
LOff-E玻璃又称低辐射玻璃，是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜系产品。其镀膜层具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性，使其与普通玻璃及传统的建筑用镀膜玻璃相比，具有优异个隔热效果和良好的透光性。目前的LOW-E玻璃的镀膜生产方法主要有在线高温热解沉积法和离线真空溅射法两种。其中又以离线真空溅射法使用最为普遍。和高温热解沉积法不同，溅射法是离线的。且据玻璃传输位置的不同有水平及垂直之分。离线真空溅射法中需一层纯银薄膜作为功能膜。纯银膜在二层金属氧化物膜之间。 金属氧化物膜对纯银膜提供保护，且作为膜层之间的中间层增加颜色的纯度及光透射度。比如垂直式生产工艺中，玻璃基片垂直放置在架子上，送入KT1帕数量级的真空环境中，通入适量的工艺气体(惰性气体Ar或反应气体02、队)，并保持真空度稳定。将靶材 Ag、Si等嵌入阴极，并在与阴极垂直的水平方向置入磁场从而构成磁控靶。以磁控靶为阴极，加上直流或交流电源，在高电压的作用下，工艺气体发生电离，形成等离子体。其中，电子在电场和磁场的共同作用下，进行高速螺旋运动，碰撞气体分子，产生更多的正离子和电子；正离子在电场的作用下，达到一定的能量后撞击阴极靶材，被溅射出的靶材沉积在玻璃基片上形成薄膜。为了形成均勻一致的膜层，阴极靶靠近玻璃表面来回移动。为了取得多层膜，必须使用多个阴极，每一个阴极均是在玻璃表面来回移动，形成一定的膜厚。水平法在很大程度上是和垂直法相似的。主要区别在玻璃的放置，玻璃由水平排列的轮子传输，通过阴极，玻璃通过一系列销定阀门之后，真空度也随之变化。当玻璃到达主要溅射室时，镀膜压力达到，金属阴极靶固定，玻璃移动。在玻璃通过阴极过程中，膜层形成。但是，上述现有的离线真空溅射法及其产品却具有如下缺陷由于膜层强度较差， 使LOW-E玻璃不能实施直接钢化处理来提高玻璃的强度和安全性能，而且，LOW-E玻璃的镀膜隔热性能好，因此在钢化工艺中不易将热辐射到玻璃中。因此，一般都只能制成中空玻璃使用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，主要解决现有的离线真空溅射法生产的LOW-E玻璃产品，由于膜层强度较差，使LOW-E玻璃不能实施直接钢化处理来提高玻璃的强度和安全性能的技术问题，通过本发明方法可将LOW-E镀膜玻璃进行直接钢化操作。为实现上述目的，本发明是这样实现的。
一种可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其基片镀膜采用离线真空溅射法，其特征在于镀膜靶材中使用非金属可燃高含量炭，并在真空工作室内将高含量炭靶设为最后工序。所述的可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其特征在于所述的非金属可燃高含量炭的炭含量> 99%，所述的非金属可燃高含量炭膜的厚度为20-35um。所述的可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其特征在于所述的离线真空溅射法中玻璃基片置在架子上，并送入KT1帕数量级的真空环境中，通入适量的工艺气体如惰性气体Ar或反应气体02、队，并保持真空度稳定；将靶材依次嵌入阴极，其中非金属可燃高含量炭最后嵌入，并在与阴极垂直的水平方向置入磁场从而构成磁控靶；以磁控靶为阴极，加上直流或交流电源，在高电压的作用下，工艺气体发生电离，形成等离子体，其中，电子在电场和磁场的共同作用下，进行高速螺旋运动，碰撞气体分子，产生更多的正离子和电子；正离子在电场的作用下，达到一定的能量后撞击阴极靶材，被溅射出的靶材沉积在玻璃基片上形成薄膜。所述的可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其特征在于为了形成均勻一致的膜层，阴极靶靠近玻璃基片表面来回移动。所述的可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其特征在于所述的靶材中包括银、铜或锡金属或其化合物组成的薄膜系。本发明系统的主要优点在于。1、本发明方法中镀膜过程中加入了非金属可燃高含量炭，因此，LOW-E镀膜玻璃可直接进入钢化操作。进入钢化炉后在600-75(TC中高含量炭[C]必须充分燃烧，通过炭[C] 的高吸热性能将钢化炉中的电热充分吸收传递的玻璃版面。2、本发明方法生产的LOW-E镀膜玻璃，其镀膜层具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性，使其与普通玻璃及传统的建筑用镀膜玻璃相比，具有优异个隔热效果和良好的透光性。
具体实施例方式本发明公开了一种可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其基片镀膜采用离线真空溅射法。镀膜靶材中使用非金属可燃高含量炭，并在真空工作室内将高含量炭靶设为最后工序。所述的非金属可燃高含量炭的炭含量> 99% (如纯炭[C]、石墨类等)，所述的非金属可燃高含量炭膜的厚度为20-35um。本发明中的离线真空溅射法的具体步骤是玻璃基片置在架子上，并送入KT1帕数量级的真空环境中，通入适量的工艺气体如惰性气体Ar或反应气体02、N2，并保持真空度稳定；将靶材(靶材中可包括银、铜或锡金属或其化合物组成的薄膜系)依次嵌入阴极，其中非金属可燃高含量炭最后嵌入，并在与阴极垂直的水平方向置入磁场从而构成磁控靶； 以磁控靶为阴极，加上直流或交流电源，在高电压的作用下，工艺气体发生电离，形成等离子体，其中，电子在电场和磁场的共同作用下，进行高速螺旋运动，碰撞气体分子，产生更多的正离子和电子；正离子在电场的作用下，达到一定的能量后撞击阴极靶材，被溅射出的靶材沉积在玻璃基片上形成薄膜。
上述方法中，为了形成均勻一致的膜层，阴极靶靠近玻璃基片表面来回移动。通过本发明方法制得的LOW-E镀膜玻璃可直接进入钢化操作。进入钢化炉后在 600-750°C中高含量炭[C]必须充分燃烧，通过炭[C]的高吸热性能将钢化炉中的电热充分吸收传递的玻璃版面。玻璃经过钢化处理后必须进行清洗，清除尘污。综上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用来限定本发明的实施范围，即凡依本发明申请专利范围的内容所作的等效变化与修饰，都应为本发明的技术范畴。
权利要求
1.一种可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其基片镀膜采用离线真空溅射法，其特征在于镀膜靶材中使用非金属可燃高含量炭，并在真空工作室内将高含量炭靶设为最后工序。
2.根据权利要求1所述的可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其特征在于所述的非金属可燃高含量炭的炭含量> 99%，所述的非金属可燃高含量炭膜的厚度为20-35um。
3.根据权利要求1或2所述的可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其特征在于所述的离线真空溅射法中玻璃基片置在架子上，并送入KT1帕数量级的真空环境中，通入适量的工艺气体如惰性气体Ar或反应气体02、N2，并保持真空度稳定；将靶材依次嵌入阴极，其中非金属可燃高含量炭最后嵌入，并在与阴极垂直的水平方向置入磁场从而构成磁控靶；以磁控靶为阴极，加上直流或交流电源，在高电压的作用下，工艺气体发生电离，形成等离子体，其中，电子在电场和磁场的共同作用下，进行高速螺旋运动，碰撞气体分子，产生更多的正离子和电子；正离子在电场的作用下，达到一定的能量后撞击阴极靶材，被溅射出的靶材沉积在玻璃基片上形成薄膜。
4.根据权利要求3所述的可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其特征在于为了形成均勻一致的膜层，阴极靶靠近玻璃基片表面来回移动。
5.根据权利要求3所述的可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法，其特征在于所述的靶材中包括银、铜或锡金属或其化合物组成的薄膜系。
全文摘要
本发明涉及LOW-E玻璃的制造方法，特别是一种可钢化LOW-E镀膜玻璃的制造方法。其基片镀膜采用离线真空溅射法，其特征在于镀膜靶材中使用非金属可燃高含量炭，并在真空工作室内将高含量炭靶设为最后工序。它主要解决现有的离线真空溅射法生产的LOW-E玻璃产品，由于膜层强度较差，使LOW-E玻璃不能实施直接钢化处理来提高玻璃的强度和安全性能的技术问题，通过本发明方法可将LOW-E镀膜玻璃进行直接钢化操作。
文档编号C03C17/00GK102276156SQ20111015012
公开日2011年12月14日 申请日期2011年6月7日 优先权日2011年6月7日
发明者阮泽云, 阮洪良 申请人:上海福莱特玻璃有限公司, 福莱特光伏玻璃集团股份有限公司