专利名称：一种低介电损耗陶瓷材料及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种陶瓷材料，尤其是涉及一种低介电损耗陶瓷材料及其制备方法。
背景技术：
陶瓷材料CaCu3Ti4O12 (简写为 CCT0)于 1979 年由 Bochu 课题组(B. Bochu， M. N. Deschizeaux, J. C. Joubert, et al. Synthese et caracterisation d ' uneserie de titanates perowskites isotypes de [CaCu3] (Mn4)O12. Journal of Solid State Chemistry, 1979,29(2) :291-298)通过固相烧结法制备。2000 年 M. A. Subramanian 等人 (M. A. Subramanian, Li Dong, Duan N, et al. High dielectric constant in ACu3Ti4O12 and ACu3Ti3FeO12 phases. Solid State Chem. , 2000,151 :323-325)发现，具有钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12 (CCTO)在IKHz的频率下其介电常数在10000以上，并且具有很小的温度依赖性，从室温至300°C之间其值近乎于常数。随着微电子工业的发展，电子元器件的微型化正迫切需要这种高介电常数的电介质材料，在存储器、滤波器、谐振器等重要电子器件方面具有很大的应用潜力。虽然CCTO具有巨大的介电常数，但是CCTO陶瓷介电损耗也比较大(倪维庆， 俞建长，郑兴华，梁炳亮.烧成工艺对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响[J]，电子元件与材料，2006，10 (10) :26-29)。在实际应用中会导致器件或电路的发热、工作不稳定或信号衰减等问题，较大的介电损耗限制了 CCTO的应用。一些学者在降低CCTO陶瓷材料介电损耗方面做了很多尝试，这些尝试要么没有达到足够程度降低介电损耗的目的，要么明显损害了 CCTO陶瓷原有的高介电常数特性，致使改性后介电常数很低李洁等人在中国专利200710009111. 9中，利用冷等静压成型工艺，将CCTO陶瓷介电损耗在室温、IKHz条件下降至0. 026，但介电常数也降至3000左右。K0BAYASH等人(K0BAYASHI W，TERASAKI I. CaCu3Ti4012/CaTi03 composite dielectrics Ba/Pb-free dielectric ceramics with high dielectric constants [J] Appl. Phys. Lett. , 2005,87 :032902-032904)改变 CCTO 的组成制备出Ca2Cu2Ti4O12 (组成成分为CaCu3Ti4O12和CaTiO3)，其介电损耗在室温、IOOKHz条件下为 0. 02，介电常数降至 1800。PATTERSON 等人(PATTERSON E A,KffON S,HUANG C C，et al. Effects of ZrO2 additions on the dielectric properties of CaCu3Ti4O12 [J]Appl. Phys. Lett.，2005，87 :182911-182913)通过添加ZrO2的方法，使CCTO陶瓷介电损耗在室温、IKHz条件下降至0. 05，介电常数也降至5000以下。
发明内容
本发明的目的是提供一种低介电损耗陶瓷材料及其制备方法。所述低介电损耗陶瓷材料由CaCu3Ti4O12和V2O5组成，化学式为CaCu3Ti4012+xV205， 其中 x = 0. 001 0. 005。所述低介电损耗陶瓷材料由CaCu3Ti4O12和Bi2O3-CuO组成，化学式为 CaCu3Ti4012+x [yBi203-(1-y) CuO]，其中 x = 0. 005 O. 05，y = O. 4 0. 5。
所述低介电损耗陶瓷材料CaCu3Ti4012+xV205的制备方法如下在空气气氛下，以CaCO3、CuO、TiO2、V2O5为原料，采用固相法工艺，其中V2O5作为添加剂，将压制成形的陶瓷材料样品升温，进行排胶处理，排胶处理后的样品继续升温，然后随炉冷却至室温，即获得低介电损耗陶瓷材料CaCu3Ti4012+xV205。所述升温的条件可为以3°C /min的升温速率从室温升至600°C后保温2h ;所述继续升温的条件可为以3°C /min升温速率升至1000 1100°C烧结后保温5 10h。所述低介电损耗陶瓷材料CaCu3Ti4012+x[yBi203-(l-y)Cu0]的制备方法如下在空气气氛下，以CaC03、Cu0、Ti02、Bi2O3为原料，采用固相法工艺，其中Bi2O3-CuO 作为添加剂，将压制成形的陶瓷材料样品升温，进行排胶处理，排胶处理后的样品继续升温，然后随炉冷却至室温，即获得低介电损耗陶瓷材料CaCu3Ti4012+x[yBi203-(l_y)CuO]。所述升温的条件可为以:TC /min升温速率从室温升至600°C后保温2h ;所述继续升温的条件可为以3°C /min升温速率升至1000 1100°C烧结后保温5 10h。本发明具有以下优点提供了一种降低CCTO陶瓷材料介电损耗的方法，采用固相法工艺，通过添加V2O5或Bi2O3-CuO在高温下烧结成瓷。在保持CCTO高介电常数(介电常数达到IO4 IO5数量级)的同时，降低CCTO介电损耗，制备出高介电常数低介电损耗的 CCTO陶瓷材料，改善了 CCTO陶瓷材料的介电性能。充分运用了固相法制备工艺简单、可重复性闻、成品率闻等优点，易于实现大广量的工业化生广。本发明通过添加剂的改变和组分的变化，在保持CCTO陶瓷材料高介电常数(介电常数达到IO4 IO5数量级)的同时，降低其介电损耗，完善该陶瓷材料的介电性能。
具体实施例方式以下实施例将对本发明作进一步的说明。实施例I用固相法在1080°C保温IOh制备组分和质量百分比含量为CaCu3Ti4012+0. OOlV2O5 的陶瓷材料。将纯度为99. 0%的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末按摩尔比混合，放入玛瑙球磨罐中湿法球磨，以蒸馏水为球磨介质，按质量比原料玛瑙球蒸馏水=I : I : I. 2。 使用行星球磨机以300r/min球磨4h，球磨后的混合粉料在烘箱中120°C烘干，然后将烘干后的粉料置于马弗炉中，以3°C /min升温速率从室温升至1000°C预烧并保温2h。预烧粉经球磨破碎、干燥。取9. 99g预烧粉体，加入O. Olg纯度为99. 0%的V2O5粉末并混合均匀， 然后加入粘结剂，在玛瑙研钵中研磨、造粒，过80目筛网。将造粒粉末在450MPa压力下干压成直径13mm，厚度I. 2mm的圆片。将坯体在马弗炉中于空气气氛下以3°C /min升温速率从室温升至600°C保温2h进行排胶处理，排胶处理后的样品继续以3°C /min升温速率升至 1080°C后保温10h，然后随炉冷却至室温，获得陶瓷体。表面打磨，上Ag电极，进行介电性能测试。室温下测量，IkHz 时，ε r = 32038，tan δ = O. 026。实施例2用固相法在1080°C保温IOh制备组分和质量百分比含量为CaCu3Ti4012+0. 005V205 的陶瓷材料。将纯度为99. 0%的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末按摩尔比混合，放入玛瑙球磨罐中湿法球磨，以蒸馏水为球磨介质，按质量比原料玛瑙球蒸馏水=I : I : I. 2。 使用行星球磨机以300r/min球磨4h，球磨后的混合粉料在I室温下测量烘干，然后将烘干后的粉料置于马弗炉中，以3°C /min升温速率从室温升至1000°C预烧并保温2h。预烧粉经球磨破碎、干燥。取9. 95g预烧粉体，加入O. 05g纯度为99. 0%的V2O5粉末并混合均匀， 然后加入粘结剂，在玛瑙研钵中研磨、造粒，过80目筛网。将造粒粉末在450MPa压力下干压成直径13mm，厚度I. 2mm的圆片。将坯体在马弗炉中于空气气氛下以3°C /min升温速率从室温升至600°C保温2h进行排胶处理，排胶处理后的样品继续以3°C /min升温速率升至 1080°C后保温10h，然后随炉冷却至室温，获得陶瓷体。表面打磨，上Ag电极，进行介电性能测试。室温下测量，IkHz 时，ε r = 19990，tan δ = O. 0565。实施例3用固相法在1080°C保温IOh制备组分和质量百分比含量为CaCu3Ti4012+0. 005(0. 444Bi203-0. 556Cu0)的陶瓷材料。将纯度为99. 0%的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末按摩尔比混合，放入玛瑙球磨罐中湿法球磨，以蒸馏水为球磨介质，按质量比原料玛瑙球蒸馏水=I : I : 1.2。使用行星球磨机以300r/min球磨4h，球磨后的混合粉料在室温下测量烘干，然后将烘干后的粉料置于马弗炉中，以3°C /min升温速率从室温升至1000°C预烧并保温2h。预烧粉经球磨破碎、干燥。取9. 95g预烧粉体，加入O. 0222g纯度为99. 0%的 Bi2O3粉末，O. 0278g纯度为99. 0%的CuO粉末并混合均匀，然后加入粘结剂，在玛瑙研钵中研磨、造粒，过80目筛网。将造粒粉末在450MPa压力下干压成直径13mm,厚度I. 2mm的圆片。将坯体在马弗炉中于空气气氛下以3°C /min升温速率从室温升至600°C保温2h进行排胶处理，排胶处理后的样品继续以3°C /min升温速率升至1080°C后保温10h，然后随炉冷却至室温，获得陶瓷体。表面打磨，上Ag电极，进行介电性能测试。室温下测量，IkHz时， εΓ = 62675, tan δ = O. 086。实施例4用固相法在1080°C保温IOh制备组分和质量百分比含量为CaCu3Ti4012+0. 05(0. 44 4Bi203-0. 556Cu0)的陶瓷材料。将纯度为99. 0%的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末按摩尔比混合，放入玛瑙球磨罐中湿法球磨，以蒸馏水为球磨介质，按质量比原料玛瑙球蒸馏水=I : I : 1.2。使用行星球磨机以300r/min球磨4h,球磨后的混合粉料在室温下测量烘干，然后将烘干后的粉料置于马弗炉中，以3°C /min升温速率从室温升至1000°C预烧并保温2h。预烧粉经球磨破碎、干燥。取9. 5g预烧粉体，加入O. 2222g纯度为99. 0%的Bi2O3 粉末，O. 2778g纯度为99. 0%的CuO粉末并混合均匀，然后加入粘结剂，在玛瑙研钵中研磨、 造粒，过80目筛网。将造粒粉末在450MPa压力下干压成直径13mm，厚度I. 2mm的圆片。将坯体在马弗炉中于空气气氛下以3°C /min升温速率从室温升至600°C保温2h进行排胶处理，排胶处理后的样品继续以3°C /min升温速率升至1080°C后保温10h，然后随炉冷却至室温，获得陶瓷体。表面打磨，上Ag电极，进行介电性能测试。室温下测量，IkHz时，％ = 6674. 5, tanδ = O.0775。实施例5用固相法在1000°C保温IOh制备组分和质量百分比含量为CaCu3Ti4012+0. OOlV2O5 的陶瓷材料。将纯度为99. 0%的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末按摩尔比混合，放入玛瑙球磨罐中湿法球磨，以蒸馏水为球磨介质，按质量比原料玛瑙球蒸馏水=I : I : I. 2。 使用行星球磨机以300r/min球磨4h，球磨后的混合粉料在烘箱中120°C烘干，然后将烘干后的粉料置于马弗炉中，以3°C /min升温速率从室温升至1000°C预烧并保温2h。预烧粉经球磨破碎、干燥。取9. 99g预烧粉体，加入O. Olg纯度为99. 0%的V2O5粉末并混合均匀， 然后加入粘结剂，在玛瑙研钵中研磨、造粒，过80目筛网。将造粒粉末在450MPa压力下干压成直径13mm，厚度I. 2mm的圆片。将坯体在马弗炉中于空气气氛下以3°C /min升温速率从室温升至600°C保温2h进行排胶处理，排胶处理后的样品继续以3°C /min升温速率升至 1000°C后保温10h，然后随炉冷却至室温，获得陶瓷体。表面打磨，上Ag电极，进行介电性能测试。室温下测量，IkHz 时，ε r = 11820，tan δ = O. 154。实施例6用固相法在1000°C保温IOh制备组分和质量百分比含量为CaCu3Ti4012+0. 005V205 的陶瓷材料。将纯度为99. 0%的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末按摩尔比混合，放入玛瑙球磨罐中湿法球磨，以蒸馏水为球磨介质，按质量比原料玛瑙球蒸馏水=I : I : I. 2。 使用行星球磨机以300r/min球磨4h，球磨后的混合粉料在I室温下测量烘干，然后将烘干后的粉料置于马弗炉中，以3°C /min升温速率从室温升至1000°C预烧并保温2h。预烧粉经球磨破碎、干燥。取9. 95g预烧粉体，加入O. 05g纯度为99. 0%的V2O5粉末并混合均匀， 然后加入粘结剂，在玛瑙研钵中研磨、造粒，过80目筛网。将造粒粉末在450MPa压力下干压成直径13mm，厚度I. 2mm的圆片。将坯体在马弗炉中于空气气氛下以3°C /min升温速率从室温升至600°C保温2h进行排胶处理，排胶处理后的样品继续以3°C /min升温速率升至 1000°C后保温10h，然后随炉冷却至室温，获得陶瓷体。表面打磨，上Ag电极，进行介电性能测试。室温下测量，IkHz 时，ε r = 9890. 3，tan δ = O. 187。实施例7用固相法在1000°C保温IOh制备组分和质量百分比含量为CaCu3Ti4012+0. 005(0 4Bi203-0. 6Cu0)的陶瓷材料。将纯度为99. 0%的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末按摩尔比混合，放入玛瑙球磨罐中湿法球磨，以蒸馏水为球磨介质，按质量比原料玛瑙球蒸馏水=I : I : 1.2。使用行星球磨机以300r/min球磨4h,球磨后的混合粉料在室温下测量烘干，然后将烘干后的粉料置于马弗炉中，以3°C /min升温速率从室温升至1000°C预烧并保温2h。预烧粉经球磨破碎、干燥。取9. 95g预烧粉体，加入O. 02g纯度为99. 0%的Bi2O3 粉末，O. 03g纯度为99. 0%的CuO粉末并混合均匀，然后加入粘结剂，在玛瑙研钵中研磨、造粒，过80目筛网。将造粒粉末在450MPa压力下干压成直径13mm，厚度I. 2mm的圆片。将坯体在马弗炉中于空气气氛下以3°C /min升温速率从室温升至600°C保温2h进行排胶处理，排胶处理后的样品继续以3°C /min升温速率升至1000°C后保温10h，然后随炉冷却至室温，获得陶瓷体。表面打磨，上Ag电极，进行介电性能测试。室温下测量，IkHz时，％ = 15328，tanδ = O.194。实施例8用固相法在1000°C保温IOh制备组分和质量百分比含量为CaCu3Ti4012+0. 05(0. 4 Bi2O3-O. 6Cu0)的陶瓷材料。将纯度为99. 0%的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末按摩尔比混合，放入玛瑙球磨罐中湿法球磨，以蒸馏水为球磨介质，按质量比原料玛瑙球蒸馏水 =1 : I : 1.2。使用行星球磨机以300r/min球磨4h,球磨后的混合粉料在室温下测量烘干，然后将烘干后的粉料置于马弗炉中，以3°C /min升温速率从室温升至1000°C预烧并保温2h。预烧粉经球磨破碎、干燥。取9. 5g预烧粉体，加入O. 2g纯度为99.0%的Bi2O3粉末，O. 3g纯度为99. 0%的CuO粉末并混合均匀，然后加入粘结剂，在玛瑙研钵中研磨、造粒，过80目筛网。将造粒粉末在450MPa压力下干压成直径13mm,厚度I. 2mm的圆片。将还体在马弗炉中于空气气氛下以3°C/min升温速率从室温升至600°C保温2h进行排胶处理，排胶处理后的样品继续以3°C/min升温速率升至1000°C后保温10h，然后随炉冷却至室温，获得陶瓷体。表面打磨,上Ag电极，进行介电性能测试。室温下测量，IkHz时，ε ^ = 4674. 5， tan δ = O. 128。实施例9用固相法在1100°C保温5h制备组分和质量百分比含量为CaCu3Ti4012+0. OOlV2O5 的陶瓷材料。将纯度为99. 0%的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末按摩尔比混合，放入玛瑙球磨罐中湿法球磨，以蒸馏水为球磨介质，按质量比原料玛瑙球蒸馏水=I : I : I. 2。 使用行星球磨机以300r/min球磨4h，球磨后的混合粉料在烘箱中120°C烘干，然后将烘干后的粉料置于马弗炉中，以3°C /min升温速率从室温升至1000°C预烧并保温2h。预烧粉经球磨破碎、干燥。取9. 99g预烧粉体，加入O. Olg纯度为99. 0%的V2O5粉末并混合均匀， 然后加入粘结剂，在玛瑙研钵中研磨、造粒，过80目筛网。将造粒粉末在450MPa压力下干压成直径13mm，厚度I. 2mm的圆片。将坯体在马弗炉中于空气气氛下以3°C /min升温速率从室温升至600°C保温2h进行排胶处理，排胶处理后的样品继续以3°C /min升温速率升至 1100°C后保温5h，然后随炉冷却至室温，获得陶瓷体。表面打磨，上Ag电极，进行介电性能测试。室温下测量，IkHz 时，ε r = 21056，tan δ = O. 028。实施例10用固相法在1100°C保温5h制备组分和质量百分比含量为CaCu3Ti4012+0. 005V205 的陶瓷材料。将纯度为99. 0%的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末按摩尔比混合，放入玛瑙球磨罐中湿法球磨，以蒸馏水为球磨介质，按质量比原料玛瑙球蒸馏水=I : I : I. 2。 使用行星球磨机以300r/min球磨4h，球磨后的混合粉料在I室温下测量烘干，然后将烘干后的粉料置于马弗炉中，以3°C /min升温速率从室温升至1000°C预烧并保温2h。预烧粉经球磨破碎、干燥。取9. 95g预烧粉体，加入O. 05g纯度为99. 0%的V2O5粉末并混合均匀， 然后加入粘结剂，在玛瑙研钵中研磨、造粒，过80目筛网。将造粒粉末在450MPa压力下干压成直径13mm，厚度I. 2mm的圆片。将坯体在马弗炉中于空气气氛下以3°C /min升温速率从室温升至600°C保温2h进行排胶处理，排胶处理后的样品继续以3°C /min升温速率升至 1100°C后保温5h，然后随炉冷却至室温，获得陶瓷体。表面打磨，上Ag电极，进行介电性能测试。室温下测量，IkHz 时，ε r = 14650, tan δ = O. 065。实施例11用固相法在1100°C保温5h制备组分和质量百分比含量为CaCu3Ti4012+0. 005(0. 5Bi203-0. 5Cu0)的陶瓷材料。将纯度为99. 0%的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末按摩尔比混合，放入玛瑙球磨罐中湿法球磨，以蒸馏水为球磨介质，按质量比原料玛瑙球蒸馏水 =1 : I : 1.2。使用行星球磨机以300r/min球磨4h,球磨后的混合粉料在室温下测量烘干，然后将烘干后的粉料置于马弗炉中，以3°C /min升温速率从室温升至1000°C预烧并保温2h。预烧粉经球磨破碎、干燥。取9. 95g预烧粉体，加入O. 025g纯度为99. 0%的Bi2O3 粉末，O. 025g纯度为99. 0%的CuO粉末并混合均匀，然后加入粘结剂，在玛瑙研钵中研磨、 造粒，过80目筛网。将造粒粉末在450MPa压力下干压成直径13mm，厚度I. 2mm的圆片。将坯体在马弗炉中于空气气氛下以3°C /min升温速率从室温升至600°C保温2h进行排胶处理，排胶处理后的样品继续以3°C /min升温速率升至1100°C后保温5h，然后随炉冷却至室温，获得陶瓷体。表面打磨，上Ag电极，进行介电性能测试。室温下测量，IkHz时，L = 55996, tanδ = O.0989。实施例12用固相法在1100°C保温5h制备组分和质量百分比含量为CaCu3Ti4012+0. 05(0. 5B I2O3-O. 5Cu0)的陶瓷材料。将纯度为99. 0%的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末按摩尔比混合，放入玛瑙球磨罐中湿法球磨，以蒸馏水为球磨介质，按质量比原料玛瑙球蒸馏水= 1:1: 1.2。使用行星球磨机以300r/min球磨4h，球磨后的混合粉料在室温下测量烘干， 然后将烘干后的粉料置于马弗炉中，以3°C /min升温速率从室温升至1000°C预烧并保温 2h。预烧粉经球磨破碎、干燥。取9. 5g预烧粉体，加入O. 25g纯度为99. 0%的Bi2O3粉末， O. 25g纯度为99. O %的CuO粉末并混合均匀，然后加入粘结剂，在玛瑙研钵中研磨、造粒，过 80目筛网。将造粒粉末在450MPa压力下干压成直径13mm，厚度I. 2mm的圆片。将坯体在马弗炉中于空气气氛下以3°C /min升温速率从室温升至600°C保温2h进行排胶处理，排胶处理后的样品继续以3°C /min升温速率升至1100°C后保温5h，然后随炉冷却至室温，获得陶瓷体。表面打磨，上Ag电极，进行介电性能测试。室温下测量，IkHz时，= 6832.6， tan δ = O. 095。
权利要求
1.一种低介电损耗陶瓷材料，其特征在于由CaCu3Ti4O12和V2O5组成，化学式为 CaCu3Ti4O1JxV2O5，其中 x = O. 001 O. 005。
2.如权利要求I所述的一种低介电损耗陶瓷材料的制备方法，其特征在于其具体步骤为在空气气氛下，以CaC03、CuO、TiO2, V2O5为原料，采用固相法工艺，其中V2O5作为添加剂，将压制成形的陶瓷材料样品升温，进行排胶处理，排胶处理后的样品继续升温，然后随炉冷却至室温，即获得低介电损耗陶瓷材料CaCu3Ti4012+xV205。
3.如权利要求2所述的一种低介电损耗陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述升温的条件为以3°C /min的升温速率从室温升至600°C后保温2h。
4.如权利要求2所述的一种低介电损耗陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述继续升温的条件为以3°C /min升温速率升至1000 1100°C烧结后保温5 10h。
5.一种低介电损耗陶瓷材料，其特征在于由CaCu3Ti4O12和Bi2O3-CuO组成，化学式为 CaCu3Ti4012+x [yBi203-(1-y) CuO]，其中 x = O. 005 O. 05，y = O. 4 O. 5。
6.如权利要求5所述的一种低介电损耗陶瓷材料的制备方法，其特征在于其具体步骤为在空气气氛下，以CaC03、Cu0、Ti02、Bi203为原料，采用固相法工艺，其中Bi2O3-CuO作为添加剂，将压制成形的陶瓷材料样品升温，进行排胶处理，排胶处理后的样品继续升温，然后随炉冷却至室温，即获得低介电损耗陶瓷材料CaCu3Ti4012+x[yBi203-(l_y) CuO]。
7.如权利要求6所述的一种低介电损耗陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述升温的条件为以3°C /min升温速率从室温升至600°C后保温2h。
8.如权利要求6所述的一种低介电损耗陶瓷材料的制备方法，其特征在于所述继续升温的条件为以3°C /min升温速率升至1000 1100°C烧结后保温5 10h。
全文摘要
一种低介电损耗陶瓷材料及其制备方法，涉及一种陶瓷材料。低介电损耗陶瓷材料由CaCu3Ti4O12和V2O5组成，化学式为CaCu3Ti4O12+xV2O5，其中x＝0.001～0.005。或由CaCu3Ti4O12和Bi2O3-CuO组成，化学式为CaCu3Ti4O12+x[yBi2O3-(1-y)CuO]，其中x＝0.005～0.05，y＝0.4～0.5。在空气气氛下，以CaCO3、CuO、TiO2以及V2O5或Bi2O3为原料，采用固相法，其中V2O5或Bi2O3为添加剂，将压制成形的陶瓷材料样品升温进行排胶处理，排胶处理后的样品继续升温，然后随炉冷却至室温，获得低介电损耗陶瓷材料。
文档编号C04B35/622GK102584212SQ20121002209
公开日2012年7月18日 申请日期2012年1月31日 优先权日2012年1月31日
发明者叶何兰, 喻荣, 张国锋, 曹泽亮, 林一森, 熊兆贤, 肖小朋, 薛昊, 陈拉 申请人:厦门大学