减小由化学强化处理引起的玻璃基板的翘曲的方法及化学强化玻璃基板的制造方法

减小由化学强化处理引起的玻璃基板的翘曲的方法及化学强化玻璃基板的制造方法
【专利摘要】本发明的目的在于提供能够在短时间内有效地抑制由化学强化处理引起的玻璃基板的翘曲并且能够省略或简化化学强化前的磨削处理或研磨处理的方法。本发明涉及一种方法，其中，在通过浮法成形且具有在成形时与熔融金属接触的底面和与该底面相对的顶面的玻璃基板的至少顶面上形成至少1层包含H原子浓度处于1.0×1015～1.0×1019个原子/mm3范围的无机物的膜，由此，减小由之后的化学强化处理引起的玻璃基板的翘曲。
【专利说明】减小由化学强化处理引起的玻璃基板的翘曲的方法及化学强化玻璃基板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及减小由化学强化处理引起的玻璃基板的翘曲的方法及化学强化玻璃基板的制造方法。
【背景技术】
[0002]近年来，对于手机或便携信息终端(PDA)、触控面板等平板显示装置而言，为了保护显示器并且改善美观，以比图像显示部分更广的区域将薄的板状保护玻璃配置于显示器的正面。
[0003]对于这样的平板显示装置要求轻量和薄型化，因此，要求显示器保护用途中使用的保护玻璃也变薄。
[0004]但是，若使保护玻璃的厚度变薄，则强度降低，有时会由于使用时或携带时落下等而导致保护玻璃自身破裂，存在不能发挥保护显示装置这样的本来的作用的问题。
[0005]因此，对于以往的保护玻璃而言，为了提高耐擦伤性，通过对利用浮法制造的浮法玻璃进行化学强化而在表面形成压应力层，从而提高保护玻璃的耐擦伤性。
[0006]近年来，保 护玻璃等所要求的耐擦伤性进一步增高。以往的对钠钙玻璃进行化学强化后的化学强化浮法玻璃的表面压应力为约500MPa，压应力层的深度为约IOymdM为了应对对于高耐擦伤性的要求，正在开发表面压应力为600MPa以上、压应力层的深度为15 μ m以上的化学强化浮法玻璃。
[0007]已报道浮法玻璃在化学强化后会产生翘曲从而使平坦性受损(专利文献I)。该翘曲是由于在浮法成形时未与熔融锡接触的玻璃面(以下也称为顶面)和与熔融锡接触的玻璃面(以下也称为底面)中化学强化的进行程度不同而造成的。
[0008]化学强化的进行程度越强，则上述浮法玻璃的翘曲越大，因此，为了应对对于高耐擦伤性的要求而开发的、上述表面压应力为600MPa以上且压应力层的深度为15 μ m以上的化学强化浮法玻璃，与以往的表面压应力为约500MPa且压应力层的深度为约10 μ m的化学强化浮法玻璃相比，翘曲的问题显著存在。
[0009]以往认为，浮法玻璃的顶面的化学强化的进行程度与底面不同的理由在于，在浮法成形时熔融金属会侵入到与熔融金属接触的玻璃面(专利文献I)。
[0010]在专利文献I中公开了如下的技术:在不对通过浮法方式制造、加工后的板状体进行表面研磨的情况下，在Li离子或Na离子或者它们的混合无机盐中浸溃或接触后进行化学强化，由此改善上述翘曲。
[0011]另外，以往，为了减小上述浮法玻璃的翘曲，进行如下的应对方法:减小由化学强化产生的强化应力，或者通过对浮法玻璃的顶面和底面进行磨削处理或研磨处理等而将表面异质层除去后进行化学强化。
[0012]现有技术文献
[0013]专利文献[0014]专利文献1:日本专利第2033034号公报
【发明内容】

[0015]发明所要解决的问题
[0016]但是，专利文献I中记载的方法中，需要在化学强化前将浮法玻璃浸溃在混合无机盐中进行处理，很繁杂。另外，减小强化应力的方法有可能使化学强化后的浮法玻璃的强度不充分。
[0017]另外，在化学强化前对浮法玻璃的顶面和底面进行磨削处理或研磨处理的方法中，从提高生产率的观点出发，优选省略这些磨削处理或研磨处理。
[0018]因此，本发明的目的在于提供能够在短时内有效地抑制由化学强化处理引起的玻璃基板的翘曲并且能够省略或简化化学强化前的磨削处理或研磨处理的方法。
[0019]用于解决问题的手段
[0020]本发明人发现，通过在具有在成形时与熔融金属接触的底面和与该底面相对的顶面的玻璃基板的至少顶面上形成至少I层包含H原子浓度处于1.0X IO15~1.0X IO19个原子/mm3范围的无机物的膜，能够减小由之后的化学强化处理引起的玻璃基板的翘曲，从而完成了本发明。
[0021]即，本发明如下所述。
[0022]1.一种方法，其中，在通过浮法成形且具有在成形时与熔融金属接触的底面和与该底面相对的顶面的玻璃基板的至少顶面上形成至少I层包含H原子浓度处于1.0X IO15~1.0X IO19个原子/mm3范围的无机物的膜，由此，减小由之后的化学强化处理引起的玻璃基板的翘曲。
[0023]2.一种制造化学强化玻璃基板的方法，其特征在于，在通过浮法成形且具有在成形时与熔融金属接触的底面和与该底面相对的顶面的玻璃基板的至少顶面上形成至少I层包含H原子浓度处于1.0 X IO15~1.0 X IO19个原子/mm3范围的无机物的膜，并对形成有该膜的玻璃基板进行化学强化处理。
[0024]3.如前项I或2所述的方法，其特征在于，所述包含无机物的膜为无碱氧化物。
[0025]4.如前项3所述的方法，其特征在于，所述无碱氧化物含有包含选自由硅、钛、锡、铝、锌、铬、铜、锰、铁、钴、镍、锆、银、铌、钥、锑和铟组成的组中的至少I种元素的氧化物以及复合氧化物中的至少I种以上。
[0026]5.如前项I~4中任一项所述的方法，其中，所述包含无机物的膜为通过常压CVD法形成的膜。
[0027]发明效果
[0028]本发明的化学强化用玻璃基板在至少一个面上形成有包含含有H原子的无机物的膜，膜中的化学结构因该膜中含有的H原子而发生变化从而形成离子通道。由此，能够在玻璃基板上形成该膜后进行化学强化处理。
[0029]本发明的化学强化用玻璃基板，通过对形成在至少一个面上的包含含有H原子的无机物的膜中的H原子的含量进行调节，能够在化学强化处理前不进行磨削和研磨等处理的情况下减小化学强化后玻璃基板的翘曲。
[0030] 本发明的化学强化用玻璃基板中包含H原子浓度处于1.0X IO15~1.0X IO19个原子/mm3范围的无机物的膜能够通过常压CVD或溶胶凝胶法等成膜法形成在玻璃基板上。
[0031]在常压CVD的情况下，能够在大面积的玻璃基板上形成包含H原子浓度处于
1.0 X IO15~1.0 X IO19个原子/mm3范围的无机物的膜，能够在成膜后、即进行化学强化前切割为期望的大小，因此生产率高。
[0032]另外，将常压CVD法等成膜法应用于浮法生产线，在槽内、与其相连的退火区域进行成膜，由此，无需对玻璃基板进行再加热，成为环境负荷小且生产率高的工业工艺。
[0033]从溶胶凝胶法的观点出发，不需要用于设置物理性空隙所需的涂布液中的粒子，因此成本降低，并且，也不需要使粒子分散在涂布液中的技术，因此，涂布液的制造也变得廉价且容易，从生产率和成本这两方面而言是优良的。
[0034]另外，本发明的化学强化用玻璃基板能够在化学强化和形状加工的前一阶段在要成为化学强化玻璃的玻璃基板的表面上形成功能性膜。因此，根据本发明的化学强化用玻璃基板，能够高生产率且低成本地制造在化学强化玻璃的表面上具有功能性膜的化学强化玻璃制品。
【专利附图】

【附图说明】
[0035]图1是实施例中使用的装置的概念图。
[0036]图2示出由S iO2膜的SIMS分布求出SiO2膜中的平均H原子浓度(个原子/cc)而得到的结果。例如，1E+23表示I X IO+23的含义。
【具体实施方式】
[0037]以下，对本发明详细地进行说明。
[0038]<玻璃基板>
[0039]作为本发明中的玻璃基板，只要是通过浮法成形且具有能够通过化学强化处理进行强化的组成的玻璃基板，则可以使用各种组成的玻璃基板。
[0040]具体而言，可举出例如包含无色透明的钠钙硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、锂铝硅酸盐玻璃、硼硅酸玻璃和无碱玻璃以及其他各种玻璃的透明玻璃板。
[0041]其中，优选包含离子半径更小的碱金属离子或碱土金属离子的玻璃，更优选包含Na离子的玻璃。包含Na离子的玻璃基板能够用具有比Na大的离子半径的离子中离子半径相对较小的金属离子、例如K离子容易地进行置换，因此，即使是在其表面上形成有功能性膜的玻璃基板，也能够更有效地与Na离子置换而进行强化。
[0042]玻璃基板的厚度没有特别限制，但为了有效地进行后述的化学强化处理，通常优选为5mm以下，更优选为3mm以下。
[0043]作为本发明的化学强化用玻璃基板的组成，没有特别限定，例如可举出以下的玻璃组成。
[0044]⑴一种玻璃，以用摩尔％表示的组成计，含有50~80%的Si02、2~25%的A1203、0 ~10 % 的 Li20、0 ~18 % 的 Na20、0 ~10 % 的 K20、0 ~15 % 的 Mg0、0 ~5 % 的 CaO和O~5%的ZrO2 ；
[0045](ii) 一种玻璃，以用摩尔％表示的组成计，含有50~74%的Si02、l~10%的Al203、6 ~14% 的 Na20、3 ~11%的1(20、2 ~15% 的 Mg0、0 ~6% 的 CaO 和 O ~5% 的 ZrO2,且SiO2和Al2O3的总含量为75%以下，Na2O和K2O的总含量为12~25%, MgO和CaO的总含量为7~15% ;
[0046](iii) 一种玻璃，以用摩尔％表示的组成计，含有68~80%的Si02、4~10%的Al203、5 ~15% 的 Na20、0 ~1% 的 K20、4 ~15% 的 MgO 和 O ~1% 的 ZrO2 ；
[0047](iv) 一种玻璃，以用摩尔％表示的组成计，含有67~75%的Si02、0~4%的Al203、7 ~15% 的 Na2OU ~9%的1(20、6 ~14% 的 MgO 和 O ~1.5% 的 ZrO2，且 SiO2 和 Al2O3的总含量为71~75%，Na2O和K2O的总含量为12~20%，在含有CaO时其含量小于1%。
[0048]<包含无机物的膜>
[0049]本发明的化学强化用玻璃基板在至少一个面上形成有包含H原子浓度处于1.0XlO15~1.0X IO19个原子/mm3范围的无机物的膜。包含无机物的膜典型地是指氧化物膜、氮化物膜、氟化物膜或金属膜、或者这些膜的层叠膜。
[0050]作为上述氧化物，可举出例如=TiO2和SiO2等无碱氧化物、LiMnO4和BaTiO3等含有碱金属元素或碱土金属元素的复合氧化物以及K2O和Na2O等碱金属氧化物，但并不限定于这些物质。
[0051]作为上述氮化物,可举出例如:Si3N4、AlN和BN，但并不限定于这些物质。
[0052]作为上述氟化物膜，可举出例如=MgF2、CaF2、SrF2和BaF2，但并不限定于这些物质。
[0053]作为上述金属，可举出例如:Ag和Cu，但并不限定于这些物质。
[0054]无碱氧化物是指包含碱金属元素以外的元素的氧化物，包含I种以上碱金属以外的元素的氧化物以及复合氧化物、或2种以上氧化物和复合氧化物的混合氧化物、或者上述氧化物、复合氧化物的层叠体。
[0055]作为无碱氧化物，优选含有包含选自由硅、钛、锡、铝、锌、铬、铜、锰、铁、钴、镍、锆、银、铌、钥、锑和铟组成的组中的至少I种元素的氧化物以及复合氧化物中的至少I种以上的氧化物。
[0056]仅含有氧化物的膜中，也可以含有氮化物、氟化物、硫化物等其他化合物，可以与任意一种元素组合。可以是掺杂有少量镧系元素或锕系元素等的膜。
[0057]作为含有碱金属元素的复合氧化物，可举出例如=LiMnO4或BaTiO3等，但并不限定于这些物质。
[0058]包含无机物的膜中的无机物的含量优选为50质量％以上,更优选为70质量％以上。通过使包含无机物的膜中的无机物的含量为50质量％以上，能够均匀地进行化学强化。
[0059]包含H原子浓度处于1.0XlO15~1.0X IO19个原子/mm3范围的无机物的膜可以仅形成在化学强化用玻璃基板的表面的单面，也可以形成在两面。包含无机物的膜通常优选覆盖玻璃基板的表面的50%以上，更优选覆盖70%以上。
[0060]包含无机物的膜的膜厚通常优选为5~600nm,更优选为10~400nm。通过使膜厚为5~600nm，能够均匀地进行化学强化。
[0061] 关于无机物中的H原子的含量，优选H原子浓度为1.0XlO15~1.0X IO19个原子/mm3的范围，更优选H原子浓度为0.05~5个原子％。通过使无机物中的H原子浓度为1.0 X IO15~1.0 X IO19个原子/mm3，化学强化中的离子的置换变得容易，并且可保证致密的膜。无机物中的H原子浓度可以通过二次离子质谱分析法进行测定。[0062]本发明的化学强化用玻璃基板在至少一个面上形成有包含无机物的膜，通过使无机物中含有H原子，可使膜中的化学结构发生变化而形成离子通道。由此，能够在玻璃基板上形成该膜后进行化学强化处理。
[0063]另外，根据本发明，也能够解决浮法玻璃在化学强化后产生翘曲从而使平坦性受损的问题。该翘曲是由于在浮法成形时未与熔融锡接触的玻璃面(顶面)和与熔融金属(通常为锡)接触的玻璃面(底面)中化学强化的进行程度不同而造成的。
[0064]化学强化玻璃的翘曲的原因在于由于在玻璃的浮法成形时熔融锡侵入接触玻璃面(底面)而产生的影响，底面比顶面更难以进行化学强化，顶面的由化学强化产生的压应力更大，玻璃在顶面侧以凸起的方式产生翘曲。因此，以往一直减小强化应力或者在将底面磨削和研磨后进行化学强化处理。
[0065]根据本发明的化学强化用玻璃基板，通过对形成在玻璃基板上的膜中含有的无机物中的H原子的含量进行调节，能够调节顶面和底面中的离子的扩散速度，能够使顶面和底面的化学强化的进行变得均衡。因此，本发明的化学强化用玻璃基板能够在不减小强化应力或者不在化学强化处理前进行磨削和研磨等处理的情况下减小化学强化后的玻璃基板的翘曲。
[0066]本发明的化学强化用玻璃基板中，为了减小化学强化后的玻璃基板的翘曲，优选在顶面和底面中容易进行化学强化的面、通常为顶面上形成包含无机物的膜。
[0067]另外，可以在顶面和底面这两个面上形成包含无机物的膜，此时，通过在顶面侧的膜和底面侧的膜间调节无机物中的H原子的量或膜厚，能够减小化学强化后的玻璃基板的翅曲。
[0068]<包含无机物的膜的形成方法>
[0069]作为包含无机物的膜的形成方法，可举出例如:常压CVD法和等离子体CVD法等CVD(化学蒸镀、Chemical Vapor Deposition)法、派射法、湿涂法以及蒸镀法。其中，从能够大面积且容易地进行成膜的观点出发，优选CVD法，更优选常压CVD法。
[0070]作为具体的方法，例如对于通过CVD法在玻璃基板上形成包含无机物的膜的情况，以下通过图1所示的示意图进行说明。
[0071]使用大气压CVD法中使用的喷射器10向玻璃基板的表面供给包含无机物源和氧化剂的气体，使无机物源与氧化剂在玻璃基板表面反应，得到形成有包含无机物的膜的玻
璃基板。
[0072]即，将优选0.01~10SLM的优选0.01~50质量％的无机物源与优选I~1000SLM的载气混合而成的气体加热至优选10~200°C后从图1所示的中央狭缝I吹入，从外狭缝2吹入优选0.5~2000SLM的氧化剂和优选I~5000SLM的载气，得到成膜有优选5~600nm的无机物的玻璃基板。关于流量和温度的条件，在此所示的示例仅为一例，只要无机物能够以期望量成膜，则不限定于这些条件。需要说明的是，SLM为standardlitter perminute (标准升每分钟)的简称。
[0073]气体通过流路4在玻璃基板20上流过，排气狭缝5将导入到喷射器中的总气体流量的优选1.0~20倍量排出。气体的温度和流速的测定使用热线风速计(例如加野公司制、夕丨J ? 7 夕一 6543)。
[0074]玻璃基板优选加热至300~700°C。玻璃基板的温度可以在即将要开始吹送气体前设置辐射温度计来测定。
[0075]无机物源优选为无碱源，作为无碱源，优选硅源、钛源、锡源或铟源，但并不限定于这些物质。
[0076]作为硅源，可举出例如=SiH4,SiHCl3' SiH2Cl2' SiH3Cl' SiCl4' Si(CH3)2Cl2' SiBr4,Sil4、SiF4和Si (OC2H5)4等，但并不限定于这些物质。
[0077]作为钛源，可举出例如:Ti (OiPr)4和TiCl4等，但并不限定于这些物质。需要说明的是，(O1Pr)表示异丙氧(iso-propoxy)基。
[0078]作为锡源，可举出例如:SnCl4、n-C4H9SnCl3、乙酸锡、Sn(CH3)JP(CH3)2SnCl2 等，但并不限定于这些物质。
[0079]作为铟源，可举出例如:InCl3、InBr3和In(NO3)3等,但并不限定于这些物质。
[0080]作为氧化剂，可举出例如:02、03、勵、勵2、队0、0)和0)2等。
[0081]作为载气，优选为在常温下不与无机物源和氧化剂反应的气体，可举出例如:N2、空气、H2、02、Ne、Xe、C02、Ar、He和Kr等，它们可以单独使用或组合使用2种以上。其中，优选N2或Ar等惰性气体。
[0082]包含无机物的膜可以为各种功能性膜。作为功能性膜，可举出例如:低反射膜、热吸收膜、热反射膜、UV吸收膜、导电膜和玻璃的防变色(O )膜，但并不限定于这些膜。可以对玻璃基板的两面赋予相同的功能，也可以对玻璃基板的两面赋予不同的功能。
[0083]作为对玻璃基板的两面赋予相同或不同的功能的方法，具体而言，可举出例如:在浮法的退火区域中，向玻璃基板两面的各表面供给能够赋予相同或不同的功能性膜的无机物源和氧化剂，从而能够不改变玻璃组成且通过单一工艺制造在两面具有相同或不同的功能的玻璃基板。通过这样的方法，能够配合通常的玻璃基板的制造方法通过单一工艺在玻璃基板上形成功能性膜，因此，作为成本低且生产率高的工艺非常有用。
[0084]本发明的玻璃基板通过浮法成形，因此，通常能够利用辊输送来输送玻璃基板。浮法中，使用具备熔化玻璃原料的熔炉、使熔融玻璃浮在熔融金属(锡等)上从而成形为玻璃带的浮法槽和对该玻璃带进行退火的退火炉的玻璃制造装置来制造玻璃基板。
[0085]因此，玻璃在熔融金属(锡)浴上成形时，可以从未与金属面接触的一侧向在熔融金属浴上输送的玻璃基板供给无机物源和氧化剂，从而在该玻璃基板表面形成包含无机物的膜。
[0086]与熔融金属(锡)浴相连的退火区域中，玻璃基板通过辊输送进行输送。在此，退火区域不仅包括退火炉内，也包括在浮法槽内从上述熔融金属(锡)浴搬出后被输送至退火炉内为止的部分。退火区域中，可以从未与熔融金属(锡)接触的顶面供给无机物源和氧化剂。或者，也可以从与熔融金属(锡)接触的底面供给无机物源和氧化剂。
[0087]另外，通过CVD法、喷涂法、辊涂法或流涂法等与基于浮法的玻璃制造技术的组合，能够以在线的方式制造在表面上形成有包含无机物的膜的玻璃基板。此时，可以从未与熔融金属(锡)接触的面或未与辊接触的面(顶面)供给包含无机物源和氧化剂的气体而在玻璃基板上形成包含无机物的膜，另外，可以适当地供给液体而在玻璃基板上形成包含无机物的膜。
[0088]本发明的化学强化用浮法玻璃可以在玻璃基板的表面上形成层叠有物性不同的多个膜的多层结构。作为在玻璃基板的表面上形成层叠有物性不同的多个膜的多层结构的方法，具体而言，例如通过在玻璃基板的表面上形成第一层TiO2膜、在TiO2膜上形成第二层二氧化硅膜且在二氧化硅膜上形成第三层SnO2层的方法，可得到包含多层结构的透明导电性氧化物膜。
[0089]〈化学强化处理〉
[0090]化学强化处理可以通过以往公知的方法来进行。另外，优选在化学强化处理前根据用途进行形状加工，例如切割、端面加工和开孔加工等机械加工。需要说明的是，切割等也可以在进行化学强化处理后进行。
[0091]利用化学强化处理，通过浸溃等使玻璃基板与包含离子半径大的金属离子(典型地为K离子)的金属盐(例如硝酸钾)的熔液接触，由此，将玻璃基板中离子半径小的金属离子(典型地为Na离子或Li离子)置换为离子半径大的金属离子。
[0092]化学强化处理例如可以通过将玻璃板在300~550°C的硝酸钾溶液中浸溃5分钟~20小时来进行。离子交换条件可以考虑玻璃的粘度特性、用途、板厚、玻璃内部的拉应力等来选择最适的条件。
[0093]作为用于进行离子交换处理的熔盐，可举出例如:硝酸钾、硫酸钠、硫酸钾、氯化钠和氯化钾等碱金属硫酸盐和碱金属氯化盐等。这些熔盐可以单独使用，也可以组合使用多种。
[0094]本发明中，化学强化处理的处理条件没有特别限定，考虑玻璃的特性和熔盐等来选择最适的条件即可。 [0095]通过对本发明的化学强化用玻璃基板进行化学强化，能够得到在化学强化玻璃基板的表面上具有功能性膜的化学强化玻璃制品。作为这样的化学强化玻璃制品，可举出例如数码相机、手机、PDA和触控面板等显示装置等的保护玻璃以及显示器的玻璃基板。也能够应用于组装到显示装置或设备中的玻璃基板。
[0096]实施例
[0097]以下，对本发明的实施例进行具体说明，但本发明并不限定于这些实施例。
[0098](I)浮法玻璃的制造
[0099]通过浮法将以下组成的玻璃材料制成板厚0.8mm,切割为50X50mm,制造浮法平
板玻璃。
[0100](玻璃材料A)以摩尔％表示含有64.3%的5102、8.0%的八1203、12.5%的似20、4.0% 的 K20,10.5% 的 MgO,0.1 % 的 CaO,0.1 % 的 SrO,0.1 % 的 BaO 和 0.5% 的 ZrO2 的玻璃
[0101](2)化学强化用玻璃基板的制作
[0102]使用大气压CVD法中使用的喷射器10，按照图1所示的示意图，向(I)中制造的浮法平板玻璃的表面供给包含单硅烷(SiH4)、氧气(O2)的气体，使单硅烷与氧气在玻璃基板表面反应，得到形成有SiO2膜的玻璃基板。
[0103]g卩，将0.09SLM的30% SiH4与40.4SLM的氮气(N2)混合而成的气体加热至150°C后以72cm/秒的流速从图1所示的中央狭缝I吹入，从外狭缝2吹送氧气4.1SLM和氮气36.5SLM，得到成膜有32nm的SiO2的玻璃基板。
[0104]气体通过流路4在基板20上流过，排气狭缝5将导入到喷射器中的总气体流量的2倍量排出。气体的温度和流速的测定使用热线风速计(例如加野公司制、々U ? H夕一6543)。[0105]玻璃基板使用旭硝子制铝钠系玻璃(厚度0.8mm、Tg:617°C )。将玻璃基板加热至580°C，以2m/分钟的速度进行输送。玻璃基板的温度通过在即将要开始吹送气体前设置辐射温度计来测定。
[0106](3)化学强化用玻璃基板的包含无机物的膜中的H原子量的测定
[0107]通过二次离子质谱分析法(Secondary ion mass spectrometry:SIMS)测定形成在
(2)中得到的化学强化用玻璃基板的表面上的包含无机物(SiO2)的膜中的H原子量。由SiO2膜的SIMS分布求出SiO2膜中的平均H原子浓度(个原子/cc)，将其作为H原子量。分析条件如下所示。
[0108].装置:ULVAC-PHI 公司制 ADEPT 1010
[0109].一次离子种:Cs+
[0110]?一次离子加速电压:lkV
[0111]?一次离子电流值:IOOnA
[0112]?一次离子栅网尺寸:300Χ300μπι2
[0113]?入射角:60度
[0114]需要说明的是，作为定量用标准试样，使用通过以下条件制作的注入H+的石英玻
3? ο
[0115]?离子种:1H+
[0116]?注入能:3kV
[0117]?注入量:5.5 X IO+14CnT2
[0118]其结果如图2所示。化学强化前的膜中的平均H原子浓度为7.9E+20个原子/cc、即 7.9X IO+20 个原子/cc。
[0119](4)化学强化处理
[0120]利用硝酸钾熔盐在435°C下对(2)中得到的化学强化用玻璃基板进行4小时化学强化处理。
[0121](5)表面应力和压应力层的深度的测定
[0122]对化学强化后的浮法玻璃测定表面应力的平均值(CS、单位为MPa)、压应力层的深度(D0L、单位为μπι)。表面应力的平均值(CS)和压应力层的深度使用折原制作所公司制的表面应力计(FSM-6000LE)进行测定。其结果如表1所示。
[0123]表1
[0124]
【权利要求】
1.一种方法，其中， 在通过浮法成形且具有在成形时与熔融金属接触的底面和与该底面相对的顶面的玻璃基板的至少顶面上形成至少I层包含H原子浓度处于1.0 X IO15~1.0 X IO19个原子/mm3范围的无机物的膜，由此，减小由之后的化学强化处理引起的玻璃基板的翘曲。
2.一种制造化学强化玻璃基板的方法，其特征在于， 在通过浮法成形且具有在成形时与熔融金属接触的底面和与该底面相对的顶面的玻璃基板的至少顶面上形成至少I层包含H原子浓度处于1.0 X IO15~1.0 X IO19个原子/mm3范围的无机物的膜，并对形成有该膜的玻璃基板进行化学强化处理。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于， 所述包含无机物的膜为无碱氧化物。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于， 所述无碱氧化物含有包含选自由硅、钛、锡、铝、锌、铬、铜、锰、铁、钴、镍、锆、银、铌、钥、锑和铟组成的组中的至少I种元素的氧化物以及复合氧化物中的至少I种以上。
5.如权利要求1~4中任一项所述的方法,其特征在于， 所述包含无机物的膜为通过常压CVD法形成的膜。
【文档编号】C03C21/00GK104010983SQ201280064392
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2012年12月13日 优先权日:2011年12月26日
【发明者】冈畑直树, 中川浩司 申请人:旭硝子株式会社