覆盖有金属材料的选择性导电的陶瓷的制作方法

文档序号:1882547阅读:161来源:国知局
覆盖有金属材料的选择性导电的陶瓷的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种制造元件(10,10′,10′′)的方法(21),该方法(21)包括以下步骤:a)形成由基于氧化物的陶瓷制成的体部(11,11′,11′′);b)使所述体部(11,11′,11′′)的外表面(F)的至少一部分(15,15′,15′′)暴露于还原反应,以便去除氧原子至预定深度,从而使所述至少一部分(15,15′,15′′)导电;c)从导电的所述至少一部分(15,15′,15′′)开始沉积金属材料(16,16′,16′′);d)加工所述体部(11,11′,11′′)和/或所述金属材料(16,16′,16′′)以便为所述元件(10,10′,10′′)提供美学外观。本发明涉及钟表领域。
【专利说明】覆盖有金属材料的选择性导电的陶瓷
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种选择性导电的陶瓷,且具体涉及包括金属材料覆盖层的该类型陶瓷。
【背景技术】
[0002]将附着层沉积到陶瓷部件上以附着到陶瓷上以及沉积用于随后的电沉积物附着于其上的润湿层是已知的。
[0003]然而,这两层不仅在沉积期间而且在电镀期间或最终部件使用时可能发生层离。
【发明内容】

[0004]本发明的目的是,通过提出一种基于氧化物的陶瓷来克服全部或部分上述缺陷,所述陶瓷选择性地制造成导电,而不依靠附着层的沉积并且可以不使用润湿层。
[0005]因此,本发明涉及一种制造用于钟表的元件的方法,该方法包括以下步骤:
[0006]a)形成基于氧化物的陶瓷体部;
[0007]b)将体部的外表面的至少一部分暴露于还原反应,以便去除氧原子至预定深度,从而使所述至少一部分导电;
[0008]c)从导电的所述至少一部分开始沉积金属材料;
[0009]d)加工体部和/或金属材料以便为元件提供美学外观。
`[0010]有利地,根据本发明,不再通过在体部的顶部上沉积一层而是通过将形成体部的材料内在破坏至预定深度(即,不存在层离的可能性)来获得导电表面。
[0011]此外,氧原子去除可以是选择性的,即,还原反应的方向性使得氧原子去除能够限于外表面的全部或一部分。
[0012]根据本发明其它有利特征:
[0013]-步骤a)通过烧结实现;
[0014]-步骤b)通过等离子体蚀刻实现;
[0015]-在步骤b)中使用的等离子体包括氢气和中性气体的电离混合物;
[0016]-氧原子去除(还原反应)的预定深度在25nm与10μ m之间;
[0017]-在步骤b)期间,体部的整个外表面暴露于还原反应;
[0018]-根据第二实施例,在步骤a)和步骤b)之间,该方法包括在体部的一个表面中蚀刻出至少一个凹部的步骤e),以便步骤c)完全充填所述至少一个凹部,其中,至少一个凹部中的每个都形成装饰物的图案腔;
[0019]-步骤e)通过激光执行;
[0020]-步骤e)执行到在80μ m与200 μ m之间的深度,以便提高附着力;
[0021]-至少一个凹部中的每个都包括连续的、至少部分地弯曲的表面(不具有边缘),以有利于步骤c )的实施;
[0022]-根据第三实施例,在步骤e)之后,该方法包括蚀刻出与所述至少一个凹部连通的至少一个孔以形成锚固装置的步骤f),以便步骤C)完全充填所述至少一个凹部并至少部分地充填所述至少一个孔;
[0023]-所述至少一个孔贯穿所述元件,使得它可在步骤c)中由金属材料至少部分地充填,以便增加与所述元件的接触表面;
[0024]-所述至少一个孔的直径随着所述孔进一步远离所述至少一个凹部而逐渐增大,以便相对于所述元件保持所述金属材料;
[0025]-步骤f)通过从与用于接纳所述至少一个凹部的表面相对的表面定向激光束而通过激光实现;
[0026]-根据这些实施例的一个变型,在步骤c)之前,该方法包括形成一构件的步骤g)和将该构件组装到体部上的步骤h),以便步骤c)通过经由所述金属材料相对于所述体部锁定所述构件而确保所述构件组装到所述体部上;
[0027]-该构件由与体部相同类型的材料或由金属材料形成;
[0028]-步骤c)通过电镀、烧结或铸造实现;
[0029]-体部由金属氧化物形成。
[0030]本发明还涉及一种用于钟表的陶瓷元件,其特征在于,该陶瓷元件包括基于氧化物的体部,其外表面的至少一部分具有低氧原子含量并覆盖有金属材料以形成功能部分。
[0031]根据本发明其它的有利特征:
[0032]-所述兀件的体部形成表壳和/或表链和/或表圈和/或表盘和/或表镜和/或按钮和/或表冠和/或桥夹板和/或机板和/或振荡摆锤的全部或一部分;
[0033]-功能部分形成装饰物和/或接触表面。
【专利附图】

【附图说明】
[0034]从下面参照附图通过非限制性说明给出的描述中,可以清楚地发现其它特征和优点,在附图中:
[0035]-图1是根据本发明的钟表的图;
[0036]-图2至4是根据本发明的第一实施例的制造方法的连续步骤;
[0037]-图5至7是根据本发明的第二实施例的制造方法的连续步骤;
[0038]-图8至10是根据本发明的第三实施例的制造方法的连续步骤;
[0039]-图11是根据本发明的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0040]图1所示的示例示出了总体上由I指示的钟表,该钟表包括至少一个元件10。每个元件10旨在形成非常耐磨的部分,包括至少一个至少部分为金属的装饰物13,该装饰物I的视觉质量提高,特别是在对比度方面。
[0041]根据本发明的元件10可形成钟表1的外部部件的全部或一部分。因此,元件10可以形成表壳2、表链3、表圈4、表盘5、表镜6、按钮7和/或表冠8的全部或一部分。在以下说明的示例中,将参考包括装饰物13的环对本发明进行说明,装饰物13可以是镶嵌的或不是镶嵌的,装饰物13形成表圈4的刻度。也可以形成用于钟表机芯的元件10,该元件可以是镶嵌的或不是镶嵌的,例如桥夹板和/或机板和/或振荡摆锤。[0042]如图1至10所示,陶瓷元件10、10'、10''包括基于氧化物的体部11、11'、
11’ ',其外表面F的至少一部分15、15'、15''具有低氧原子含量并覆盖有金属材料
16、16'、16',以形成诸如装饰物和/或接触表面的功能部分。
[0043]图示出本发明的第二和第三实施例的图7和10显示出,体部11'、1广'还可包括形成装饰物13的图案腔的至少一个凹部12,以用于接纳金属材料16'、16''。这些构型保护了金属材料16'、16''在体部11'、11''中的每次沉积。
[0044]因此,显然,有利地,根据本发明,金属材料16、16'、16''可沉积成任何形状,例如几何图形或字母数字字符。
[0045]优选地,根据本发明,体部11、11’、11’,由不导电的基于金属氧化物的材料形成。体部11因此可例如由基于氧化锆和/或氧化铝和/或硅石的材料形成。
[0046]在图4所示的第一实施例中,通过从体部11的外表面F的一部分15去除氧原子而使体部11选择性导电。在体部11中以预定深度执行该去除,所述预定深度根据金属材料16的期望类型可在25nm与10 μ m之间变化。
[0047]因此,显然,不再通过在体部11的顶部上沉积一层(即,这可能引起层离),而是通过将体部11的材料内在破坏至预定深度(即,不存在层离的可能性),来获得导电表面。
[0048]此外,有利地,根据本发明,氧原子去除可以是选择性的,即,还原反应的方向性允许氧原子去除限于外表面F的全部或一部分。
[0049]如图4所示,根据第一实施例的元件10因此包括基于氧化物的陶瓷体部11,该体部11选择性地覆盖有金属材料沉积物16以形成功能部分,例如装饰物13和/或接触表面。材料16可以是电镀、烧结或铸造型材料。
[0050]在图7所示的第二实施例中,镶嵌陶瓷元件1(V包括具有至少一个凹部12的体部11',凹部12形成用于装饰物13的图案腔。与第一实施例一样,通过从外表面F的一部分15'去除氧原子而使体部11'选择性导电。在体部11'中以预定深度执行该去除,所述预定深度根据金属材料16'的期望类型可在25nm与10 μ m之间变化。
[0051]因此,显然,不再通过在体部11’的顶部上沉积一层(即,这可能引起层离),而是通过将体部Ir的材料内在破坏至预定深度(即,不存在层离的可能性),来获得导电表面。
[0052]此外,有利地,根据本发明,氧原子去除可以是选择性的,即,还原反应的方向性允许氧原子去除限于外表面F的全部或一部分。在图6和7的示例中,可以看到,已在凹部12处选择性地执行了该去除。
[0053]如图7所示,根据第二实施例的元件10'因此包括基于氧化物的陶瓷体部11’,陶瓷体部IP包括凹部12,凹部12已至少部分地充填有金属材料沉积物16'以形成功能部分,例如装饰物13和/或接触表面。材料16'可以是电镀、烧结或铸造型材料。
[0054]为了改善装饰物13在体部11’中的附着,凹部12优选具有在80 μ m与200 μ m之间的深度。
[0055]此外,出于金属沉积物附着的目的,优选地,每个凹部12具有连续的、至少部分地弯曲的表面,即,其内表面不包括任何边缘。
[0056]在图10所示的第三实施例中,陶瓷元件1(V丨包括具有至少一个凹部12的体部11'',凹部12形成用于装饰物13的图案腔。元件10''还包括用于所述至少一个金属装饰物13的锚固装置,锚固装置与所述至少一个凹部12连通以便改善所述至少一个装饰物13相对于所述元件10''的锚固。锚固装置优选包括贯穿所述元件10''并至少部分地由所述金属材料沉积物16',充填的至少一个孔14。
[0057]与第一和第二实施例中一样,通过从外表面F的一部分15''去除氧原子而使体部11' ’选择性导电。在体部11' ’中以预定深度执行该去除,所述预定深度根据金属材料16' ’的期望类型可在25nm与10 μ m之间变化。
[0058]因此,显然,不再通过在体部11 '的顶部上沉积一层(即,这可能引起层离),而是通过将体部11' ’的材料内在破坏至预定深度(即,不存在层离的可能性),来获得导电表面。
[0059]此外,有利地,根据本发明,氧原子去除可以是选择性的,即,还原反应的方向性允许氧原子去除限于外表面F的全部或一部分。在图9和10的示例中,可以看到,已在整个表面F (B卩,包括凹部12和孔14)上选择性地执行了去除。
[0060]如图10所示,根据第三实施例的元件10''因此包括基于氧化物的陶瓷体部Ili ',陶瓷体部11''包括凹部12,凹部12已完全充满金属材料沉积物16''以形成功能部分,例如装饰物13和/或接触表面,其中,金属材料沉积物16''通过孔14可靠地锚固。材料16''可以是电镀、烧结或铸造型材料。
[0061]在图10所示的示例中,还可看到,孔14的直径可随着孔14进一步远离所述至少一个凹部12而逐渐增大,以便相对于元件10''保持金属材料16''。实际上,在孔14基本上呈圆锥形的情况下,由于在凹部12中开口的孔14的直径比孔14的其余部分的直径小,因此不再能去除装饰物13。
[0062]为了改善装饰物13在体部11''中的附着,凹部12优选具有在80μπι与200μπι之间的深度。
[0063]此外,出于金属沉积物附着的目的,优选地,每个凹部12具有连续的、至少部分地弯曲的表面,即,其内表面不包括任何边缘。
[0064]最后,如上所述,在每个孔14基本呈圆锥形的情况下,由于在凹部12中开口的孔14的直径比孔14的其余部分的直径小,因此不再能去除装饰物13。优选地,每个孔14可因此在凹部12的底 部具有基本等于1OOym的直径并最终在与体部11''相对的表面P上具有基本等于120 μ m或更大的直径。
[0065]不论使用本发明的哪一个实施例,每个装饰物13的视觉呈现主要经由沉积物16、16'、16''的颜色获得。因此,所使用的金属材料16、16'、16''将优选由其颜色或更一般地其美学外观决定。因此,金属材料16、16'、16''可包括金和/或铜和/或银和/或铟和/或钼和/或钯和/或镍。
[0066]举例而言,因此可以通过给体部11、11'、11 '以闪亮外观并给每种金属材料
16、16'、16''以光滑外观来获得复杂的视觉呈现。此外,每种金属材料16、16'、16''可由同一种金属形成以提供均一的外观。然而,还可以设想每种金属材料16、16'、16''使用多种不同金属,例如以便给两个装饰物以不同颜色,例如在图1的情况下一种颜色用于标记且另一种颜色用于字母数字字符。
[0067]为了使颜色一致,还可以设想由与体部11、11'、11' ,周围的材料相同的材料形成装饰物13。因此,在图1的示例性实施例中,可以使表圈4的装饰物13的材料与表壳2、表链3、表圈4的其余部分、表盘5、按钮7和/或表冠8的材料相同。[0068]有利地,根据本发明,可以使用材料16、16'、16' 1来将一构件固定在体部11、11`、11 '上。实际上,根据上述实施例,在金属材料16、16'、16''的沉积期间,例如由与体部11、1Ρ、1” '相同类型的材料或金属材料形成的构件可相对于体部11、1Ρ、11,'锁定。该变型将提供装饰物13的形状和材料的多样性。
[0069]最后,可选地,根据本发明,镶嵌元件10、10'、10''还可提供可选的基本上透明的层,以便保护每种金属材料16、16'、16''和可能地每个构件以免老化。该层可例如包括特别是氮化硅以保护每种金属材料16、16'、16''以及在适合的情况下保护每个构件以免失去光泽,尤其是在所述材料或部件含银时。
[0070]现在将参照图2至11说明制造陶瓷元件10、10'、10''的方法21。 [0071]在图11中用单线条示出的第一实施例中,在第一步骤20中,方法21在于形成例如氧化锆的体部11。如从图2到图3的变化部分地示出的,步骤20的最终体部11优选通过烧结(即,经由注射工艺从生坯17)获得。在步骤20结束时,图3中可见的体部11具有其最终尺寸。
[0072]如图11所示,方法21包括第二步骤22,该第二步骤用于使体部11的外表面F的至少一部分15暴露于还原反应,以便去除氧原子至预定深度,从而使所述至少一部分15导电。
[0073]根据本发明,步骤22优选通过等离子体蚀刻执行。然而,可使用去除氧原子的任何替代手段。
[0074]优选地,在步骤22中使用的等离子体包括蚀刻全部或一部分体部11的氢气和中性气体的电离混合物(ionised mixture)。
[0075]有利地,根据本发明,根据所使用的金属材料16,氧原子去除的预定深度在25nm与10 μ m之间。因此,显然,在步骤22中,可以选择使体部11的整个外表面F暴露于还原反应。
[0076]如图11所示,根据第一实施例的方法21包括第三步骤24,该第三步骤用于从体部11的面F的导电部分15开始沉积金属材料16,以如图4所示覆盖面F的全部或一部分。步骤24可例如通过电镀、烧结或铸造实现。
[0077]如上所述,根据颜色或更一般地期望的视觉呈现,在步骤24中沉积的金属材料16包括金和/或铜和/或银和/或铟和/或钼和/或钯和/或镍。
[0078]最后,在第四步骤26中,方法21以加工体部11和/或金属材料16以在美学上完成元件10结束。带覆盖层的元件10因此加工完成且仅需组装在最终部件中。该步骤26可通过常规的表面加工方法、例如磨削或研磨以去除任何多余材料并接着进行抛光来获得。
[0079]如上所述,该方法还可在步骤24前包括形成一构件并然后将该构件组装到体部11上的步骤。因此,显然,步骤24通过经由所述金属材料相对于所述体部锁定该构件而确保该构件组装到体部11上。因此,体部和/或构件可包括将由金属材料16覆盖的至少一个平的或不平的几何形状以便确保组装。
[0080]举例而言,该构件可由与体部11相同类型的材料形成,即,由在步骤20中获得的陶瓷或由在步骤20和22中变得导电的陶瓷或甚至由金属材料形成。
[0081 ] 最后,根据本发明的方法21还可包括可选的最终步骤28,该步骤28用于沉积基本上透明的层,以便保护每种金属材料16以及在适合的情况下每个构件以免老化。该层可例如包括氮化硅以防止金属材料16以及在适合的情况下每个构件以免失去光泽,尤其是在它们主要由基于银的材料形成时。
[0082]根据图11中用双线条示出的第二实施例,第一步骤20与第一实施例的相同。如图11所示,根据第二实施例的方法21包括第二步骤23,该第二步骤用于在陶瓷体部11'的表面F中蚀刻出至少一个盲凹部12,该凹部12形成用于后续的装饰物13的图案腔,如图5所示。
[0083]优选地,每个凹部12具有在80μπι与200μπι之间的深度。此外,优选地,每个凹部12具有连续的、至少部分地弯曲的表面,以有利于实施下述沉积步骤24。优选通过利用激光的破坏性辐射实施步骤23,以便获得非常精确的蚀刻。
[0084]如图11所示,根据第二实施例的方法包括第三步骤22,该第三步骤用于使体部11'的外表面F的至少一部分15'暴露于还原反应,以便去除氧原子至预定深度,从而使所述至少一部分15'导电,这与第一实施例具有相同的特征、相同的技术效果和相同的优点。
[0085]因此,显然,在步骤22中,可以选择使体部11'的外表面F的全部或一部分暴露于还原反应。在图6和7所示的示例中,可以看到,已在凹部12中选择性地执行了氧原子去除。
[0086]如图11所示,根据第二实施例的方法21包括第四步骤24,该第四步骤用于从体部
11,的表面F的导电部分15'开始沉积金属材料16',以如图6所示覆盖面F的全部或一部分,这与第一实施例具有相同的特征、相同的技术效果和相同的优点。步骤24可例如通过电镀、烧结或铸造实现。
[0087]应该指出的是,有利地,根据本发明,材料16,可因此不完全充填每个凹部12,即,某些凹部12可以不充填,或者某些凹部与相关的凹部12相比可以仅充填较小的深度和/或截面。因此,显然,可以节省金属材料16并节省步骤26的时间(要加工的材料更少)。
[0088]最后,在图11所示的第五步骤26中,方法21以加工体部11'和/或金属材料16'以便为元件10'提供美学外观而结束。带覆盖层的和/或镶嵌的元件10'因此加工完成且仅需组装到最终部件中。该步骤26可以以与第一实施例中相同的特征、相同的技术效果和相同的优点获得。
[0089]如上所述,根据第二实施例的方法还可在步骤24前包括形成一构件并然后将该构件组装到体部IP上的步骤。因此,显然,步骤24通过经由所述金属材料相对于所述体部锁定该构件而确保该构件组装到体部IP上。因此,体部和/或构件可包括将由金属材料16'覆盖的至少一个平的或不平的几何形状以便确保组装。
[0090]举例而言,该构件可由与体部11'相同类型的材料形成,即,由在步骤20中获得的陶瓷或由在步骤20和22中变得导电的陶瓷或甚至由金属材料形成。
[0091]最后,根据第二实施例的方法21还可提供最终的可选步骤28,该步骤用于沉积基本上透明的层,以便保护每种金属材料16'以免老化,这与第一实施例具有相同的特征、相同的技术效果和相同的优点。
[0092]根据图11中用三线条示出的第三实施例,第一步骤20与第一实施例的相同。如图11所示,根据第三实施例的方法21包括第二步骤23,该第二步骤用于在陶瓷体部11'的一个表面F中蚀刻出至少一个盲凹部12,该凹部12形成用于未来装饰物13的图案腔,如图8所示,这与第二实施例具有相同的特征、相同的技术效果和相同的优点。
[0093]如图11所示,根据第三实施例的方法21继续第三步骤25,该第三步骤用于蚀刻出与每个凹部12连通的至少一个孔14,以便形成固定装置。如图8所示,根据每个凹部12的形状和跨度,为每个凹部12形成一个或多个孔14。步骤25优选通过利用激光的破坏性辐射实施,以便获得非常精确的蚀刻。
[0094]根据本发明,每个孔14贯穿元件10''的体部11' ',以便它在步骤24中可至少部分地由金属材料16''充填以增加与所述元件的表面接触。实际上,特别显然的是,材料可因此在凹部12的“前方”和“后方”流动,即,它可在步骤24中随时沉积在每个凹部12和每个孔14中。
[0095]最后,如图8所示,每个孔14的直径随着孔14进一步远离所述至少一个凹部12而逐渐增大,以便相对于元件10''保持将来的金属材料16''。实际上,如上所述,在每个孔14基本上呈圆锥形的情况下,由于在凹部12中开口的孔14的直径比孔14的其余部分的直径小,因此不再能去除每种金属材料16''。优选地,每个孔14可因此在凹部12的底部具有基本等于100 μ m的直径并最终在与体部IP '相对的表面P上具有基本等于120 μ m或更大的直径。
[0096]优选地,有利地,根据本发明,通过从相对表面P定向激光束以便立即以圆锥形方式(即,最大直径位于与相对表面P的接合处)形成所述至少一个孔14来实现步骤25。
[0097]如图11所示,根据第三实施例的方法包括第四步骤22,该第四步骤用于使体部
11,/的外表面F的至少一部分15',暴露于还原反应,以便去除氧原子至预定深度,从而使所述至少一部分15',导电,这与第一和第二实施例具有相同的特征、相同的技术效果和相同的优点。
[0098]因此,显然,在步骤22中,可以选择使体部11'丨的外表面F的全部或一部分暴露于还原反应。在图9和10所示的示例中,可以看到,已在整个表面F(即,包括凹部12和孔14)上选择性地执行了氧原子去除。
[0099]如图11所示,根据第三实施例的方法21包括第五步骤24,该第五步骤用于从体部
11,'的表面F的导电部分15''开始沉积金属材料16'',以如图9所示覆盖表面F的全部或一部分,这与第二实施例具有相同的特征、相同的技术效果和相同的优点。步骤24可例如通过电镀、烧结或铸造实现。
[0100]为了有利于这些充填操作,优选经由搅拌或振动强制地更新凹部12和孔14中的材料,以防止在充填凹部12和孔14时产生任何问题。
[0101]应该指出的是,有利地,根据本发明,材料16''因此可以不完全充填每个凹部12和/或每个孔14,即,不具有孔14的某些凹部12可以不充填,或者某些凹部和/或孔14与相关的凹部12和/或孔14相比可以仅充填较小的深度和/或截面。因此,显然,可以节省金属材料16',并节省步骤26的时间(要加工的材料更少)。
[0102]最后,在图11所示的第六步骤26中,方法21以加工体部11''和/或金属材料16',以给元件10',提供美学外观而结束。带覆盖层的和/或镶嵌的元件10',因此加工完成且仅需组装到最终部件上。该步骤26可以以与第一和第二实施例中相同的特征、相同的技术效果和相同的优点来获得。
[0103]如上所述,根据第三实施例的方法还可在步骤24前包括形成一构件并然后将该构件组装到体部Ir '上的步骤。因此,显然,步骤24通过经由所述金属材料相对于所述体部锁定该构件而确保该构件组装到体部IP '上。因此,体部和/或构件可包括将由金属材料16' /覆盖的至少一个平的或不平的几何形状以便确保组装。
[0104]举例而言,该构件可由与体部11' /相同类型的材料形成,即,由在步骤20中获得的陶瓷或由在步骤20和22中变得导电的陶瓷或甚至由金属材料形成。
[0105]最后,根据第三实施例的方法21还可提供最后的可选步骤28,该步骤用于沉积基本上透明的层,以便保护每种金属材料16',以免老化,这与第一和第二实施例具有相同的特征、相同的技术效果和相同的优点。
[0106]当然,本发明并不限于所说明的示例,而是包括对本领域技术人员而言显而易见的各种变型和改动。特别是,根据电沉积物的附着能力,可在如图11所示的步骤22与步骤24之间提供沉积用于电沉积物的可选润湿层的步骤27。
[0107]因此,可在每种金属材料16、W'与体部11、11'、11' '之间沉积例如基本上50nm的层。根据沉积润湿层的方法,可设想多种类型的材料,例如,金和/或铜和/或银和/或铟和/或钼和/或钯和/或镍。
[0108]此外,在步骤23中形成凹部12也可与在步骤25中形成孔14调换,而不丧失本发明的优点。也可设想,如果精度和废品率可以接受,则可以用另一类型的蚀刻代替在步骤23和/或步骤25中的激光蚀刻。
[0109]最后, 根据本发明的元件10、10'、10''的应用并不限于钟表1。因此,元件10、10'、10''例如可应用于珠宝首饰或甚至应用于餐具。
【权利要求】
1.一种制造用于钟表的元件(10,10',10'')的方法(21),包括以下步骤: a)形成由基于氧化物的陶瓷制成的体部(11,11',Ili '); b)使所述体部(11,11',1 ')的外表面(F)的至少一部分(15,15',15'')暴露于还原反应,以便去除氧原子至预定深度,从而使所述至少一部分(15,15',15'')导电; c)从导电的所述至少一部分(15,15',15'')开始沉积金属材料(16,16',16' 1 ); d)加工所述体部(11,11',11'')和/或所述金属材料(16,16',16''),以便为所述元件(10,10',10'')提供美学外观。
2.根据权利要求1所述的方法(21),其特征在于,步骤a)通过烧结实现。
3.根据权利要求1所述的方法(21),其特征在于,步骤b)通过等离子体蚀刻实现。
4.根据权利要求3所述的方法(21),其特征在于,在步骤b)中使用的等离子体包括氢气和中性气体的电离混合物。
5.根据权利要求1所述的方法(21),其特征在于,氧原子去除的预定深度在25nm与10 μ m之间。
6.根据权利要求1所述 的方法(21),其特征在于,在步骤b)中,使所述体部(11,11',11'')的整个外表面(F) 暴露于还原反应。
7.根据权利要求1所述的方法(21),其特征在于,在步骤a)和步骤b)之间,所述方法包括以下步骤: e)在所述体部(1,1')的一个表面(F)中蚀刻出至少一个凹部(12),所述至少一个凹部中的每个都形成用于装饰物(13)的图案腔; 并且,步骤c)完全充填所述至少一个凹部。
8.根据权利要求7所述的方法(21),其特征在于,步骤d)通过激光实现。
9.根据权利要求7所述的方法(21),其特征在于,步骤e)执行到在80μ m与200 μ m之间的深度,以便提高附着力。
10.根据权利要求7所述的方法(21),其特征在于,所述至少一个凹部(12)中的每个都包括连续的或至少部分地弯曲的表面(R),以便有利于步骤c)的实施。
11.根据权利要求7所述的方法(21),其特征在于,在步骤e)之后,所述方法包括以下步骤: f)蚀刻出与所述至少一个凹部(12)连通的至少一个孔(14),以便形成锚固装置; 并且,步骤c)完全充填所述至少一个凹部(12)且至少部分地充填所述至少一个孔(14)。
12.根据权利要求11所述的方法(21),其特征在于,所述至少一个孔(14)贯穿所述元件且在步骤c)中由所述金属材料(16',)至少部分地充填,以便增加与所述元件的接触表面。
13.根据权利要求12所述的方法(21),其特征在于,所述至少一个孔(14)的直径随着所述孔进一步远离所述至少一个凹部(12)而逐渐增大,以便相对于所述元件保持所述金属材料(16' ’ )。
14.根据权利要求11所述的方法(21),其特征在于,步骤f)通过从与用于接纳所述至少一个凹部(12)的表面(F)相对的表面(P)定向激光束而通过激光实现。
15.根据权利要求1所述的方法(21),其特征在于,在步骤c)之前,所述方法包括以下步骤: g)形成一构件; h)将所述构件组装到所述体部(11,11',11'')上; 并且,步骤c)通过经由所述金属材料相对于所述体部锁定所述构件而确保所述构件组装到所述体部(11,11',11'')上。
16.根据权利要求15所述的方法(21),其特征在于,所述构件由与所述体部(11,11',Ili ,)相同类型的材料形成。
17.根据权利要求15所述的方法(21),其特征在于,所述构件由金属材料形成。
18.根据权利要求1所述的方法(21),其特征在于,步骤c)通过电镀、烧结或铸造实现。
19.根据权利要求1所述的方法(21),其特征在于,所述体部(11,11',11',)由金属氧化物形成。
20.—种用于钟表(I)的陶瓷元件(10,10',10''),其特征在于,所述元件包括基于氧化物的体部,11''),其外表面(F)的至少一部分(15,15',15'')具有低氧原子含量并覆盖有金属材料(16,16' ,16'')以便形成功能部分。
21.根据权利要求20所述的元件(10,10',10',),其特征在于,所述元件的所述体部(11,11',Ili ')形成表壳(2)和/或表链(3)和/或表圈(4)和/或表盘(5)和/或表镜(6)和/或按钮(7)和/表冠(8)和/或桥夹板和/或机板和/或振荡摆锤的全部或一部分。
22.根据权利要求20或21所述的元件(10,10',10''),其特征在于,所述功能部分形成装饰物(13)和/或接触表面。
【文档编号】C04B41/88GK103771907SQ201310506924
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年10月24日 优先权日:2012年10月24日
【发明者】G·普兰克尔特, P·维利 申请人:斯沃奇集团研究和开发有限公司
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