用于支持基板处理腔室的框架结构及直列式基板处理系统的制作方法
【专利摘要】本文描述的实施方式涉及用于支持基板处理腔室的框架结构及直列式基板处理系统。在一个实施方式中，提供了一种用于支持基板处理腔室的框架结构。所述框架结构包括第一侧，用一或多个支撑件耦合到所述第一侧的第二侧，以及在所述框架结构内形成在所述第一侧和所述第二侧之间的分叉的内部体积。所述分叉的内部体积包括邻近所述第一侧的紧凑的支撑设备区域，以及形成在所述紧凑的支撑设备区域和所述第二侧之间的通道区域。直列式基板处理系统，包括：多个处理腔室，所述多个处理腔室以大体上直线排列的方式设置，所述多个处理腔室中的至少一部分是用负载锁定腔室分隔开的，其中所述负载锁定腔室中的至少一个负载锁定腔室包括支撑框架结构。
【专利说明】用于支持基板处理腔室的框架结构及直列式基板处理系统
【技术领域】
[0001] 本实用新型的实施方式一般地涉及一种允许以高产量、减少的基板污染可能性在 多个处理腔室中在基板上形成电子装置的处理系统。更具体来说，本文公开的实施方式涉 及一种框架，所述框架至少部分地支持具有走道接触区域的腔室，所述走道接触区域允许 工作人员穿过所述走道接触区域。
【背景技术】
[0002] 在基板上电子装置（诸如，用于平板显示器（FPD' s)的薄膜晶体管（TFT's)、用于 太阳能电池的p-n结，以及其他电子装置）的制造中，基板经受许多工艺。为了制造所述电 子装置，必须顺序地执行多个工艺。尽管可以在常见的处理腔室中在各个基板上执行所述 工艺中的各个工艺，但是产量将会非常低。
[0003] 可以在多个处理腔室中执行所述工艺，藉此在完成一个工艺之后所述基板从一个 处理腔室传递到另一处理腔室以进行另一工艺。处理腔室的数量可能等于顺利形成所述电 子装置所必须的工艺的数量。
[0004] 然而，在多个处理腔室之间传递所述基板可能是有害的，因为当从所述多个腔室 去除所述基板时所述基板可能容易被污染。
[0005] 因此，在本领域中存在对一种允许以高产量、减少的基板污染可能性在多个处理 腔室中在基板上形成电子装置的处理系统的需要。 实用新型内容
[0006] 本文描述的实施方式涉用于支持基板处理腔室的框架结构及直列式基板处理系 统。
[0007] 在一个实施方式中，提供了一种用于支持基板处理腔室的框架结构。所述框架结 构包括第一侧，用一或多个支撑件耦合到所述第一侧的第二侧，以及在所述框架结构内形 成在所述第一侧和所述第二侧之间的分叉的内部体积。所述分叉的内部体积包括邻近所述 第一侧的紧凑的支撑设备区域，以及形成在所述紧凑的支撑设备区域和所述第二侧之间的 通道区域。
[0008] 在另一实施方式中，提供了一种直列式基板处理系统。所述处理系统包括多个处 理腔室，所述多个处理腔室以大体上直线排列的方式设置，所述多个处理腔室中的至少一 部分是用负载锁定腔室分隔开的，其中所述负载锁定腔室中的至少一个负载锁定腔室包括 支撑框架结构。所述框架结构包括邻近所述框架结构的第一侧的紧凑的支撑设备区域，以 及形成在所述紧凑的支撑设备区域和所述框架结构的第二侧之间的通道区域。
[0009] 在另一实施方式中，提供了一种直列式基板处理系统。所述处理系统包括多个处 理腔室，所述多个处理腔室以大体上直线排列的方式设置，所述多个处理腔室中的至少一 部分是用负载锁定腔室分隔开的，其中所述负载锁定腔室中的至少一个负载锁定腔室包括 支撑框架结构。所述框架结构包括第一侧，用一或多个支撑件耦合到所述第一侧的第二侧， 以及在所述框架结构内形成在所述第一侧和所述第二侧之间的分叉的内部体积。所述分叉 的内部体积包括邻近所述第一侧的紧凑的支撑设备区域，以及通道区域，所述通道区域的 大小调整为允许人穿过所述通道区域，所述通道区域形成在所述紧凑的支撑设备区域和所 述第二侧之间。
【专利附图】
【附图说明】
[0010] 因此，可详细理解本实用新型的上述特征结构的方式，即上文简要概述的本实用 新型的更具体描述可参照实施方式进行，一些实施方式图示于附加图式中。然而，应注意， 附图仅图示本实用新型的典型实施方式，且因此不应被视为本实用新型范围的限制，因为 本实用新型可允许其他等效的实施方式。
[0011] 图1是处理系统的示意性平面图。
[0012] 图2A是负载锁定腔室和框架结构沿着图1的线2A-2A的侧视图。
[0013] 图2B是负载锁定腔室和框架结构沿着图1的线2B-2B的侧视图。
[0014] 图3是图2A和图2B的框架结构的等轴视图。
[0015] 为了促进理解，已尽可能使用相同附图标记指定各图所共有的相同元件。还可以 设想的是在一个实施方式中公开的元件也可以在其他实施方式中使用，此处不再进行特定 详述。
【具体实施方式】
[0016] 图1是被描述为直列式处理系统100的处理系统的示意性平面图。所述直列式处 理系统100包括多个处理平台105A、105B、105C、10ro和105E，所述多个处理平台耦合到中 央传递腔室120。所述中央传递腔室120的至少一部分经由负载锁定腔室110A、110B、110C 和1100分隔。所述负载锁定腔室11(^、11(?、110(：和1100促进基板在所述处理平台105八、 105B、105C、l〇ro和105E之间传递，并且防止基板暴露于所述直列式处理系统100以外的环 境。
[0017] 所述处理平台105A、105B、105C、10ro和105E中的每一个可包括单一处理腔室，所 述单一处理腔室适用于在基板上执行不同的工艺。在图1所图示的实施方式中，处理平台 105A、105B、105C、l〇ro 和 105E 中的每一个包括多个处理腔室 115A、115B、115C、liro、115E 和115F，基板在所述多个处理腔室中处理。所述处理腔室115A-115F可配置用于沉积工艺、 蚀刻工艺、热力学工艺等等，以在基板上形成电子装置的部分。使用多个处理腔室115A、 115B、115C、115D、115E 和 115F 以及链接多个处理平台 105A、105B、105C、l〇ro 和 105E 显著 地增加了产量，同时降低了所述系统的占位（footprint)。
[0018] 在所述直列式处理系统100中，每一中央传递腔室120可包括具有传递机械手 (未示出）的内部体积，所述传递机械手在所述负载锁定腔室110A-110D与耦合到所述负 载锁定腔室的所述处理腔室115A、115B、115C、115D、115E和115F中的一或多个处理腔室 之间传递基板。所述处理腔室115A-115F、所述中央传递腔室120,和所述负载锁定腔室 110A-110D通常是维持在真空压力。在基板传递期间，可以在所述处理腔室115A-115F、所 述中央传递腔室120和所述负载锁定腔室110A-110D之间提供分段式真空。
[0019] 例如，所述处理腔室115A、115B、115C、115D、115E和115F通常是维持在第一压 力，而所述传递腔室120通常是维持在第二压力，所述第二压力略小于所述第一压力。因 此，形成压力差以使得在基板传递期间在所述中央传递腔室120中可能存在的任何颗粒 将不会被吸入所述处理腔室115A-115F。同样地，所述负载锁定腔室110A-110D可维持在 第三压力，所述第三压力略小于所述第二压力，以使得在基板传递期间所述负载锁定腔室 110A-110D中可能存在的颗粒将不会被吸入所述中央传递腔室120。所述负载锁定腔室 110A-110D由此保护所述基板免于接触周围环境，并且所述分段式真空防止颗粒进入所述 处理腔室115A-115F，这保护所述基板和形成在所述基板上的电子装置的完整性。
[0020] 图2A是负载锁定腔室110B沿着图1的线2A-2A的侧视图。所述负载锁定腔室 110B被支持在框架结构200上，所述框架结构200具有耦合到多个水平支撑件205B的多个 垂直支撑件205A。所述框架结构200包括分叉的内部体积。例如，第一空间210A在所述 框架结构200内界定为邻近所述框架结构200的第一侧215A，以存储用于所述负载锁定腔 室110B的操作的支撑设备。此外，第二空间210B在所述框架结构200内界定为邻近所述 框架结构200的第二侧215B。所述第二空间210B界定大小适于人穿过的走道接触入口。
[0021] 邻近所述框架结构200的第一侧215A，多个支撑设备以不会显著干扰所述第二空 间210B的体积的方式而沿着所述第一侧215A的平面安装。例如，所述支撑设备可包括应 用水位面板（utility water panel) 225、通风孔盖板230,以及设置在控制器机架240下面 的一或多个储气罐235。在所述第一空间210A内的所述支撑设备经调整大小和嵌套以有效 地使用第一空间210的体积。不能在所述第一空间210A内缩减和/或嵌套的所述支撑设 备的元件，诸如电源箱240和气动控制面板245,在所述第一空间210A中是在与所述第一侧 215A的平面大体上垂直的平面中设置。
[0022] 再次参看图1，所述框架结构200用于允许工作人员从点A行进到点B，而无需绕 所述直列式处理系统1〇〇行进。尽管梯子和走道可起同样的作用，但是这些结构有时会引 起安全性风险。因此，行进时间减少并且安全性提高，这两者均降低了所述直列式处理系统 100的拥有成本。尽管在图2A中图示的所述框架结构200描述为与负载锁定腔室110B - 起使用，但是所述框架结构200也可以与所述负载锁定腔室110AU10C和/或110D中的任 意一个一起使用。另外，在图2A中图示的所述框架结构200还可以用于支持除负载锁定 腔室以外的腔室，诸如基板处理腔室、通道腔室、传递腔室等等。
[0023] 再次参看图2A，在所述框架结构200的下端上的所述水平支撑件205B的一部分可 以包括第一结构件246A和第二结构件246B。在一些实施方式中，所述第一结构件246A可 适配为可从所述框架结构200去除，以允许使用拖车、辘车或者工厂地板所支持的其他运 输工具。去除所述第一结构件246A还可以经由排除由邻近地板的水平支撑件205B引起的 绊倒危险而提高工作人员安全性。所述第一结构件246A可以用紧固件（诸如，螺丝、螺钉， 或速释夹具）耦合在所述框架结构200的所述第二侧215B上的所述垂直支撑件205A和所 述第二结构件246B的末端之间，以便于去除所述第一结构件246A。还可以在所述第一结构 件246A和所述框架结构200的邻接部分的界面处设置凸缘247。即使当去除所述第一结构 件246A时，也可以维持所述框架结构200的结构完整性。还可以使用角撑板248来提供当 去除所述第一结构件246A时所述框架结构200的进一步结构稳定性。
[0024] 图2B是所述负载锁定腔室110B沿着图1的线2B-2B的侧视图。所述第一空间 210A和所述第二空间210B图示在所述框架结构200内。在所述第一空间210A中嵌套所述 支撑设备的结果在所述第二空间210B中实现通道区域250。所述通道区域250的大小调整 为可以充分地容纳和允许人穿过，而不会受到所述支撑设备的干扰。在一个实施方式中，所 述通道区域250包括大于约2英尺的宽度W(诸如，约25. 5英寸）和大于约5英尺的高度 Η (诸如，约62. 8英寸）。
[0025] 图3是在图2Α和图2Β中图示的框架结构200去除所述第一结构件246Α后的等 轴视图。因此，所述通道区域250被进一步地放大并且可能允许轧制设备穿过所述通道区 域250。在这个视图中还去除了所述负载锁定腔室，以更清楚地显示所述框架结构200的 所述第一空间210Α的紧凑的支撑设备区域300 (以虚线图示）。所述紧凑的支撑设备区域 300包括与图2Α中所示的支撑设备相同的支撑设备，但是在所述气动控制面板245上设置 有盖子305。所述等轴视图还允许观察在所述紧凑的支撑设备区域300内形成的服务空间 310。所述服务空间310允许工作人员接触和检修所述第一空间210Α内的所述支撑设备。
[0026] 因此，处理系统描述为促进在多个处理腔室中以高产量在基板上形成电子装置。 所述直列式处理系统100包括负载锁定腔室110A-110D，所述负载锁定腔室110A-110D使多 个处理腔室耦合在一起，以防止在基板传递期间污染所述基板。所述直列式处理系统100 还包括框架结构200,所述框架结构200用于在所述直列式处理系统100中支持腔室。所述 框架结构200包括紧凑的支撑设备区域300,所述紧凑的支撑设备区域300设置在形成于所 述框架结构200的体积内的第一空间210Α中，所述紧凑的支撑设备区域300在所述框架结 构200内提供具有工作人员通道区域250的第二空间210Β。所述框架结构200有效地利用 空间，并且当所述框架结构200与处理系统（诸如，直列式处理系统100) -起使用时提供 工作人员接触通道。
[0027] 尽管上述内容是针对本实用新型的实施方式，但可在不脱离本实用新型的基本范 围的情况下设计本实用新型的其他和进一步实施方式，且本实用新型的范围是由以下权利 要求书来确定。
【权利要求】
1. 一种用于支持基板处理腔室的框架结构，包括： 第一侧； 第二侧，所述第二侧用一或多个支撑件而耦合到所述第一侧；以及 分叉的内部体积，所述分叉的内部体积形成在所述框架结构内的所述第一侧和所述第 二侧之间，其中所述分叉的内部体积包括： 紧凑的支撑设备区域，所述紧凑的支撑设备区域邻近所述第一侧；以及 通道区域，所述通道区域形成在所述紧凑的支撑设备区域和所述第二侧之间。
2. 如权利要求1所述的框架结构，其特征在于，所述通道区域的大小调整为允许人穿 过所述通道区域。
3. 如权利要求2所述的框架结构，其特征在于，所述紧凑的支撑设备区域包括形成在 所述紧凑的支撑设备区域中的服务空间。
4. 如权利要求2所述的框架结构，其特征在于，所述紧凑的支撑设备区域包括电源箱， 所述电源箱设置在与所述第一侧的平面大体上垂直的平面中。
5. 如权利要求4所述的框架结构，其特征在于，所述紧凑的支撑设备区域包括气动控 制面板和一或多个储气罐。
6. 如权利要求5所述的框架结构，其特征在于，所述紧凑的支撑设备区域包括应用水 位面板。
7. 如权利要求1所述的框架结构，其特征在于，所述通道区域的大小调整为允许轧制 设备穿过所述通道区域。
8. 如权利要求1所述的框架结构，其特征在于，邻近所述框架结构下端的所述支撑件 中的一或多个支撑件包括可去除的结构件。
9. 如权利要求1所述的框架结构，其特征在于，所述通道区域包括大于约2英尺的宽度 和大于约5英尺的高度。
10. 如权利要求9所述的框架结构，其特征在于，所述紧凑的支撑设备区域包括形成在 所述紧凑的支撑设备区域中的服务空间。
11. 如权利要求9所述的框架结构，其特征在于，所述紧凑的支撑设备区域包括电源 箱，所述电源箱设置在与所述第一侧的平面大体上垂直的平面中。
12. -种直列式基板处理系统，包括： 多个处理腔室，所述多个处理腔室以大体上直线排列的方式设置，所述多个处理腔室 中的至少一部分是用负载锁定腔室分隔开的，其中所述负载锁定腔室中的至少一个负载锁 定腔室包括支撑框架结构，所述框架结构包括： 紧凑的支撑设备区域，所述紧凑的支撑设备区域邻近所述框架结构的第一侧：以及 通道区域，所述通道区域形成在所述紧凑的支撑设备区域和所述框架结构的第二侧之 间。
13. 如权利要求12所述的基板处理系统，其特征在于，所述通道区域的大小调整为允 许人穿过所述通道区域。
14. 如权利要求13所述的基板处理系统，其特征在于，所述紧凑的支撑设备区域包括 形成在所述紧凑的支撑设备区域中的服务空间。
15. 如权利要求13所述的基板处理系统，其特征在于，所述紧凑的支撑设备区域包括 电源箱，所述电源箱设置在与所述第一侧的平面大体上垂直的平面中。
16. 如权利要求12所述的基板处理系统，其特征在于，所述通道区域包括大于约2英尺 的宽度和大于约5英尺的高度。
17. 如权利要求16所述的基板处理系统，其特征在于，所述紧凑的支撑设备区域包括 形成在所述紧凑的支撑设备区域中的服务空间。
18. 如权利要求16所述的基板处理系统，其特征在于，所述紧凑的支撑设备区域包括 电源箱，所述电源箱设置在与所述第一侧的平面大体上垂直的平面中。
19. 一种直列式基板处理系统，包括： 多个处理腔室，所述多个处理腔室以大体上直线排列的方式设置，所述多个处理腔室 中的至少一部分是用负载锁定腔室分隔开的，其中所述负载锁定腔室中的至少一个负载锁 定腔室包括支撑框架结构，所述框架结构包括： 第一侧； 第二侧，所述第二侧用一或多个支撑件而耦合到所述第一侧；以及 分叉的内部体积，所述分叉的内部体积形成在所述框架结构内的所述第一侧和所述第 二侧之间，其中所述分叉的内部体积包括： 紧凑的支撑设备区域，所述紧凑的支撑设备区域邻近所述第一侧；以及 通道区域，所述通道区域的大小调整为允许人穿过所述通道区域，所述通道区域形成 在所述紧凑的支撑设备区域和所述第二侧之间。
20. 如权利要求19所述的基板处理系统，其特征在于，所述紧凑的支撑设备区域包括 形成在所述紧凑的支撑设备区域中的服务空间。
21. 如权利要求19所述的基板处理系统，其特征在于，所述紧凑的支撑设备区域包括 电源箱，所述电源箱设置在与所述第一侧的平面大体上垂直的平面中。
22. 如权利要求19所述的基板处理系统，其特征在于，所述通道区域包括大于约2英尺 的宽度和大于约5英尺的高度。
【文档编号】E04H5/02GK203846812SQ201420079299
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2014年2月24日 优先权日:2013年3月7日
【发明者】J·A·霍, S·安瓦尔 申请人:应用材料公司