1.一种采用电火花切割技术快速切割CdS单晶体的方法，其特征在于：步骤如下，
第一步，用高温蜡（3）将CdS晶锭（1）的剥离面（1-1）粘贴在一个总厚度变化小于5 μm的铸铁托（2）上，用平面磨床将CdS晶锭（1）的生长面（1-2）磨平；
第二步，用X射线衍射仪对磨平的端面进行定向，根据晶向偏离（0001）的偏移量进行调整，对生长面（1-2）再次进行平面磨，直到该端面偏离正晶向的角度小于0.5°；
第三步，将CdS晶锭（1）从铸铁托（2）上取下，用高温蜡（3）将已磨平的生长面（1-2）贴在铸铁托（2）上，用平面磨床将晶锭的剥离面（1-1）磨平，然后将铸铁块（2）装卡到滚圆磨床的样品台上，先对CdS晶锭（1）进行滚圆，然后进行主参考面（1-3）和副参考面（1-4）制作；
第四步，滚圆和参考面制作完成之后，将CdS晶锭（1）从铸铁块（2）上取下，用酒精将CdS晶锭（1）擦洗干净，然后用真空吸附台（4-2）将CdS晶锭（1）吸附住，晶锭的主参考面（1-3）朝下，主参考面（1-3）与卡具（4-1）水平面留有一定间隙，可以放下一个石墨条（6），在石墨条（6）上涂覆上一层厚度约为5mm的固体胶（5），将石墨条（6）放到该间隙中，使CdS晶锭（1）主参考面（1-3）与固体胶（5）接触，固定台子侧面的螺丝，使石墨条（6）固定，静置使固体胶（5）凝固，CdS晶锭（1）就粘贴在石墨条（6）上，这样切割后的晶片会靠胶的作用不会脱离石墨条（6），可以防止切完的晶片掉落，或者发生倾斜与其他晶片发生磕碰而出现碎片事故；调整电火花切割机（4）切割参数，对晶锭进行切割，脉冲宽度为15-20，脉间倍数为6-10，功放为4-6，进给速度为0.8-2.8 mm/min；
第五步，切割完成后，依次采用煤油浸泡、热酒精对切割后的晶片进行冲洗，然后将切割卡具（4-1）放在温度为80℃的热水中，使胶软化，将晶片取下，进行下一步操作。
2.根据权利要求1所述的一种采用电火花切割技术快速切割CdS单晶体的方法，其特征在于：所述真空吸附台（4-2）为圆状体，在真空吸附台（4-2）一端面上，设有四个固定孔（4-2-1），在四个固定孔（4-2-1）之间的台面上设有十字槽（4-2-2），十字槽（4-2-2）交叉中心点为吸附气孔（4-2-3），沿吸附气孔（4-2-3）向外的十字槽（4-2-2）上，间隔设有两道圆形刻槽（4-2-4），十字槽（4-2-2）与两道圆形刻槽（4-2-4）相通。
3.根据权利要求1所述的一种采用电火花切割技术快速切割CdS单晶体的方法，其特征在于：所示真空吸附台（4-2）的材质为有机玻璃。