一种双面刻花LOW-E中空玻璃的制作方法

本实用新型涉及LOW-E玻璃领域，具体涉及一种双面刻花LOW-E中空玻璃。

背景技术：

玻璃由于其优良的热性能和光学性能被广泛的应用于建筑材料中，当今人们在选择建筑物的玻璃门窗时，除了考虑其美学和外观特征外，更注重其热量控制、制冷成本和内部阳光投射舒适平衡等问题。普通浮法玻璃的辐射率高达0.84，当镀上一层以银为基础的低辐射薄膜后，其辐射率可降至0.15以下。因此，用LOW-E玻璃制造建筑物门窗，可大大降低因辐射而造成的室内热能向室外的传递，达到理想的节能效果。

中空LOW-E玻璃的隔热性能和降辐射性能尤为突出，为了确保中空玻璃内腔中空气绝对干燥，需要在中空层填充干燥剂，从而吸附中空玻璃内腔中和外界可能渗入的水蒸汽。这样虽然可以短暂地处理水蒸汽，当干燥剂饱和后就失效了，并不能解决问题。

另一方面，在玻璃上刻花工艺，是利用氢氟酸对玻璃进行腐蚀，从而达到想要的字体、图案的视觉效果。但是当氢氟酸对LOW-E中空玻璃处理时，由于氢氟酸也会对镀层材料进行腐蚀，破坏了镀层，从而影响了玻璃的低辐射、保温隔热等效果。

技术实现要素：

针对以上问题，本实用新型提供一种双面刻花LOW-E中空玻璃，在中空层周围设置有两层密封层，保障了中空层的密封性，在两端表面设置有磨砂玻璃，使其能够进行刻花，在LOW-E中空玻璃层表面两侧设置了保护层，有效的防止了在刻花过程中氢氟酸对LOW-E中空玻璃层的腐蚀。

为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案来解决：

一种双面刻花LOW-E中空玻璃，包括设置在上下表面的腐蚀层、紧贴所述腐蚀层内侧的保护层、紧贴上层所述保护层的LOW-E玻璃层a、位于所述LOW-E玻璃层a下端的中空层、位于所述中空层下端的LOW-E玻璃层b，所述LOW-E玻璃层a从上到下依次设置有第一TiO2膜层、第一NiCr膜层、第一SiO2层，所述LOW-E玻璃层b从上到下依次设置有第二SiO2层、Ag膜层、第二NiCr膜层、第二TiO2膜层，所述中空层周围由内到外依次设置有环形的铝合金间隔框、第一密封圈、第二密封圈，所述中空层中间形成一个矩形的空腔。

具体的，所述腐蚀层为磨砂玻璃。

具体的，所述保护层为蒙乃尔合金。

具体的，所述中空层的厚度为6-10mm。

具体的，所述空腔内填充满氩气。

具体的，所述第一密封圈为聚硫胶，所述第二密封圈为丁基胶。

具体的，所述保护层的厚度设置为5-10nm。

本实用新型的有益效果是：

第一，避免了使用干燥剂，同时增强了中空玻璃的气密性。

第二，玻璃的双面均可进行刻花，刻花过程中保护层避免了氢氟酸腐蚀镀膜。

附图说明

图1为本实用新型的一种双面刻花LOW-E中空玻璃的主视图。

图2为本实用新型的一种双面刻花LOW-E中空玻璃的俯视图。

附图标记为：腐蚀层1、保护层2、LOW-E玻璃层a3、第一TiO2膜层31、第一NiCr膜层32、第一SiO2层33、中空层4、铝合金间隔框41、第一密封圈42、第二密封圈43、空腔44、LOW-E玻璃层b5、第二SiO2层51、Ag膜层52、第二NiCr膜层53、第二TiO2膜层54。

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。

参照图1和图2所示：

一种双面刻花LOW-E中空玻璃，包括设置在上下表面的腐蚀层1、紧贴腐蚀层1内侧的保护层2、紧贴上层保护层2的LOW-E玻璃层a3、位于LOW-E玻璃层a3下端的中空层4、位于中空层4下端的LOW-E玻璃层b5，保护层2的材料为耐氢氟酸腐蚀材料，在玻璃的正面或者反面进行刻花时，由于保护层2的保护作用，使氢氟酸不与LOW-E玻璃层a3和LOW-E玻璃层b5接触。

优选的，本案例中LOW-E玻璃层a3从上到下依次设置有第一TiO2膜层31、第一NiCr膜层32、第一SiO2层33。

优选的，本案例中LOW-E玻璃层b5从上到下依次设置有第二SiO2层51、Ag膜层52、第二NiCr膜层53、第二TiO2膜层54。

优选的，本案例的中空层4周围由内到外依次设置有环形的铝合金间隔框41、第一密封圈42、第二密封圈43，中空层4中间形成一个矩形的空腔44，设置双层的密封圈，使中空层4的密封效果更佳。

优选的，本案例为了更加方便使用氢氟酸进行刻花，腐蚀层1为磨砂玻璃。

优选的，本案例所采用的保护层2材料为蒙乃尔合金。

优选的，本案例设置中空层4的厚度为6-10mm。

优选的，本案例设置空腔44内填充满氩气。

优选的，本案例中第一密封圈42的材料为聚硫胶，所述第二密封圈43的材料为丁基胶。

优选的，本案例为了避免由于氢氟酸对LOW-E玻璃层a3和LOW-E玻璃层b5造成的破坏，设置保护层2的厚度为5-10nm。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。