一种防水性能良好的电子装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及防水的电子装置制作领域，尤其涉及具防水膜的电子装置制作领域。一种防水性能良好的电子装置，所述电子装置内包括至少一需覆盖防水膜的电子配件，所述电子配件上覆盖有一复合防水膜层，所述复合防水膜层的最底层为聚对二甲苯N型层，所述复合防水膜层的中间层为聚对二甲苯C型层或聚对二甲苯D型层，所述复合防水膜层的最外层为聚对二甲苯F型层。本实用新型中不同层具有不同的优点，因而可避免单层的缺点，防水性能更好。
【专利说明】-种防水性能良好的电子装置
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及防水电子装置制作领域，尤其涉及具防水膜的电子装置制作领 域。
【背景技术】
[0002] 随着人们生活水平的提高，电子产品尤其是手机和平板电脑等智能产品得到了越 来越广泛的使用，为人们的生活带来了极大的方便。但是这些电子产品目前还不能实现很 好的防水效果，该电子产品处于某种潮湿的环境或不小心掉入水中或溅到水包括各种导电 的液体时或者接触高湿度的环境或水蒸汽时，会受到损坏而无法使用，造成使用者的损失。
[0003] 为实现电子产品的防水效果，现有通过外部防水的方式实现防水的，也有通过内 部防水的方式实现防水的。外部防水的方式对电子产品的外观及设计有很大的影响，需要 增强密封圈或橡胶堵头等，如申请号为201210246768. 8的专利公开的一种《防水嵌入式电 子装置》，其包括壳体和设置于壳体内的电路板组件，其中，所述壳体包括一为整体无缝结 构的上盒体，该上盒体包括一顶部以及环绕该顶部的侧壁，所述顶部和所述侧壁构成一容 纳空间，且所述上盒体的开口向下，一盖体盖合于所述上盒体的底部周缘，所述盖体底部具 有至少一个通孔，所述电路板组件固定于所述上盒体的侧壁内侧。这种外部防水的设计不 仅对外观设计造成一定影响，且水分仍可从盒体底部进入电子装置内，防水效果欠佳。
[0004] 因而现在许多电子装置都采用内部防水的方式实现其防水效果，内部防水主要是 利用化学气相沉积聚对二甲基苯膜在电子装置内需覆盖防水膜的电子配件上的，然而目前 都是采用一种聚对二甲基苯膜做防水膜，单一一种聚对二甲苯有优与缺，且性能较为单一， 防水性能较差。
【发明内容】
[0005] 为克服上述现有技术中存有的缺陷，本实用新型提供一种防水性能良好的电子装 置，该电子装置的防水膜性能多样化，因而内部防水性能较好，不易被水入侵。
[0006] 为达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案为：
[0007] -种防水性能良好的电子装置，所述电子装置内包括至少一需覆盖防水膜的电子 配件，所述电子配件上覆盖有一复合防水膜层，所述复合防水膜层的最底层为聚对二甲苯N 型层，所述复合防水膜层的中间层为聚对二甲苯C型层或聚对二甲苯D型层，所述复合防水 膜层的最外层为聚对二甲苯F型层。
[0008] 依上述结构，所述聚对二甲苯N型层、聚对二甲苯C型层或聚对二甲苯D型层、聚 对二甲苯F型层均是通过真空气相沉积在前述电子配件上的。
[0009] 与以往技术相比，本实用新型所带来的有益效果有：
[0010] 由于本实用新型中的电子配件上涂覆有复合防水层，所述复合防水层依次为聚对 二甲苯N型层、聚对二甲苯C型层或聚对二甲苯D型层、聚对二甲苯F型层三层，不同层具 有不同的优点，因而可避免单层的缺点，防水性能更好。例如聚对二甲苯N型层具有较强的 渗透能力，能有效地在电子配件上的各种细缝或针孔表面形成薄膜；它的介电常数极低，耗 散因子小，且随外界频率的增加变化不大；还具有极低的摩擦系数，使其具有优异的润滑效 果。聚对二甲苯C型层具有极低的水分子和腐蚀性气体的穿透率。聚对二甲苯D型层在更 高温度下具有相对更好的物理及电性能，其与聚对二甲苯N型层、聚对二甲苯C型层相比， 具有更好的热稳定性。聚对二甲苯F型层抵抗紫外线能力较强，且具有较好的热稳定性和 抗老化性能。
[0011] 下面结合附图及具体实施例方式对本实用新型作进一步的说明：
【专利附图】
【附图说明】 [0012] ：
[0013] 图1为本实用新型之较佳实施例的其一结构示意图；
[0014] 图2为本实用新型之较佳实施例的其二结构示意图。
【具体实施方式】 [0015] ：
[0016] 如图1~2所示，本实用新型涉及一种防水性能良好的电子装置，所述电子装置内 包括至少一需覆盖防水膜的电子配件1，所述电子配件1上盖覆有一复合防水膜层2,所述 复合防水膜层2至少包括有以下三层结构：聚对二甲苯N型层21、聚对二甲苯C型层22或 聚对二甲苯D型层23、聚对二甲苯F型层24。
[0017] 如图1所示，复合防水膜层2的最底层为聚对二甲苯N型层21，所述复合防水膜 层2的中间层为聚对二甲苯C型层22,所述复合防水膜层2的最外层为聚对二甲苯F型层 24。
[0018] 如图2所示，复合防水膜层2的最底层为聚对二甲苯N型层21，所述复合防水膜 层2的中间层为聚对二甲苯D型层23,所述复合防水膜层2的最外层为聚对二甲苯F型层 24。
[0019] 聚对二甲苯N型层21、聚对二甲苯C型层22或聚对二甲苯D型层23、聚对二甲苯 F型24层均是通过真空气相沉积在电子配件1上的。
[0020] 由于不同聚对二甲基苯结构具有不同的特性，因而本实用新型中不同层具有不同 的优点，因而可避免单层的缺点，防水性能更好。
[0021] 聚对二甲基苯N型层21是对二甲苯的高聚物，具有最强的渗透能力，能够有效地 在各种细缝或针孔表面形成薄膜，它的介电常数极低（2.65)及耗散因子小，且随外界频率 的增加变化不大，同时极低摩擦系数使其有优异的润滑效果。
[0022] 聚对二甲基苯C型层22是在于其芳香基中之一氢分子被氯所取代，具有极低的水 分子和腐蚀性气体的穿透率，沉积速率比聚对二甲基苯N型快。
[0023] 聚对二甲基苯D型层23是在于其芳香基中之二个氢原子被二个氯原子所取代，因 而在更高温度下具有相对更好的物理及电性能，同时与聚对二甲基苯N、C型相比，具有更 好的热稳定性，其沉积与聚合速度非常快，但键结压力却十分慢。
[0024] 聚对二甲基苯F型层24将二甲基上的Η原子替换为F原子，F-C键是已知最强的 共价键，键能高达445KJ / mol，仅次于C-Η键，但是键能却比C一Η键强得多，因而能抵抗 紫外线对它的破坏，改善抗紫外线能力，氟原子取代亚甲基上的氢原子也极大地改变化学 键的极性，进而提高了其热稳定性和抗老化性能，使其在航空及半导体领域将有可观的应 用前景。
[0025] 因而通过本实用新型中多元复合结构的设计，使复合式防水膜2具有各单层膜的 优点，而避免单层膜的缺点，因而防水性能更好。
[0026] 上述实施例仅为本实用新型的其一较佳实施例，并非以此限定本实用新型的保护 范围，故：凡依本实用新型的形状、结构或原理所作的等效变换，均应涵盖在本实用新型的 保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种防水性能良好的电子装置，其特征在于：所述电子装置内包括至少一需覆盖防 水膜的电子配件，所述电子配件上覆盖有一复合防水膜层，所述复合防水膜层的最底层为 聚对二甲苯N型层，所述复合防水膜层的中间层为聚对二甲苯C型层或聚对二甲苯D型层， 所述复合防水膜层的最外层为聚对二甲苯F型层。
2. 根据权利要求1所述的一种防水性能良好的电子装置，其特征在于：所述聚对二甲 苯N型层、聚对二甲苯C型层或聚对二甲苯D型层、聚对二甲苯F型层均是通过真空气相沉 积在前述电子配件上的。
【文档编号】B32B27/08GK203876330SQ201420136999
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年3月25日 优先权日:2014年3月25日
【发明者】侯光辉 申请人:侯光辉