一种陶瓷喷丝板喷丝孔道制作工艺的制作方法

文档序号:15985149发布日期:2018-11-17 00:47阅读:664来源:国知局
一种陶瓷喷丝板喷丝孔道制作工艺的制作方法

本发明涉及一种陶瓷喷丝板喷丝孔道制作工艺,属于纺织技术领域。



背景技术:

喷丝板是纺丝机中的核心部件,也是纺丝机中的高科技产品。

在已有技术中,喷丝板有用黄金、白金材质的,有用钽材的,常用不同牌号不锈钢。其表面处理有纯钽镀膜,黄金,白金,合金镀膜。重要表面需要抛光镜面,研磨钨面,超高钨面等处理。喷丝孔的直径为φ1-φ0.06,孔的加工比较困难,常用加工工艺方法有精密钻孔,激光打孔,精密冲裁冲孔等工艺方法。所以喷丝板是一种材料硬度,耐磨度,光洁度都有要求的,加工难度大的精密零部件。由于常在290℃度左右高温条件下工作,而且经常要进行微孔的清洗工作,所以喷丝板,特别是喷丝微孔的高温稳定性也十分重要。



技术实现要素:

本发明的目的是提供一种陶瓷喷丝板喷丝孔道制作工艺,该工艺是在材质坚硬耐磨的陶瓷材料上制作喷丝孔道,所加工的喷丝孔道的质量可达标准要求。

为达到上述目的,本发明所采用的技术方案为:

一种陶瓷喷丝板喷丝孔道制作工艺,包括带有喷丝孔道的陶瓷喷丝板,喷丝孔道的具体制作工艺包括先在陶瓷喷丝板模具成型过程中一起成型,然后经排胶,烧结,后道经超精研磨和镜面抛光喷丝孔道内壁的过程。

本发明的主要工艺是在于喷丝孔道的制作是在陶瓷喷丝板成型的同时,将喷丝孔道一起成型制成,然后再经过排胶,烧结成型,最后进行超精研磨和镜面抛光孔内壁的过程。

作为上述方案的进一步设置,所述陶瓷喷丝板模具成型选用等静压成型法或干压成型法。

所述陶瓷喷丝板是单孔陶瓷喷丝板或多孔陶瓷喷丝板。

所述陶瓷喷丝板是圆形丝陶瓷喷丝板或异形丝陶瓷喷丝板。

所述喷丝孔道包含依次设置的导孔、底孔、喷丝孔,所述喷丝孔道结构为圆柱形、圆锥形、双曲线圆锥复合形中的任意一种。

所述喷丝孔道中的喷丝孔直径在2.0mm到0.02mm之间(包括2.0mm和0.02mm)。

所述喷丝孔道中的喷丝孔长度l和直径d比值在2.0到10.0之间。即,l/d的值在2.0到10.0之间(包括2.0和10.0)。

所述陶瓷喷丝板选用氧化铝、氧化锆、氮化硅为原料制成。

本发明与已有技术相比,具有以下优点:

传统喷丝板的制作,喷丝孔(微孔)钻孔是十分困难的,无论是采用机械钻孔,激光穿孔,精密冲裁冲孔。特别是喷丝孔的l/d值越大,制作难度越大。因为本发明的喷丝板材料为结构陶瓷,陶瓷本身具有很优良的机械性能,硬度高,耐磨性好,利用模具制造喷丝板成型坯料时,同时制成喷丝孔(微孔)的预制孔,进一步使用超精研磨控制孔径的尺寸精度高,镜面抛光能使孔壁光洁度好,而且大数值l/d在模压中也容易达到。

以下结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。

附图说明

图1是喷丝孔道结构为圆柱形时的单孔陶瓷喷丝板结构示意图;

图2是喷丝孔道结构为圆锥形时的单孔陶瓷喷丝板结构示意图;

图3是喷丝孔道结构为双曲线圆锥复合形时的单孔陶瓷喷丝板结构示意图。

具体实施方式

如图1、图2、图3所示,本发明一种陶瓷喷丝板喷丝孔道制作工艺,具体包括如下步骤:

(1)在陶瓷喷丝板1模具成型的同时,将喷丝孔道一并成型制成陶瓷素坯。

(2)排胶。排胶温度优选为500℃-850℃。

(3)烧结。烧结温度优选为1250℃-1600℃。

(4)超精研磨,镜面抛光加工喷丝孔道。

本发明中,陶瓷喷丝板1模具成型选用等静压成型法或干压成型法进行。

本发明中,陶瓷喷丝板1可以是单孔陶瓷喷丝板,也可以是多孔陶瓷喷丝板。

本发明中,陶瓷喷丝板1可以是圆形丝陶瓷喷丝板,也可以是异形丝陶瓷喷丝板。

本发明中,喷丝孔道包含依次设置的导孔2、底孔3、喷丝孔4,喷丝孔道结构为圆柱形、圆锥形、双曲线圆锥复合形中的任意一种。

本发明中,喷丝孔道中的喷丝孔4直径优选在2.0mm到0.02mm之间(包括2.0mm和0.02mm),当然也可以根据需要选择其他尺寸。

本发明中,喷丝孔道中的喷丝孔4长度l和直径d比值在2.0到10.0之间(包括2.0和10.0),当然也可以根据需要选择其他比值。

本发明中,陶瓷喷丝板1选用氧化铝、氧化锆、氮化硅中的任意一种为原料制成。

以上具体实施工艺过程仅作为对本发明的进一步说明,本发明的工艺方法已在权利要求中描述,在不改变本发明基本工艺方法的前提下所作出的变更和改进,均在本发明的保护范围之内。



技术特征:

技术总结
本发明涉及一种陶瓷喷丝板喷丝孔道制作工艺,属于纺织技术领域,其主要工艺是在于喷丝孔道的制作是在陶瓷喷丝板成型的同时,将喷丝孔道一起成型制成,然后再经过排胶,烧结成型,最后进行超精研磨和镜面抛光孔内壁的过程。本发明相比传统工艺简单,且精度高。

技术研发人员:刘光容;朱爱萍;朱曰春
受保护的技术使用者:绍兴华晶科技有限公司
技术研发日:2018.08.06
技术公布日:2018.11.16
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