显示器件、驱动显示器件的方法以及电子设备的制作方法

文档序号:2649171阅读:162来源:国知局
专利名称:显示器件、驱动显示器件的方法以及电子设备的制作方法
技术领域
本发明涉及通过针对各个像素布置的发光元件以显示图像的显示器件、驱动该显 示器件的方法以及具有该显示器件的电子设备。
背景技术
近来,使用电流驱动型光学元件作为像素的发光元件的显示器件已经在用于图像 显示的显示器件的领域中得到开发和商业化,其中所述光学元件根据流入光学元件(例 如,有机EUElectro Luminance,电致发光)元件)的电流的值而在发光亮度方面改变。有机EL元件是不同于液晶元件等的自发光元件。因此,使用有机EL元件的显示 器件(有机EL显示器件)不需要光源(背光),因而相比于需要光源的液晶显示器件,该器 件的图像能见度高、功耗低,并且响应速度高。如同液晶显示器件中那样,有机EL显示器件的驱动方法包括简单(无源)矩阵驱 动和有源矩阵驱动。前者具有的困难在于在实现简单器件结构的同时很难实现具有高分 辨率的大显示器。因此,有源矩阵驱动当前正积极地发展。在有源矩阵驱动中,流入针对每 个像素布置的有机EL元件的电流受到针对每个有机EL元件提供的像素电路内的有源元件 (通常为TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管))的控制。一般而言,有机EL元件的电流-电压(I-V)特性随着时间而恶化(时间恶化)。 在电流驱动有机EL元件的像素电路中,当有机EL元件的I-V特性随着时间改变时,有机EL 元件和串联连接至有机EL元件的TFT之间的分压比相应地改变,这导致TFT的栅源电压Vgs 的改变。结果,流入TFT的电流的值改变,这导致流入有机EL元件的电流的值的改变,从而 发光亮度根据改变的电流值而改变。在TFT中,阈值电压Vth或迁移率μ可能在时间上改变,或者可能由于制造工艺的 变化而对于每个像素电路变化。当TFT的阈值电压Vth或迁移率μ对于每个像素电路变化 时,流入TFT的电流的值对于每个像素电路变化。结果,即使向TFT的各自栅极施加相同的 电压,发光亮度也在各有机EL元件之间变化,这导致屏幕均勻性的损失。因此,已经提出了用于校正TFT的阈值电压Vth或迁移率μ的措施,以使得即使有 机EL元件的I-V特性随着时间而改变,或者即使TFT的阈值电压Vth或迁移率μ随着时间 而改变,有机EL元件的发光亮度也不受到这种时间变化的影响,由此保持恒定(例如,参见 日本待审专利申请公开No. 2008-083272)。

发明内容
在有机EL显示器件的领域中,如同其它显示器件领域中那样,非常需要低功耗。 例如,作为实现低功耗的对策,考虑增大TFT的尺寸以减小TFT的栅源电压Vgs。然而,TFT 尺寸的这种增大违背了高分辨率的趋势,因此TFT尺寸的增大受到限制。期望提供在不干扰高分辨率的情况下实现低功耗的显示器件、驱动该显示器件的 方法,以及具有该显示器件的电子设备。
根据本发明实施例的显示器件包括显示部分,其具有以二维方式排列的多组发 光元件和像素电路;以及驱动部分,其基于视频信号驱动每个像素电路。像素电路具有两个 晶体管(第一晶体管和第二晶体管)。第一晶体管是双栅晶体管,其包括第一和第二栅极, 并控制流入每个发光元件的电流。第二晶体管根据所述视频信号将信号电压写入至所述第 一栅极。所述驱动部分将所述信号电压施加给所述像素电路,以使得可用范围中的第一晶 体管的栅源电压的至少一部分值为5V或更低。根据本发明实施例的电子装置包括上述显示器件。根据本发明实施例的驱动显示器件的方法包括下列两个步骤(A)准备显示器件,所述显示器件具有以下所述的配置;(B)使用驱动部分将所述信号电压施加给像素电路,以使得可用范围中的第一晶 体管的栅源电压的至少一部分值为5V或更低。应用有所述驱动方法的显示器件包括显示部分,其具有以二维方式排列的多组 发光元件和像素电路;以及驱动部分,其基于视频信号驱动每个像素电路。像素电路具有两 个晶体管(第一晶体管和第二晶体管)。第一晶体管是双栅晶体管,其包括第一和第二栅 极,并控制流入每个发光元件的电流。第二晶体管根据所述视频信号将信号电压写入至所 述第一栅极。在根据本发明实施例的显示器件、驱动该显示器件的方法以及电子设备中,将信 号电压施加给像素电路,以使得可用范围中的第一晶体管的栅源电压的至少一部分值为5V 或更低。因而,可以在不增大第一晶体管尺寸的情况下减小栅源电压。根据本发明实施例的显示器件、驱动该显示器件的方法以及电子设备,可以在不 增大第一晶体管尺寸的情况下减小第一晶体管的栅源电压。因而,可以在不干扰高分辨率 的情况下实现低功耗。本发明的其它和进一步的目标、特性和优点将从下列描述中更加完全地显现。


图1是示出根据本发明第一实施例的显示器件的示例的框图。图2是示出图1中的像素电路阵列部分的内部配置的示例的框图。图3是用于图示图1的显示器件的工作的示例的波形图。图4A和4B是关系图,每一个图均示出了对于双栅和底栅晶体管中的每一个,栅源 电压和流入发光元件的电流之间的关系。图5是示出双栅和底栅晶体管中任一个的栅源电压与各晶体管之间的电流比之 间的关系的关系图。图6是示出包括根据实施例的显示器件的模块的示意配置的平面图。图7是示出根据实施例的显示器件的应用示例1的外观的透视图。图8A和8B是透视图,其中,图8A示出从表面一侧观看时的应用示例2的外观,而 图8B示出从背面一侧观看时的其外观。图9是应用示例3的外观的透视图。 图10是应用示例4的外观的透视图。图IlA IlG是这样的图其中,图IlA是打开状态下的应用示例5的正面图,图IlB是其侧面图,图IlC是闭合状态下的其正面图,图IlD是其左侧图,图IlE是其右侧图, 图IlF是其顶部图,而图IlG是其底部图。
具体实施例方式下文参照附图详细描述本发明的优先实施例。以下列顺序进行描述。1.实施例(附图1 5)将驱动晶体管驱动在亚阈值区(sub-threshold region) 中的示例2.模块和应用示例(附图6 11)实施例显示器件的示意配置

图1示出了根据本发明实施例的显示器件1的示意配置。显示器件1包括显示面 板10 (显示部分)和驱动电路20 (驱动部分)。显示面板10例如具有像素电路阵列部分 13,该像素电路阵列13具有以二维方式排列的多个有机EL元件IlRUlG和11B(发光元 件)。在本实施例中,例如,彼此相邻的三个有机EL元件IlRUlG和IlB构成一个像素12。 在下文中,将术语有机EL元件11适当地用作有机EL元件11R、1 IG和IlB的通用术语。驱 动电路20驱动像素电路阵列部分13,并且其例如具有视频信号处理电路21、定时发生器电 路22、信号线驱动电路23、写线驱动电路24和电源线驱动电路25。像素电路阵列部分图2示出了像素电路阵列部分13的电路配置的示例。像素电路阵列部分13形 成在显示面板10的显示区域中。像素电路阵列部分13具有以行的方式布置的多条写线 WSL、以列的方式布置的多条信号线DTL,以及沿着写线WSL以行的方式布置的多条电源线 PSL (例如,如图1和2中所示)。与写线WSL和信号线DTL的各个交叉点对应地,多组有机 EL元件11和像素电路14以行和列的方式(二维地)布置。每个像素电路14例如由驱动 晶体管Tr1 (第一晶体管)、写晶体管Tr2(第二晶体管)和电容Cs构成,由此具有2TrlC的 配置。驱动晶体管Tr1由具有顶栅Gl (第一栅极)和背栅G2 (第二栅极)的双栅晶体管 形成,并且例如由η沟道MOS薄膜晶体管(TFT)形成。写晶体管Tr2例如由双栅、顶栅或底 栅晶体管形成,并且例如由η沟道MOS TFT形成。驱动晶体管Tr1或写晶体管Tr2可以由ρ 沟道MOS TFT形成。在像素电路阵列部分13中,每条信号线DTL连接至信号线驱动电路23的输出端 (未示出),并连接至写晶体管Tr2的漏极电极(未示出)。每条写线WSL连接至写线驱动 电路24的输出端(未示出),并连接至写晶体管Tr2的栅极电极(未示出)。每条电源线 PSL连接至电源线驱动电路25的输出端(未示出),并连接至驱动晶体管Tr1的漏极电极 (未示出)。写晶体管Tr2的源极电极(未示出)连接至驱动晶体管Tr1的顶栅电极(未示 出)以及电容Cs的一端。驱动晶体管Tr1的源极电极(未示出)和电容Cs的另一端连接 至有机EL元件11的阳极电极(未示出)。有机EL元件11的阴极电极(未示出)例如连 接至地线GND。驱动晶体管Tr1的背栅电极(未示出)连接至驱动晶体管Tr1的顶栅电极。 艮口,驱动晶体管Tr1的顶栅电极和其背栅电极彼此电连接,从而具有彼此相等的电位。用作 有机EL元件11的公共电极的阴极电极例如连续地形成,因而其在显示面板10的整个显示区域上具有板状的形状。驱动电路接下来,参考图1描述像素电路阵列部分13的外围中提供的驱动电路20内的各 电路。视频信号处理电路21对外 部输入的数字视频信号20A执行预定校正,并且将这种 经校正的视频信号21A输出至信号线驱动电路23。所述预定校正包括伽马校正、过驱动校正等。定时发生器电路22控制信号线驱动电路23、写线驱动电路24和电源线驱动电路 25,以使得各电路彼此配合地工作。定时发生器电路22例如响应于(同步于)外部输入的 同步信号20B,将控制信号22A输出至每个电路。信号线驱动电路23响应于(同步于)输入的控制信号22A,将对应于视频信号21A 的模拟视频信号施加至每条信号线DTL,以使得将模拟视频信号或对应信号写入至作为选 择对象的像素电路14。具体地,信号线驱动电路23将对应于视频信号21A的信号电压Vsig 施加至每条信号线DTL,以用于写入至作为选择对象的像素电路14。这里,写是指将预定电 压施加给驱动晶体管Tr1的顶栅G1。例如,信号线驱动电路23可以将要施加的信号电压Vsig和电压Nofs输出至驱动晶 体管Tr1的顶栅Gl,以用于停止有机EL发光元件11的发光。电压V。fs具有比有机EL元件 11的阈值电压Vel的值更低的值(恒定值)。信号电压Vsig具有这样的值其使得可用范围 中的驱动晶体管Tr1的至少一部分栅源电位差Vgs至少在低灰度级中处于驱动晶体管Tr1的 亚阈值区。亚阈值区通常是指栅源电位差Vgs低于阈值电压的工作区。信号电压Vsig具有 这样的值其使得可用范围中的驱动晶体管Tr1的至少一部分栅源电位差Vgs至少在低灰度 级中具有5V或更低的值。优选地,信号电压Vsig具有这样的值其使得可用范围中的驱动 晶体管Tr1的至少一部分栅源电位差Vgs不仅在低灰度级而且在中间灰度级和高灰度级中 具有5V或更低的值。写线驱动电路24响应于(同步于)输入的控制信号22A,依次将选择脉冲施加至 多条写线WSL,以使得依次选择多个有机EL元件11和多个像素电路14。例如,写线驱动电 路24可以输出为了导通写晶体管Tr2所施加的电压V。n以及为了截止写晶体管Tr2所施加 的电压V。ff。电源线驱动电路25响应于(同步于)输入的控制信号22A,依次将控制脉冲施加 至多条电源线PSL,以便于控制有机EL元件11发光的开始和停止。例如,电源线驱动电路 25可以输出为了允许电流流入驱动晶体管Tr1所施加的电压V。。H,以及为了不允许电流流入 晶体管Tr1所施加的电压ν。Λ。电压ν。Λ具有比作为有机EL元件11的阈值电压Vel和有机 EL元件11的阴极电压V。a之总和的电压(Vel+V。a)的值更低的值(恒定值)。电压V。。H具有 等于或大于电压(Vel+V。a)的值的值(恒定值)。显示器件1的工作图3示出了受到驱动的显示器件1中的各种电压波形的示例。在图3中,(A)和 (B)分别示出了这样的方面其中,向信号线DTL周期性地施加电压Vsig和V。fs,并且在预定 定时向写线WSL施加电压V。n*V。ff。(C)示出了这样的方面其中,在预定定时向电源线 PSL施加电压ν。Λ和V。。H。(D)和(E)示出了这样的方面其中,响应于对于每一条信号线DTL、写线WSL和电源线PSL的电压施加,驱动晶体管Tr1的栅极电压Vg和源极电压Vs在每 一时刻改变。Vth校正(阈值校正)准备时段首先准备Vth校正。具体地,电源线驱动电路25将电源线PSL的电压从V。。H降低 至Vd(T1)。因而,源极电压Vs变得等于ν。Λ,以使得有机EL元件11停止发光,并且栅极电 压Vg在假设发光时Vgs为Vgstl的情况下变得等于(UVgstl)。接下来,当信号线DTL的电压 为V。fs并且电源线PSL的电压为V。。l时,扫描线驱动电路24将写线WSL的电压从V。ff增大 至 Von。第一 Vth校正时段接下来执行Vth校正。具体地,当信号线DTL的电压为V。fs并且写线WSL的电压为 Von时,电源线驱动电路25将电源线PSL的电压从V。。l增大至Vecfl(T2)。因而,电流Id在驱 动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动,以使得源极电压Vs增大。然后,写线驱动电路24将 写线WSL的电压从V。n降低至V。ff,然后信号线驱动电路23将信号线DTL的电压从V。fs变为 Vsig(T3)。因而,驱动晶体管Tr1的栅极进入浮空,以使得Vth校正暂停。第一 Vth校正暂停时段在Vth校正的暂停期间,在与经受先前Vth校正的行(像素)不同的行(像素)中 执行信号线DTL的电压的采样。当Vth校正不足时,S卩,当驱动晶体管Tr1的栅极和源极之 间的电位差Vgs大于驱动晶体管Tr1的阈值电压Vth时,发生下列情况。即,即使在Vth校正 暂停时段期间,电流Id也在经受先前Vth校正的行(像素)中的驱动晶体管Tr1的漏极和源 极之间流动,因而源极电压Vs增大,并且栅极电压Vg通过经由电容Cs的耦合也增大。第二 Vth校正时段在Vth校正暂停时段已经完成之后,再次执行Vth校正。具体地,当信号线DTL的电 压为V。fs并且Vth校正启动时,写线驱动电路24将写线WSL的电压从V。ff增大至V。n(T4),以 使得驱动晶体管Tr1的栅极连接至信号线DTL。此时,当源极电压Vs低于(V。fs-Vth)时(Vth 校正仍未结束),电流Id在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动,直到晶体管Tr1截止为 止(直到电位差Vgs变得等于Vth为止)。结果,电容Cs充电至Vth,以使得电位差Vgs变得等 于Vth。然后,写线驱动电路24将写线WSL的电压从V。n降低至V。ff,然后信号线驱动电路23 将信号线DTL的电压从Nofs变为Vsig(T5)。因而,驱动晶体管Tr1的栅极进入浮空,因此,电 位差Vgs可保持为Vth,而与信号线DTL的电压的量值无关。这样,电位差Vgs设为Vth,从而 即使在驱动晶体管Tr1的阈值电压Vth针对每个像素电路14变化时,也可以防止有机EL元 件11之间的发光亮度的变化。第二 Vth校正暂停时段然后,在第二 Vth校正暂停时段中,信号线驱动电路23将信号线DTL的电压从V。fs 改变为Vsig。写和μ校正时段 在Vth校正暂停时段已完成之后,执行写和μ校正。具体地,当信号线DTL的电 压为Vsig时,写线驱动电路24将写线WSL的电压从V。ffl增大至V。nl (T6),以使得驱动晶体管 Tr1的栅极连接至信号线DTL。因而,驱动晶体管Tr1的栅极电压变得等于Vsig。有机EL元 件11的阳极电压在该阶段仍然低于元件11的阈值电压V61,因此有机EL元件11截止。因此,电流Id流入有机EL元件11的元件电容(未示出),以使得元件电容被充电,这导致源 极电压Vs增大了 Δν,最终电压差Vgs变得等于Vsig+Vth-AV。这样,同时执行了写和μ校 正。由于Δ V 随着驱动晶体管Tr1的迁移率μ的增大而增大,因此可以通过在发光开始之 前将电压差Vgs减小AV来消除各像素电路14之间的迁移率μ的变化。发光时段接下来,写线驱动电路24将写线WSL的电压从V。n降低至V。ff (T7)。因而,驱动晶 体管Tr1的栅极进入浮空,以使得在晶体管Tr1的栅极和源极之间的电压Vgs保持恒定的同 时,电流Id在驱动晶体管Tr1的漏极和源极之间流动。结果,源极电压Vs增大,驱动晶体管 Tr1的栅极电压相应地增大,从而有机EL元件11以期望的亮度开始发光。工作在实施例的显示器件1中,对每一像素12执行像素电路14的开/关控制,由此如 上面那样将驱动电流注入像素12的有机EL元件11,这导致空穴和电子的复合,使得发光。 这种发射的光经有机EL元件11的电极等传送,然后被提取至外部。结果,图像显示在显示 面板10上。优点在过去的有机EL显示器件中,例如,已将驱动晶体管Tr1的尺寸增大以减小驱动 晶体管Tr1的栅源电压Vgs,从而已实现了低功耗。然而,由于驱动晶体管Tr1尺寸的这种增 大违背了高分辨率的趋势,因此已经在驱动晶体管Tr1尺寸增大的方面具有限制。在本实施例中,双栅晶体管用作驱动晶体管Tr1,并且使用双栅晶体管的独特特性 来克服上述困难。下面加以比较底栅晶体管的特性来描述所述独特特性。图4A和4B示出了双栅和底栅晶体管中每一个的饱和区中的Id-Vgs特性的示例。 图4B以放大的方式示出了图4A中虚线圆圈所围绕的区域(所谓的亚阈值区中的一部分)。 图5通过使用图4A的Id-Vgs特性,示出了 Vgs和电流比(双栅晶体管的电流值对于底栅晶 体管的电流值)之间的关系。图4A和4B以及图5示出了关于已经经受阈值校正的双栅和 底栅晶体管的结果。图4A和4B以及图5揭示了在高Vgs区域中,Id-Vgs特性在双栅和底栅晶体管之间 不会显著不同。图5揭示了电流比在高Vgs范围中略微大于1。这是由于驱动晶体管1^的 顶栅电极与其背栅电极电连接,以使得不仅在顶栅Gl侧而且在背栅G2侧形成沟道。在低Vgs范围中,具体地,在5V或更低的Vgs范围中,相比于在底栅晶体管中,Id的 增大率在双栅晶体管中很大。特别地,在5V或更低的Vgs的范围中,各晶体管之间的Id的 增大率的差异随着Vgs的减小而增大。这揭示了当晶体管用作开关元件时,S卩,当使用大约IOV的Vgs时,无论晶体管是双 栅晶体管还是底栅晶体管,Id-Vgs特性都没有显著的差异。当晶体管用作开关元件时,未使 用5V或更低的Vgs以避免诸如晶体管的开关速度的降低以及阈值电压的变化这样的困难。相比之下,当晶体管未用作简单开关元件,而例如用作有机EL显示器件的像素电 路内的驱动晶体管时,取决于晶体管是双栅晶体管还是底栅晶体管,Id-Vgs特性具有很大的 差异。例如,当由双栅晶体管构成驱动晶体管时,可以通过使用5V或更低的Vgs,以低电压 驱动所述驱动晶体管。在本实施例中,上述独特特性用于使用了驱动晶体管Tr1的电流控制。具体地,将信号电压Vsig施加给像素电路14,以使得可用范围中的驱动晶体管Tr1的栅源电压Vgs的至 少一部分值处于驱动晶体管Tr1的亚阈值区。例如,将信号电压Vsig施加给像素电路14,以 使得驱动晶体管Tr1的栅源电压Vgs为5V或更低。因而,可以在不增大驱动晶体管Tr1的尺 寸的情况下减小驱动晶体管Tr1的栅源电压Vgs。因而,可以在不干扰高分辨率的情况下实 现更低的功耗。 例如,当将信号电压Vsig施加给像素电压14以使得驱动晶体管Tr1的栅源电压Vgs 在低灰度级中为5V或更低时,在以低灰度级显示的像素上可以降低功耗量。进而,例如,当 将信号电压Vsig施加给像素电压14以使得驱动晶体管Tr1的栅源电压Vgs不仅在低灰度级 而且在中间灰度级和高灰度级中(即,在所有的灰度级中)为5V或更低时,可以在所有的 像素上降低功耗量。模块和应用示例下文描述本实施例中所述的显示器件的应用示例。根据本实施例的显示器件可应 用于任何领域中的每个电子设备的显示器件,所述电子设备包括用于基于外部输入或内部 生成的视频信号来显示图像或视频画面的电视装置、数码相机、笔记本个人计算机、移动终 端(如,移动电话)或摄像机。模块根据本实施例的显示器件1例如可以以图6中所示模块的形式内置于各种电子设 备(如,稍后所述的应用示例1 5)。在模块中,例如在基底31 —侧提供从密封基底32露 出的区域210,并且通过延伸驱动电路20的布线而在露出的区域210中形成外部连接端子 (未示出)。外部连接端子可附有用于信号输入和输出的柔性印刷电路(FPC) 220。应用示例1图7示出了使用根据本实施例的显示器件1的电视装置的外观。该电视装置例如 具有包括前面板310和滤光镜320的图像显示屏300,图像显示屏300由根据本实施例的显 示器件1配置。应用示例2图8A和8B示出了使用根据本实施例的显示器件1的数码相机的外观。该数码相 机例如具有用于闪光的发光部分410、显示器420、菜单开关430和快门按钮440,并且显示 器420由根据本实施例的显示器件1配置。应用示例3图9示出了使用根据本实施例的显示器件1的笔记本个人计算机的外观。该笔记 本个人计算机例如具有机身510、用于字母等的输入操作的键盘520,以及用于显示图像的 显示器530,显示器530由根据本实施例的显示器件1配置。应用示例4图10示出了使用根据本实施例的显示器件1的摄像机的外观。该摄像机例如具 有机身610、提供在机身610的前侧面的对象拍摄镜头620、用于拍摄的开始/停止开关630 以及显示器640。显示器640由根据本实施例的显示器件1配置。应用示例5图IlA IlG示出了使用根据本实施例的显示器件1的移动电话的外观。例如, 通过利用折叶730将上壳710连接至下壳720来组装该移动电话,并且该移动电话具有显示器740、子显示器750、画面灯760和相机770。显示器740或子显示器750由根据本实施 例的显示器件1配置。尽管上文已经通过实施例和应用示例描述了本发明,但是本发明不限于所述实施 例等,而是可以以各种方式进行修改和变更。例如,尽管已经通过显示器件1是有源矩阵显示器件的情况描述了实施例等,但 是用于有源矩阵驱动的像素电路14的配置不限于在所述实施例中描述的配置,并且在需 要时可将容性元件或晶体管添加至像素电路14。在这种情况下,除了信号线驱动电路23、 写线驱动电路24和电源线驱动电路25之外,还可以与像素电路14中的变化对应地提供所 需要的驱动电路。

此外,尽管在所述实施例中,信号线驱动电路23、写线驱动电路24和电源线驱动 电路25在定时发生器电路22的控制下受到驱动,但是驱动电路也可以在另一电路的控制 下受到驱动。另外,可以用硬件(电路)或软件(程序)控制信号线驱动电路23、写线驱动 电路24和电源线驱动电路25。此外,尽管在所述实施例等中,像素电路14具有2TrlC的配置,但是像素电路14 也可以具有2TrlC以外的任何配置,只要配置包括以串联方式与有机EL元件11连接的双 栅晶体管即可。此外,尽管在实施例等中已经例举了由η沟道MOS薄膜晶体管(TFT)形成驱动晶 体管Tr1和写晶体管Tr2的情况,但是所述晶体管可以由ρ沟道晶体管(例如,ρ沟道MOS TFT)形成。在这种情况下,最好是晶体管Tr2的源极和漏极中未连接至电源线PSL的一个和 电容Cs的另一端均连接至有机EL元件11的阴极,并且有机EL元件11的阳极连接至GND。本申请包含与2009年11月24日向日本专利局提交的日本优先专利申请JP 2009-266735中公开的主题有关的主题,在此通过引用的方式并入其全部内容。本领域技术人员应当理解,依据设计要求和其它因素,可出现各种修改、组合、部 分组合和变更,只要其在所附权利要求书及其等效物的范围内即可。
权利要求
1.一种显示器件,包括显示部分,其具有以二维方式排列的多组发光元件和像素电路;以及驱动部分,其基于视频信号驱动每个像素电路,其中,像素电路具有双栅第一晶体管,其具有第一栅极和第二栅极,并控制流入每个 发光元件的电流;以及第二晶体管,其根据所述视频信号将信号电压写入至所述第一栅极, 并且所述驱动部分将所述信号电压施加给所述像素电路,以使得可用范围中的第一晶体管 的栅源电压的至少一部分值为5V或更低。
2.如权利要求1所述的显示器件,其中,所述驱动部分对所述第一晶体管执行阈值校正,然后将所述信号电压施加给所 述像素电路。
3.如权利要求1所述的显示器件,其中,所述第一栅极和所述第二栅极彼此电连接,并且具有彼此相等的电位。
4.一种驱动显示器件的方法,包括以下步骤准备显示器件,所述显示器件包括显示部分,其具有以二维方式排列的多组发光元件 和像素电路;以及驱动部分,其基于视频信号驱动每个像素电路,其中,所述像素电路具有 双栅第一晶体管,其具有第一栅极和第二栅极,并控制流入每个发光元件的电流;以及第二 晶体管,其根据所述视频信号将信号电压写入至所述第一栅极;以及使用所述驱动部分将所述信号电压施加给所述像素电路,以使得可用范围中的第一晶 体管的栅源电压的至少一部分值为5V或更低。
5.一种电子设备,包含显示器件,其中,所述显示器件包括显示部分,其具有以二维方式排列的多组发光元件和像素电路,以及驱动部分,其基于视频信号驱动每个像素电路,其中,像素电路具有双栅第一晶体管,其具有第一栅极和第二栅极,并控制流入每个 发光元件的电流;以及第二晶体管,其根据所述视频信号将信号电压写入至所述第一栅极, 并且所述驱动部分将所述信号电压施加给所述像素电路,以使得可用范围中的第一晶体管 的栅源电压的至少一部分值为5V或更低。
6.一种显示器件,包含显示部分,其具有以二维方式排列的多组发光元件和像素电路,其中,每个像素电路具有双栅晶体管,其控制流入每个发光元件的电流,并且可用范围中的所述晶体管的栅源电压的至少一部分值为5V或更低。
全文摘要
提供了可以在不干扰高分辨率的情况下实现低功耗的显示器件、驱动该显示器件的方法以及具有该显示器件的电子设备。所述显示器件包括显示部分,其具有以二维方式排列的多组发光元件和像素电路;以及驱动部分,其基于视频信号驱动每个像素电路。像素电路具有双栅第一晶体管,其具有第一栅极和第二栅极,并控制流入每个发光元件的电流;以及第二晶体管,其根据所述视频信号将信号电压写入至第一栅极。所述驱动部分将所述信号电压施加给所述像素电路,以使得可用范围中的第一晶体管的栅源电压的至少一部分值为5V或更低。
文档编号G09G3/32GK102074187SQ20101055465
公开日2011年5月25日 申请日期2010年11月17日 优先权日2009年11月24日
发明者内野胜秀, 山下淳一 申请人:索尼公司
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