一种硅基oled显示芯片像素电路结构及其驱动方法

专利名称：一种硅基oled显示芯片像素电路结构及其驱动方法
技术领域：
本发明属于信息科学技术学科的微电子应用技术领域，特别是涉及一种硅基OLED显示芯片像素电路结构及其驱动方法的领域。
背景技术：
OLED (Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)为电流驱动器件，要 求背板电路能提供精确、稳定的电流控制。早期的有源背板采用的是a-Si (amorphous silicon，非晶硅)TFT技术，但是由于非晶硅的迁移率较低及阈值电压的不稳定等原因并 没有获得成功，之后便转移到LTPS (Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)TFT技 术。相比非晶硅而言，LTPS的迁移率要高得多，但是阈值电压仍存在均勻性不一致问题，因 而在像素电路的设计中要进行一定的电路补偿，目前已有的OLED显示器大部分采用的都 是LTPS TFT背板技术。而在大尺寸OLED量产方面，LTPS的制造技术尚不成熟，没有统一 的标准生产线，要制备LTPS TFT背板必须投巨资建造专用生产线。而硅基OLED微型显示器件采用单晶硅CMOS基板技术，相比其他基板技术而言，单 晶硅具有载流子迁移率高、阈值电压稳定等优点，可以将像素矩阵及周边驱动电路等都集 成在显示屏上，大大减小整个显示系统的体积及成本，同时成熟的CMOS集成电路工艺也为 硅基OLED微型显示器件的基板制作提供了便利，且单晶硅CMOS基板生产工艺流程标准化， 仅需支付小额的加工费用就可以在任何一家标准的单晶硅CMOS基板生产线上制备基板； 同时硅基OLED基板上的每个像素面积可以做得很小，利于显示分辨率的提高。在单晶硅 CMOS基板芯片的设计上，主要考虑的是如何精确控制流过OLED的电流，从而实现良好的灰 度图象显示。同时芯片功耗也非常重要，因为硅基OLED微型显示器件也就可以用于便携式 近眼显示，由普通手机电池供电，低功耗电路可延长电池的使用寿命。

发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于克服现有LTPS TFT背板像素电路存在的缺陷， 提供基于单晶硅CMOS基板技术的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构及其驱动方法。一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，所述硅基OLED显示芯片像素电路结构 包括至少由读入 PMOS 管源极以及读入 PM0S(P_channel Metal Oxide Semiconductor, P型沟道金属氧化物半导体)管栅极以及读入PMOS管漏极构成的读入PMOS管、 至少由PIP电容器低阻多晶硅上电极以及PIP电容器高阻多晶硅下电极构成的 PIP(PolySi-insulator-Poly Si，多晶硅-绝缘层-多晶硅)电容器、至少由驱动PMOS管 源极以及驱动PMOS管栅极以及驱动PMOS管漏极构成的驱动PMOS管、至少由写出PMOS管 源极以及写出PMOS管栅极以及写出PMOS管漏极构成的写出PMOS管、至少由地线保护PMOS 管源极以及地线保护PMOS管栅极以及地线保护PMOS管漏极构成的地线保护PMOS管、通过 读入PMOS管源极连线与所述读入PMOS管源极相连接的视频数据串行位线、同时连接PIP 上电极连线和驱动PMOS管源极连线的电源线、通过地线保护PMOS管漏极连线与所述地线保护PMOS管漏极相连接的OV地线、通过读入PMOS管栅极连线与所述读入PMOS管栅极相 连接的正相行选通线、通过写出PMOS管栅极连线与所述写出PMOS管栅极相连接的负相行 选通线、与驱动电极连接线相连接的OLED发光层驱动电极；所述PIP上电极连线连接到所述PIP电容器低阻多晶硅上电极；所述驱动PMOS管源极连线连接到所述驱动PMOS管源极；所述PIP电容器高阻多晶硅下电极通过PIP下电极连线连接到把所述读入PMOS 管漏极与所述驱动PMOS管栅极连通的漏栅极连接线上；所述驱动PMOS管漏极与所述写出PMOS管源极通过源漏极连接线相连通；所述地线保护PMOS管栅极、所述地线保护PMOS管源极、所述写出PMOS管漏极分 别通过地线保护PMOS管栅极连线、地线保护PMOS管源极连线、写出PMOS管漏极连线与所 述驱动电极连接线相连接；所述电源线、所述正相行选通线、所述负相行选通线、所述OV地线沿水平方向设 置，且互不相交连通；所述视频数据串行位线沿垂直方向设置，且与所述电源线、所述正相行选通线、所 述负相行选通线、所述OV地线互不连通；所述OLED发光层驱动电极由纯度超过99%的铝金属制成，且所述OLED发光层驱 动电极覆盖的面积不超过所述硅基OLED显示芯片像素电路结构面积的90%。所述电源线上承载不低于3. 3V的恒定电位值；所述视频数据串行位线中交替承载高电位信号和低电位信号，且所述高电位信号 数值不低于所述电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值，所述低电位信号数值不高于 比所述高电位信号数值低0. 5V的数值；所述正相选通线和所述负相选通线上承载的信号为互不交叠反相电压信号；所述一种硅基OLED显示芯片像素电路结构采用PMOS制程工艺在N型单晶硅衬底 上生产实现；本发明用于所述硅基OLED显示芯片像素电路结构的驱动方法，包括如下阶段上电后循环完成如下阶段第一阶段视频数据信号第1位输入，顺序完成如下两个步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线上输入视频数据信号第1位， 承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管导通，所述视频数据串行位 线中的信号经过所述读入PMOS管源极连线、所述读入PMOS管、所述漏栅极连接线、PIP下电 极连线传入所述PIP电容器进行存储，如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信 号的数值低于比所述电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏 栅极连接线启动所述驱动PMOS管进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS 管允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述 源漏极连接线；如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信号的数值不低于比所述 电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线启动所述 驱动PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述源漏极连接线，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线启动所述写出PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所 述写出PMOS管只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线经由所述写出PMOS管流进 所述写出PMOS管漏极连线，

2)本阶段开始后的10至800微秒之后的3000至4000微秒时间内所述正相选通 线上输入不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的3000至4000微秒时间 内所述负相选通线上输入OV电位，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管只允许不超过1 纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线经由所述读入PMOS管流进所述漏栅极连接线或 从所述漏栅极连接线经由所述读入PMOS管流进所述读入PMOS管源极连线，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管导通，如果所述驱动PMOS管 处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述写出PM0S、 所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极；如果所述驱 动PMOS管处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述 写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极，第二阶段完成视频数据信号第1位写入阶段后进入视频数据信号第2位写入，分 别完成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线上输入视频数据信号第2位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管导通，所述视频数据串行位 线中的信号经过所述读入PMOS管源极连线、所述读入PMOS管、所述漏栅极连接线、PIP下电 极连线传入所述PIP电容器进行存储，如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信 号的数值低于比所述电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏 栅极连接线启动所述驱动PMOS管进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS 管允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述 源漏极连接线；如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信号的数值不低于比所述 电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线启动所述 驱动PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管只允许不超过1纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述源漏极连接线，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线启动所述写出PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所 述写出PMOS管只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线经由所述写出PMOS管流进 所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的1500至2000微秒时间内所述正相选通 线上承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的1500至2000微秒时间 内所述负相选通线上承载OV电位，
承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管只允许不超过1 纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线经由所述读入PMOS管流进所述漏栅极连接线或 从所述漏栅极连接线经由所述读入PMOS管流进所述读入PMOS管源极连线， 承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管导通，如果所述驱动PMOS管 处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述写出PM0S、 所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极；如果所述驱 动PMOS管处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述 写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极，第三阶段完成视频数据信号第2位写入阶段后进入视频数据信号第3位写入，分 别完成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线上输入视频数据信号第3位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管导通，所述视频数据串行位 线中的信号经过所述读入PMOS管源极连线、所述读入PMOS管、所述漏栅极连接线、PIP下电 极连线传入所述PIP电容器进行存储，如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信 号的数值低于比所述电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏 栅极连接线启动所述驱动PMOS管进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS 管允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述 源漏极连接线；如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信号的数值不低于比所述 电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线启动所述 驱动PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管只允许不超过1纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述源漏极连接线，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线启动所述写出PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所 述写出PMOS管只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线经由所述写出PMOS管流进 所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的750至1000微秒时间内所述正相选通线 上承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的750至1000微秒时间内 所述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管只允许不超过1 纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线经由所述读入PMOS管流进所述漏栅极连接线或 从所述漏栅极连接线经由所述读入PMOS管流进所述读入PMOS管源极连线，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管导通，如果所述驱动PMOS管 处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述写出PM0S、 所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极；如果所述驱 动PMOS管处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极，第四阶段完成视频数据信号第3位写入阶段后进入视频数据信号第4位写入，分 别完成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线上输入视频数据信号第4位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管导通，所述视频数据串行位 线中的信号经过所述读入PMOS管源极连线、所述读入PMOS管、所述漏栅极连接线、PIP下电 极连线传入所述PIP电容器进行存储，如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信 号的数值低于比所述电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏 栅极连接线启动所述驱动PMOS管进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS 管允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述 源漏极连接线；如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信号的数值不低于比所述 电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线启动所述 驱动PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管只允许不超过1纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述源漏极连接线，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线启动所述写出PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所 述写出PMOS管只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线经由所述写出PMOS管流进 所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的350至500微秒时间内所述正相选通线 上承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的350至500微秒时间内所 述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管只允许不超过1 纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线经由所述读入PMOS管流进所述漏栅极连接线或 从所述漏栅极连接线经由所述读入PMOS管流进所述读入PMOS管源极连线，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管导通，如果所述驱动PMOS管 处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述写出PM0S、 所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极；如果所述驱 动PMOS管处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述 写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极，第五阶段完成视频数据信号第4位写入阶段后进入视频数据信号第5位写入，分 别完成如下步骤 1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线上输入视频数据信号第5位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管导通，所述视频数据串行位 线中的信号经过所述读入PMOS管源极连线、所述读入PMOS管、所述漏栅极连接线、PIP下电极连线传入所述PIP电容器进行存储，如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信 号的数值低于比所述电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏 栅极连接线启动所述驱动PMOS管进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS 管允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述 源漏极连接线；如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信号的数值不低于比所述 电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线启动所述 驱动PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管只允许不超过1纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述源漏极连接线，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线启动所述写出PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所 述写出PMOS管只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线经由所述写出PMOS管流进 所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的150至250微秒时间内所述正相选通线 上承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的150至250微秒时间内所 述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管只允许不超过1 纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线经由所述读入PMOS管流进所述漏栅极连接线或 从所述漏栅极连接线经由所述读入PMOS管流进所述读入PMOS管源极连线，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管导通，如果所述驱动PMOS管 处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述写出PM0S、 所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极；如果所述驱 动PMOS管处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述 写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极，第六阶段完成视频数据信号第5位写入阶段后进入视频数据信号第6位写入，分 别完成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线上输入视频数据信号第6位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管导通，所述视频数据串行位 线中的信号经过所述读入PMOS管源极连线、所述读入PMOS管、所述漏栅极连接线、PIP下电 极连线传入所述PIP电容器进行存储，如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信 号的数值低于比所述电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏 栅极连接线启动所述驱动PMOS管进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS 管允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述 源漏极连接线；如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信号的数值不低于比所述 电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线启动所述 驱动PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管只允许不超过1纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述源漏极连接线，
承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线启动所述写出PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所 述写出PMOS管只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线经由所述写出PMOS管流进 所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的75至150微秒时间内所述正相选通线上 承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的75至150微秒时间内所述 负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管只允许不超过1 纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线经由所述读入PMOS管流进所述漏栅极连接线或 从所述漏栅极连接线经由所述读入PMOS管流进所述读入PMOS管源极连线，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管导通，如果所述驱动PMOS管 处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述写出PM0S、 所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极；如果所述驱 动PMOS管处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述 写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极，第七阶段完成视频数据信号第6位写入阶段后进入视频数据信号第7位写入，分 别完成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线上输入视频数据信号第7位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管导通，所述视频数据串行位 线中的信号经过所述读入PMOS管源极连线、所述读入PMOS管、所述漏栅极连接线、PIP下电 极连线传入所述PIP电容器进行存储，如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信 号的数值低于比所述电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏 栅极连接线启动所述驱动PMOS管进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS 管允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述 源漏极连接线；如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信号的数值不低于比所述 电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线启动所述 驱动PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管只允许不超过1纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述源漏极连接线，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线启动所述写出PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所 述写出PMOS管只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线经由所述写出PMOS管流进 所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的35至100微秒时间内所述正相选通线上 承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的35至100微秒时间内所述 负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所
17述读入PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管只允许不超过1 纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线经由所述读入PMOS管流进所述漏栅极连接线或 从所述漏栅极连接线经由所述读入PMOS管流进所述读入PMOS管源极连线，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管导通，如果所述驱动PMOS管 处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述写出PM0S、 所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极；如果所述驱 动PMOS管处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述 写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极，第八阶段完成视频数据信号第7位写入阶段后进入视频数据信号第8位写入，分 别完成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线上输入视频数据信号第8位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管导通，所述视频数据串行位 线中的信号经过所述读入PMOS管源极连线、所述读入PMOS管、所述漏栅极连接线、PIP下电 极连线传入所述PIP电容器进行存储，如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信 号的数值低于比所述电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏 栅极连接线启动所述驱动PMOS管进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS 管允许不超过100纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述 源漏极连接线；如果从所述视频数据串行位线传入PIP电容器的信号的数值不低于比所述 电源线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线启动所述 驱动PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管只允许不超过1纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述源漏极连接线，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线启动所述写出PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所 述写出PMOS管只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线经由所述写出PMOS管流进 所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的15至50微秒时间内所述正相选通线上 承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的15至50微秒时间内所述负 相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管只允许不超过1 纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线经由所述读入PMOS管流进所述漏栅极连接线或 从所述漏栅极连接线经由所述读入PMOS管流进所述读入PMOS管源极连线，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管导通，如果所述驱动PMOS管 处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述写出PM0S、 所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极；如果所述驱 动PMOS管处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述 写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极，
第九阶段完成视频数据信号第8位写入阶段后进入黑屏信号写入，分别完成如 下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线上输入不低于3. 3V的恒定电位值，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管导通，所述视频数据串行位 线上承载的不低于3. 3V的恒定电位值经过所述读入PMOS管源极连线、所述读入PMOS管、 所述漏栅极连接线、PIP下电极连线传入所述PIP电容器进行存储，且所述漏栅极连接线启 动所述驱动PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管只允许不超 过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管流进所述源漏极连接 线，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线启动所述写出PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所 述写出PMOS管只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线经由所述写出PMOS管流进 所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的250至350微秒时间内所述正相选通线 上承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的250至350微秒时间内所 述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管只允许不超过1 纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线经由所述读入PMOS管流进所述漏栅极连接线或 从所述漏栅极连接线经由所述读入PMOS管流进所述读入PMOS管源极连线，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管导通，且所述驱动PMOS管处 于截止工作状态，则只有不超过ι纳安的电流从所述漏栅极连接线经由所述写出PM0S、所 述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极。有益效果本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构及其驱动方法采用单晶硅CMOS制 程技术实现，相比现有LTPS TFT背板技术而言具备以下优势1)单晶硅具有载流子迁移率高、阈值电压稳定等优点，可以将像素矩阵及周边驱 动电路等都集成在显示屏上，大大减小整个显示系统的体积及成本；2)单晶硅CMOS基板生产工艺流程标准化，仅需支付小额的加工费用就可以在任 何一家标准的单晶硅CMOS基板生产线上制备基板；3)硅基OLED微型显示芯片上每个像素尺寸可以制造到10微米以下，因而只有常 规OLED显示器像素尺寸的十分之一到百分之一，有利于显示分辨率的大幅度提高；4)采用CMOS集成电路技术制造的基板芯片属于低功耗器件，可以将硅基OLED微 型显示器件的应用领域扩展到便携式显示产品中，从而延长电池的使用寿命。5)所述地线保护PMOS管保证本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构所承 受的电压差不超过所述电源线上所承载的电压值，通过对OLED发光层的公共电极电位施 加负电压的方法，就实现了低压单晶硅CMOS工艺完成高压驱动OLED发光层的目的；




图，
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图1是本发明的
(I)电源线
(3)读入PMOS管源极 (5)读入PMOS管漏极 (7) PIP上电极连线 (9) PIP电容器
(II)漏栅极连接线 (13)驱动PMOS管栅极 (15)驱动PMOS管源极 (17)源漏极连接线 (19)写出PMOS管 (21)写出PMOS管漏极连线 (23)读入PMOS管栅极 (25)正相行选通线
(27)负相行选通线
(29)地线保护PMOS管源极连线
(31)地线保护PMOS管
(33)地线保护PMOS管漏极连线
(35)地线保护PMOS管栅极连线
(37)驱动电极连接线
种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其中 (2)读入PMOS管源极连线 (4)读入PMOS管
(6)PIP电容器低阻多晶硅上电极 (S)PIP电容器高阻多晶硅下电极 (IO)PIP下电极连线 (12)驱动PMOS管 (14)驱动PMOS管源极连线 (16)驱动PMOS管漏极 (18)写出PMOS管源极 (20)写出PMOS管漏极 (22)视频数据串行位线 (24)读PMOS管栅极连接线 (26)写出PMOS管栅极 (28)写出PMOS管栅极连线 (30)地线保护PMOS管源极 (32)地线保护PMOS管漏极 (34)地线保护PMOS管栅极 (36) OV地线
(38) OLED发光层驱动电极
图2是本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路驱动方法的第-
阶段控制流程
图3是本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路驱动方法的第二阶段控制流I
图4是本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路驱动方法的第三阶段控制流禾丨
图5是本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路驱动方法的第四阶段控制流程
图6是本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路驱动方法的第五阶段控制流程
图7是本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路驱动方法的第六阶段控制流I
图8是本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路驱动方法的第七阶段控制流程
图9是本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路驱动方法的第八阶段控制流I
图10是本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路驱动方法的第九阶段控制流程
具体实施例方式下面结合附图1对本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构作进一步具体 说明所述硅基OLED显示芯片像素电路结构包括至少由读入PMOS管源极(3)以及读 入PMOS管栅极以及读入PMOS管漏极(5)构成的读入PMOS管(4)、至少由PIP电容器低阻 多晶硅上电极(6)以及PIP电容器高阻多晶硅下电极⑶构成的PIP电容器(9)、至少由 驱动PMOS管源极(15)以及驱动PMOS管栅极(13)以及驱动PMOS管漏极(16)构成的驱动 PMOS管(12)、至少由写出PMOS管源极(18)以及写出PMOS管栅极(26)以及写出PMOS管 漏极(20)构成的写出PMOS管(19)、至少由地线保护PMOS管源极(30)以及地线保护PMOS 管栅极(34)以及地线保护PMOS管漏极(32)构成的地线保护PMOS管(31)、通过读入PMOS 管源极连线(2)与所述读入PMOS管源极(3)相连接的视频数据串行位线(22)、同时连接 PIP上电极连线(7)和驱动PMOS管源极连线(14)的电源线(1)、通过地线保护PMOS管漏 极连线(33)与所述地线保护PMOS管漏极(32)相连接的OV地线(36)、通过读入PMOS管栅 极连线(24)与所述读入PMOS管栅极(23)相连接的正相行选通线(25)、通过写出PMOS管 栅极连线(28)与所述写出PMOS管栅极(26)相连接的负相行选通线(27)、与驱动电极连接 线(37)相连接的OLED发光层驱动电极(38)；所述PIP上电极连线(7)连接到所述PIP电容器低阻多晶硅上电极(6)；所述驱动PMOS管源极连线(14)连接到所述驱动PMOS管源极(15)；所述PIP电容器高阻多晶硅下电极(8)通过PIP下电极连线(10)连接到把所述 读入PMOS管漏极(5)与所述驱动PMOS管栅极(13)连通的漏栅极连接线(11)上；所述驱动PMOS管漏极(16)与所述写出PMOS管源极(18)通过源漏极连接线(17) 相连通；所述地线保护PMOS管栅极(34)、所述地线保护PMOS管源极(30)、所述写出PMOS 管漏极(20)分别通过地线保护PMOS管栅极连线(35)、地线保护PMOS管源极连线(29)、写 出PMOS管漏极连线(21)与所述驱动电极连接线(37)相连接；所述电源线(1)、所述正相行选通线(25)、所述负相行选通线(27)、所述OV地线沿 水平方向设置，且互不相交连通；所述视频数据串行位线(22)沿垂直方向设置，且与所述电源线(1)、所述正相行 选通线(25)、所述负相行选通线(27)、所述OV地线互不连通；所述OLED发光层驱动电极(38)由纯度超过99%的铝金属制成，且所述OLED发光 层驱动电极(38)覆盖的面积不超过所述硅基OLED显示芯片像素电路结构面积的90%。所述电源线(1)上承载不低于3. 3V的恒定电位值；所述视频数据串行位线(22)中交替承载高电位信号和低电位信号，且所述高电 位信号数值不低于所述电源线(1)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值，所述低电位信号数 值不高于比所述高电位信号数值低0. 5V的数值，所述正相选通线和所述负相选通线上承载的信号为互不交叠反相电压信号。所述一种硅基OLED显示芯片像素电路结构采用PMOS制程工艺在N型单晶硅衬底 上生产实现；下面结合附图2、附图3、附图4、附图5、附图6、附图7、附图8、附图9、附图10对本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路驱动方法作进一步具体说明本发明用于所述硅基OLED显示芯片像素电路结构的驱动方法，包括如下阶段上电后循环完成如下阶段第一阶段视频数据信号第1位输入，顺序完成如下两个步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电 位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第1位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串 行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏 栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视 频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的 不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS 管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线 (17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述 电源线⑴上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11) 启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12) 只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进 所述源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通 过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截 止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17) 经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的3000至4000微秒时间内所述正相选通 线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的3000至4000微秒 时间内所述负相选通线上输入OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启 动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只 允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流 进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述读入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动 PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经 由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光 层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安 的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所 述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第二阶段完成视频数据信号第1位写入阶段后进入视频数据信号第2位写入，分 别完成如下步骤
1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电 位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第2位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串 行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏 栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视 频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的 不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS 管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线 (17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述 电源线(1)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11) 启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12) 只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进 所述源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通 过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截 止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17) 经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的1500至2000微秒时间内所述正相选通 线上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的1500至2000微秒 时间内所述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启 动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只 允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流 进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述读入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动 PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经 由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光 层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安 的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所 述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第三阶段完成视频数据信号第2位写入阶段后进入视频数据信号第3位写入，分 别完成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电 位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第3位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏 栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视 频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的 不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS 管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线 (17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述 电源线⑴上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11) 启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12) 只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进 所述源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通 过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截 止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17) 经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的750至1000微秒时间内所述正相选通线 上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的750至1000微秒时 间内所述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启 动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只 允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流 进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述读入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动 PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经 由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光 层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安 的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所 述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第四阶段完成视频数据信号第3位写入阶段后进入视频数据信号第4位写入，分 别完成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电 位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第4位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串 行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏 栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视 频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的 不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线 (17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述 电源线(1)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11) 启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12) 只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进 所述源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通 过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截 止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17) 经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的350至500微秒时间内所述正相选通线 上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的350至500微秒时间 内所述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启 动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只 允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流 进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述读入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动 PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经 由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光 层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安 的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所 述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第五阶段完成视频数据信号第4位写入阶段后进入视频数据信号第5位写入，分 别完成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电 位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第5位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串 行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏 栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视 频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的 不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS 管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线 (17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述 电源线(1)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)
25启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12) 只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进 所述源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通 过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截 止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17) 经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的150至250微秒时间内所述正相选通线 上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的150至250微秒时间 内所述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启 动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只 允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流 进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述读入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动 PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经 由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光 层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安 的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所 述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)， 第六阶段完成视频数据信号第5位写入阶段后进入视频数据信号第6位写入，分 别完成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电 位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第6位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串 行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏 栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视 频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的 不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS 管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线 (17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述 电源线⑴上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11) 启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12) 只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进 所述源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截 止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17) 经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的75至150微秒时间内所述正相选通线上 承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的75至150微秒时间内 所述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启 动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只 允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流 进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述读入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动 PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经 由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光 层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安 的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所 述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第七阶段完成视频数据信号第6位写入阶段后进入视频数据信号第7位写入，分 别完成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电 位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第7位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串 行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏 栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视 频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的 不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS 管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线 (17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述 电源线⑴上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11) 启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12) 只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进 所述源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通 过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截 止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17) 经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的35至100微秒时间内所述正相选通线上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的35至100微秒时间内 所述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启 动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只 允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流 进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述读入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动 PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经 由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光 层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安 的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所 述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第八阶段完成视频数据信号第7位写入阶段后进入视频数据信号第8位写入，分 别完成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电 位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入视频数据信号第8位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串 行位线(22)中的信号经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述读入PMOS管(4)、所述漏 栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视 频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的 不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS 管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳 安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线 (17)；如果从所述视频数据串行位线(22)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述 电源线⑴上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11) 启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(12) 只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进 所述源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通 过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截 止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17) 经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的15至50微秒时间内所述正相选通线上 承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的15至50微秒时间内所 述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启 动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流 进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述读入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动 PMOS管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经 由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱动电极连线进入所述OLED发光 层驱动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安 的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所 述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第九阶段完成视频数据信号第8位写入阶段后进入黑屏信号写入，分别完成如 下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至 2微秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电 位，同时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线(22)上输入不低于3. 3V的恒定电位 值，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串 行位线(22)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值经过所述读入PMOS管源极连线(2)、所述 读入PMOS管(4)、所述漏栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9) 进行存储，且所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入截止工作状态，进入 截止工作状态的所述驱动PMOS管(12)只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏 极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通 过所述写出PMOS管栅极连线(28)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截 止工作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17) 经由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线(21)，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的250至350微秒时间内所述正相选通线 上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的250至350微秒时间 内所述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启 动所述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只 允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流 进所述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述读入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，且所述驱动PMOS 管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所 述写出PMOS、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极 (38)。综上所述，本发明实施例提供了 一种硅基OLED显示芯片像素电路结构及其驱动 方法，通过该方法减少了整机空间的尺寸以及降低了整机功耗、。
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本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施例的示意图，上述本发明实施例 序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。 以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和 原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，至少由读入PMOS管源极(3)以 及读入PMOS (P-channel Metal Oxide Semiconductor, P型沟道金属氧化物半导体)管栅 极以及读入PMOS管漏极(5)构成的读入PMOS管0)、至少由PIP电容器低阻多晶硅上电极 (6)以及PIP电容器高阻多晶硅下电极(8)构成的PIP(Poly Si-insulator-Poly Si，多晶 硅-绝缘层-多晶硅)电容器、至少由驱动PMOS管源极(15)以及驱动PMOS管栅极(13) 以及驱动PMOS管漏极(16)构成的驱动PMOS管(12)、至少由写出PMOS管(19)源极(18) 以及写出PMOS管(19)栅极以及写出PMOS管(19)漏极构成的写出PMOS管(19)、至少由地 线保护PMOS管源极(30)以及地线保护PMOS管栅极(34)以及地线保护PMOS管漏极(32) 构成的地线保护PMOS管(31)、通过读入PMOS管源极连线(2)与所述读入PMOS管源极(3) 相连接的视频数据串行位线(22)、同时连接PIP上电极连线(7)和驱动PMOS管源极连线 (14)的电源线(1)、通过地线保护PMOS管漏极连线(33)与所述地线保护PMOS管漏极(32) 相连接的OV地线、通过读入PMOS管栅极连线与所述读入PMOS管栅极相连接的正相 行选通线(25)、通过写出PMOS管(19)栅极连线与所述写出PMOS管(19)栅极相连接的负 相行选通线(27)、与驱动电极连接线(37)相连接的OLED发光层驱动电极(38)。
2.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述 PIP上电极连线(7)连接到所述PIP电容器低阻多晶硅上电极(6)，所述驱动PMOS管源极 连线(14)连接到所述驱动PMOS管源极(15)，所述PIP电容器高阻多晶硅下电极(8)通过 PIP下电极连线(10)连接到把所述读入PMOS管漏极(5)与所述驱动PMOS管栅极(13)连 通的漏栅极连接线(11)上，所述驱动PMOS管漏极(16)与所述写出PMOS管(19)源极(18) 通过源漏极连接线(17)相连通，所述地线保护PMOS管栅极(34)、所述地线保护PMOS管源 极(30)、所述写出PMOS管(19)漏极分别通过地线保护PMOS管栅极连线(35)、地线保护 PMOS管源极连线( )、写出PMOS管(19)漏极连线与所述驱动电极连接线(37)相连接。
3.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述电 源线(1)、所述正相行选通线(25)、所述负相行选通线(27)、所述OV地线沿水平方向设置， 且互不相交连通。
4.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述视 频数据串行位线02)沿垂直方向设置，且与所述电源线(1)、所述正相行选通线(25)、所述 负相行选通线(27)、所述OV地线互不连通。
5.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述 OLED发光层驱动电极(38)由纯度超过99%的铝金属制成，且所述OLED发光层驱动电极 (38)覆盖的面积不超过所述硅基OLED显示芯片像素电路结构面积的90%。
6.根据权利要求3所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述电 源线(1)上承载不低于3. 3V的恒定电位值。
7.根据权利要求3所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述视 频数据串行位线0 中交替承载高电位信号和低电位信号，且所述高电位信号数值不低 于所述电源线(1)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值，所述低电位信号数值不高于比所述 高电位信号数值低0. 5V的数值，所述正相选通线和所述负相选通线上承载的信号为互不 交叠反相电压信号。
8.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片像素电路结构，其特征在于，所述一种硅基OLED显示芯片像素电路结构采用PMOS制程工艺在N型单晶硅衬底上生产实现。
9.适于本发明的一种硅基OLED显示芯片像素电路驱动方法，其特征在于，包括上电后 循环完成如下阶段第一阶段视频数据信号第1位输入，顺序完成如下两个步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微 秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线0 上输入视频数据信号第1位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位 线0 中的信号经过所述读入PMOS管源极连线O)、所述读入PMOS管G)、所述漏栅极连 接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据 串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的不低于 3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12) 进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电 流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如 果从所述视频数据串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线 (1)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所 述驱动PMOS管(1 进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(1 只允 许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(1 流进所述 源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管(19)栅极连线启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工 作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经 由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管(19)漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的3000至4000微秒时间内所述正相选通线上 输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0.5V的电位，同时的3000至4000微秒时间 内所述负相选通线上输入OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许 不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读 入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS 管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所 述写出PM0S、所述写出PMOS管(19)漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱 动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电 流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管(19)漏极连线、所述驱 动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第二阶段完成视频数据信号第1位写入阶段后进入视频数据信号第2位写入，分别完 成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微 秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线0 上输入视频数据信号第2位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位 线0 中的信号经过所述读入PMOS管源极连线O)、所述读入PMOS管G)、所述漏栅极连 接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据 串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的不低于 3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12) 进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电 流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(1 流进所述源漏极连接线(17)；如 果从所述视频数据串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线 (1)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所 述驱动PMOS管(1 进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(1 只允 许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(1 流进所述 源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管(19)栅极连线启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工 作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经 由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管(19)漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的1500至2000微秒时间内所述正相选通线上 承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的1500至2000微秒时间 内所述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许 不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读 入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS 管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所 述写出PM0S、所述写出PMOS管(19)漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱 动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电 流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管(19)漏极连线、所述驱 动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第三阶段完成视频数据信号第2位写入阶段后进入视频数据信号第3位写入，分别完 成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微 秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线0 上输入视频数据信号第3位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位线0 中的信号经过所述读入PMOS管源极连线O)、所述读入PMOS管G)、所述漏栅极连 接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据 串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的不低于 3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12) 进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电 流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如 果从所述视频数据串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线 (1)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所 述驱动PMOS管(1 进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(1 只允 许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(1 流进所述 源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管(19)栅极连线启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工 作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经 由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的750至1000微秒时间内所述正相选通线上承 载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的750至1000微秒时间内 所述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许 不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读 入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS 管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所 述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱 动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电 流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱 动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第四阶段完成视频数据信号第3位写入阶段后进入视频数据信号第4位写入，分别完 成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微 秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线0 上输入视频数据信号第4位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位 线0 中的信号经过所述读入PMOS管源极连线O)、所述读入PMOS管G)、所述漏栅极连 接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据 串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的不低于 3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12)进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电 流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如 果从所述视频数据串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线 (1)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所 述驱动PMOS管(1 进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(1 只允 许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(1 流进所述 源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线08)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工 作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经 由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的350至500微秒时间内所述正相选通线上承 载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的350至500微秒时间内所 述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许 不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读 入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS 管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所 述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱 动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电 流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱 动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第五阶段完成视频数据信号第4位写入阶段后进入视频数据信号第5位写入，分别完 成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微 秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线0 上输入视频数据信号第5位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位 线0 中的信号经过所述读入PMOS管源极连线O)、所述读入PMOS管G)、所述漏栅极连 接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据 串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的不低于 3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12) 进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电 流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如 果从所述视频数据串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线 (1)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(1 进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(1 只允 许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(1 流进所述 源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线08)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工 作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经 由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的150至250微秒时间内所述正相选通线上承 载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的150至250微秒时间内所 述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许 不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读 入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS 管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所 述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱 动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电 流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱 动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第六阶段完成视频数据信号第5位写入阶段后进入视频数据信号第6位写入，分别完 成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微 秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线0 上输入视频数据信号第6位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位 线0 中的信号经过所述读入PMOS管源极连线O)、所述读入PMOS管G)、所述漏栅极连 接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据 串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的不低于 3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12) 进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电 流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如 果从所述视频数据串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线 (1)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所 述驱动PMOS管(1 进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(1 只允 许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(1 流进所述 源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所述写出PMOS管栅极连线08)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工 作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经 由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的75至150微秒时间内所述正相选通线上承载 不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的75至150微秒时间内所述 负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许 不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读 入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS 管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所 述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱 动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电 流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱 动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第七阶段完成视频数据信号第6位写入阶段后进入视频数据信号第7位写入，分别完 成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微 秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线0 上输入视频数据信号第7位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位 线0 中的信号经过所述读入PMOS管源极连线O)、所述读入PMOS管G)、所述漏栅极连 接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据 串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线(1)上承载的不低于 3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12) 进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电 流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)；如 果从所述视频数据串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线 (1)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所 述驱动PMOS管(1 进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(1 只允 许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(1 流进所述 源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线08)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工 作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经 由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的35至100微秒时间内所述正相选通线上承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的35至100微秒时间内所述 负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许 不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读 入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS 管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所 述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱 动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电 流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱 动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第八阶段完成视频数据信号第7位写入阶段后进入视频数据信号第8位写入，分别完 成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微 秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线0 上输入视频数据信号第8位，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位 线0 中的信号经过所述读入PMOS管源极连线O)、所述读入PMOS管G)、所述漏栅极连 接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行存储，如果从所述视频数据 串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值低于比所述电源线⑴上承载的不低于 3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(12) 进入线性工作状态，进入线性工作状态的所述驱动PMOS管(12)允许不超过100纳安的电 流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(1 流进所述源漏极连接线(17)；如 果从所述视频数据串行位线02)传入PIP电容器(9)的信号的数值不低于比所述电源线 (1)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值低0. 5V的数值，则所述漏栅极连接线(11)启动所 述驱动PMOS管(1 进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述驱动PMOS管(1 只允 许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连线经由所述驱动PMOS管(1 流进所述 源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线08)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工 作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经 由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的15至50微秒时间内所述正相选通线上承载 不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的15至50微秒时间内所述负 相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读 入PMOS管源极连线(2)，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，如果所述驱动PMOS 管(12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所 述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱 动电极(38)；如果所述驱动PMOS管(12)处于线性工作状态，则允许不超过100纳安的电 流从所述漏栅极连接线(11)经由所述写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线(21)、所述驱 动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极(38)，第九阶段完成视频数据信号第8位写入阶段后进入黑屏信号写入，分别完成如下步骤1)本阶段开始后的1至2微秒时间内所述正相选通线上输入OV电位，同时的1至2微 秒时间内所述负相选通线上输入不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同 时的1至2微秒时间内所述视频数据串行位线0 上输入不低于3. 3V的恒定电位值，承载OV电位的所述正相选通线启动所述读入PMOS管(4)导通，所述视频数据串行位 线02)上承载的不低于3. 3V的恒定电位值经过所述读入PMOS管源极连线O)、所述读入 PMOS管G)、所述漏栅极连接线(11)、PIP下电极连线(10)传入所述PIP电容器(9)进行 存储，且所述漏栅极连接线(11)启动所述驱动PMOS管(1 进入截止工作状态，进入截止 工作状态的所述驱动PMOS管(1 只允许不超过1纳安的电流从所述驱动PMOS管漏极连 线经由所述驱动PMOS管(12)流进所述源漏极连接线(17)，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述负相选通线通过所 述写出PMOS管栅极连线08)启动所述写出PMOS管(19)进入截止工作状态，进入截止工 作状态的所述写出PMOS管(19)只允许不超过1纳安的电流从所述源漏极连接线(17)经 由所述写出PMOS管(19)流进所述写出PMOS管漏极连线，2)本阶段开始后的10至800微秒之后的250至350微秒时间内所述正相选通线上承 载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位，同时的250至350微秒时间内所 述负相选通线上承载OV电位，承载不低于所述电源线(1)上所承载的电位值0. 5V的电位的所述正相选通线启动所 述读入PMOS管(4)进入截止工作状态，进入截止工作状态的所述读入PMOS管(4)只允许 不超过1纳安的电流或从所述读入PMOS管源极连线(2)经由所述读入PMOS管(4)流进所 述漏栅极连接线(11)或从所述漏栅极连接线(11)经由所述读入PMOS管(4)流进所述读 入PMOS管源极(3)连线⑵，承载OV电位的所述负相选通线启动所述写出PMOS管(19)导通，且所述驱动PMOS管 (12)处于截止工作状态，则只有不超过1纳安的电流从所述漏栅极连接线(11)经由所述 写出PM0S、所述写出PMOS管漏极连线、所述驱动电极连线进入所述OLED发光层驱动电极 (38)。
全文摘要
一种硅基OLED显示芯片像素电路结构及其驱动方法。像素电路结构至少有读入PMOS管、PIP电容器、驱动PMOS管、写出PMOS管、地线保护PMOS管、视频数据串行位线、同时连接PIP上电极连线和驱动PMOS管源极连线的电源线、通过地线保护PMOS管漏极连线与所述地线保护PMOS管漏极相连接的0V地线、通过读入PMOS管栅极连线与所述读入PMOS管栅极相连接的正相行选通线、通过写出PMOS管栅极连线与所述写出PMOS管栅极相连接的负相行选通线、与驱动电极连接线相连接的OLED发光层驱动电极。驱动方法有九个阶段，上电后循环完成。本发明降低了生产成本，降低了控制驱动电路的重量和空间体积，降低整机功耗。
文档编号G09G3/32GK102074195SQ201010623538
公开日2011年5月25日 申请日期2010年12月29日 优先权日2010年12月29日
发明者代永平, 凌代年, 彭华军, 邱成峰, 郭海成, 黄飚 申请人:广东中显科技有限公司