专利名称：有机发光二极管显示装置的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种显示装置，且特别是有关于一种有机发光二极管显示装置。
背景技术：
随着科技的进步，平面显示器成为近年来最受瞩目的显示技术。其中，有机发光二极管(organic light emitting diode, OLED)显示器因其自发光、广视角、省电、制程简易、低成本、低温度操作范围、高应答速度以及全彩化等优点而具有极大的应用潜力，可望成为下一代的平面显示器之主流。为了控制有机发光二极管的发光亮度，有机发光二极管通常会串接一晶体管。透过控制晶体管的导通程度，可控制流经有机发光二极管的电流，进而控制有机发光二极管的发光亮度。一般而言，在对画素进行程序化时，会希望将与有机发光二极管耦接的晶体管的闸极与源极间的电压控制为等于临界电压，以便后序进行编码补偿。因此，如何透过电路设计或调整驱动方式使与有机发光二极管耦接的晶体管的闸极与源极间的电压等于临界电压成为驱动有机发光二极管的一个重要课题。
发明内容
本发明提供一种有机发光二极管显示装置，可提升其显示质量。本发明提出一种有机发光二极管显示装置，包括一电源电路及一画素。电源电路用以提供一第一电压。画素包括一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管、一第五晶体管、一电容及一有机发光二极管。第一晶体管的第一端接收一资料电压，第一晶体管的控制端接收一扫描信号。电容的第一端耦接第一晶体管的第二端。第二晶体管的第一端接收第一电压，第二晶体管的控制端耦接电容的第二端。第三晶体管的第一端耦接第二晶体管的控制端，第三晶体管的控制端接收扫描信号，第三晶体管的第二端耦接第二晶体管的第二端。第四晶体管的第一端耦接第二晶体管的第二端，第四晶体管的控制端接收一发光信号。有机发光二极管，与第二晶体管及第四晶体管串联耦接于第一电压与一第二电压之间。第五晶体管的第一端接收一初始电压，第五晶体管的控制端接收发光信号，第五晶体管的第二端耦接电容的第一端。在一程序化期间，致能扫描信号且禁能发光信号，并且电源电路调整第一电压的电压准位或电流以加速第二晶体管的控制端的电压准位达到一目标电压。在本发明一实施例中，调整第一电压的一调整期间小于程序化期间。在本发明一实施例中，当第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管及第五晶体管分别为一 P型晶体管时，第一电压为一系统高电压，第二电压为一接地电压。在本发明一实施例中，目标电压为系统高电压减去第二晶体管的一临界电压。在本发明一实施例中，电源电路包括一第一电源供应单元及一第一多工器。第一电源供应单兀用以提供一第一参考电压及一第二参考电压，第二参考电压高于第一参考电压。第一多工器耦接第一电源供应单元以接收第一参考电压及第二参考电压，且接收一调整信号。当调整信号为致能时，第一多工器依据调整信号输出第二参考电压以作为系统高电压；当调整信号为禁能时，第一多工器依据调整信号输出第一参考电压以作为系统高电压。在本发明一实施例中，调整信号致能于调整系统高电压的一调整期间。在本发明一实施例中，第一多工器包括一第六晶体管及一第七晶体管。第六晶体管的第一端接收第一参考电压，第六晶体管的控制端接收调整信号，第六晶体管的第二端耦接第二晶体管的第一端。第七晶体管的第一端接收第二参考电压，第七晶体管的控制端接收调整信号，第七晶体管的第二端耦接第二晶体管的第一端。其中，第六晶体管及第七晶体管分别为一 P型晶体管及一 N型晶体管。在本发明一实施例中，当第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管及第五晶体管分别为一 N型晶体管时,第一电压为一系统低电压,第二电压为一系统高电压。在本发明一实施例中，目标电压为系统低电压与第二晶体管的一临界电压的总和。在本发明一实施例中，电源电路包括一第二电源供应单元及一第二多工器。第二电源供应单元用以提供一第三参考电压及一第四参考电压，第四参考电压低于第三参考电压。第二多工器耦接第二电源供应单元以接收第三参考电压及第四参考电压，且接收一调整信号。当调整信号为致能时，第二多工器依据调整信号输出第四参考电压以作为系统低电压；当调整信号为禁能时，第二多工器依据调整信号输出第三参考电压以作为系统低电压。在本发明一实施例中，调整信号致能于调整系统低电压的一调整期间。在本发明一实施例中，第二多工器包括一第八晶体管及一第九晶体管。第八晶体管的第一端接收第三参考电压，第八晶体管的控制端接收调整信号，第八晶体管的第二端耦接第二晶体管的第一端。第九晶体管的第一端接收第四参考电压，第九晶体管的控制端接收调整信号，第九晶体管的第二端耦接第二晶体管的第一端。其中，第八晶体管及第九晶体管分别为一 P型晶体管及一 N型晶体管。在本发明一实施例中，电源电路包括一第三电源供应单元及一第三多工器。第三电源供应单元用以提供第一电压及一参考电流，且参考电流为一固定电流。第三多工器，耦接第三电源供应单元以接收第一电压及参考电流，且接收一调整信号。当调整信号为致能时，第二多工器依据调整信号输出参考电流至第二晶体管的第一端；当调整信号为禁能时，第二多工器依据调整信号输出第一电压至第二晶体管的第一端。在本发明一实施例中，调整信号致能于调整第一电压的一调整期间。在本发明一实施例中，第三多工器包括一第十晶体管及一第十一晶体管。第十晶体管的第一端接收第一电压，第十晶体管的控制端接收调整信号，第十晶体管的第二端耦接第二晶体管的第一端。第十一晶体管的第一端接收参考电流，第十一晶体管的控制端接收调整信号，第十一晶体管的第二端耦接第二晶体管的第一端。其中，第十晶体管及第十一晶体管分别为一 P型晶体管及一 N型晶体管。在本发明一实施例中，在一发光期间，禁能扫描信号且致能发光信号。在本发明一实施例中，有机发光二极管显示装置，更包括一资料驱动器，用以提供资料电压。
在本发明一实施例中，有机发光二极管显示装置，更包括一扫描驱动器，用以提供
扫描信号及发光信号。基于上述，本发明实施例的有机发光二极管显示装置，在程序化期间，调整第一电
压的电压准位或电流，以加速第二晶体管的控制端的电压准位达到目标电压。藉此，可降低
每一画素的取样错误率，进而提升有机发光二极管显示装置的显示质量。其中，取样错误率
为发光期间中第二晶体管的闸极的实际电压准位与预期的电压准位的误差值。
图I为本发明第一实施例的有机发光二极管显示装置的系统示意图。图2A为本发明第一实施例的驱动波形示意图。图2B为本发明第一实施例的画素于程序化期间的等效示意图。图2C为本发明第一实施例的系统高电压提升及未提高时晶体管的闸极电压曲线
对比示意图。图3为本发明第一实施例的电源电路的电路示意图。图4为本发明第二实施例的画素的电路示意图。图5A为本发明第三实施例的有机发光二极管显示装置的系统示意图。图5B为本发明第三实施例的驱动波形示意图。图6为本发明第三实施例的电源电路的电路示意图。图7为本发明第四实施例的画素的电路示意图。图8为本发明第一实施例的另一电源电路的电路示意图。图9为本发明第五实施例的画素的电路示意图。注
100,500 :有机发光二极管显示装置
110,510 :时序控制器
120、520 :扫描驱动器
130,530 :资料驱动器
140、140a、140b、540、540a :电源电路
150、550 :显不面板
210,220 :曲线
310 :第一电源供应单元
320 :第一多工器
610 :第二电源供应单元
620 :第二多工器
810 :第三电源供应单元
820 :第三多工器
C1、C2 :电容
GND :接地电压
Ic、Idl 电流
IRl :参考电流0LD1、0LD2 :有机发光二极管
PA1、PA2 :调整期间
PE1、PE2 :发光期间
PP1、PP2 :程序化期间
ΡΧΓΡΧ5 :画素
SA1、SA2、SA3 :调整信号
SC1、SC2 :扫描信号
SEM1、SEM2 :发光信号
ΤΓΤ16 :晶体管
VDD 电压准位
VDDU VDD2 :系统高电压
VDTU VDT2 :资料电压
VintU Vint2 :初始电压
VRl 第一参考电压
VR2 :第二参考电压
VR3 :第三参考电压
VR4 :第四参考电压
VSS :系统低电压
Vth :临界电压。
具体实施例方式为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。图I为依据本发明第一实施例的有机发光二极管显示装置的系统示意图。请参照图I，在本实施例中，有机发光二极管显示装置100包括时序控制器110、扫描驱动器120、资料驱动器130、电源电路140及显示面板150。扫描驱动器120耦接时序控制器110及显示面板150，且受控于时序控制器110提供多个扫描信号SCl及多个发光信号SEMl至显示面板150。资料驱动器130耦接时序控制器110及显示面板150，且受控于时序控制器110提供多个资料电压VDTl至显示面板150。电源电路140耦接显示面板150，且提供系统高电压VDDl (对应第一电压)及接地电压GND (对应第二电压)至显示面板150。显示面板150具有多个画素PX1，且每一画素PXl接收系统高电压VDD1、接地电压GND、对应的资料电压VDT1、对应的扫描信号SCl及对应的发光信号SEMI。每一画素PXl包括多个晶体管Tf T5 (对应第一晶体管至第五晶体管)、电容Cl及有机发光二极管0LD1，其中晶体管Tf T5皆为P型晶体管。晶体管Tl的源极(对应第一端)接收对应的资料电压VDT1，晶体管Tl的闸极(对应控制端)接收对应的扫描信号SCI。电容Cl的第一端耦接晶体管Tl的汲极(对应第二端)。晶体管T2的源极(对应第一端)接收系统高电压VDD1，晶体管T2的闸极(对应控制端)耦接电容Cl的第二端。晶体管T3的源极(对应第一端)耦接晶体管T2的闸极，晶体管T3的闸极(对应控制端)接收对应的扫描信号SCl,晶体管T3的汲极(对应第二端)耦接晶体管T2的汲极(对应第二端)。晶体管T4的源极(对应第一端)耦接晶体管T2的汲极，晶体管T4的闸极(对应控制端)接收对应的发光信号SEMI。有机发光二极管OLDl的阳极耦接晶体管T4的汲极，有机发光二极管OLDl的阴极耦接接地电压GND。晶体管T5的源极(对应第一端)接收初始电压Vintl，晶体管T5的闸极(对应控制端)接收对应的发光信号SEMl，晶体管T5的源极(对应第二端)耦接电容Cl的第一端。在本实施例中，有机发光二极管OLDl顺向耦接于晶体管T4的汲极与接地电压GND之间，但在其他实施例中，有机发光二极管OLDl可顺向耦接于系统高电压VDDl与晶体管T2的源极之间，亦即有机发光二极管OLDl与晶体管T2及T4串联耦接于系统高电压VDDl与接地电压GND之间即可。图2A为图I依据本发明第一实施例的驱动波形示意图。图2B为图2A的画素于程序化期间的等效示意图。请参照图I、图2A及图2B，在此以单一画素PXl为例，并且，其中每一发光信号SEMl的电压准位设定为相反于对应的扫描信号SCI。在程序化期间PPl中，扫描驱动器120会致能对应的扫描信号SCl (在此扫描信号SCl的致能准位以低电压准位为例)且禁能对应的发光信号SEMl (在此发光信号SEMl的禁能准位以高电压准位为例)，并且资料驱动器130会设定对应的资料电压VDTl的电压准位。此时，晶体管Tl及T3会受控于对应的扫描信号SCl而导通(on)，晶体管T4及T5会受控于对应的发光信号SEMl而不导通(off)。其中，晶体管T2的闸极的电压准位会低于系统高电压VDD1，晶体管T2的闸极的电压准位与系统高电压VDDl之间的压差会大于等于晶体管T2的临界电压，因此晶体管T2会导通，并且晶体管T2的闸极的电压准位会受经由导通的晶体管T2及T3所传送的电流Idl开始充电而升高，以致于影响了晶体管T2的导通状态，但晶体管T2的闸极的电压准位与系统高电压VDDl之间的压差仍会大于等于晶体管T2的临界电压。在发光期间PEl中，扫描驱动器120会禁能对应的扫描信号SCl (在此扫描信号SCl的禁能准位以高电压准位为例)且致能对应的发光信号SEMl (在此发光信号SEMl的致能准位以低电压准位为例)，并且资料驱动器130会重置对应的资料电压VDTl的电压准位。此时，晶体管Tl及T3会受控于对应的扫描信号SCl而不导通(off)，晶体管T4及T5会受控于对应的发光信号SEMl而导通(on)，其中晶体管T2的导通程度会对应于晶体管T2的闸极的电压准位，而晶体管T2的闸极的电压准位决定于初始电压Vintl及电容Cl的跨压。如图2B所示，在程序化期间PP1，流经电容Cl的电流Ic会等于流经晶体管T2的电流Idl，并且电流Idl会受制于晶体管T2的闸极的电压准位，其关系式的推演可参照下述
权利要求
1.一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述有机发光二极管显示装置包括一电源电路，用以提供一第一电压；以及一画素，包括一第一晶体管，所述第一晶体管的第一端接收一资料电压，所述第一晶体管的控制端接收一扫描信号；一电容，所述电容的第一端耦接所述第一晶体管的第二端；一第二晶体管，所述第二晶体管的第一端接收所述第一电压，所述第二晶体管的控制端耦接所述电容的第二端；一第三晶体管，所述第三晶体管的第一端耦接所述第二晶体管的控制端，所述第三晶体管的控制端接收所述扫描信号，所述第三晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第二端;一第四晶体管，所述第四晶体管的第一端耦接所述第二晶体管的第二端，所述第四晶体管的控制端接收一发光信号；一有机发光二极管，与所述第二晶体管及所述第四晶体管串联耦接于所述第一电压与一第二电压之间；以及一第五晶体管，所述第五晶体管的第一端接收一初始电压，所述第五晶体管的控制端接收所述发光信号，所述第五晶体管的第二端耦接所述电容的第一端；其中，在一程序化期间，致能所述扫描信号且禁能所述发光信号，并且所述电源电路调整所述第一电压的电压准位或电流以加速所述第二晶体管的控制端的电压准位达到一目标电压。
2.根据权利要求I所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于所述电源电路调整所述第一电压的一调整期间小于所述程序化期间。
3.根据权利要求I所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于当所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管及所述第五晶体管分别为一 P型晶体管时，所述第一电压为一系统高电压，所述第二电压为一接地电压。
4.根据权利要求3所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于所述目标电压为所述系统高电压减去所述第二晶体管的一临界电压。
5.根据权利要求3所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于所述电源电路包括一第一电源供应单兀，用以提供一第一参考电压及一第二参考电压，所述第二参考电压高于所述第一参考电压；一第一多工器，耦接所述第一电源供应单元以接收所述第一参考电压及所述第二参考电压，且接收一调整信号，当所述调整信号为致能时，所述第一多工器依据所述调整信号输出所述第二参考电压以作为所述系统高电压，当所述调整信号为禁能时，所述第一多工器依据所述调整信号输出所述第一参考电压以作为所述系统高电压。
6.根据权利要求5所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于所述调整信号致能于调整所述系统高电压的一调整期间。
7.根据权利要求5所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于第一多工器包括一第六晶体管，所述第六晶体管的第一端接收所述第一参考电压，所述第六晶体管的控制端接收所述调整信号，所述第六晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第一端；以及一第七晶体管，所述第七晶体管的第一端接收所述第二参考电压，所述第七晶体管的控制端接收所述调整信号，所述第七晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第一端；其中，所述第六晶体管及第七晶体管分别为一 P型晶体管及一 N型晶体管。
8.根据权利要求I所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于当所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管及所述第五晶体管分别为一 N型晶体管时，所述第一电压为一系统低电压，所述第二电压为一系统高电压。
9.根据权利要求8所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于所述目标电压为所述系统低电压与所述第二晶体管的一临界电压的总和。
10.根据权利要求8所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于所述电源电路包括一第二电源供应单元，用以提供一第三参考电压及一第四参考电压，所述第四参考电压低于所述第三参考电压；一第二多工器，耦接所述第二电源供应单元以接收所述第三参考电压及所述第四参考电压，且接收一调整信号，当所述调整信号为致能时，所述第二多工器依据所述调整信号输出所述第四参考电压以作为所述系统低电压，当所述调整信号为禁能时，所述第二多工器依据所述调整信号输出所述第三参考电压以作为所述系统低电压。
11.根据权利要求10所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于所述调整信号致能于调整所述系统低电压的一调整期间。
12.根据权利要求11所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于第二多工器包括一第八晶体管，所述第八晶体管的第一端接收所述第三参考电压，所述第八晶体管的控制端接收所述调整信号，所述第八晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第一端；以及一第九晶体管，所述第九晶体管的第一端接收所述第四参考电压，所述第九晶体管的控制端接收所述调整信号，所述第九晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第一端；其中，所述第八晶体管及第九晶体管分别为一 P型晶体管及一 N型晶体管。
13.根据权利要求I所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于所述电源电路包括一第三电源供应单元，用以提供所述第一电压及一参考电流，所述参考电流为一固定电流；一第三多工器，耦接所述第三电源供应单元以接收所述第一电压及所述参考电流，且接收一调整信号，当所述调整信号为致能时，所述第二多工器依据所述调整信号输出所述参考电流至所述第二晶体管的第一端，当所述调整信号为禁能时，所述第二多工器依据所述调整信号输出所述第一电压至所述第二晶体管的第一端。
14.根据权利要求13所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于所述调整信号致能于调整所述第一电压的一调整期间。
15.根据权利要求13所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于第三多工器包括一第十晶体管，所述第十晶体管的第一端接收所述第一电压，所述第十晶体管的控制端接收所述调整信号，所述第十晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第一端；以及一第十一晶体管，所述第十一晶体管的第一端接收所述参考电流，所述第十一晶体管的控制端接收所述调整信号，所述第十一晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第一端；其中，所述第十晶体管及第十一晶体管分别为一 P型晶体管及一 N型晶体管。
16.根据权利要求I所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于在一发光期间，禁能所述扫描信号且致能所述发光信号。
17.根据权利要求I所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于还包括一资料驱动器，用以提供所述资料电压。
18.根据权利要求I所述的一种有机发光二极管显不装置，其特征在于还包括一扫描驱动器，用以提供所述扫描信号及所述发光信号。
全文摘要
一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述有机发光二极管显示装置包括一电源电路及一画素。电源电路用以提供一第一电压。画素包括一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管、一第五晶体管、一电容及一有机发光二极管。在一程序化期间，电容的第一端透过导通的第一晶体管接收一资料电压，第二晶体管的第一端接收第一电压，第二晶体管的控制端耦接电容的第二端且透过导通的第三晶体管耦接第二晶体管的第二端，并且电源电路调整第一电压的电压准位或电流以加速第二晶体管的控制端的电压准位达到一目标电压。
文档编号G09G3/32GK102938241SQ20121044818
公开日2013年2月20日 申请日期2012年11月12日 优先权日2012年11月12日
发明者孙伯彰, 黄金海, 黄思齐 申请人:华映光电股份有限公司, 中华映管股份有限公司