本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种tft-lcd阵列基板结构及其goa电路温度补偿方法。
背景技术：
tft(thinfilmtransistor)lcd即薄膜场效应晶体管lcd，是有源矩阵类型液晶显示器(am-lcd)中的一种。液晶显示器，特别tft-lcd，是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上全面赶上和超过crt的显示器件，它的性能优良、大规模生产特性好，自动化程度高，原材料成本低廉，发展空间广阔，将迅速成为新世纪的主流产品，是21世纪全球经济增长的一个亮点。液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其是由液晶显示面板及背光模块(backlightmodule)所组成。一般的液晶显示面板包含彩膜(cf)基板及薄膜晶体管(tft)阵列基板。cf基板上设有多个彩色滤光片和共同电极。tft阵列基板上设有多条彼此平行的扫描线、多条彼此平行的数据线、多个薄膜晶体管、像素电极以及阵列公共电极(arraycom)走线。
随着平板显示技术的发展，高分辨率、高对比度、高刷新速率、窄边框、薄型化已成为平板显示发展趋势，目前液晶显示仍为平板显示的主流产品；为了实现液晶面板的窄边框、薄型化和低成本，goa(阵列基板行驱动)的开发与应用已相对成熟。
图1所示为现有goa电路原理图，其中主要包括：上拉控制模块1、上拉模块2、下拉模块3、下拉维持模块41和下拉维持模块42，当g(n-1)为高电位时，q(n)被充电拉高，此时t21被打开，ck1(输入时钟信号clk1或clk2)高电位将g(n)上拉以输出高电位扫描信号，当g(n+1)为高电位时，下拉模块3将g(n)和q(n)点同时拉低，下拉维持模块41(或42)的工作点电位为q(n)低电位和lc1(或lc2)高电位。
图2为图1所示goa电路的控制时序示意图。其中，stv为起始信号，用于打开最初一级goa电路。图1中下拉维持模块41和下拉维持模块42所输入的低频信号lc1和lc2在图2中未绘示，lc1和lc2是周期为2倍帧周期，占空比为1/2的低频信号，lc1和lc2相位相差1/2周期。
由于非晶硅tft强依赖于工作环境温度，在低温环境下(-50℃)，由于tft的电流变小，会出现驱动不足。因此通常会对goa电路进行温补设计，目前常用的温度补偿方式为外挂加热片，这样既影响美观又增加成本。
技术实现要素：
因此，本发明的目的在于提供一种tft-lcd阵列基板结构，提升goa电路低温驱动能力。
本发明的另一目的在于提供一种tft-lcd阵列基板结构的goa电路温度补偿方法，提升goa电路低温驱动能力。
为实现上述目的，本发明提供了一种tft-lcd阵列基板结构，所述阵列基板结构的goa电路的外围设有能够加热所述goa电路区域的外围阵列公共电极走线。
其中，所述阵列基板结构的goa电路包括左侧goa电路和右侧goa电路，所述左侧goa电路和右侧goa电路的外围分别设有相应的外围阵列公共电极走线。
其中，所述阵列基板结构包括温度传感器，控制芯片以及电流源，所述温度传感器连接所述控制芯片，所述控制芯片连接所述电流源，所述电流源连接所述外围阵列公共电极走线；所述温度传感器采集温度信息并传递给所述控制芯片，当温度低于预先设定的阈值时所述控制芯片开启所述电流源的输出功能，从而向所述外围阵列公共电极走线输出电流以进行加热。
其中，所述外围阵列公共电极走线与所述阵列基板结构显示区域的阵列公共电极走线构成所述电流源的输出电流回路。
其中，所述阵列基板结构还包括电源芯片，所述控制芯片连接所述电源芯片，所述电源芯片连接所述外围阵列公共电极走线；所述电源芯片向所述外围阵列公共电极走线输出公共电极电压，当温度低于预先设定的阈值时所述控制芯片关闭所述电源芯片对所述外围阵列公共电极走线的输出。
其中，所述电源芯片还连接所述阵列基板结构显示区域的阵列公共电极走线，以向所述阵列基板结构显示区域的阵列公共电极走线输出公共电极电压。
其中，所述电流源输出电流的大小由所述控制芯片根据温度高低来进行设置。
其中，输出电流的大小和温度高低的关系通过代码预先烧进所述控制芯片内。
本发明还提供了一种tft-lcd阵列基板结构的goa电路温度补偿方法，包括：
步骤10、在阵列基板结构的goa电路的外围设置能够加热goa电路区域的外围阵列公共电极走线；
步骤20、采集温度信息，当温度低于预先设定的阈值时向所述外围阵列公共电极走线输出电流以进行加热。
其中，所述外围阵列公共电极走线与所述阵列基板结构显示区域的阵列公共电极走线构成加热goa电路区域的输出电流回路。
综上，本发明的tft-lcd阵列基板结构及其goa电路温度补偿方法通过外围阵列公共电极走线对goa电路进行加热，可简化goa温补结构，降低面板生产成本。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有goa电路原理图；
图2为图1所示goa电路的控制时序示意图；
图3为本发明tft-lcd阵列基板一较佳实施例的阵列公共电极走线示意图；
图4为本发明tft-lcd阵列基板一较佳实施例的阵列公共电极走线加热原理示意图。
具体实施方式
本发明提供一种tft-lcd阵列基板结构及goa电路温度补偿方法，其中阵列基板结构主要包括栅线、数据线、开关tft、像素电极及阵列公共电极(arraycom)走线，与传统的阵列基板不同之处在于本发明提出的阵列基板其阵列公共电极走线将goa电路进行环绕，通过环绕的阵列公共电极走线对goa电路进行区域加热，进而提升低温环境下goa电路的驱动能力。
如图3所示，其为本发明tft-lcd阵列基板一较佳实施例的阵列公共电极走线示意图，在此较佳实施例中，阵列基板结构的goa电路包括左侧goa电路11和右侧goa电路12，左侧goa电路11和右侧goa电路12的外围分别设有对应的外围阵列公共电极走线21和22；图3所示的goa电路结构仅为举例说明，本发明可以适用于各类goa电路结构。与传统的阵列基板不同之处在于，本发明在两侧goa电路的外围分别设计了一条外围阵列公共电极走线21和22，主要用于对goa区域进行加热。环绕左侧goa电路11的外围阵列公共电极走线21可以设计为单独构成加热电流的回路，环绕右侧goa电路12的外围阵列公共电极走线22可以设计为单独构成加热电流的回路；在此较佳实施例中，外围阵列公共电极走线21和22分别与阵列基板结构显示区域的阵列公共电极走线23和24构成加热电流的回路，外围阵列公共电极走线21和22以及阵列公共电极走线23和24分别连接至引脚p1～p4。
如图4所示，其为图3所示的阵列公共电极走线加热原理示意图。阵列基板结构主要包括温度传感器31，控制芯片32以及电流源33，温度传感器31连接控制芯片32，控制芯片32连接电流源33，电流源33通过引脚p1和p4分别连接外围阵列公共电极走线21和22以提供加热电流；在此较佳实施例中，电流源33还通过引脚p2和p3分别连接阵列公共电极走线23和24，外围阵列公共电极走线21与列公共电极走线23构成加热电流的回路，外围阵列公共电极走线22与阵列公共电极走线24构成加热电流的回路；在此较佳实施例中，控制芯片32还连接电源芯片34，电源芯片34可以用于提供公共电极电压，电源芯片34通过引脚p1～p4分别连接外围阵列公共电极走线21和22以及阵列公共电极走线23和24，从而外围阵列公共电极走线21和22可以选择用于对goa区域进行加热，也可以选择用于提供公共电极电压。
工作时，温度传感器31将采集到的温度信息传递给控制芯片32，当温度低于某一预先设定的阈值(如-50℃)时，控制芯片32关闭电源芯片34对引脚p1和p4的阵列公共电极输出功能，同时开启电流源33的输出功能以加热goa电路区域。图4中r1和r3分别表示外围阵列公共电极走线21和22的等效加热电阻，r1和r3一般远远大于r2/r4/r5/r6构成的等效面板内阻，图4中r2/r4/r5/r6及其连接关系仅为对显示区域的阵列公共电极走线23和24的等效电阻的举例说明。在此实施例中，电流源33有两路电流输出，其中通过引脚p1和p2构成一组回路，通过引脚p3和p4构成一组回路，电流源33输出的两路电流相同。主要通过r1和r3对左右goa电路区域进行加热，电流大小可以由控制芯片32根据温度高低来进行设置。具体电流输出和温度关系可以预先通过代码烧进控制芯片32内。
本发明还提供了一种tft-lcd阵列基板结构的goa电路温度补偿方法，主要包括：
步骤10、在阵列基板结构的goa电路的外围设置能够加热goa电路区域的外围阵列公共电极走线。其中，外围阵列公共电极走线可以设计为与阵列基板结构显示区域的阵列公共电极走线构成加热goa电路区域的输出电流回路，也可以设计为外围阵列公共电极走线自身构成加热goa电路的输出电流回路；输出电流可以由电流源来提供。
步骤20、采集温度信息，当温度低于预先设定的阈值时向所述外围阵列公共电极走线输出电流以进行加热。可以利用温度传感器来采集温度信息并传递给控制芯片，当温度低于预先设定的阈值时由控制芯片开启电流源的输出功能，从而向外围阵列公共电极走线输出电流以加热goa电路区域。
阵列基板结构显示区域的公共电极走线可以连接至电源芯片，该电源芯片用于向阵列基板结构显示区域的公共电极走线输出公共电极电压。该电源芯片还可以设计为连接外围阵列公共电极走线以向其输出公共电极电压，当温度低于预先设定的阈值时可以通过控制芯片关闭该电源芯片对外围阵列公共电极走线的输出，同时开启电流源的输出功能以开始加热goa电路区域。
综上，本发明的tft-lcd阵列基板结构及其goa电路温度补偿方法通过外围阵列公共电极走线对goa电路进行加热，可简化goa温补结构，降低面板生产成本。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。