显示面板及显示装置的制作方法

文档序号:19724760发布日期:2020-01-18 03:16阅读:138来源:国知局
显示面板及显示装置的制作方法

本发明一般涉及显示领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。



背景技术:

随着“全面屏”时代的到来,高屏占比手机备受消费者青睐,为了适应这一潮流,手机厂商纷纷选用cof(chiponfilm,覆晶薄膜)模组工艺,减少手机的上下端空间。

随着边框的变窄,面板周边容值被影响越来越严重。其中,外围区域变窄后银浆涂覆对显示区最靠近银浆侧容值的影响尤为严重。



技术实现要素:

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种减少对显示区容值影响的显示面板及显示装置。

第一方面,本发明的显示面板,包括显示区、围绕所述显示区的边框区以及相对设置的彩膜基板和阵列基板,所述彩膜基板面向所述阵列基板的一侧设置有黑矩阵,所述阵列基板设置有接地部,所述接地部位于所述边框区,所述接地部与位于所述边框区的所述黑矩阵通过导电部电连接,位于所述边框区的所述黑矩阵设置有围绕所述显示区的第一挖槽和第二挖槽,所述第一挖槽和所述第二挖槽均沿着所述黑矩阵的厚度方向贯穿所述黑矩阵,所述第一挖槽至少部分位于所述导电部与所述显示区之间,所述第一挖槽和所述第二挖槽之间设置有至少一个断开区域。

第二方面,本发明的显示装置,包括显示面板。

根据本申请实施例提供的技术方案,通过在导电部和显示区之间设置第一挖槽,并且第一挖槽沿着黑矩阵的厚度方向贯穿黑矩阵,将显示区与导电部分隔开,第一挖槽起到屏蔽导电部的作用,避免显示区靠近导电部一侧的容值增高导致的乱爆点和触控不良,能够解决现有技术中导电部对显示区最靠近导电部侧容值的影响严重的问题。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:

图1为现有的显示面板的结构示意图;

图2为现有的显示面板在远离导电银浆位置的容值示意图;

图3为现有的显示面板在靠近导电银浆位置的容值示意图;

图4为本发明的一个实施例的显示面板的结构示意图;

图5为沿着图4中a-a线的局部剖视示意图;

图6为沿着图4中b-b线的局部剖视示意图;

图7为本发明的又一个实施例的显示面板的结构示意图。

附图标记:1-黑矩阵,2-触控电极,3-导电银浆,4-挖槽,5-接地部,10-阵列基板,11-接地部,12-导电部,121-第一导电部,122-第二导电部,13-ic,14-第一衬底,15-边框胶,20-彩膜基板,21-显示区,22-第二衬底,23-彩膜层,24-边框区,30-黑矩阵,31-第一挖槽,32-第一隔离部,33-第一延伸部,331-第一子黑矩阵,3311-第一子黑矩阵的宽度,332-第二子黑矩阵,34-断开区域,35-第二挖槽,36-第二隔离部,37-第二延伸部,371-第三子黑矩阵,3711-第三子黑矩阵的宽度,372-第四子黑矩阵,38-第三挖槽,40-触控电极,50-偏光片,60-中间膜层。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与发明相关的部分。

需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

参考图1-3,图1为现有的cof黑矩阵挖空设计,挖槽4设置为“u”型,黑矩阵1上积累的静电可通过连接至接地部5的导电银浆3进行释放。图2为显示面板在远离导电银浆位置的容值示意图,在进行静电释放时,由于黑矩阵1的电阻值较高,黑矩阵1与触控电极2无法形成有效电容,因此在显示面板远离导电银浆3的位置,触控电极2的容值正常,可以正常触控。图3为显示面板靠近导电银浆3位置的容值示意图,在显示面板靠近导电银浆3的位置,由于导电银浆3电阻值较小,在cof产品中,导电银浆3距离首行触控电极2距离非常近,在进行静电释放时,靠近导电银浆3的触控电极2与导电银浆3形成电容,使得靠近导电银浆3一侧的触控电极2的容值增高,导致触控不良的发生。

本发明的其中一个实施例为,请参考图4,一种显示面板,包括显示区21、围绕显示区21的边框区24以及相对设置的彩膜基板20和阵列基板10,彩膜基板20面向阵列基板10的一侧设置有黑矩阵30,阵列基板10设置有接地部11,接地部11位于边框区24,接地部11与位于边框区24的黑矩阵30通过导电部12电连接,位于边框区24的黑矩阵30设置有围绕显示区21的第一挖槽31和第二挖槽32,第一挖槽31和第二挖槽32均沿着黑矩阵30的厚度方向贯穿黑矩阵30,第一挖槽31至少部分位于导电部12与显示区21之间,第一挖槽31和第二挖槽32之间设置有至少一个断开区域34。

在本发明的实施例中,阵列基板设置有接地部,接地部与位于边框区的黑矩阵通过导电部电连接,接地部能够便于显示区内的聚集的电荷释放,从而防止显示面板被击穿,导致显示面板产生损坏。导电部可以但不限于为导电银浆。接地部设置在阵列基板上设置有ic(integratedcircuit,集成电路)13的一侧,接地部的数量可以但不仅仅为两个,并且两个接地部对称分布在阵列基板上,ic设置在两个接地部之间,使得结构更加紧凑,能够尽量减小边框区的宽度。导电部连接两个接地部,便于电荷快速释放。第一挖槽至少部分位于导电部与显示区之间,并且第一挖槽沿着黑矩阵的厚度方向贯穿黑矩阵,从而实现第一挖槽分隔导电部和显示区,减小甚至避免导电部对显示区容值的影响,避免显示区靠近导电部一侧的容值增高导致的乱爆点和触控不良,其中乱爆点是指在不触摸显示面板的情况下,显示面板偶尔也会出现被触摸的现象。在黑矩阵设置围绕显示区的第一挖槽和第二挖槽,能够减少外部水汽侵入显示区。第一挖槽和第二挖槽之间设置至少一个断开区域,其中,断开区域是指第一挖槽和第二挖槽在此区域断开,或者是在断开区域内不设置挖槽,便于显示区的电荷沿着断开区域从导电部以及接地部释放,避免显示面板被击穿。

参考图5,图5为沿着图4中a-a线的局部剖视示意图。显示面板包括相对设置的阵列基板10和彩膜基板20,阵列基板10包括第一衬底14,设置在第一衬底14上的触控电极40,以及位于触控电极40与第一衬底14之间的中间膜层60,中间膜层60可以是除触控电极40以外的其他膜层机构,中间膜层60可以但不限于为钝化层、平坦层等。彩膜基板20包括第二衬底22,依次叠置在彩膜基板20上的黑矩阵层30和彩膜层23。阵列基板10和彩膜基板20通过边框胶15贴合到一起。可选的,显示面板还可以包括偏光片50,偏光片50设置在彩膜基板20背向衬底基板10的一侧。

参考图6,图6为沿着图4中b-b线的局部剖视示意图。显示面板包括相对设置的阵列基板10和彩膜基板20,阵列基板10包括第一衬底14。彩膜基板20包括第二衬底22,以及在彩膜基板20上的黑矩阵层30。显示面板还可以包括偏光片50,偏光片50设置在彩膜基板20背向衬底基板10的一侧。导电部12包括沿着图6所示横向延伸的第一导电部122以及沿着图6所示纵向延伸的第二导电部121。第一导电部122位于偏光片50背向彩膜基板20的一侧,第二导电部121位于偏光片50和彩膜基板20的侧面,与阵列基板10上的接地部11(图6中未示出)连接,便于显示区内的聚集的电荷释放,从而防止显示面板被击穿。

进一步的,第一挖槽31完全分隔导电部12与显示区21。

在本发明的实施例中,第一挖槽将导电部和显示区完全分隔开,能够完全避免导电部对显示区靠近导电部一侧容值的影响,提高了显示装置的使用寿命以及可靠性。

进一步的,边框区24包括相邻并垂直的第一侧边241和第二侧边242,接地部11位于第一侧边241。第一挖槽31包括第一隔离部32,第一隔离部32位于导电部12与显示区21之间,第一隔离部32沿着第一侧边241的长度方向设置。

在本发明的实施例中,第一隔离部用于分隔导电部与显示区,第一隔离部沿着第一侧边的长度方向设置,便于彩膜基板上的模块设计,降低了设计难度,同时,也降低了彩膜基板的加工难度,便于彩膜基板的生产制造。也能够降低第一隔离部对边框宽度的影响。

进一步的,第一隔离部32的两端均沿着第二侧边242的长度方向向第二挖槽35延伸形成第一延伸部33,断开区域34位于第一延伸部33与第二挖槽35之间。

在本发明的实施例中,第一延伸部能够更好地隔离导电部和显示区,避免导电部对显示区容值的影响,避免显示区靠近导电部一侧的容值增高导致的乱爆点和触控不良。能够通过调整第一延伸部的长度,从而调整断开区域的位置以及断开区域的长度,进而调整显示区电荷的释放路径以及电荷的释放速度,便于对彩膜基板的各模块进行设计,降低了彩膜基板以及显示面板的设计难度。同时,第一延伸部能够减少外部水汽入侵显示区,提高了显示面板的可靠性。第一延伸部沿着第二侧边的长度方向设置,便于彩膜基板上的模块设计,降低设计难度,也能减少第一延伸部对边框宽度的影响。

进一步的,在黑矩阵30上设置有第一延伸部33的位置,黑矩阵30被第一延伸部33隔断为第一子黑矩阵331和第二子黑矩阵332,第一延伸部33位于第一子黑矩阵331与显示区21之间,第一子黑矩阵的宽度3311大于或等于100微米。

在本发明的实施例中,第一子黑矩阵的宽度3311大于或等于100微米,为避免第一延伸部距离彩膜基板边缘太近,提高彩膜基板的各模块设计以及加工难度,便于在彩膜基板上加工出第一延伸部以及第一挖槽,降低了彩膜基板的制造成本。

进一步的,第二挖槽35包括第二隔离部36,第二隔离部36位于黑矩阵30上与导电部12相对的一侧,第二隔离部36沿着第一侧边241的长度方向设置。

在本发明的实施例中,第二隔离部能够减少外部水汽侵入显示区,同时,第二隔离部能够控制显示区电荷释放的路径,避免电荷从黑矩阵上与导电部相对的一侧释放,保证了显示区电荷释放的速度,有效地保护了显示区,避免显示区出现静电击穿。第二隔离部沿着第一侧边的长度方向设置,便于彩膜基板上的模块设计,降低了设计难度,同时,也降低了彩膜基板的加工难度,便于彩膜基板的生产制造。也能够降低第二隔离部对边框宽度的影响。

进一步的,第二隔离部36的两端均沿着第二侧边242的长度方向向第一挖槽31延伸形成第二延伸部37,断开区域34位于第二延伸部37与第一挖槽31之间。

在本发明的实施例中,可以根据实际情况去设计第二延伸部的长度,能够通过调整第二延伸部的长度,从而调整断开区域的位置以及断开区域的长度,进而调整显示区电荷的释放路径以及电荷的释放速度,便于对彩膜基板的各模块进行设计,降低了彩膜基板以及显示面板的设计难度。同时,第二延伸部能够减少外部水汽入侵显示区,提高了显示面板的可靠性。第二延伸部沿着第二侧边的长度方向设置,便于彩膜基板上的模块设计,降低设计难度,也能减少第一延伸部对边框宽度的影响。

进一步的,在黑矩阵30上设置有第二延伸部37的位置,黑矩阵30被第二延伸部37隔断为第三子黑矩阵371和第四子黑矩阵372,第二延伸部37位于第三子黑矩阵371与显示区21之间,第三子黑矩阵的宽度3711大于或等于100微米。

在本发明的实施例中,第三子黑矩阵的宽度3711大于或等于100微米,避免第二延伸部距离彩膜基板边缘太近,提高彩膜基板的各模块设计以及加工难度,便于在彩膜基板上加工出第一延伸部以及第一挖槽,降低了彩膜基板的制造成本。

进一步的,断开区域34沿着第二侧边242长度方向上的长度大于或等于第二侧边242长度的三分之一。

在本发明的实施例中,显示区的电荷沿着断开区域从导电部以及接地部释放,保证了显示区电荷释放速度,避免显示面板被击穿,提高了显示面板的可靠性。

进一步的,第一挖槽31的宽度和第二挖槽35的宽度均为20-50微米。

在本发明的实施例中,第一挖槽的宽度和第二挖槽的宽度均为20-50微米,能够保证第一挖槽对导电部的屏蔽效果,以及第一挖槽和第二挖槽对水汽的隔离效果。同时,便于第一挖槽和第二挖槽的加工,减少第一挖槽和第二挖槽对彩膜基板强度的影响,同时,减少第一挖槽和第二挖槽对彩膜基板其他模块的干涉,降低了彩膜基板的设计以及加工难度。

参考图7,进一步的,第一挖槽31和第二挖槽35之间还包括至少一段第三挖槽38,第三挖槽38沿着第二侧边242的长度方向设置。

在本发明的实施例中,第三挖槽可以是一段或者多段,当第三挖槽为多段时,相邻的第三挖槽之间也会设置断开区域。可以根据不同的产品去设计第三挖槽,第三挖槽能够调整和改变显示区静电释放的路径,同时,也能够减少外部水汽侵入显示区。第三挖槽沿着第二侧边的长度方向设置,便于彩膜基板上的模块设计,降低设计难度,也能减少第三挖槽对边框宽度的影响。

进一步的,断开区域34位于沿着第二侧边242长度方向设置的黑矩阵30内。

在本发明的实施例中,断开区域位于沿着第二侧边长度方向设置的黑矩阵内,缩短了显示区经过断开区域与导电部之间的距离,便于显示区的电荷快速释放,保证了显示面板的可靠性。

进一步的,第一挖槽31的横截面和第二挖槽35的横截面均为矩形。

在本发明的实施例中,第一挖槽的横截面和第二挖槽的横截面均为矩形,便于在彩膜基板上加工出第一挖槽和第二挖槽,同时,也能够保证第一挖槽对导电部的屏蔽效果,以及第一挖槽和第二挖槽对水汽的隔离效果。

本发明的另一个实施例为,一种显示装置,包括显示面板。

在本发明的实施例中,第一挖槽能够减小甚至避免导电部对显示区容值的影响,避免显示区靠近导电部一侧的容值增高导致的乱爆点和触控不良。断开区域便于显示区的电荷沿着断开区域从导电部以及接地部释放,避免显示面板被击穿。提高了显示装置的可靠性。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解,本申请中所涉及的发明范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下,由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

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