显示屏结构的制作方法

本实用新型实施例涉及显示屏的制备技术，尤其涉及一种显示屏结构。

背景技术：

目前高分辨率的显示屏尺寸都不大，例如显示屏的尺寸一般在100英寸以下。在一些有大显示屏需求的场合，通常是将多个显示屏拼接，形成超大尺寸的拼接屏，以满足大显示屏需求。

现有的显示屏拼接方法，一般是简单的物理拼接，由于普通的显示屏的基板边缘需要将内部导线包裹在内，导致显示屏的基板边缘结构偏厚，受限于显示屏的基板的边缘结构，在拼接屏工作时，拼接缝隙较宽，可达1-2cm，视觉体验较差；并且由于现有显示屏的边缘结构将内部的导线完全包裹不外露，拼接时各个显示屏之间不能直接进行连接。

技术实现要素：

本实用新型提供一种显示屏结构，以实现通过直接连接显示屏的基板，减少多个显示屏幕拼接时的间距。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种显示屏结构，包括：

第三基板，所述第三基板为显示屏的基板，所述第三基板的第三侧面包括至少一个第三导电电极，所述第三导电电极相对于所述第三基板的所述第三侧面凸起，所述至少一个第三导电电极与至少一个第三导线一一对应相连，所述至少一个第三导线为扫描导线和/或数据导线。

可选的，所述显示屏结构包括至少两个第三基板，所述至少两个第三基板通过所述第三导电电极相连，所述第三导电电极一一对应连接。

第二方面，本实用新型实施例提供了一种显示屏结构，包括：

第四基板，所述第四基板为显示屏的基板，所述第四基板的第四侧面包括至少一个第四导电电极，所述第四导电电极相对于所述第四基板的所述第四侧面凹陷，所述至少一个第四导电电极与至少一个第四导线一一对应相连，所述至少一个第四导线为扫描导线和/或数据导线。

可选的，所述显示屏结构包括至少一个所述第三基板和至少一个所述第四基板，所述第三导电电极和所述第四导电电极相连以将至少一个所述第三基板和至少一个所述第四基板连接。

第三方面，本实用新型实施例提供了一种显示屏结构，包括：

第五基板，所述第五基板为显示屏的基板，所述第五基板的包括至少一个第五导电电极和至少一个第六导电电极，所述第一导电电极相对于所述第五基板的所述第五侧面凸起，所述第二导电电极相对于所述第五基板的所述第五侧面凹陷，所述第五导电电极与扫描导线或数据导线一一对应相连，所述第六导电电极与扫描导线或数据导线一一对应相连。

可选的，所述显示屏结构包括至少两个第五基板，所述第五导电电极与所述第六导电电极相连以将至少两个所述第五基板连接。

本实施例的技术方案中显示屏的基板的至少一个侧面上包括凸起的导电电极，解决了现有技术中显示屏的基板由于需要将导线包裹在内而导致边缘较宽，多个显示屏幕拼接时间距过大问题，达到了降低基板边缘宽度和减少多个显示屏幕拼接时间距的效果。

附图说明

图1是本实用新型实施例一中的显示屏的制备方法的流程图；

图2(a)～图2(g)是本实用新型实施例一中的显示屏的制备方法的示意图；

图3(a)～图3(b)是本实用新型实施例一中的显示屏基板的示意图；

图4是本实用新型实施例二中的显示屏的制备方法的流程图；

图5(a)～图5(h)是本实用新型实施例二中的显示屏的制备方法的示意图；

图6(a)～图6(b)是本实用新型实施例二中的显示屏基板的示意图；

图7(a)～图7(b)是本实用新型实施例三中的显示屏结构示意图；

图8是本实用新型实施例三中的显示屏结构示意图；

图9(a)～图9(c)是本实用新型实施例三中的显示屏结构示意图；

图10(a)～图10(b)是本实用新型实施例四中的显示屏结构示意图；

图11是本实用新型实施例四中的显示屏结构示意图；

图12(a)～图12(c)是本实用新型实施例四中的显示屏结构示意图；

图13(a)～图13(f)是本实用新型实施例五中的显示屏结构示意图；

图14是本实用新型实施例五中的显示屏结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对实用新型的限定。另外还需要说明的是，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

此外，术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种方向、动作、步骤或元件等，但这些方向、动作、步骤或元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个方向、动作、步骤或元件与另一个方向、动作、步骤或元件区分。举例来说，在不脱离本实用新型的范围的情况下，可以将第一基板为第二基板，且类似地，可将第二基板称为第一基板。第一基板和第二基板两者都是基板，但其不是同一基板。术语“第一”、“第二”等而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。需要说明的是，当部被称为“固定于”另一个部，它可以直接在另一个部上也可以存在居中的部。当一个部被认为是“连接”到另一个部，它可以是直接连接到另一个部或者可能同时存在居中部。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述，只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各步骤描述成顺序的处理，但是其中的许多步骤可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各步骤的顺序可以被重新安排。当其操作完成时处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。

实施例一

图1为本实用新型实施例一提供的显示屏的制备方法的流程图，具体包括如下步骤：

步骤110、在第一基板的第一侧面涂覆光刻胶，所述第一基板为显示屏的基板；

本实施例中，显示屏包括led显示屏、tft显示屏、lcd显示屏。光刻胶采用悬涂法进行涂覆，光刻胶可以是正性光刻胶，也可以是负性光刻胶，具体的，可以将多个待涂覆光刻胶的第一基板的第一侧面组合在同一平面内进行悬涂光刻胶，并在悬涂完成后进行烘干以形成光刻胶。示例性的，参见图2(a)，以光刻胶为正性光刻胶为例，在第一基板11的第一侧面111悬涂光刻胶以制备光刻胶12。其他实施例中，也可以将第一基板的第一侧面放置于光刻胶溶液中多次粘取光刻胶以达到在第一基板的第一侧面涂覆光刻胶的效果。

步骤120、在第一基板的第一侧面的光刻胶上覆盖掩膜板后对至少一个第一目标透光区进行曝光处理。

本实施例中，参见图3(a)和图3(b)，图3(a)和图3(b)中的标号18为第一导线17与第一侧面111的交接处。所述第一基板11还包括至少一个第一导线17，所述至少一个第一导线17为扫描导线和/或数据导线，所述第一导线17包括设于第一基板11内部的第一驱动段171和裸露于第一基板第一侧面111的第一拼接段172，所述第一拼接段172与所述至少一个第一目标透光区对应。具体的，在显示屏的基板中如果横向的导线为扫描导线则纵向的导线为数据导线；如果横向的导线为数据导线则纵向的导线为扫描导线。

示例性的，参见图2(b)和图2(c)，掩膜板13中设置有遮光区域132和透光区域131，将透光区域131与第一侧面111的第一目标透光区对准重合后，掩膜板13中的透光区域131的位置与大小与第一目标透光区相同，将覆盖上掩膜板13的第一基板11的第一侧面111放置在光照14环境中，进行曝光处理，产生光照14的光源可以是高压汞灯、氟化氪duv光源等。本实施例中，曝光方法为常见的光刻曝光工艺，示例性的，有接触式曝光法、接近式曝光法和投影式曝光法。

示例性的，若步骤110中选择正性光刻胶，具体的，第一目标透光区的位置对应覆盖所述第一拼接段172。

示例性的，若步骤110中选择负性光刻胶，则所述至少一个第一目标透光区为至少两个第一目标透光区，至少两个透光区中间包括一个目标遮光区。其中，目标遮光区的位置对应覆盖所述第一拼接段172。

步骤130、待曝光处理完成后，将涂覆光刻胶的所述第一基板的第一侧面进行显影处理以清除部分光刻胶。

本实施例中，将经过步骤120所得的第一基板的第一侧面放入显影液中进行显影处理。若步骤110中选择正性光刻胶，则本步骤中的显影液为正性光刻胶的显影液，通过正性光刻胶的显影液可以清除第一目标透光区域经过曝光处理后化学性质发生改变的光刻胶；若步骤110中选择负性光刻胶，则本步骤中的显影液为负性光刻胶的显影液，通过负性光刻胶的显影液可以清除至少两个第一目标透光区域之间的目标遮光区的光刻胶。

示例性的，以步骤110中选择正性光刻胶为例，参见图2(d)，在曝光完成后，取下掩膜板，将第一基板11的第一侧面111向下浸泡在显影液15中以溶解第一目标透光区经过曝光处理化学性质改变的光刻胶12。在其他实施例中，还可以将整个第一基板的第一侧面向上浸泡在显影液中。参见图2(e)，显影完成后的第一基板11的第一侧面111上剩余的光刻胶形成若干个光刻胶岛121，光刻胶岛121之间为裸露的第一基板11的第一侧面111。

步骤140、待显影处理完成后，在所述第一基板的第一侧面制备导电材料层。

本实施例中，导电材料层可以为金属单质，也可以是多种导电材料的复合物，其中导电材料层的材料优选为纳米银。制备导电材料层的方法包括蒸镀法，溅射法等。示例性的，参见图2(f)，继续在完成显影后的第一基板11的第一侧面111上叠镀导电材料层16，导电材料层16既覆盖在未清除的光刻胶岛121上又覆盖在清除部分光刻胶后裸露的第一侧面111上。

步骤150、将第一基板的第一侧面浸入光刻胶溶剂中清除剩余的光刻胶以在第一基板的第一侧面形成至少一个凸起的第一导电电极。

本实施例中，若步骤110中选择正性光刻胶，则本步骤中的显影液为正性光刻胶溶剂，通过光刻胶溶剂可以清除第一目标透光区域以外光刻胶；若步骤110中选择负性光刻胶，则本步骤中的显影液为负性光刻胶溶剂，通过负性光刻胶溶剂可以清除至少两个第一目标透光区化学性质发生改变的光刻胶。清除剩余的光刻胶之后，第一基板的第一侧面仅剩下直接与第一侧面接触的导电材料层，直接与第一侧面接触的导电材料层即为第一导电电极。

示例性的，以步骤110中选择正性光刻胶为例，参见图2(f)和图2(g),将完成叠镀导电材料层16的第一基板11的第一侧面111，放入光刻胶溶剂中清除剩余的光刻胶岛121以在第一侧面111形成第一导电电极161。

本实施例的技术方案，通过在显示屏的基板上形成凸起的导电电极，在多个基板进行拼接时，可以直接通过导电电极相连，解决了现有技术中显示屏的基板由于需要将导线包裹在内而导致边缘较宽，多个显示屏幕拼接时间距过大问题，达到了降低基板边缘宽度和减少多个显示屏幕拼接时间距的效果。

实施例二

图4为本实用新型实施例二提供的显示屏的制备方法的流程图，相对于实施例一具体包括如下步骤：

步骤210、在第二基板的第二侧面涂覆光刻胶，所述第二基板为第二显示屏的基板；

本实施例中，显示屏包括led显示屏、tft显示屏、lcd显示屏。光刻胶采用悬涂法进行涂覆，光刻胶可以是正性光刻胶，也可以是负性光刻胶，具体的，可以将多个待涂覆光刻胶的第二基板的第二侧面组合在同一平面内进行悬涂光刻胶，并在悬涂完成后进行烘干以形成光刻胶。示例性的，参见图5(a)，以光刻胶为正性光刻胶为例，在第二基板21的第二侧面211悬涂光刻胶以制备光刻胶22。其他实施例中，也可以将第二基板的第二侧面放置于光刻胶溶液中多次粘取光刻胶以达到在第二基板的第二侧面涂覆光刻胶的效果。

步骤220、在第二基板的第二侧面的光刻胶上覆盖掩膜板后对至少一个第二目标透光区进行曝光处理；

本实施例中，参见图6(a)和图6(b)，图6(a)和图6(b)中的标号28为第二导线27与第二侧面211的交接处。所述第二基板21还包括至少一个第二导线27，所述至少一个第二导线27为扫描导线和/或数据导线，所述第二导线27包括设于第二基板11内部的第二驱动段271和裸露于第二基板第二侧面211的第二拼接段272，所述第二拼接段272与所述至少一个第二目标透光区对应。具体的，在显示屏的基板中如果横向的导线为扫描导线则纵向的导线为数据导线；如果横向的导线为数据导线则纵向的导线为扫描导线。

示例性的，参见图5(b)和图5(c)，掩膜板23中设置有遮光区域232和透光区域231，将透光区域231与第二侧面211的第二目标透光区对准重合后，掩膜板23中的透光区域231的位置与大小与第二目标透光区相同，将覆盖上掩膜板23的第二基板21的第二侧面211放置在光照24环境中，进行曝光处理，产生光照24的光源可以是高压汞灯、氟化氪duv光源等。本实施例中，曝光方法为常见的光刻曝光工艺，示例性的，有接触式曝光法、接近式曝光法和投影式曝光法。

示例性的，若步骤210中选择正性光刻胶，则第二目标透光区的位置包括所述第二拼接段272。

示例性的，若步骤210中选择负性光刻胶，则至少一个第二目标透光区为至少两个第二目标透光区，至少两个透光区中间包括一个目标遮光区。其中，目标遮光区的位置包括所述第二拼接段272。

步骤230、待曝光处理完成后，将涂覆光刻胶的所述第二基板的第二侧面进行显影处理部分光刻胶；

本实施例中，将经过步骤220所得的第二基板的第二侧面放入显影液中进行显影处理。若步骤210中选择正性光刻胶，则本步骤中的显影液为正性光刻胶的显影液，通过正性光刻胶的显影液可以清除第二目标透光区域经过曝光处理后化学性质发生改变的光刻胶；若步骤210中选择负性光刻胶，则本步骤中的显影液为负性光刻胶的显影液，通过负性光刻胶的显影液可以清除至少两个第二目标透光区域之间的目标遮光区的光刻胶。

示例性的，以步骤210中选择负性光刻胶为例，参见图5(d)，在曝光完成后，取下掩膜板23，将第二基板21的第二侧面211向下浸泡在显影液25中以溶解遮光区的光刻胶，在其他实施例中，还可以将整个第二基板21的第二侧面211向上浸泡在显影液5中；参见图5(e)，显影完成后的第二基板21的第二侧面211上剩余的光刻胶形成若干个光刻胶岛221，光刻胶岛221之间为裸露的第二基板21的第二侧面211。

步骤240、待显影处理完成后，将所述第二基板的第二侧面进行刻蚀处理，以将第二基板的第二侧面刻蚀形成凹槽。

本实施例中，将经过步骤230所得的第二基板的第二侧面上悬涂刻蚀液进行刻蚀处理，具体的，可以将多个待涂覆刻蚀液的第二基板的第二侧面组合在同一平面内悬涂刻蚀液以刻蚀第二基板的第二侧面。示例性的，在完成显影后的第二基板21的第二侧面211上进行刻蚀处理后，参见图5(f),在部分裸露的第二基板21的第二侧面211刻蚀形成凹槽29。

其他实施例中，也可以将第二基板的第二侧面放置于刻蚀液溶液中多次粘取刻蚀液以达到刻蚀的效果。其中刻蚀液为可以溶解基板的溶剂。

在其他实施例中，在刻蚀之前还可以在第二基板不需要刻蚀的区域涂覆刻蚀保护层，以防止第二基板的其他区域被刻蚀。

步骤250、待刻蚀处理完成后，在所述第二基板的第二侧面制备导电材料层；

本实施例中，导电材料层可以为金属单质，也可以是多种导电材料的复合物，其中导电材料层的材料优选为纳米银。制备导电材料层的方法包括蒸镀法，溅射法等。示例性的，参见图5(g)，导电材料层26既覆盖在未清除的光刻胶岛221上又覆盖在第二侧面211经过刻蚀处理形成的凹槽29上。继续在完成刻蚀处理后的第二基板21的第二侧面211上叠导电材料层26；

步骤260、将第二基板的第二侧面浸入光刻胶溶剂中清除剩余的光刻胶以在第二基板的第二侧面形成至少一个内嵌于所述凹槽内的第二导电电极。

本实施例中，若步骤210中选择正性光刻胶，则本步骤中的显影液为正性光刻胶溶剂，通过光刻胶溶剂可以清除第二目标透光区域以外光刻胶；若步骤210中选择负性光刻胶，则本步骤中的显影液为负性光刻胶溶剂，通过负性光刻胶溶剂可以清除至少两个第二目标透光区化学性质发生改变的光刻胶。清除剩余的光刻胶之后，仅在第二基板的第二侧面的凹槽内剩余导电材料层，凹槽内剩余导电材料层即为第二导电电极。

参见图5(g)和图5(h)，将完成叠镀导电材料层26的第二基板21的第二侧面211，放入光刻胶溶剂中清除剩余的光刻胶岛221以在第二侧面211的凹槽29内形成第二导电电极261。

本实施例的技术方案，通过在显示屏的基板的一个侧面上形成凹陷的导电电极，将实施例一中凸起的导电电极和本实施例中凹陷的导电电极相连，解决了现有技术中显示屏的基板由于需要将导线包裹在内而导致边缘较宽，多个显示屏幕拼接时间距过大问题，达到了降低基板边缘宽度和减少多个显示屏幕拼接时间距的效果。

实施例三

本实用新型实施例三提供一种显示屏结构，参见图7(a)和图7(b)，本实施例中提供的显示屏结构包括：第三基板31，所述第三基板31为显示屏的基板，所述第三基板31的第三侧面311包括至少一个第三导电电极361，所述第三导电电极361相对于所述第三基板31的第三侧面311凸起，所述至少一个第三导电电极361与至少一个第三导线37一一对应相连，所述至少一个第三导线37为扫描导线和/或数据导线。

本实施例中，具体的，图7(a)和图7(b)中的标号38为第三导线37与第三导电电极361在第三侧面311的细部结构。第三基板31还包括至少一个第三导线37，至少一个第三导线37为扫描导线和/或数据导线，第三导线37包括设于第三基板31内部的第三驱动段371和裸露于第三基板31第三侧面311的第三拼接段372，第三拼接段372与第三导电电极361相连，并且第三拼接段372包覆在第三导电电极361内。在显示屏的基板中如果横向的导线为扫描导线则纵向的导线为数据导线；如果横向的导线为数据导线则纵向的导线为扫描导线。在其他实施方式中，第三导电电极361可以分布在第三基板31的一个第三侧面311，也可以分布在第三基板31的多个第三侧面311。

示例性的，参见图8，至少一个第三导线包括扫描导线374和数据导线375，扫描导线374和数据导线375还连接发光单元373，至少一个第三导电电极包括扫描电极3611和数据电极3612。其中，一个扫描导线374对应连接一个扫描电极3611；一个数据导线375对应连接一个数据电极3612。

替代实施中，所述显示屏结构包括至少两个第三基板，所述至少两个第三基板通过所述第三导电电极相连，所述第三导电电极一一对应连接。

示例性的，参见图9(a)，至少一个第三导线为扫描导线374时，第三导电电极为扫描电极3611，至少两个第三基板31通过扫描电极3611相连，至少两个第三基板31扫描电极3611一一对应接触连接。

示例性的，参见图9(b)，至少一个第三导线为数据导线375时，第三导电电极为数据电极3612，至少两个第三基板31通过数据电极3612相连，至少两个第三基板31上的数据电极3612一一对应接触连接。

示例性的，参见图9(c)，至少一个第三导线包括扫描导线374和数据导线375时，第三导电电极包括扫描电极3611和数据电极3612，至少三个第三基板31通过扫描电极3611和数据电极3612相连，其中，扫描电极3611与扫描电极3611一一对应接触连接，数据电极3612与数据电极3612一一对应接触连接。

本实施例的技术方案中显示屏的基板的至少一个侧面上包括凸起的导电电极，解决了现有技术中显示屏的基板由于需要将导线包裹在内而导致边缘较宽，多个显示屏幕拼接时间距过大问题，达到了降低基板边缘宽度和减少多个显示屏幕拼接时间距的效果。

实施例四

本实用新型实施例三提供一种显示屏结构，参见图10(a)和图10(b)，本实施例中提供的显示屏结构包括：第四基板41，所述第四基板41为显示屏的第四基板，所述第四基板41的第四侧面411包括至少一个第四导电电极462，所述第四导电电极462相对于所述第四基板41的第四侧面411凹陷，所述至少一个第四导电电极462与至少一个第四导线47一一对应相连，所述至少一个第四导线47为扫描导线和/或数据导线。

本实施例中，具体的，图10(a)和图10(b)中的标号48为第四导线47与第四导电电极462在第四侧面411的细部结构。其中，第四侧面411还包括至少一个凹槽49，第四导电电极462位于至少一个凹槽49内，每个凹槽49内可以包括一个第四导电电极462，也可以包括多个第四导电电极462，此处不做限制。第四基板41还包括至少一个第四导线47，至少一个第四导线47为扫描导线和/或数据导线，第四导线47包括设于第四基板41内部的第四驱动段471和裸露于第四基板第四侧面411的第四拼接段472，第四拼接段472与第四导电电极462相连，并且第四拼接段472包覆在第四导电电极462内。在显示屏的基板中如果横向的导线为扫描导线则纵向的导线为数据导线；如果横向的导线为数据导线则纵向的导线为扫描导线。在其他实施方式中，第四导电电极462可以分布在第四基板41的一个第四侧面411，也可以分布在第四基板41的多个第四侧面411。

示例性的，参见图11，至少一个第四导线包括扫描导线474和数据导线475，扫描导线474和数据导线475还包括发光单元474，至少一个第四导电电极包括扫描电极4621和数据电极4622。其中，一个扫描导线474对应连接一个扫描电极4611；一个数据导线475对应连接一个数据电极4622。

替代实施例中，所述显示屏结构包括至少一个所述第三基板和至少一个所述第四基板，所述第三导电电极和所述第四导电电极相连以将至少一个所述第三基板和至少一个所述第四基板连接。

示例性的，参见图12(a)，至少一个第三导线为扫描导线374、至少一个第四导线为扫描导线474时，第三导电电极为扫描电极3611，第四导电电极为扫描电极4621，第三基板31的扫描电极3611和第四基板41的扫描电极4621相连以将至少一个所述第三基板31和至少一个所述第四基板41连接，其中第三基板31的扫描电极3611和第四基板41的扫描电极4621一一对应接触连接。

示例性的，参见图12(b)，至少一个第三导线为数据导线375、至少一个第四导线为数据导线475时，第三导电电极为数据电极3612，第四导电电极为数据电极4622，第三基板31的数据电极3612和第四基板41的数据电极4622相连以将至少一个所述第三基板31和至少一个所述第四基板41连接，其中第三基板31的数据电极3612和第四基板41的数据电极4622一一对应接触连接。

示例性的，参见图12(c)，至少一个第三导线包括扫描导线374和数据导线375、至少一个第四导线包括扫描导线474和数据导线475时，第三导电电极包括扫描电极3611和数据电极3612，第四导电电极包括扫描电极4621和数据电极4622。其中，第三基板31的扫描电极3611和第四基板41的扫描电极4621相连以将至少一个所述第三基板31和至少一个所述第四基板41连接，其中第三基板31的扫描电极3611和第四基板41的扫描电极4621一一对应接触连接，第三基板31的数据电极3612和第四基板41的数据电极4622相连以将至少一个所述第三基板31和至少一个所述第四基板41连接，其中第三基板31的数据电极3612和第四基板41的数据电极4622一一对应接触连接。其他实施方式中，可以是至少一个第三基板31和至少两个第四基板连接，还可以是至少两个第三基板31和至少一个第四基板连接。

本实施例的技术方案中在显示屏的基板的侧面上包括凹陷的导电电极，可以与另一包括凸起导电电极的基板连接，解决了现有技术中显示屏的基板由于需要将导线包裹在内而导致边缘较宽，多个显示屏幕拼接时间距过大问题，达到了降低基板边缘宽度和减少多个显示屏幕拼接时间距的效果。

实施例五

本实用新型实施例三提供一种显示屏结构，本实施例中提供的显示屏结构包括：

第五基板，所述第五基板为显示屏的基板，所述第五基板的包括至少一个第五导电电极和至少一个第六导电电极，所述第五导电电极相对于所述第五基板的第五侧面凸起，所述第六导电电极相对于所述第五基板的第五侧面凹陷，所述至少一个第五导电电极与至少一个第五导线一一对应相连，所述至少一个第六导电电极与至少一个第六导线一一对应相连，所述至少一个第五导线为扫描导线和/或数据导线，所述至少一个第六导线为扫描导线和/或数据导线。

示例性的，参见图13(a)第五基板51的包括至少一个第五导电电极561和至少一个第六导电电极562，第五导电电极561相对于第五基板51的第五侧面511凸起，第六导电电极562相对于第五基板51的第五侧面511凹陷，至少一个第五导电电极561与至少一个第五导线576一一对应相连，至少一个第六导电电极562与至少一个第六导线577一一对应相连，至少一个第五导线576为扫描导线和/或数据导线，至少一个第六导线577为扫描导线和/或数据导线。图13(b)和图13(c)分别对应图13(a)中的标号581和582，第五基板51还包括至少一个第五导线576，至少一个第五导线576为扫描导线和/或数据导线，第五导线576包括设于第五基板51内部的第五驱动段5761和裸露于第五基板51第五侧面511的第五拼接段5762，第五拼接段5762与第五导电电极561相连，并且第五拼接段5762包覆在第五导电电极561内。第五侧面511还包括至少一个凹槽59，第六导电电极562位于至少一个凹槽59内，每个凹槽59内可以包括一个第六导电电极562，也可以包括多个第六导电电极562，此处不做限制。第五基板51还包括至少一个第六导线577，至少一个第六导线577为扫描导线和/或数据导线，第六导线577包括设于第五基板51内部的第六驱动段5771和裸露于第五基板第五侧面511的凹槽59的第六拼接段5772，第六拼接段5772与第六导电电极562相连，并且第六拼接段5772包覆在第六导电电极562内。在显示屏的基板中如果横向的导线为扫描导线则纵向的导线为数据导线；如果横向的导线为数据导线则纵向的导线为扫描导线。

示例性的，参见图13(d)，第五侧面进一步包括第六侧面5111和第七侧面5112，第五导线和第六导线同为扫描导线57。在其他实施例中，第五导线和第六导线同为数据导线，此处不作限制。

示例性的，参见图13(e)，第五侧面进一步包括第八侧面5113和第九侧面5114，若第五导线576为扫描导线则第六导线577为数据导线；若第五导线576为数据导线则第六导线577为扫描导线。

示例性的，参见图13(f)，第五侧面进一步包括第九侧面5115、第十侧面5116、第十一侧面5117和第十二侧面5118。第五导电电极进一步包括第七导电电极565和第八导电电极568；第六导电电极进一步包括第九导电电极566和第十导电电极567。第七导电电极565位于第九侧面5115，第八导电电极568位于第十二侧面5118，第九导电电极566位于第十侧面5116，第十导电电极567位于第十二侧面5118。第七导电电极565和第十导电电极567与扫描导线相连，第八导电电极568和第九导电电极566与数据导线相连。

替代实施例中，所述显示屏结构包括至少两个第五基板，所述第一第五导电电极与所述第六导电电极相连以将至少两个第五基板连接。

示例性的，参见图14，以四个第五基板连接为例，第五基板包括第六基板516、第七基板517、第八基板518和第九基板519。第六基板516的第五导电电极5668和第七基板517的第六导电电极5766一一对应接触连接，已将第六基板516与第七基板517相连；第七基板517的第五导电电极5767和第九基板519的第六导电电极5965一一对应接触连接，已将第七基板517与第九基板519相连；第九基板519的第六导电电极5966和第八基板518的第五导电电极5868一一对应接触连接，已将第九基板519与第八基板518相连；第八基板518的第六导电电极5865和第六基板516的第六导电电极5667一一对应接触连接，已将第八基板518与第六基板516相连；

本实施例的技术方案中显示屏的基板的一个侧面上包括凸起的导电电极，另一侧面包括凹陷的导电电极，至少两个基板通过凸起的导电电极和凹陷的导电电极接触相连解决了显示屏的基板由于需要将导线包裹在内而导致边缘较宽，多个显示屏幕拼接时间距过大问题，达到了降低基板边缘宽度和减少多个显示屏幕拼接时间距的效果。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。