d不易产生起因于水分和/或氢的侵入的劣化，其电特性不易发生变化，由此，在非显示部用TFT29不易发生动作不良。
[0089]但是，假设上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚超过75nm时，具有在形成上层侧第一层间绝缘膜39b时上层侧第一层间绝缘膜39b中含有的氢的含有量变多、并且从上层侧第一层间绝缘膜39b脱离的氢的脱离量也变多的趋势，因此存在由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d由于从上层侧第一层间绝缘膜39b脱离的氢而劣化、电特性容易发生变化的问题。另一方面，假设上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚低于35nm时，对于下层侧第一层间绝缘膜39a的覆盖区域容易发生恶化而产生空隙(间隙)42，因此存在防湿性降低、在由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d容易被侵入水分的问题。关于这一点，通过使上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm?75nm的范围，能够使得来自上层侧第一层间绝缘膜39b的氢的脱离量变少，并且充分地确保上层侧第一层间绝缘膜39b的防湿性，因此由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的电特性不易发生变化，由此不易在非显示部用TFT29产生动作不良。此外，通过充分地保持上层侧第一层间绝缘膜39b的防湿性，第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c不易被水分腐蚀。
[0090]此外，构成第一层间绝缘膜39的上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.5?1.9的范围。首先，上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率能够与组成相应地变化，具体而言存在如下趋势:当氮的含有量变少时，折射率的值变小，与此相对，当氮的含有量变多时，折射率的值变大。此处，假设在上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.5以下的情况下，由于氮的含有量少，所以防湿性降低，容易使水透过，水分容易侵入到由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d，并且对由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的电特性产生不良的影响的问题。另一方面，假设在上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.9以上的情况下，由于氮的含有量多，所以存在难以利用通用的制造设备进行成膜的问题。因此，通过令上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.5?1.9的范围，能够确保十分的防湿性，使得由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的电特性不易发生变化，并且能够容易地利用通用的制造设备进行成膜。
[0091]此外，构成第一层间绝缘膜39的上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率为1.5?1.72的范围。上层侧第一层间绝缘膜39b存在随着氮的含有量变多而在成膜时在上层侧第一层间绝缘膜39b中含有的氢的含有量变多的趋势。关于这一点，通过使得上层侧第一层间绝缘膜39b的折射率的上限值为1.72，上层侧第一层间绝缘膜39b中含有的氢的量变得更少，因此从上层侧第一层间绝缘膜39b脱离的氢的脱离量也变少，由此，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的电特性不易由于从上层侧第一层间绝缘膜39b脱离的氢而发生变化。
[0092]此外，包括:形成为与阵列基板Ilb相对状的CF基板对置基板)Ila ;被夹持在阵列基板IIb与CF基板IIa之间的液晶层(液晶)Ilc ;和介于阵列基板IIb与CF基板IIa之间并且以包围液晶层Ilc的方式配置而将液晶层Ilc密封的密封部11 j，非显示部用TFT29配置在比显示部用TFT17更靠近密封部Ilj的位置。这样，被夹持在阵列基板Ilb与CF基板Ila之间的液晶层11c，被设置于阵列基板Ilb与CF基板Ila之间并且由以包围液晶层Ilc的方式配置的密封部Ilj密封。非显示部用TFT29配置在比显示部用TFT17更靠近密封部Ilj的位置，因此在外部的水分从密封部Ilj透过的情况下，虽然容易受到该水分的影响，但是通过如上述那样使得第一层间绝缘膜39为上层侧第一层间绝缘膜39b与下层侧第一层间绝缘膜39a的层叠结构并且上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm?75nm的范围，从密封部Ilj透过的水分不易侵入到构成非显示部用TFT29的由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d，由此不易在非显示部用TFT29产生动作不良
[0093]此外，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d具有从连接第二漏极电极部29c的位置向与第二源极电极部29b侧相反的一侧延伸，并且至少其一部分与第二栅极电极部29a在俯视时不重叠的第二延伸部(延伸部)29dl。这样，当由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d具有从连接第二漏极电极部29c的位置向与第二源极电极部29b侧相反的一侧延伸的第二延伸部(延伸部)29dl，且该第二延伸部29dl的至少一部分与第二栅极电极部29a在俯视时不重叠时，该第二延伸部29dl的不重叠部位不易被第二栅极电极部29a遮挡外部光，因此容易受到外部光的照射，由此存在电特性劣化的问题。具体而言，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d具有当接受到光的能量时容易在电荷的移动的容易程度方面产生影响的性质，存在产生当使非显示部用TFT29动作时电荷容易滞留在第二延伸部29dl的不重叠部位这样的问题的可能性。当不仅产生这样的问题而且产生在由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d被侵入水分和/或氢而电特性发生变化这样的问题时，更容易在非显示部用TFT29产生动作不良，虽然如此，但是通过如上述那样使得第一层间绝缘膜39为上层侧第一层间绝缘膜39b与下层侧第一层间绝缘膜39a的层叠结构并且使得上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm?75nm的范围，水分和氢不易侵入到由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d，因此不易在非显示部用TFT29产生动作不良。
[0094]此外，包括第二保护部29e，其以介于由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d与第二源极电极部29b以及第二漏极电极部29c之间的方式配置，具有分别形成在与第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c在俯视时重叠的位置且使由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d分别与第二源极电极部29b以及第二漏极电极部29c连接的一对第二开口部(开口部)29el、29e2，由保护由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的保护膜37构成。这样，即使在制造过程中为了形成第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c而进行蚀刻的情况下，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d也通过配置在其上层侧的、由保护膜37构成的第二保护部29e保护而不被蚀刻。在制造后由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d也被由保护膜37构成的第二保护部29e保护，由此氢等更加不易侵入到由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d，由此不易在非显示部用TFT29产生动作不良。此外，在由保护膜37构成的第二保护部29e，在与第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c在俯视时重叠的位置形成有一对第二开口部29el、29e2，因此能够通过这些开口部实现由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d与第二源极电极部29b以及第二漏极电极部29c的连接。
[0095]此外，由保护膜37构成的第二保护部29e至少含有硅和氧。这样，通过使得由保护膜37构成的第二保护部29e为至少含有硅和氧的结构，能够使从由保护膜37构成的第二保护部29e脱离的氢的量变少，因此氢不易侵入到由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d，由此更加不易在非显示部用TFT29产生动作不良。
[0096]此外，由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d至少含有铟、镓和锌。这样，至少含有铟、镓和锌的由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d具有更加容易由于水分和/或氢而发生劣化的性质，虽然如此，但是通过如上述那样使得第一层间绝缘膜39为上层侧第一层间绝缘膜39b与下层侧第一层间绝缘膜39a的层叠结构并且使得上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm?75nm的范围，不易发生水分和/或氢侵入到由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的情况，由此不易在非显示部用TFT29产生动作不良。
[0097]此外，包括:配置在显示部AA且通过与显示部用TFT17连接而对显示部用TFT17传送扫描信号的栅极配线(扫描信号线)19 ;和配置在非显示部NAA且与栅极配线19连接并且供给扫描信号的缓冲电路部26，非显示部用TFT29构成缓冲电路部26。这样，在构成缓冲电路部26的非显示部用TFT29中，在第二源极电极部29b与第二漏极电极部29c之间流动的电流量与显示部用TFT17相比处于变得更大的趋势，因此，当非显示部用TFT29的由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d由于被侵入水分和/或氢而发生劣化、电特性发生变化时，不能正常地动作的可能性变得更高。但通过如上述那样使得第一层间绝缘膜39为上层侧第一层间绝缘膜39b与下层侧第一层间绝缘膜39a的层叠结构，并且使得上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm?75nm的范围，不易发生水分和氢侵入到由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部29d的情况，由此不易在构成缓冲电路部26的非显示部用TFT29产生动作不良。
[0098]此外，第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c至少含有铜。这样，当第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c含有铜时，与例如含有铝的情况相比导电性良好，但是更容易被腐蚀。关于这一点，通过如上述那样使得第一层间绝缘膜39为上层侧第一层间绝缘膜39b与下层侧第一层间绝缘膜39a的层叠结构并且使得上层侧第一层间绝缘膜39b的膜厚为35nm?75nm的范围，外部的水分不易透过第一层间绝缘膜39到达第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c，由此第二源极电极部29b和第二漏极电极部29c不易被水分腐蚀。
[0099]<实施方式2>
[0100]根据图15或图16对本发明的实施方式2进行说明。在该实施方式2中，表示将共用电极部122配置在CF基板Illa侧的结构。另外，对与上述的实施方式I相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
[0101]如图15所示，本实施方式中的液晶面板111的共用电极部122不配置在具有显示部用TFTl 17等的阵列基板Illb侧，而配置在CF基板Illa侧，动作模式为VA (VerticalAlignment:垂直配向)模式。共用电极部122以介于取向膜Illd与彩色滤光片Illh以及遮光层Illi之间的方式配置，为遍及CF基板Illa的几乎整个面的整面状的图案。在阵列基板111b，图16所示，随着共用电极部122被除去而第二层间绝缘膜被除去，在有机绝缘膜140的上层侧直接层叠第二透明电极膜124(像素电极部118)。利用这样的也能够获得与上述的实施方式I中记载的结构大致同样的作用和效果。
[0102]<实施方式3>
[0103]根据图17至图19对本发明的实施方式3进行说明。在该实施方式3中，表示对各TFT217、229的各栅极电极部217a、229a的平面配置后的结构。另外，对与上述的实施方式I相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
[0104]如图17和图18所示，构成显示部用TFT217的第一栅极电极部217a不从栅极配线219分支，而形成为一体。S卩，显示部用TFT217以整体载置于栅极配线219上的方式配置。因此，构成显示部用TFT217的第一沟道部217d遍及其整个区域地与第一栅极电极部217a (栅极配线219)在俯视时重叠配置。同样，图17和图19所示，构成非显示部用TFT229的第二栅极电极部229a不从栅极配线219分支，而形成为一体。S卩，非显示部用TFT229以整体载置于栅极配线219的方式配置。因此，构成非显示部用TFT229的第二沟道部229d遍及其整个区域地与第二栅极电极部229a(栅极配线219)在俯视时重叠配置。这样，来自未图示的背光源装置的光良好地被各栅极电极部217a、229a遮挡，难以被照射至由氧化物半导体膜236构成的各沟道部217d、229d。由此，各沟道部217d、229d的电特性不易发生变化，因此在各TFT217、229不易产生动作不良。利用这样的结构也能够获得与上述的实施方式I中记载的结构大致同样的作用和效果。
[0105]<其它实施方式>
[0106]本发明并不限定于根据上述记述和【附图说明】的实施方式，例如以下那样的实施方式也包含在本发明的技术的范围内。
[0107](I)在上述各实施方式中，另上层侧第一层间绝缘膜的折射率的数值范围为1.5?1.9，例如在随着生产技术的进展、能够利用通用的制造装置制造折射率为1.9以上的组成的上层侧第一层间绝缘膜的情况下，能够将上层侧第一层间绝缘膜的折射率的上限值变更为1.9以上。
[0108](2)在上述各实施方式中，例示了在形成上层侧第一层间绝缘膜时使用硅烷(SiH4)与氨(NH3)的混合气体的情况，其实也能够使用这以外的物质。例如，在形成上层侧第一层间绝缘膜时，能够使用硅烷(SiH4)与氮(N2)的混合气体。此外，还能够代替硅烷使用二氯硅烷(SiH2CL2)。此外，还能够使用硅烷、氨与氮的混合气体形成上层侧第一层间绝缘膜。
[0109](3)在上述各实施方式中，作为配置在非显示部的非显示部用TFT，例示了用于在扫描电路进行的信号处理的最终阶段输出扫描信号的TFT，其实在具有这以外的功能的非显示部用TFT中也能够应用本发明。
[0110](4)在非显示部NAA，除了构成缓冲电路部的非显示部用TFT以外还设置有具有各种功能的非显示部用TFT，不需要对所有这样的非显示部用TFT将上层侧第一层间绝缘膜的膜厚和折射率限定于上述的数值