范围。即，也可以为上层侧第一层间绝缘膜的膜厚和折射率处于上述的数值范围内的非显示部用TFT和不处于上述的数值范围内的非显示部用TFT混合存在的结构。
[0111](5)在上述各实施方式中，对构成显示部用TFT和非显示部用TFT的上层侧第一层间绝缘膜的膜厚和折射率处于上述的数值范围的结构进行了说明，其实也可以采用构成显示部用TFT的上层侧第一层间绝缘膜的膜厚和折射率不处于上述的数值范围内的结构。
[0112](6)在上述各实施方式中，对配置在非显示部的行控制电路部具有的非显示部用TFT进行了例示，其实在配置在非显示部的列控制电路部具有的非显示部用TFT也能够同样地应用本发明。
[0113](7)除了上述的各实施方式以外，阵列基板的行控制电路部的配置和设置数还能够适当地进行变更。例如，本发明中还包括行控制电路部相对于阵列基板的显示部配置在图5所示的右侧相邻的结构，以及行控制电路部在阵列基板的左右夹着显示部的位置配置一对的结构。
[0114](8)除了上述的各实施方式以外，对栅极绝缘膜、保护膜、有机绝缘膜和第二层间绝缘膜的具体的材料，也能够适当地进行变更。
[0115](9)在上述各实施方式中，例示了栅极绝缘膜为单层膜的结构，其实还能够层叠由不同的材料构成的膜。例如，能够令栅极绝缘膜为例如由氮化硅(SiNx)构成的下层侧栅极绝缘膜与由氧化硅(S12)构成的上层侧栅极绝缘膜的层叠结构，即与第一层间绝缘膜上下的层叠顺序反转的层叠结构。
[0116](10)在上述各实施方式中，说明了令氧化物半导体膜包括铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物薄膜的情况，其实也能够使用其它种类的氧化物半导体材料，具体而言，能够使用包含铟(In)、硅(Si)和锌(Zn)的氧化物、包含铟(In)、铝(AL)和锌(Zn)的氧化物、包含锡(Sn)、硅(Si)和锌(Zn)的氧化物、包含锡(Sn)、铝(Al)和锌(Zn)的氧化物、包含锡(Sn)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物、包含镓(Ga)、硅(Si)和锌(Zn)的氧化物、包含镓(Ga)、铝(Al)和锌(Zn)的氧化物、包含铟(In)、铜(Cu)和锌(Zn)的氧化物、包含锡(Sn)、铜(Cu)和锌(Zn)的氧化物等。
[0117](11)在上述各实施方式中，说明了当在显示部用晶体管形成接触孔时，将形成有开口部的第二层间绝缘膜用作抗蚀剂，对第一层间绝缘膜和有机绝缘膜进行蚀刻的情况，但是，例如也可以在形成第一层间绝缘膜、有机绝缘膜和第二层间绝缘膜时分别另外对开口部进行图案形成。此外，接触孔的平面配置能够适当地进行变更。
[0118](12)在上述各实施方式中，对动作模式为FFS模式或为VA模式的液晶面板进行了例示，在此以外本发明还能够应用于IPS(In-Plane Switching:面内开关型)模式等其它动作模式的液晶面板。
[0119](13)在上述各实施方式中，说明了在液晶面板、显示部在短边方向上配置在中央在长边方向上靠近一个端部侧地配置的结构，其实本发明还包括在液晶面板的显示部在长边方向上配置在中央在短边方向上靠近一个端部侧地配置的结构。此外，本发明还包括在液晶面板的显示部在长边方向和短边方向上靠近一个端部侧地配置的结构。相反，液晶面板的显示部在长边方向和短边方向上配置在中央的结构也包括在本发明中。
[0120](14)在上述各实施方式中，说明了第二金属膜由钛(Ti)和铜(Cu)的层叠膜形成的情况，例如也可以代替钛钼(Mo)、氮化钼(MoN)、氮化钛(TiN)、钨(W)、铌(Nb)、钼-钛合金(MoTi)、钼-钨合金(MoW)等。此外，还能够代替铜使用铝(Al)等。除此以外，还能够使用钛、铜、铝等的单层金属膜。
[0121](15)在上述各实施方式中，说明了将驱动器直接COG安装在阵列基板上的结构，本发明还包括将驱动器安装在通过ACF与阵列基板连接的柔性基板上的结构。
[0122](16)在上述各实施方式中，说明了在阵列基板的非显示部设置列控制电路部和行控制电路部的情况，其实还能够省略列控制电路部与行控制电路部中的任一电路部，使驱动器负担其功能。
[0123](17)在上述各实施方式中，例示了形成为纵长的方形的液晶面板，本发明还能够应用于形成为横长的方形的液晶面板和形成为正方形的液晶面板。
[0124](18)将触摸面板和视差屏障面板(开关液晶面板)等功能性面板以层叠的方式安装于各实施方式中记载的液晶面板上的结构也包括在本发明中。此外，直接在液晶面板形成触摸面板图案的结构也包括在本发明中。
[0125](19)在上述各实施方式中，作为液晶显示装置具备的背光源装置例示了边缘光型的背光源装置，使用直下型的背光源装置的结构也包括在本发明中。
[0126](20)在上述各实施方式中，例示了具备作为外部光源的背光源装置的透射型的液晶显示装置，本发明还能够应用于利用外光进行显示的反射型液晶显示装置，在这种情况下，能够省略背光源装置。
[0127](21)在上述各实施方式中，作为液晶显示装置的开关元件使用TFT，其实还能够应用于使用TFT以外的开关元件(例如薄膜二极管(TFD))的液晶显示装置，此外，除了进行彩色显示的液晶显示装置以外，还能够应用于进行白黑显示的液晶显示装置。
[0128](22)在上述各实施方式中，例示了使用液晶面板作为显示面板的液晶显示装置，在使用其它种类的表示面板(rop (等离子体显示面板)和有机EL面板等)的表示装置中也能够使用本发明。在这种情况下，能够省略背光源装置。
[0129](23)在上述各实施方式中，例示了被分类为小型或中小型、用于便携式信息终端、移动电话、笔记本电脑、数字相框、便携式游戏机、电子墨水纸等各种电子设备等中的液晶面板，但是，在画面尺寸例如为20英寸?90英寸，被分类为中型或大型(超大型)的液晶面板中也能够应用本发明。在这种情况下，能够将液晶面板用于电视接收装置、电子牌匾(数字招牌)、电子黑板等电子设备。
[0130](24)在上述的实施方式1、2中，例示了构成显示部用TFT的第一沟道部具有与第一栅极电极部在俯视时不重叠的第一延伸部、并且构成非显示部用TFT的第二沟道部具有与第二栅极电极部在俯视时不重叠的第二延伸部的结构，显示部用TFT的第一沟道部能够为与实施方式1、2相同的配置结构，而且非显示部用TFT为第二沟道部的整个区域与第二栅极电极部在俯视时重叠的配置结构(上述的实施方式3与同样的配置结构)。其实能够与此相反，令非显示部用TFT的第二沟道部为与实施方式1、2相同的配置结构，而且显示部用TFT为第一沟道部的整个区域与第一栅极电极部在俯视时重叠的配置结构(与上述的实施方式3相同的配置结构)。
[0131](25)在上述的实施方式1、2中，例示了在各TFT各栅极电极部为从栅极配线分支的结构、并且各沟道部为具有与各栅极电极部在俯视时不重叠的各延伸部的结构，还能够采用相对于从栅极配线分支的结构的各栅极电极部、各沟道部的整个区域分别在俯视时重叠的配置结构。该配置结构能够仅应用于显示部用TFT和非显示部用TFT中的任一方或应用于双方。进一步，在将上述配置结构仅应用于显示部用TFT和非显示部用TFT中的任一方的情况下，能够使未应用的一侧的TFT的配置结构与上述的实施方式1、2相同。
[0132](26)在上述各实施方式中，说明了第一金属膜为铜(Cu)的单层膜的情况，还能够代替铜而使用钛(Ti)和铝(Al)等。此外，还能够使第一金属膜与第二金属膜同样地为钛(Ti)和铜(Cu)等的层叠膜。在令第一金属膜为层叠膜的情况下，还能够代替下层侧的钛使用例如钼(Mo)、氮化钼(MoN)、氮化钛(TiN)、钨(W)、铌(Nb)、钼-钛合金(MoTi)、钼-钨合金(MoW)等。
[0133]附图标记的说明
[0134]11、111…液晶面板(显示装置)，IlaUlla…CF基板(对置基板)，11b、Illb…阵列基板(基板)，Ilc…液晶层(液晶)，Ilj…密封部，17、117、217…显示部用TFT(显示部用晶体管)，19、219…栅极配线(扫描信号线)，26…缓冲电路部，29、229...非显示部用TFT (非显示部用晶体管)，29a、229a…第二栅极电极部(栅极电极部)，29b…第二源极电极部(源极电极部)，29c...第二漏极电极部(漏极电极部)，29d、229d…第二沟道部(氧化物半导体层)，29dl…第二延伸部(延伸部)，29e…第二保护部(保护膜)，29el、29e2...第二开口部(开口部)，34…第一金属膜(栅极电极部)，36…氧化物半导体层，37...保护膜，38…第二金属膜(源极电极部，漏极电极部)，39…第一层间绝缘膜(绝缘膜)，39a...下层侧第一层间绝缘膜(下层侧绝缘膜)，39b…上层侧第一层间绝缘膜(上层侧绝缘膜)，AA…显示部，NAA…非显示部。
【主权项】
1.一种显示装置，其特征在于，包括: 基板，其具有能够显示图像且配置在中央侧的显示部和以包围所述显示部的方式配置在外周侧的非显示部； 配置在所述显示部的显示部用晶体管； 配置在所述非显示部的非显示部用晶体管； 构成所述非显示部用晶体管的栅极电极部； 氧化物半导体膜，其构成所述非显示部用晶体管，所述氧化物半导体膜的至少一部分与所述栅极电极部在俯视时重叠； 源极电极部，其构成所述非显示部用晶体管，所述源极电极部的至少一部分层叠于所述氧化物半导体膜上，并且所述源极电极部与所述氧化物半导体膜连接； 漏极电极部，其构成所述非显示部用晶体管，所述漏极电极部的至少一部分层叠于所述氧化物半导体膜上，并且所述源极电极部在与所述源极电极部之间空出间隔且与所述氧化物半导体膜连接；和 绝缘膜，其至少层叠于所述源极电极部和所述漏极电极部上，该绝缘膜为下层侧绝缘膜与上层侧绝缘膜的层叠结构，该下层侧绝缘膜相对地配置于下层侧，至少含有硅和氧，该上层侧绝缘膜相对地配置于上层侧，至少含有硅和氮，并且膜厚为35nm?75nm的范围。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于: 构成所述绝缘膜的所述上层侧绝缘膜的折射率为1.5?1.9的范围。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于: 构成所述绝缘膜的所述上层侧绝缘膜的折射率为1.5?1.72的范围。
4.如权利要求1?3中任一项所述的显示装置，其特征在于，包括: 形成为与所述基板呈相对状的对置基板； 被夹持于所述基板与所述对置基板之间的液晶；和 介于所述基板与所述对置基板之间并且以包围所述液晶的方式配置而将所述液晶密封的密封部， 所述非显示部用晶体管配置在比所述显示部用晶体管更靠近所述密封部的位置。
5.如权利要求1?4中任一项所述的显示装置，其特征在于: 所述氧化物半导体膜具有延伸部，该延伸部从连接所述漏极电极部的位置向与所述源极电极部侧相反的一侧延伸，并且至少该延伸部的一部分与所述栅极电极部在俯视时不重置。
6.如权利要求1?5中任一项所述的显示装置，其特征在于: 包括保护膜，该保护膜以介于所述氧化物半导体膜与所述源极电极部以及所述漏极电极部之间的方式配置，具有分别形成在与所述源极电极部和所述漏极电极部在俯视时重叠的位置且使所述氧化物半导体膜与所述源极电极部以及所述漏极电极部分别连接的一对开口部，并且保护所述氧化物半导体膜。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于: 所述保护膜至少含有硅和氧。
8.如权利要求1?7中任一项所述的显示装置，其特征在于: 所述氧化物半导体膜至少含有铟、镓和锌。
9.如权利要求1?8中任一项所述的显示装置，其特征在于，包括: 配置在所述显示部，通过与所述显示部用晶体管连接而对所述显示部用晶体管传送扫描信号的扫描信号线；和 配置在所述非显示部，与所述扫描信号线连接并且供给所述扫描信号的缓冲电路部， 所述非显示部用晶体管构成所述缓冲电路部。
10.如权利要求1?9中任一项所述的显示装置，其特征在于: 所述源极电极部和所述漏极电极部至少含有铜。
【专利摘要】液晶面板(11)包括：配置在阵列基板(11b)的显示部(AA)的显示部用TFT(17)；配置在非显示部(NAA)的非显示部用TFT(29)；构成非显示部用TFT(29)的第二栅极电极部(29a)；由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部(29d)；与第二沟道部(29d)连接的第二源极电极部(29b)；与第二沟道部(29d)连接的第二漏极电极部(29c)；和第一层间绝缘膜(39)，其至少层叠于第二源极电极部(29b)和第二漏极电极部(29c)上，是相对地配置在下层侧且至少含有硅和氧的下层侧第一层间绝缘膜(39a)与相对地配置在上层侧且至少含有硅和氮并且膜厚为35nm～75nm的范围的上层侧第一层间绝缘膜(39b)的层叠结构。
【IPC分类】H01L29-786, G02F1-1368, G09F9-30, H01L21-336
【公开号】CN104823230
【申请号】CN201380060544
【发明人】高西雄大, 原义仁, 中田幸伸
【申请人】夏普株式会社
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2013年11月14日
【公告号】EP2924679A1, US20150277168, WO2014080826A1