序得到与驱动晶体管的阈值电压对应的感测值(Vth感测数据)、或者如图2的(c)中所示以R、G、B和W的次序得到与驱动晶体管的阈值电压对应的感测值(Vth感测数据)。
[0045]然而，上述次序只是基于显示面板160包括RGBW的四个子像素SP的假设的示例，本发明不限于此。因此，尽管未示出，但假如显示面板160包括RGB的三个子像素SP而非RGBW的四个子像素SP，可按R、G和B的次序得到与驱动晶体管的阈值电压对应的感测值(Vth感测数据)。
[0046]然而，各子像素的驱动晶体管的特性(阈值电压、电流迀移率等)在使用了长时间段之后改变，因而给有机发光显示器带来各种问题，问题包括因操作电流随时间推移而减小造成的装置寿命缩短。为了解决这个问题，感测电路单元140被包括在有机发光显示器中，以下将对此具体进行描述。
[0047]图3是示出根据本发明的示例性实施方式的装置的部分的详细构造的示图。图4是示出图3的子像素的电路构造的示图。图5是示出根据本发明的修改形式的装置的部分的详细构造的示图。
[0048]如图3和图4中所示，根据本发明的示例性实施方式的有机发光显示器包括数据驱动器130、感测电路单元140和子像素SP。子像素SP包括存储电容器、开关晶体管、驱动晶体管、传感器晶体管ST和有机发光二极管。
[0049]以下，将示意性描述子像素SP中包括的元件的功能。
[0050]存储电容器用于将数据信号存储为数据电压。开关晶体管用作将数据电压存储在存储电容器中的开关。驱动晶体管用于将驱动电流供应到有机发光二极管。传感器晶体管ST用于连接到节点Vx、Vz，以感测驱动晶体管的特性。有机发光二极管用于发光。
[0051 ] 上述子像素SP连接到两个或更多个扫描线Scan和Sense和数据线DL1。当通过第一扫描线Scan供应第一扫描信号时，子像素SP进行操作以将数据驱动器130输出的数据信号存储在存储电容器中。当通过第二扫描线Sense供应第二扫描信号时，子像素SP进行操作以使用感测电路单元140执行感测操作。基准线REF形成在子像素SP中包括的传感器晶体管ST的感测节点Vz和感测电路单元140之间。传感器晶体管ST连接到子像素SP中包括的驱动晶体管的源节点Vx。
[0052]如图4中所示，上述子像素SP可包括开关晶体管SW、驱动晶体管DT、存储电容器Cst、有机发光二极管0LED和传感器晶体管ST。子像素SP中包括的晶体管SW、DT和ST形成为N型，以下将描述这些晶体管之间的电连接关系。
[0053]开关晶体管SW包括:栅极，其连接到第一扫描线Scan ;第一电极，其连接到数据线DL1 ;第二电极，其连接到驱动晶体管DT的栅极。驱动晶体管DT包括:栅极，其连接到开关晶体管SW的第二电极；漏极，其连接到第一电势电压线EVDD ;源极，其连接到有机发光二极管的阳极。
[0054]存储电容器Cst包括与驱动晶体管DT的栅极连接的一端和与驱动晶体管DT的源极连接的另一端。有机发光二极管0LED包括与驱动晶体管DT的源极连接的阳极和与第二电势电压线EVSS连接的阴极。传感器晶体管ST包括:栅极，其连接到第二扫描线Sense ;第二电极，其连接到驱动晶体管DT的源极；第一电极，其连接到基准线REF。
[0055]子像素SP的示出的电路构造只是示例，本发明不限于此。例如，子像素SP中包括的晶体管SW、DT和ST中的一个或更多个可形成为P型，而非N型。另外，除了示出的晶体管SW、DT和ST之外，子像素SP还可包括执行其它功能的晶体管或电容器。
[0056]感测电路单元140可包括:第一电路部分141，其用于将基准线REF的电压转换成脉冲电压；第二电路部分143，其用于将通过第一电路部分141进行的转换而得到的脉冲电压输出作为阶跃电压；第三电路部分145，其用于将第二电路部分143输出的阶跃电压转换成数字格式；第四电路部分147，其用于在垂直消隐间隔期间输出开关控制信号CS。
[0057]然而，以上构造只是示例，感测电路单元140可具有以下的简单构造:第二电路部分143和第三电路部分145被集成在一起，并且集成电路将通过基准线REF感测的模拟电压转换成数字电压并输出数字电压。在这种情况下，通过基准线REF输入的初始化电压可以是负电压或正电压，并且可在负电压和正电压之间变化。通过基准线REF输入的初始化电压可被选择为是正的，只要它低于有机发光二极管的阈值电压OLED Vth即可。
[0058]第一电路部分141通过基准线REF感测子像素SP的驱动晶体管DT的阈值电压，从而得到感测值(Vth感测数据)。响应于第四电路部分147供应的开关控制信号CS，第一电路部分141执行开关操作，以将通过初始化电压端子VINIT供应的初始化电压供应到基准线REF或者将基准线REF的电压转换成脉冲电压。
[0059]为此目的，第一电路部分141可以响应于开关控制信号CS连同将初始化电压端子VINIT的输出端和基准线REF电连接或者将第二电路部分143的输入端和基准线REF电连接的N个开关电路(N是1或更大)被构造为无源元件。如果第一电路部分141是无源元件，则通过第二电路部分143的输入端和初始化电压端子VINIT的输出端输入和输出的电压的稳定性和均匀性可提高。第一电路部分141可由电阻器、电容器等组成；然而，如果第一电路部分141是无源元件，则根据电路构造和性能，可省略这些元件。
[0060]第二电路部分143被构造为电荷栗电路，电荷栗电路累积输入电压并且将输出电压声压，使得通过使用第一电路部分141的开关操作进行转换而得到的脉冲电压被输出作为阶跃电压。第二电路部分143具有以上结构，用于减少在感测时在基准线REF等上产生的噪声(电阻分量和电容分量)。
[0061]第三电路部分145被构造为模数转换器，模数转换器用于将第二电路部分143输出的模拟阶跃电压转换成数字格式。第三电路部分145用于将模拟阶跃电压转换成数字阶跃电压，并且准备用于基于阶跃电压补偿数据信号的补偿数据Comp Data。第三电路部分145可通过各种计算处理直接准备用于确定补偿水平的补偿数据Comp Data，或者可只基于阶跃电压间接准备相对于先前值的差异。
[0062]第四电路部分147输出用于控制第一电路部分141的开关操作(或感测操作)的开关控制信号CS。第四电路部分147在垂直消隐间隔的开始和结束时(即各帧之间的时间)输出开关控制信号CS。
[0063]第四开关部分147输出用于在垂直消隐间隔开始时启用第一电路部分141的开关操作的开关控制信号CS，并且输出用于在垂直消隐间隔结束时禁用第一电路部分141的开关操作的开关控制信号CS。当启用第一电路部分141的开关操作时，感测电路单元140进入感测启动模式，当禁用第一电路部分141的开关操作时，感测电路单元140进入感测备用模式。
[0064]上述显示面板的各子像素SP的驱动晶体管的特性(阈值电压、电流迀移率等)根据内部或外部环境随时间推移而变化。感测电路单元140用于感测这些特性并且准备用于补偿数据信号的补偿数据Comp Data。数据驱动器130用于基于感测电路单元140供应的补偿数据Comp Data补偿并输出数据信号。
[0065]感测电路单元140可被包括在数据驱动器130中。基于此，以下将描述本发明的示例性实施方式的修改形式。
[0066]如图5中所示，感测电路单元140被包括在数据驱动器130中。因此，数据驱动器130包括感测电路单元140以及存储器132、数据信号补偿器135、数据信号转换器138和数据信号输出部分139。
[0067]存储器132位于数据驱动器130的内部或外部，并且被分配至少一个存储体(bank)。补偿数据被写入存储器132。数据信号补偿器135写入或读取被写入存储器132的补偿数据。
[0068]数据信号补偿器135用于基于感测电路单元140供应的补偿数据Comp Data补偿数据信号DATA。数据信号补偿器135通过存储器132的不同存储体读取(R)先前补偿数据并且写入(W)新的补偿数据。
[0069]为此目的，数据信号补偿器135只占据存储器132的第一存储体，并且通过第一存储体读取(R)先前的补偿数据并且写入(W)新的补偿数据。然而，在这种情况下，在补偿数据的读取操作(R)和写入操作(W)期间，可能出现数据冲突等。为了解决这个问题，数据信号补偿器135可占据存储器132的第一存储体和第二存储体，并且通过这些存储体读取(R)先前的补偿数据并且写入(W)新的补偿数据。然而，这只是例示，存储器132的存储体的分配和数据信号补偿器135的操作可根据感测方法(线感测、块感测、帧感测等)而变化。
[0070]数据信号转换器138用于将数字数据信号转换成模拟数据信号。数据信号转换器138响应于伽玛基准电压转换经数据信号补偿器135补偿的数据信号或未经补偿的数据信号。数据信号输出部分239用于输出数据信号DATA。
[0071]用上述构造，当感测显示面板的各子像素SP的驱动晶体管DT的特性时，基于这些特性准备用于补偿数据信号的补