有机发光显示器及其驱动方法_3

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偿数据Comp Data。然而,这只是例示,感测电路单元140和数据驱动器130不限于这种构造并且可按各种方式修改。
[0072]使用上述感测电路单元140的补偿方法是以能够进行实时补偿的方式实现的,因为在垂直消隐间隔(或感测和补偿数据产生间隔)期间准备感测数据和补偿数据CompData并且在图像显示间隔(或数据信号写入间隔)期间输出补偿数据。感测和补偿数据产生间隔和数据信号写入间隔可以在相同帧内。另选地,感测和补偿数据产生间隔和数据信号写入间隔可具有多帧的时间间隙。也就是说,可在垂直消隐间隔期间,准备用于一组子像素的感测数据和补偿数据,可在感测操作的垂直消隐间隔之后在出现多帧的图像显示间隔期间,输出与这组子像素对应的经补偿的显示数据。
[0073]然而,上述有机发光显示器的实现和测试的结果表明可能出现以下问题。因此,设计这个问题的解决方案。
[0074]图6是测试例中使用的感测方法的示例的示图。图7是详细示出图6的测试示例的示图。图8是示出阳极的充电以说明测试例的感测方法造成的问题的曲线图。图9是示出由于图8的充电问题导致的在显示面板上观察到的现象的示图。图10是根据测试例的驱动波形和节点电压的示图。图11是根据示例性实施方式的驱动波形和节点电压的示图。图12是示出阳极的充电以说明通过示例性实施方式的感测方法实现的改进的曲线图。图13是示出在显示面板上观察到的现象以比较测试例和示例性实施方式的示图。图14是用于说明可应用示例性实施方式的另一种感测方法的示图。图15和图16是示出根据示例性实施方式的第二扫描信号的波形的示图。图17是示出根据示例性实施方式的第二扫描信号的变化的示图。
[0075]如图6中所示,在垂直消隐间隔期间而非在通过显示面板160显示图像的图像显示间隔期间,感测电路单元感测与显示面板160的第一行至最后一行对应的1线至U线并且准备补偿数据。
[0076]如图7中所示,在测试例中,用于实时补偿的待感测目标的位置(RT位置)是随机(或顺序)选择的。这可从各帧有所不同的待感测目标的位置(RT位置)了解到。
[0077]测试例在实时补偿方面具有优于帧感测的优点,因为待感测目标的位置(RT位置)是随机(或顺序)选择的(线感测和块感测)。这是因为,用于实时补偿的待感测目标的数量造成难以进行实时补偿(包括与保存感测数据、补偿数据计算所需的时间等关联的问题)。但是,测试例的补偿操作也将最终准备每条线的感测和补偿数据。
[0078]然而,测试的结果表明,随机选择用于实时补偿的待感测目标的位置(RT位置)带来以下问题。
[0079]如图8的(a)中所示,没有被应用实时补偿的子像素(被称为非RT子像素)接收未经补偿的数据信号,因此有机发光二极管的阳极的节点表现出恒定的充电曲线。
[0080]相反地,如图8的(b)中所示,被应用实时补偿的子像素(被称为RT子像素)接收经补偿的数据信号,因此有机发光二极管的阳极的节点表现出不恒定的充电曲线。这可根据图8的(b)容易地理解,图8的(b)示出从“RT位置”的时间(例如,⑴阳极充电时间和⑵RT之后)起有机发光二极管的阳极的节点被充电2次。
[0081]如可从图8的充电曲线明白的,不同于非RT子像素,RT子像素在某个时间点之前一直接收未经补偿的数据信号,然后接收经补偿的数据信号。因此,在非RT子像素和RT子像素之间出现充电偏差。另外,在低灰度级更明确地发现非RT子像素和RT子像素之间的充电偏差。
[0082]如图9中所示,观察到,非RT子像素B和RT子像素A之间的充电偏差引起跨整个显示面板160的亮度偏差(参见对应于RT子像素的A和对应于非RT子像素的B)。据此,用裸眼察觉到显示面板160上的RT子像素。
[0083]测试例中的上述问题的最大原因是因为在非RT子像素B和RT子像素A的驱动晶体管的源节点Vx之间存在电压差。
[0084]图10是根据测试例的驱动波形和节点电压的示图。图11是根据示例性实施方式的驱动波形和节点电压的示图。图12是示出阳极的充电以说明通过示例性实施方式的感测方法实现的改进的曲线图。图13是示出在显示面板上观察到的现象以比较测试例和示例性实施方式的示图。图14是用于说明可应用示例性实施方式的另一种感测方法的示图。
[0085]下文中,将参照图10至图14详细描述测试例和用于解决测试例中出现的问题的示例性实施方式,以有助于理解描述。
[0086]-测试例-
[0087]在测试例中,用于实时补偿的待感测目标的位置(RT位置)被随机(或顺序)选择。另外,如图10中所示,通过第一扫描线Scan供应到非RT子像素的第一扫描信号1帧一次地保持逻辑高H。在图像显示间隔(或数据信号写入间隔)期间,通过第二扫描线Sense供应到非RT子像素的第二扫描信号保持逻辑低L。
[0088]因此,以非RT子像素的驱动晶体管DT的栅节点Va和源节点Vx的电压向着饱和非线性增大(如图10中所示)这样的方式将栅节点Va和源节点Vx充电。
[0089]-示例性实施方式-
[0090]在示例性实施方式中,用于实时补偿的待感测目标的位置(RT位置)被随机(或顺序)选择。另外,如图11中所示,通过第一扫描线Scan供应到非RT子像素的第一扫描信号1帧一次地保持逻辑高H。另一方面,如图11中所示,通过第二扫描线Sense供应到非RT子像素的第二扫描信号1帧一次地保持逻辑高H。
[0091]因此,以非RT子像素的驱动晶体管DT的栅节点Va和源节点Vx的电压向着饱和非线性增大并接着再次向着饱和非线性增大(如图11中所示)这样的方式将栅节点Va和源节点Vx充电。
[0092]通过导通非RT子像素的传感器晶体管ST,非RT子像素的驱动晶体管DT的源节点Vx在图像显示间隔期间放电达预定时间。这样允许非RT子像素的节点Vx的电压模式(pattern)模仿在图像显示间隔期间接收补偿数据的RT子像素的节点Vx处的电压模式。然而,导通非RT子像素的传感器晶体管是非RT子像素的节点Vx放电的一个示例,本发明不限于此。例如,除了传感器晶体管ST之外或者代替传感器晶体管ST,显示面板还可包括执行非RT子像素的节点Vx的放电的诸如电容器等其它元件。
[0093]以下,将比较测试例和示例性实施方式。
[0094]在测试例中,因为数据补偿只应用于RT子像素,所以非RT子像素的传感器晶体管ST没有被驱动。也就是说,如图10中所示,供应到非RT子像素的第二扫描信号被施加为用于使传感器晶体管截止的信号(例如,逻辑低L)。在这种情况下,只有供应到RT子像素的第二扫描信号被施加为用于导通传感器晶体管ST的信号。
[0095]在示例性实施方式中,另一方面,即使数据补偿只应用于RT子像素,非RT子像素的传感器晶体管ST也被驱动。也就是说,如图11中所示,供应到非RT子像素的第二扫描信号被施加为用于临时导通传感器晶体管ST的信号(例如,逻辑高H)。
[0096]在示例性实施方式中,在诸如“PP”的图像显示间隔(或数据信号写入间隔)期间,第二扫描信号同样被施加为用于导通非RT子像素的传感器晶体管ST的信号,所以非RT子像素的有机发光二极管和驱动晶体管之间的节点Vx在图像显示间隔期间被放电达预定时间。
[0097]同时,响应于顺序施加的第一扫描信号,向每个子像素施加数据信号以及RT子像素的经补偿的数据信号。因此,在示例性实施方式中,在图像显示间隔(或数据信号写入间隔)期间生成并且供应第二扫描信号以顺序导通每个非RT子像素的传感器晶体管ST。
[0098]根据测试例,在垂直消隐间隔期间,第二扫描信号变化成逻辑高并且保持逻辑高达预定时间,以只导通RT子像素的传感器晶体管ST。相反地,根据示例性实施方式,在垂直消隐间隔(1:感测操作)期间,第二扫描信号变化成逻辑高并且保持逻辑高达预定时间,以只导通RT子像素的传感器晶体管ST,并且在图像显示间隔(2:补偿操作)期间,也变化成逻辑高并且保持逻辑高达预定时间,以导通非RT子像素。
[0099]也就是说,在示例性实施方式中,通过顺序地导通非RT子像素的传感器晶体管ST,将非RT子像素重新升压,以解决在测试例中出现的问题(RT子像素和非RT子像素之间的充电偏差)。在这种情况下,与RT子像素相似,重新升压后的非RT子像素往往会瞬时放电(或截止)然后重新充电,因为重新升压后的非RT子像素接收低于有机发光二极管的阈值电压的电压。因此,使用措辞“重新升压”,因为非RT子像素的有机发光二极管往往会瞬时放电(或截止)然后重新充电,但它可以有另外的解释。
[0100]因此,如图12的(a)和(b)中所示,没有被应用实时补偿的子像素(被称为非RT子像素)和被应用实时补偿的子像素(被称为RT子像素)二者的有机发光二极管的阳极的节点Vx表现出类似或相同的充电曲线。也就是说,非RT子像素的节点Vx的充电曲线模拟经补偿的RT子像素的节点Vx的充电曲线。另外,非RT子像素和RT子像素之间的充电偏差在低灰度下比在高灰度和中间灰度下有更好的改进。
[0101]然而,图12中的充电模式表明对于非RT子像素和RT子像素而言,在
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