，在具体实施时进一步通过第六开关晶体管M6 来实现驱动晶体管MDTFT栅极电压初始化。现有技术存在将第六开关晶体管M6的漏极与 第二开关晶体M2的漏极、驱动晶体管MDTFT的漏极共同连接的实现方式，虽然该方式也可 W实现经第六开关晶体管M6,第二开关晶体管M2使B初始化为VINIT电压，但是同样地， 由于B点变为低电平而使驱动晶体管MDTFT打开，从而使得驱动晶体管MDTFT，第六开关晶 体管M6形成瞬时电流回路，电源正极ELV孤与VIN口端接入的低电平相连形成大电流。因 此，为避免W上问题的发生，需要对现有的电路结构进行改进。
[0020] 参看图2,是本实用新型实施例提供的对有机发光二极管的驱动电路进行控制的 一种时序图。
[0021] 结合驱动电路图（图1)W及时序图（图2)，对本实用新型实施例提供的有机发光 二极管的驱动电路的工作原理进行分析。
[0022] 如图1所示，第六开关晶体管M6的源极与VIN口端连接，第六开关晶体管M6的栅 极与复位端RESET连接，第六开关晶体管M6的漏极与驱动晶体管MDTFT的栅极、第二开关 晶体管M2的源极共同连接。如图2所示，驱动电路的工作过程主要包括Ξ个阶段：
[0023] (1)T1阶段：复位端RESET输入信号为低电平，扫描控制端SCAN和发光控制端EM 为高电平，使得第六开关晶体管M6导通，B点电压初始化为VIN口端接入的电压。由于驱 动时序T1阶段实现驱动晶体管栅极电压初始化时可W在复位端RESET为低电平时经第六 开关晶体管M6实现，因此在电源正极ELV孤与初始化电压输入端VINIT之间不会形成瞬时 电流连接回路。
[0024] (2)Τ2阶段：扫描控制端SCAN输入信号为低电平，复位端RESET和发光控制端 EM为高电平，使得第一开关晶体管Ml和第二开关晶体管M2导通，A点电压为数据输入端 VDATA的电压值；因此，T2阶段为补偿、数据写入阶段。此外，由于第二开关晶体管M2导通， 使驱动晶体管MDTFT形成二极管接法值iode-Connected)，即B点电压由VIN口端的电压值 大小变为电源正极ELVDD与阔值电压之差ELVDD-Vth，其中，VIN口端的电压值小于电源正极 ELVDD与阔值电压之差ELVDD-Vth。
[00巧](3)T3阶段：发光阶段。发光控制端EM输入信号为低电平，复位端RESET和扫 描控制端SCAN为高电平，使得第Ξ开关晶体管M3和第四开关晶体管M4导通，0L邸开始 发光；而第一开关晶体管Ml、第二开关晶体管M2、第六开关晶体管M6都截止，A点电压由 数据输入端VDATA的电压值转变为初始化电压输入端VINIT的电压值；同时，由于存储 电容C1的电容禪合作用，B点的电压变化量等于A点的电压变化量，即B点电压变化为： ELV孤-Vth+(VDATA-VIN口）。 阳0%] 在本实施例中，由于驱动晶体管MDTFT工作在饱和区，其饱和电流计算公式为：
[0027]
化)
[002引其中，式子（1)中的μ为沟道的电子迁移率，Cm为驱动晶体管MDTFT单位面积的 沟道电容，W为沟道宽度，L为沟道长度，Vw为驱动晶体管MDTFT栅源电压，Vth为驱动晶体 管MDTFT的阔值电压。
[0029] 为了得到相对恒定的电流，要求驱动晶体管MDTFT工作在饱和区，由像素驱动电 路图1可知，有机发光二极管DOLED电流leuD与驱动晶体管MDTFT的电流I相等。由于 有机发光二极管D0L邸的发光亮度与流过有机发光二极管DOLED的电流成正比，通过控制 驱动晶体管MDTFT的电流，即有机发光二极管D0L邸的电流可W实现有机发光二极管DOLED 的不同发光亮度。有机发光二极管DOLED电流1。^。可W采用W下公式进行计算：
[0030]
[0031]其中，栅源电压Vsg=ELVDD-巧LVDD-Vth+ (VDATA-VIN口)）。 阳03引通过Idled的计算公式似可W看出，I0LED只与VDATA的电压和VINIT的电压有关， 而与电源正极ELVDD和阔值电压Vth无关，即图1的驱动电路可W实现对IR压降和驱动晶 体管MDTFT的阔值电压不均匀的补偿。由于0LED的发光亮度与流过0LED的电流成正比， 通过控制驱动晶体管的电流即0L邸的电流可W实现0L邸的不同发光亮度。具体实施时， 各个开关晶体管可W采用低溫多晶娃薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶娃薄 膜晶体管中的一种或多种，本领域技术人员可W根据实际应用场合对晶体管的类型进行选 取。
[0033] 本实用新型实施例提供的有机发光二极管的驱动电路，通过多个开关晶体管的组 合，同时设置初始化电压输入端、复位端、扫描控制端、发光控制端、数据输入端，通过时序 的控制，在复位端为低电平时经第六开关晶体管实现驱动晶体管栅极电压初始化，从而在 电源正极与初始化电压输入端之间不会形成瞬时电流回路，即避免了高电平与低电平相连 所形成的大电流。本实用新型实施例提供的有机发光二极管的驱动电路，不仅可W补偿驱 动晶体管阔值电压、消除电源线IR压降、改善残影，电路还可W避免形成不必要的瞬时电 流回路，避免造成薄膜晶体管过热、损伤问题，从而提高产品可靠性和寿命，降低功耗，改善 户生會長。
[0034]W上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术 人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可W做出若干改进和润饰，运些改进和润 饰也视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1. 一种有机发光二极管的驱动电路，其特征在于，包括：第一开关晶体管、第二开关晶 体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第五开关晶体管、第六开关晶体管、驱动晶体管， 存储电容，以及有机发光二极管； 所述驱动电路还包括初始化电压输入端、复位端、扫描控制端、发光控制端、数据输入 端、电源正极和电源接地端； 所述初始化电压输入端与所述第四开关晶体管的源极、所述第五开关晶体管的源极、 所述第六开关晶体管的源极分别连接；所述复位端连接在所述第六开关晶体管的栅极上； 所述第六开关晶体管的漏极与所述第二开关晶体管的源极、所述驱动晶体管的栅极共同连 接；所述扫描控制端与所述第一开关晶体管的栅极、所述第二开关晶体管的栅极、所述第五 开关晶体管的栅极共同连接；所述发光控制端与所述第三开关晶体管的栅极、所述第四开 关晶体管的栅极共同连接；所述电源正极连接在所述驱动晶体管的源极上；所述有机发光 二极管的正极与所述第三开关晶体管的漏极、所述第五开关晶体管的漏极共同连接；所述 有机发光二极管的负极与所述电源接地端连接。2. 如权利要求1所述的有机发光二极管的驱动电路，其特征在于，所述数据输入端连 接在所述第一开关晶体管的源极上；所述第一开关晶体管的漏极与所述第四开关晶体管的 漏极连接。3. 如权利要求2所述的有机发光二极管的驱动电路，其特征在于，所述存储电容连接 在所述第一开关晶体管的漏极与所述驱动晶体管的栅极之间；所述驱动晶体管的漏极与所 述第二开关晶体管的漏极、所述第三开关晶体管的源极共同连接。
【专利摘要】本实用新型公开了一种有机发光二极管的驱动电路，包括：第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第五开关晶体管、第六开关晶体管、驱动晶体管，存储电容，以及有机发光二极管；所述驱动电路还包括初始化电压输入端、复位端、扫描控制端、发光控制端、数据输入端、电源正极和电源接地端。本实用新型提供的有机发光二极管的驱动电路，可以补偿晶体管阈值电压，防止OLED驱动电路初始化时产生瞬时电流回路，提高产品性能。
【IPC分类】G09G3/3233
【公开号】CN205004016
【申请号】CN201520579410
【发明人】王士锋, 吴锦坤, 胡君文, 谢志生, 苏君海, 李建华
【申请人】信利（惠州）智能显示有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年8月4日