一种有机发光二极管的驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及电子电路技术领域，尤其设及一种有机发光二极管的驱动电路。
【背景技术】
[0002] 现有的平板显示屏通常由两个基本部分组成，显示像素与驱动电路。在液晶显示 中，显示像素是灌注液晶材料的单元阵列。驱动电路是控制每个像素开关（发光、翻转）的 晶体管电路。近年来，由于AM0LED(ActiveMatrixOrganicLi曲t血ittingDiode,有源 矩阵有机发光二极管）相比传统液晶显示屏化iquid化ystalDisplay,简称LCD)具有更 薄更轻、自发光、响应时间短、对比度高、宽视角、可制作柔性和透明产品等优势，被认为是 下一代显示技术。目前，有机发光二极管的rganicLi曲t血ittingDiode,简称0L邸）技 术研发投入不断加大，技术日趋成熟，量产的良品率不断提高，成本日趋逼近液晶显示器， 市场份额不断扩大。
[0003] AM0LED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管0L邸时，0LED发光，且 发光亮度由流过0LED自身的电流决定。由于在AM0LED的驱动电路中，驱动薄膜晶体管的 阔值电压（ThresholdVoltage)会随着工作时间而漂移，从而导致0L邸的发光不稳定， 因此需要采用能够补偿驱动晶体管阔值电压漂移的像素驱动电路。目前低溫多晶娃化OW TemperaturePol}f-silicon，简称LTP巧制程大多采用准分子激光退火巧xcimerLaser Annealing,简称ELA)工艺，制作的薄膜晶体管（Thin-FilmTransistor,简称TFT)的阔值 电压在空间上存在不均匀性，相同数据电压驱动下的0L邸因薄膜晶体管阔值电压不同而 造成灰度显示不均匀现象；此外，现有的电路电源线IR压降、0LED残影（ImageSticking) W及扫描线或发光控制线实现驱动晶体管栅极电压初始化的方式产生了瞬时电流回路，造 成薄膜晶体管过热、损伤问题，影响产品品质。 【实用新型内容】
[0004] 本实用新型所要解决的技术问题是提供一种有机发光二极管的驱动电路，补偿晶 体管阔值电压，防止0L邸驱动电路初始化产生瞬时电流回路，提高产品性能。 阳0化]为解决W上技术问题，本实用新型实施例提供了一种有机发光二极管的驱动电 路，包括：第一开关晶体管、第二开关晶体管、第Ξ开关晶体管、第四开关晶体管、第五开关 晶体管、第六开关晶体管、驱动晶体管，存储电容，W及有机发光二极管；
[0006] 所述驱动电路还包括初始化电压输入端、复位端、扫描控制端、发光控制端、数据 输入端、电源正极和电源接地端；
[0007] 所述初始化电压输入端与所述第四开关晶体管的源极、所述第五开关晶体管的源 极、所述第六开关晶体管的源极分别连接；所述复位端连接在所述第六开关晶体管的栅极 上；所述第六开关晶体管的漏极与所述第二开关晶体管的源极、所述驱动晶体管的栅极共 同连接；所述扫描控制端与所述第一开关晶体管的栅极、所述第二开关晶体管的栅极、所述 第五开关晶体管的栅极共同连接；所述发光控制端与所述第Ξ开关晶体管的栅极、所述第 四开关晶体管的栅极共同连接；所述电源正极连接在所述驱动晶体管的源极上；所述有机 发光二极管的正极与所述第Ξ开关晶体管的漏极、所述第五开关晶体管的漏极共同连接； 所述有机发光二极管的负极与所述电源接地端连接。
[0008] 所述数据输入端连接在所述第一开关晶体管的源极上；所述第一开关晶体管的漏 极与所述第四开关晶体管的漏极连接。
[0009] 优选地，所述存储电容连接在第一开关晶体管的漏极与所述驱动晶体管的栅极之 间；所述驱动晶体管的漏极与所述第二开关晶体管的漏极、所述第Ξ开关晶体管的源极共 同连接。
[0010] 本实用新型实施例提供的有机发光二极管的驱动电路，通过多个开关晶体管的组 合，同时设置初始化电压输入端、复位端、扫描控制端、发光控制端，数据输入端，通过时序 的控制，在复位端为低电平时经第六开关晶体管实现驱动晶体管栅极电压初始化，从而不 会形成通过扫描控制端或发光控制端实现驱动晶体管栅极电压初始化方式电源正极与初 始化电压输入端之间的瞬时电流回路，即避免了高电平（电源正极）与低电平（初始化电 压输入端）相连所形成的大电流。本实用新型实施例提供的有机发光二极管的驱动电路， 不仅可W补偿驱动晶体管阔值电压、消除电源线IR压降、改善残影，还可W避免形成不必 要的瞬时电流回路，避免造成薄膜晶体管过热、损伤问题，从而提高产品可靠性和寿命，降 低功耗，改善产品性能。
【附图说明】
[0011] 图1是本实用新型提供的有机发光二极管的驱动电路的一个实施例的结构示意 图。
[0012] 图2是本实用新型实施例提供的对有机发光二极管的驱动电路进行控制的一种 时序图。
【具体实施方式】
[0013] 下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述。
[0014] 参见图1，是本实用新型提供的有机发光二极管的驱动电路的一个实施例的结构 不意图。
[0015] 具体地，所述的有机发光二极管的驱动电路，包括：第一开关晶体管Ml、第二开关 晶体管M2、第Ξ开关晶体管M3、第四开关晶体管M4、第五开关晶体管M5、第六开关晶体管 M6、驱动晶体管MDTFT，存储电容C1，W及有机发光二极管DOLED;
[0016] 有机发光二极管的驱动电路还包括初始化电压输入端VINIT、复位端RESET、扫描 控制端SCAN、发光控制端EM、数据输入端VDATA、电源正极ELVDD和电源接地端ELVSS。
[0017] 如图1所示，所述初始化电压输入端VIN口与所述第四开关晶体管M4的源极、所 述第五开关晶体管M5的源极、所述第六开关晶体管M6的源极分别连接；所述复位端RESET 连接在所述第六开关晶体管M6的栅极上；所述第六开关晶体管M6的漏极与所述第二开关 晶体管M2的源极、所述驱动晶体管MDTFT的栅极共同连接；所述扫描控制端SCAN与所述第 一开关晶体管Ml的栅极、所述第二开关晶体管M2的栅极、所述第五开关晶体管M5的栅极 共同连接；所述发光控制端EM与所述第Ξ开关晶体管M3的栅极、所述第四开关晶体管M4 的栅极共同连接；所述电源正极ELV孤连接在所述驱动晶体管MDTFT的源极上；所述有机 发光二极管DOL邸的正极与所述第Ξ开关晶体管M3的漏极、所述第五开关晶体管Μ5的漏 极共同连接；所述有机发光二极管DOL邸的负极与所述电源接地端ELVSS连接。
[0018] 具体实施时，有机发光二极管的驱动电路还包括数据输入端VDATA。所述数据输入 端VDATA连接在所述第一开关晶体管Ml的源极上；所述第一开关晶体管Ml的栅极与所述 第五开关晶体管M5的栅极连接；所述第一开关晶体管Ml的漏极与所述第四开关晶体管M4 的漏极连接。具体地，所述第一开关晶体管Ml的栅极还与扫描控制端SCAN、第二开关晶体 管M2的栅极共同连接。进一步地，所述第一开关晶体管Ml的漏极与所述驱动晶体管MDTFT 的栅极之间连接有存储电容C1 ;所述驱动晶体管MDTFT的漏极与所述第二开关晶体管M2 的漏极、所述第Ξ开关晶体管M3的源极共同连接。
[0019] 在本实施例中，为了实现驱动晶体管MDTFT的栅极电压初始化，即将图1中B点的 电压初始化为VINIT端的电压值，通过扫描控制端SCAN与发光控制端EM的信号同时为低 电平的控制方式使开关晶体管Ml、开关晶体管M2,开关晶体管M3,开关晶体管M4,开关晶体 管M5同时打开，虽然初始化电压输入端VINIT的电压经过开关晶体管M5、M3、M2使B初始 化为VINIT的电压，但是，由于B点变为低电平使驱动晶体管MDTFT打开，从而使得驱动晶 体管MDTFT与第Ξ开关晶体管M3,第五开关晶体管M5组成瞬时电流回路，高电平巧LV孤） 与低电平（VINIT)相连会形成大电流。因此