专利名称：获得液晶垂直排列或倾斜垂直排列的方法及制得的结构的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及到液晶显示(LCD)器件。
更确切地说，本发明涉及到用于平板显示器、投影显示器的单畴型、双畴型或四畴型垂直排列或倾斜垂直排列LCD器件以及生产这种垂直排列或倾斜垂直排列液晶显示器件的方法，其中在垂直排列或倾斜垂直排列液晶显示器件的显示质量和大规模生产能力方面得到了改进。
在垂直排列液晶显示器件中，采用了具有负介电各向异性的向列相液晶。当显示操作开始时，驱动电压使相对于衬底表面几乎垂直地排列的液晶分子发生倾斜。
用这种构造，若激活状态下的分子倾斜方向不均匀，则观察到亮度的明显不均匀。为了避免这种现象，当获得液晶垂直排列时，通常提供一个小的预倾斜角。但随着预倾斜角的增大，反差比和阈值电平随预倾斜角的增大而降低。由于液晶分子是双折射分子且依赖于其取向，故这是有问题的。
可以利用倾斜淀积的薄膜(例如，用亦称为“倾斜蒸发工艺”的倾斜汽相淀积工艺制作的薄膜)来提供预倾斜角。倾斜汽相淀积工艺是一种用来排列液晶分子的工艺，其中，诸如SiO之类的氧化物的蒸汽从倾斜方向淀积在衬底表面上。但预倾斜角应该大于约0.5度。否则，若驱动电压突然改变，则液晶分子可能沿完全相反的方向倾斜。这一现象被认为是一种动态排列缺陷。预倾斜角不能超过某一数值。否则，由液晶分子的预倾斜造成的双折射将引起暗态中的光泄漏，从而降低反差比。
为了解决这一问题，已经提出将诸如日本专利公开No.55-13338所公开的二步倾斜汽相淀积工艺当作适合于控制液晶分子倾斜方向的工艺。
但上述常规倾斜汽相淀积工艺的问题是，预倾斜角随薄膜厚度或入射角的稍许改变而大幅度变化。
如Proceedings of the SID，Vol.31/4，p.321(1990)也报道的那样，当在液晶光阀的生产中采用倾斜汽相淀积工艺时，观察到反差比随预倾斜角的稍许改变而发生大幅度变化。这一现象将引起不均匀的液晶排列和重复性不足的问题。
根据日本专利公开No.51-129251所公开的另一种常规排列方法，利用倾斜地入射到SiO2膜上的氩离子束，将淀积在衬底上的SiO2膜腐蚀掉，以便产生用于液晶排列的表面分布改变。由于腐蚀量很大，故这一排列方法是很费时间的。而且，沿倾斜方向作用的简单离子束腐蚀可能引起激活态中不均匀排列的问题。对于为显示动态图形而制造的高分辨率空间光调制器(SLM)来说，这一问题是特别重要的。
根据另一种常规排列方法，它涉及到二个相对于蒸发源被倾斜地安置成第一角度的具有图形化透明电极的玻璃衬底。然后，在用离子枪发射的离子束对玻璃衬底进行辐照的情况下，在各个玻璃衬底上淀积第一SiO2膜。
接着，将玻璃衬底沿其平面转90度角，并相对于蒸发源倾斜地安置成第二角度。然后，在用离子束对第一SiO2膜进行辐照的情况下，在各个第一SiO2膜上淀积第二SiO2膜。这样淀积在玻璃衬底上的第一和第二SiO2膜联合起来形成一个垂直排列的内涂层膜。垂直排列剂被涂敷到内涂层膜，然后通过隔板将玻璃衬底装配到一起并充以液晶。
但显然，形成液晶垂直排列的工艺步骤是非常复杂的，涉及到二个蒸发之间以衬底取向改变而进行的与离子束有关的SiO2二步倾斜蒸发以及在SiO2膜顶部涂敷垂直排列膜。由于工艺步骤复杂，故这种垂直排列层的制造成本高且产率低。
在液晶中形成稳定的倾斜垂直排列的另一种常规方法涉及到在衬底通过溅射靶时，用在线磁控溅射方法，在衬底上淀积一层氧化硅。然后，用长链乙醇涂敷被氧化硅涂敷过的衬底，以便引入液晶导向器，使无电场时的状态从垂直方向向平行于溅射过程中衬底运动方向的水平方向倾斜大约1-3度。
一种相似的常规方法描述了垂直结构型排列相(DAP)模式液晶显示平板的变形。制作了排列膜，以便利用倾斜真空淀积与垂直取向加工剂的组合来得到液晶的垂直取向。
但二种常规方法都需要二层膜，从而需要额外的工艺步骤。
亦即，需要用溅射或倾斜蒸发得到的第一层介质膜以及由垂直排列剂组成的第二层。垂直排列膜组成的第二层通常由诸如长链乙醇之类的有机材料制成，它能够被来自后照光或投影光源的撞击其上的紫外光、紫色光、或蓝色光降解，以改变相邻液晶分子的预倾斜角。结果，显示图形会有缺陷，即显示会具有随光照剂量而改变的降低的反差比。
考虑到常规方法和结构的上述和其它问题，本发明的目的是提供一种光稳定的垂直排列或倾斜垂直排列液晶显示单元，这种单元无论在不激活态还是在激活态都不出现排列不均匀，并具有高的反差比。
本发明的另一目的是提供一种制作光稳定的垂直排列或倾斜垂直排列液晶显示单元的方法，比之采用诸如长链乙醇之类的有机垂直排列剂的常规方法，此方法采用诸如倾斜蒸发的SiO2之类的无机材料。
本发明的另一目的是提供一种筒单且廉价的方法来产生垂直或倾斜垂直的液晶排列。
本发明的另一目的是提供一种能够与半导体集成电路(IC)工艺兼容的产生垂直或倾斜垂直排列的方法。
根据本发明的第一情况，提供了一种垂直或倾斜垂直排列液晶显示器，它具有例如玻璃衬底或用倾斜真空蒸发方法涂敷有单层SiO2膜的加工过的Si晶片衬底。
根据本发明的第二和第三情况，提供了一种具有涂敷有垂直或倾斜垂直排列膜的衬底(例如玻璃等)的垂直或倾斜垂直排列液晶显示器的制造方法。此方法包括提供具有蒸发源的薄膜淀积系统、以及将衬底倾斜地固定在薄膜淀积系统中，使玻璃衬底和蒸发源的法线形成倾斜角。可以用溅射、化学汽相淀积(CVD)、等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)和其它的薄膜淀积方法来制作排列膜。
蒸发源中所用的材料最好是无机材料，例如二氧化硅、MgF、SiNx、SiOx、Al2O3、ZnO、TiO2、GeO2、SiC、非晶CH、非晶SiH、等等(或上述材料中的任何一种或多种的组合)，其化学性质在UV光、紫色光或蓝色光的长时间照射下要稳定，以便形成光稳定且寿命长的液晶排列层。
从参照附图对本发明最佳实施例的下列详细描述中，可以更好地理解上述和其它的目的、情况和优点，在这些附图中
图1是透射型和反射型倾斜垂直液晶显示平板的图示；图2是示意图，示出了用倾斜汽相淀积制作介电排列膜的装置的构造；图3示出了各个示例性液晶混合物的对液晶盒法线的预倾斜角与对衬底平面的蒸发角的函数关系；图4是形成有源矩阵驱动的双畴倾斜垂直液晶显示器的产生排列层的图示；以及图5A-5B示出了多畴LCD的结构，更具体地说，图5A示出了在显示器的二个衬底上都具有多个凸块的结构，而图5B示出了在一个衬底上具有凸块或脊，而在另一个衬底上具有腐蚀掉的条形的结构。
现参照附图，更确切地说是参照图1-5B，其中示出了根据本发明的方法和结构的最佳实施例。
图1示出了倾斜垂直透射型或反射型液晶显示盒100的示意图。
所示透射型液晶盒包括厚度大体在0.05-5mm，最好是0.2-3mm范围内的透明衬底1和7。根据所用材料的类型，二个衬底的厚度可以不同。
再提供厚度大体在10-4000埃，最好是100-2000埃范围内的透明电极2和5(图1中的参考号6被忽略)。根据膜的性质，电极的厚度可以不同。
还提供了厚度大体在10-2000埃(例如大约2-200nm)，最好是100-1000埃(例如大约10-100nm)范围内的用于液晶排列的介质膜3和4。根据膜的性质，排列膜的厚度可以不同。
再提供液晶混合物8，它可以由从德国Darmstadt的E.M.Merck公司得到的型号为No.ZL13612的具有负介电各向异性(例如，液晶具有-Δε)的液晶材料，或由从德国Darmstadt的E.M.Merck公司得到的型号为No.MLC95-465的液晶材料组成。适当的材料还包括从诸如Chisso和Rolic公司之类的卖主得到的具有负介电各向异性的任何向列相液晶混合物。
所示反射型液晶显示盒包括透明衬底1和固态衬底7、透明电极2和5(电极5可选)、反射电极6、用于液晶排列的介质膜3和4、以及液晶混合物8。反射液晶层的厚度约为透射液晶层厚度的一半。
对于透射型和反射型液晶显示器，用于液晶排列的介质膜3和4以及液晶混合物8是通用的。
介质膜3和4的功能是排列相邻的液晶导向器11，以便与衬底平面的法线方向9形成预倾斜角α。预倾斜角α的均匀性和幅度控制着诸如反差比和显示均匀性之类的显示质量。
对于高质量的倾斜垂直透射型或反射型液晶显示器，预倾斜角α的幅度被控制在大约0.2-10度以内，在大约0.5-5度以内更好，在整个显示平板上的变化小于大约1度。
考虑到上述结构，本发明的主要焦点是材料的选择以及形成介质膜(例如排列层)3和4以获得预倾斜角α的恰当的幅度和均匀性的制备方法。
图2示出了用来制作根据本发明的倾斜淀积的薄膜以实现透射型或反射型液晶显示器的所希望排列的薄膜淀积系统20。
薄膜淀积系统20包括由抽气泵26抽空的钟罩即真空室21。在钟罩即真空室21中，有蒸发靶23、电子束源24、快门22、薄膜厚度监测器25和被加工的一个衬底(例如工件)或多个衬底28。要指出的是，薄膜淀积系统的各个组成元件是众所周知的，并可在市面上得到。衬底的最佳材料包括塑料、陶瓷、硅、玻璃等。
衬底28被固定于倾斜方向(例如，角度的最佳范围在大约10-90度之间，最好是在20-90度之间)，并直接位于蒸发源23上方，其间的距离最好大于大约10英寸。
使快门22打开，利用以固定蒸发角度来自被电子束源24激发的靶源23的单一汽相淀积，在衬底28上形成液晶排列层。蒸发束方向27与衬底平面28之间的角度最好选择成大约20-90度之间。这样，本发明与常规方法不同，仅仅需要单一的汽相淀积过程。
具有用上述方法制备的排列层的倾斜垂直液晶盒中预倾斜角α的幅度，依赖于靶材料、蒸发角度、排列膜的厚度、以及具有正或负介电各向异性的向列相液晶混合物。
预倾斜角α的均匀性依赖于衬底相对于衬底与靶之间的距离的尺寸。对于本发明人进行的一个实验，二氧化硅被选择为靶材料(例如，最佳靶材料)，衬底尺寸约为1.5×1.5英寸，离靶的距离约为21英寸，排列层的厚度约为40nm，向列相液晶混合物为来自德国Darmstadt的E.M.Merck公司的MLC95-465，并改变蒸发角度。对各个示例性液晶混合物测得的预倾斜角与蒸发角度的函数关系被示于图3的曲线50和51中。发现用30-50度之间的蒸发角度，在实用中能够获得比较均匀的预倾斜角。
本发明不仅能够用于单畴透射型或反射型，而且能够用于多畴透射型或反射型垂直液晶显示器。
作为用于双畴垂直液晶显示器的一个例子，图4(a)和4(b)分别示出了制作双畴单元盒中的各个畴的排列层的制备方法。
在图4(a)中，具有被机械或光刻掩模32覆盖的双畴单元盒的右侧畴的衬底30，相对于蒸发方向34向左倾斜。然后执行二氧化硅的单一倾斜蒸发，以便形成双畴单元盒的左侧畴的排列层。要指出的是，本发明不局限于二氧化硅涂层，也可以适当地使用其它涂层。例如，可以使用MgF、SiNx、SiOx、Al2O3、非晶CH、非晶SiH、以及其它无机材料。
对于双畴单元盒的右侧畴的排列，在掩模位置从图4(a)位置改变为图4(b)所示位置的条件下，执行二氧化硅的第二倾斜蒸发，以便覆盖双畴单元盒的左侧畴以及与蒸发方向成直角倾斜的衬底平面。
对于本技术领域熟练人员，如图4(b)中的掩模36所示，也可以仅仅用一个掩模来制造双畴倾斜垂直液晶显示器，从而能够略去图4(a)中的掩模32。借助于再使用二个掩模以及用各个掩模的适当的蒸发角度再进行二次氧化物的相应倾斜蒸发，对于本技术领域的一般熟练人员来说，将双畴延伸到四畴倾斜垂直液晶显示器是显而易见的。
第二实施例如图3所示，以65-90度之间的蒸发角度，根据本申请所公开的本发明的倾斜垂直排列方法，也可以产生垂直排列。借助于“垂直排列”，意味着液晶分子与液晶盒法线在大约0.5度内排列。用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)、化学汽相淀积(CVD)、溅射等，可以提供这种形成垂直排列LCD的排列膜。
如此处所述，根据本发明的垂直排列方法，也可以用于Obimura等人公开的情况(SID′97 Digest of Tech.Papers，27(1997)461)，用来制造四畴或自动畴形成倾斜垂直液晶显示器，以及Lien等人公开的情况(Japanese Journal of Applied Physics，Vol.37，No.5B，L597-599(1998))，用来制造脊和散射场多畴垂直液晶显示器。
在上述二篇文献中，在液晶盒衬底上涂敷聚酰亚胺或聚酰胺膜，以便得到液晶的垂直排列。可以用根据本申请公开的本发明的采用大约10-90度的蒸发角度的氧化膜单一蒸发，来代替聚酰亚胺或聚酰胺膜。
对于本技术领域一般熟练人员来说，如本申请公开的那样，根据本发明的氧化物的单一倾斜蒸发可以被修正成包括氧化物的离子束辅助单一倾斜蒸发，其中诸如氧离子束之类的离子束撞击到正在从蒸发源接收或已经接收了氧化膜的衬底位置上。
本发明还包括使用此处结合为参考的美国专利No.5658439中公开的装置在衬底上单一倾斜溅射SiO2(例如作为膜涂层)，以便形成液晶的倾斜垂直排列层。本发明的方法导致比常规聚酰亚胺排列方法好得多的光稳定性(例如在某些观察到的情况下好10倍)。
本发明还包括诸如用溅射、CVD和/或PECVD淀积的诸如SiO2、SiOx、SiNx、ZnO、TiO2、GeO2、SiC、非晶SiH、非晶CH之类的介质排列膜，来产生用于负介电各向异性液晶的垂直排列或倾斜垂直排列。
如图5A-5B所示，在本发明的第二实施例中，提供了多畴液晶器件，它包括衬底，其上有至少具有一个绝缘材料凸块和腐蚀掉的条形的电极。垂直排列膜或倾斜垂直排列膜被制作在衬底上。垂直排列膜或倾斜垂直排列膜包括制作在衬底上的单一蒸发氧化物。邻近垂直排列膜或倾斜垂直排列膜的用来被此膜排列的向列相液晶混合物具有负的介电各向异性。
具体地说，在图5A中，凸块(或脊状)结构80被示为在第一和第二衬底上具有多个(例如示出了二个)凸块。亦即，结构80包括液晶显示器(LCD)的第一和第二衬底81和83。凸块85形成在第一(例如顶部)衬底81上，而凸块86制作在第二(例如底部)衬底83上。具有负介电各向异性的向列相液晶混合物87提供在衬底81与83之间。排列层(例如，如上所述，由SiO2之类组成的，未示出)被用来产生液晶的垂直排列。
图5B示出了另一种结构，其中凸块即脊被制作在一个衬底上，而腐蚀掉的条形被制作在另一个衬底上。具体地说，示出了结构90，它具有液晶显示器(LCD)的第一和第二电极91和93。电极91是LCD第一衬底(例如顶部衬底)上的一个连续电极，而电极93是制作在LCD底部衬底上的一个被隔离的象素电极。凸块95制作在电极91上。如所示，在各个象素91之间形成了一个不导电的间隙96。具有负介电各向异性的向列相液晶混合物97被提供在电极91与93之间。排列层(例如，如上所述由SiO2之类组成，未示出)被用来产生液晶的垂直排列。
第二实施例比之第一实施例的好处在于这种结构借助于倾斜分布(例如凸块)或腐蚀掉的条形(例如散射场效应)而提供预倾斜角。第二实施例对预倾斜角的控制更精确。此外，它可以自动产生多畴结构，并导致非常大的视角。
这样，本发明就提供了一种光稳定的垂直排列或倾斜垂直排列液晶显示器单元(及其制造方法)，无论在不激活态下还是在激活态下，它都不会出现排列不均匀性，并具有高的反差比，而且可以容易地和有效地生产。
虽然根据几个最佳实施例已经描述了本发明，但本技术领域的熟练人员可以理解，在所附权利要求的构思与范围内加以修正也可以实施本发明。
例如，本发明能够有利地应用于各种显示器中，包括投影系统显示器和依赖于阴极射线管(CRT)技术的“直接观察”监视器等等。
权利要求
1.一种液晶显示器，它包含衬底；制作在所述衬底上的至少一个垂直排列膜和倾斜垂直排列膜，其中所述倾斜垂直排列膜包含制作在衬底上的单一倾斜蒸发膜；以及邻近所述倾斜垂直排列膜的被所述膜排列的具有负介电各向异性的向列相液晶混合物。
2.根据权利要求1的器件，其中所述膜包含介质材料，此介质材料至少包含MgF、SiNx、SiOx、Al2O3、ZnO、TiO2、GeO2、SiC、非晶CH、非晶SiH中的一种。
3.一种透射型或反射型倾斜垂直排列液晶显示器，它包含衬底；制作在所述衬底上的倾斜垂直排列膜；以及邻近所述倾斜垂直排列膜的具有负介电各向异性的向列相液晶混合物，其中所述倾斜垂直排列膜包含借助于被热源加热、被电子束激发和被离子束激发中至少一种得到的氧化物源的单一倾斜蒸发而淀积在衬底上的氧化膜。
4.根据权利要求3的器件，其中所述氧化膜的厚度大体在大约2-200nm范围内。
5.根据权利要求3的器件，其中所述氧化膜包含SiO2膜。
6.根据权利要求5的器件，其中所述SiO2膜的厚度大体在大约2-200nm范围内。
7.根据权利要求6的器件，其中所述SiO2膜的厚度大体在大约10-100nm范围内。
8.根据权利要求3的器件，其中所述氧化物源的单一倾斜蒸发具有代表衬底平面与蒸发方向之间角度的蒸发角，所述蒸发角大体在大约5-90度的范围内。
9.根据权利要求8的器件，其中所述蒸发角大体在大约10-75度的范围内。
10.一种透射型或反射型倾斜垂直排列液晶显示器，它包含衬底；制作在所述衬底上的倾斜垂直排列膜；以及邻近所述倾斜垂直排列膜的具有负介电各向异性的向列相液晶混合物，其中所述倾斜垂直排列膜包含借助于溅射、化学汽相淀积(CVD)和等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)中至少一种而淀积在所述衬底上的介质膜。
11.根据权利要求10的器件，其中所述介质膜包含SiOx、SiNx、MgF、Al2O3、ZnO、TiO2、GeO2、SiC、非晶CH、非晶SiH中的至少一种。
12.一种透射型或反射型的具有涂敷有倾斜垂直排列膜的衬底的倾斜垂直排列液晶显示器的制作方法，它包含提供具有蒸发源的薄膜淀积系统；将衬底倾斜地固定在薄膜淀积系统中，使衬底的法线与蒸发源形成一个倾斜角；以及激发蒸发源，从而在衬底上形成氧化膜，用作倾斜垂直排列液晶显示器的排列层。
13.根据权利要求12的方法，其中所述蒸发角大体在大约5-90度的范围内。
14.根据权利要求12的方法，其中所述蒸发角大体在大约10-75度的范围内。
15.根据权利要求12的方法，其中所述氧化膜包含SiO2膜。
16.根据权利要求12的方法，其中所述氧化膜的厚度大体在大约2-200nm范围内。
17.根据权利要求15的方法，其中所述SiO2膜的厚度大体在大约2-200nm范围内。
18.根据权利要求17的方法，其中所述SiO2膜的厚度大体在大约20-100nm范围内。
19.一种液晶显示器，它包含具有多个显示象素的显示器，各个显示象素被分成涂敷有倾斜垂直排列膜的第一侧和第二侧半个象素，使第一侧半个象素被掩模覆盖，而第二侧半个象素用倾斜垂直排列膜形成，其中所述倾斜垂直排列膜包含借助于在衬底平面沿第二方向倾斜，以致向衬底的第二侧边沿与蒸发方向形成一个锐角的情况下的无机源的单一倾斜蒸发而制作在衬底上的无机膜，且其中，第二侧半个象素随后被掩模覆盖，而第一侧半个象素用倾斜垂直排列膜涂敷，其中所述倾斜垂直排列膜包含借助于在衬底平面沿与所述第二方向相反的第一方向倾斜，以致向衬底的第一侧边沿与蒸发方向形成一个锐角的情况下的无机源的单一倾斜蒸发而淀积在衬底上的无机膜，所述显示器还包含邻近所述膜的被所述膜排列的向列相液晶混合物，所述液晶混合物具有负的介电各向异性。
20.根据权利要求19的器件，其中所述无机膜的厚度大体在大约2-200nm范围内。
21.根据权利要求19的器件，其中所述无机膜包含介质膜，此介质膜由二氧化硅、MgF、SiNx、SiOx、Al2O3、ZnO、TiO2、GeO2、SiC、非晶CH、非晶SiH中的至少一种构成。
22.根据权利要求21的器件，其中所述膜的厚度大体在大约2-200nm范围内。
23.根据权利要求22的器件，其中所述膜的厚度大体在大约10-100nm范围内。
24.根据权利要求19的器件，其中所述膜包含氧化物，氧化物源的所述单一倾斜蒸发具有代表衬底平面与蒸发方向之间角度的蒸发角，所述蒸发角大体在大约±5到±90度的范围内。
25.根据权利要求24的器件，其中所述蒸发角大体在大约±10到±70度的范围内。
26.一种液晶显示器的制作工艺，它包含提供具有多个显示象素的显示器；将各个显示象素分成第一侧和第二侧半个象素；在用掩模覆盖第一侧半个象素的情况下，用倾斜垂直排列膜制作第二侧半个象素，所述倾斜垂直排列膜包含借助于在衬底平面沿预定方向倾斜，以致向衬底的第二侧边沿与蒸发方向形成锐角的情况下的无机源的单一倾斜蒸发而制作在衬底上的无机膜；接着，用掩模覆盖第二侧半个象素，并制作涂敷有倾斜垂直排列膜的第一侧半个象素，其中所述倾斜垂直排列膜包含借助于在衬底平面沿另一预定方向倾斜，以致向衬底的第一侧边沿与蒸发方向形成一个锐角的情况下的无机源的单一倾斜蒸发而淀积在衬底上的无机膜；以及在所述液晶显示器中使用具有负介电各向异性的向列相液晶混合物。
27.根据权利要求26的工艺，其中所述无机膜包含介质膜，此介质膜由二氧化硅、MgF、SiNx、SiOx、Al2O3、ZnO、TiO2、GeO2、SiC、非晶CH、非晶SiH中的至少一种组成。
28.一种透射型或反射型垂直排列液晶显示器，它包含衬底；制作在所述衬底上的垂直排列膜；以及邻近所述垂直排列膜的具有负介电各向异性的向列相液晶混合物，其中所述垂直排列膜包含借助于溅射、化学汽相淀积(CVD)、等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)、和蒸发中的至少一种淀积在所述衬底上的介质膜。
29.根据权利要求28的器件，其中所述介质膜包含MgF、SiNx、SiOx、Al2O3、ZnO、TiO2、GeO2、SiC、非晶CH、非晶SiH中的至少一种。
30.一种多畴液晶器件，它包含带有其上至少有一个绝缘材料凸块和腐蚀掉的条形的电极的衬底；制作在所述衬底上的垂直排列膜，其中所述垂直排列膜包含制作在衬底上的单一蒸发氧化物；以及邻近所述垂直排列膜的被所述膜排列的具有负介电各向异性的向列相液晶混合物。
31.一种透射型或反射型多畴垂直排列液晶显示器，它包含带有其上至少有一个绝缘材料凸块和腐蚀掉的条形的电极的衬底；制作在所述衬底上的垂直排列膜；以及邻近所述垂直排列膜的具有负介电各向异性的向列相液晶混合物，其中所述垂直排列膜包含借助于热源加热、电子束激发、和离子束激发中的一种得到的氧化物源的单一倾斜蒸发而淀积在衬底上的氧化膜。
32.根据权利要求31的器件，其中所述氧化膜的厚度大体在大约2-200nm范围内。
33.根据权利要求31的器件，其中所述氧化膜包含SiO2膜。
34.根据权利要求33的器件，其中所述SiO2膜的厚度大体在大约2-200nm范围内。
35.根据权利要求31的器件，其中所述氧化物源的所述单一倾斜蒸发具有代表衬底平面与淀积方向之间角度的淀积角，所述淀积角大体在大约20-90度的范围内。
36.根据权利要求35的器件，其中所述淀积角大体在大约65-90度的范围内。
37.一种透射型或反射型多畴垂直排列液晶显示器，它包含带有其上至少有一个绝缘材料凸块和腐蚀掉的条形的电极的衬底；制作在所述衬底上的垂直排列膜；以及邻近所述垂直排列膜的具有负介电各向异性的向列相液晶混合物，其中所述垂直排列膜包含借助于溅射、等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)、化学汽相淀积(CVD)和其它薄膜淀积工艺中的至少一种制作在衬底上的介质膜。
全文摘要
一种具有高反差比、良好显示质量和高度光稳定性的透射型或反射型单畴、双畴、或四畴垂直排列或倾斜垂直排列液晶显示器(及其制造方法),它包括含有借助于被激发的氧化物源的单一倾斜蒸发而制备的氧化层的垂直排列或倾斜垂直排列层。蒸发方向与衬底平面之间的角度约为±20到±90度,而氧化层的厚度约为10—200nm。还提供了用单一倾斜蒸发工艺形成液晶的垂直排列或倾斜垂直排列的方法。
文档编号G02F1/1337GK1275722SQ0010875
公开日2000年12月6日 申请日期2000年5月31日 优先权日1999年6月1日
发明者陆珉华, 杨界雄 申请人:国际商业机器公司