专利名称：液晶显示器及其显示面板的制作方法
技术领域：
本发明通常涉及液晶显示器，尤其是涉及一种用于液晶显示器的改进的薄膜晶体管(TFT)显示面板。
背景技术：
液晶显示器(LCD)是应用最广泛的平板显示器之一。LCD包括两个面板及插入在两板之间的液晶(LC)层，面板装有诸如多个像素电极和一个公共电极的场生成(field-generating)电极。LCD通过给场生成电极提供电压以在LC层内产生电场来显示图像，该电场决定LC层中的液晶分子的方向来调整入射光的偏振。
LCD的一个例子是垂直取向(VA)模式LCD，其这样对齐液晶(LC)分子即当电场不存在时液晶分子的长轴与面板垂直。VA模式LCD由于其具有高对比度比和宽基准视角而很受欢迎。宽基准视角或者是(i)使对比度比等于1∶10的视角或者是(ii)用于反转灰度等级间的亮度的极限角。
VA模式LCD的宽视角可以通过场生成电极里的切口或者场生成电极上的突起提供。因为切口和突起可以决定液晶分子的倾斜方向，所以利用切口和突起可以将倾斜方向分成多个方向，这样就加宽了基准视角。
虽然在VA模式LCD中基准视角可以被加宽，然而这些LCD也会带来很多缺点。例如，其侧面的可见度比正面的可见度要差。例如，在具有切口的组成图案的VA(PVA)模式LCD中，图像变亮了就好像观察者在正前方一样。在很多情况下，高灰度级间的亮度差会消失从而使图像感觉不到其变化。
另外，通常情况下VA模式LCD响应时间差。例如，虽然切口或突起附近的液晶分子响应于强的边沿电场并沿一方向快速倾斜，然而远离切口或突起的液晶分子可能要经历一个比较弱的边沿电场并且可能不会快速的决定倾斜方向。因此，远离切口或突起的液晶分子可能要通过邻近的分子推动或碰撞才会倾斜。虽然减小切口间的距离可以提高响应时间，但是这样会减小孔径比。
发明内容
本发明涉及一具有改进了图像质量的平板显示器。在一实施例中，平板显示器包括一由一种透明导电材料形成并在其上具有至少一个切口的公共电极。将一个或多个像素区域安置在公共电极的下面，并且每个像素区域包括一个或多个子像素区域。将一液晶(LC)层安置在公共电极和一个或多个子像素区域之间，并且液晶层包含有大量液晶分子。
在每一个子像素区域，将第一像素电极和第二像素电极彼此接合形成并且包围一开口间隔(间隙)以使它们的外部边界具有大致矩形的形状。第一像素电极包括一对面对第二像素电极的一条或多条倾斜边的直角三角形状的部分，并且还包括一面对第二像素电极侧边的纵向部分。第二像素电极具有大约是等腰梯形的形状。第二电极还可以具有安置在最近的第一存储电极的一边和布置在最近的第二存储电极的另一边。将形成在第一电极和第二电极间的间隙安置在公共电极上的至少一切口和一开口间，该开口将一个或多个像素区域中的一个像素区与另一个像素区分隔开。
平板显示器还可以包括一与第二像素电极连接形成一连接电容器的电容电极。在使用中，连接电容器操作使提供给第一像素电极的电压小于给定的数据电压，并且使提供给第二像素电极电压大于给定的数据电压。不同的电压操作使得第一像素电极上的液晶分子的倾斜方向与第二像素电极上的液晶分子的倾斜方向不同。
图1是本发明的一个实施例中的LCD中的一个TFT阵列面板的顶视图。
图2是本发明的一个实施例中的LCD中的公共电极面板的顶视图。
图3是包括图1中所示的TFT阵列面板和图2中所示的公共电极面板的LCD的顶视图。
图4和图5分别是沿着图3中的线IV-IV’和线V-V’的LCD的截面图。
图6是图1-5中中所示的TFT阵列面板的等效电路图。
图7表示图1-6中的LCD中的多个电压的时间变化。
图8是图解根据本发明实施例的LCD的第一和第二像素电极电压的曲线图，其作为通过模拟获得的数据电压函数。
图9和图10是图解根据本发明实施例的可见度失真的曲线图，其作为第二像素电极(PE)的占有面积的函数和LCD中第二像素电极与第一像素电极的电压比函数，这些函数通过模拟获得。
图11A-11C是图解一没有被分割的像素、一包括两个具有不同电压的子像素的二等分像素、和一包括三个具有不同电压的子像素的三等分像素的正面和侧面的灰度曲线12是根据本发明的实施例的LCD的包括三等分像素的TFT阵列面板的等效电路图。
图13是根据本发明的另一个实施例的LCD的TFT阵列面板的顶视图。
图14和图15是分别沿着图13的线XIV-XIV’和线XV-XV’的TFT阵列面板的截面图。
图16是根据本发明的另一个实施例的LCD中的TFT阵列面板的顶视图。
图17是根据本发明的另一个实施例的LCD中的公共电极面板的顶视图。
图18是包括图16中所示的TFT阵列面板和图17中所示的公共电极面板的LCD的顶视图。
图19-21是分别沿着图18中的线XIX-XIX’和线XX-XX’和线XXI-XXI’的LCD的截面图。
图22是根据本发明的另一个实施例的LCD的TFT阵列面板的顶视图。
图23和24是分别沿着图22中的线XXIII-XXIII’和线XXIV-XXIV’的TFT阵列面板的截面图。
具体实施例方式
在下文中将参考附图更完整地描述本发明，该附图示出了本发明的优选实施例。然而，可以通过许多不同形式实施本发明，而且不应该仅局限于本文中所述的实施例。
在附图中，为了清楚，将层、薄膜和区域的厚度放大了。相同的附图标记始终表示相同部件。可以理解，当谈到元件如层、薄膜、区域或基底“在”另一元件上时，它可能是直接在其他元件上或者也有可能在其间有插入元件。相反，当谈到元件“直接在”其他元件上时，其间就没有插入元件。
将参考附图1-6详细描述本发明的一个实施例中的LCD。图1是本发明的一个实施例的LCD的TFT阵列面板的顶视图。图2是本发明的一个实施例的LCD的公共电极板的项视图。图3是包括图1中所示的TFT阵列面板和图2中所示的公共电极面板的LCD的顶视图。图4和图5分别是沿着图3中的线IV-IV’和线V-V’的LCD的截面图。
参考图1，根据本发明的一个实施例的LCD包括一TFT阵列面板100，一公共电极面板200，和一形成在面板100和200间并且包含多个与面板100和200的表面大致垂直排列的液晶分子的液晶层3。
图1和图3-5图解了本发明的一个TFT阵列面板100的例子。如图示，将多条栅极线121和多条存储电极线131形成在绝缘基底110例如透明玻璃上。
将栅极线121配置为用于传输栅极信号并且沿大致横向的方向延伸。另外栅极线121还彼此互相独立。每一栅极线121都包括多个向下突出的第一电极124a和向上突出的第二栅极124c。可以将栅极线121延伸使其与集成在基底110上的驱动电路(未示出)连接。另一方面，多个栅极线中的一个或多个可以包括一末端部分(未示出)，该末端部分具有与(i)其它层或者(ii)外部驱动电路连接的大面积区域，该驱动电路安装在基底110或其他装置上，例如可以安放在连接到基底110上的柔性印刷电路薄膜(未示出)上。
每一存储电极线131也沿大致横向的方向延伸并且与相邻的栅极线121大致等距离。每一存储电极线131包括多对形成为存储电极133a和133b的分支。每一分支对包括第一存储电极133a和第二存储电极133b，该两个电极都向上和向下延伸。如图所示，第一存储电极133a比第二存储电极133b长很多，从而可以将第一存储电极133a的两末端安排在接近于栅极线121处，而将第二电极133b的两末端安排在栅极线121和存储电极线131间的几乎正中间处。第二存储电极133b在其下端具有一扩展136。存储电极线131给存储电极线131提供一预定电压例如一公共电压，该电压是提供给LCD的公共电极板200上的公共电极270的电压。每一存储电极线131可以包括两个沿横向延伸并且安排在接近于栅极线121的杆(stem)。
在一个实施例中，每一栅极线121和存储电极线131最好由(i)含铝金属(如铝或者铝合金)，(ii)含银金属(如银或者银合金)，(iii)含铜金属(如铜或者铜合金)，(iv)含钼金属(如钼或者钼合金)制成。另外，每一栅极线121和存储线131又可以由如铬、钛或者钽形成，但并不限于此。
栅极线121和存储电极线131可以具有包括具有不同物理特性的两薄膜，即下薄膜(未示出)和上薄膜(未示出)，的多层结构。在一优选实施例中，上薄膜最好由具有低电阻系数的金属，例如，但并不限于此，由含有铝的金属如铝或者铝合金制成。在上薄膜用一具有低电阻系数的金属可以减小栅极线121和存储电极线131上的信号延迟或电压下降。另一方面，下薄膜最好由与其他材料例如，但并不限于此，铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)相比具有好的接触特性的如铬、钼或者钼合金制成。在另一实施例中，栅极线121和存储电极线131可以由其他各种金属或者导电材料制成。
在一些实施例中，栅极线121和存储线131的侧边可以以大约30-80度范围的倾斜角相对于基底表面倾斜。
另外，可以将最好由氮化硅(SiNx)制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。
接下来将最好由氢化非晶态硅(缩写为a-Si)或者多晶硅制成的多个半导体条151形成在栅极绝缘层140上。如图所示所示，每一半导体条151可以大致沿纵向方向延伸并且具有多个沿着第一和第二栅极124a和124c向外分支的突起154a和154c。
在一个实施例中，将多个电阻接触条161和电阻接触岛163c和165a-165c，形成在半导体条151上，其可以由硅化物或者重度掺有n型杂质如磷的n+氢化a-Si制成。每一电阻接触条161具有多个突起163a，并且使突起163a和电阻接触岛165a和165b以成组形式形成在半导体条151的突起154a上。可以将电阻接触岛163c和165c以成对形式形成在半导体条151的突起154c上。
另外，在一个实施例中，半导体条151和电阻接触161和165的侧边以大约30-80度范围的倾斜角相对于基底的表面倾斜。
在如图5所示的实施例中，将多条数据线171形成在相应的多个电阻接触161上。如图4所示，将多个第一源极173a形成在相应的多个电阻接触163a上。另外，将多个第一漏极175a和第二漏极175b分别形成在相应的多个电阻接触165a和165b上。再次参考图5，将多条第二源极173c形成在电阻接触163c上，并且将多个第三漏极175c形成在电阻接触165c上。
回到图1，用于传输数据电压的数据线171可以大致沿纵向延伸以与栅极线121和存储电极线131相交。将每一数据线171置于相邻的分支对133a和133b之间并且包括具有一用于与其它层或者外部装置接触的大面积区域的末端部分179。
如图1所示，每一数据线171可以包括多条向第一和第二漏极175a和175b突出的分支。这些分支形成第一源极173a，其形成在电阻接触163a上。
第一漏极175a分别具有一个被安排在与第一栅极124a相对的电阻接触165a上的末端部分。另外，第二漏极175b分别具有一个被安排在与第一栅极124a相对的电阻接触165b上的末端部分。所有的第一和第二漏极175a和175b都向下延伸并且彼此大致互相平行而且还有一个扩展的用于与其它层连接的另一末端部分。如图所示所示，第二漏极175b的长度比第一漏极175b的长度要长，以使第二漏极175b扩展的末端部分置于第二存储电极133b的末端附近。可以将每一个第一源极173a弯曲两次，以使两个弯曲部分能分别部分地包围第一和第二漏极175a和175b的末端部分。
参考图1的下部区域，第二源极173c具有一个被置于与第二栅极124相对的电阻接触163上的末端。第三漏极175c具有一个被置于与第二栅极124c相对的电阻接触165c上的末端。第二源极173c和第三漏极175c都向上延伸并且彼此大致互相平行。每一个第二源极173c都有一个扩展的用于与其它层接触的另一末端部分，并且每一第三漏极175c具有一与存储电极133b的扩展连接器136交叠的并称之为连接电极的扩展的末端部分176。
参考图1的顶部，通过第一栅极124a，第一源极173a，连同半导体条151的突起154a一起形成第一TFT“Q1”。通过第一栅极124a，第一漏极175，连同半导体条151的突起154a一起形成第二TFT“Q2”。在突起154a内形成一信道，该突起被置于第一源极173a和第一/第二漏极175a/175b之间。相似的，参考图1的底部，第二栅极124c，第二源极173c，和第三漏极175c连同半导体条151的突起154c一起形成第三TFTQ3，该第三TFTQ3具有一在被置于第二源极173c和第三漏极175c间的突起154c内形成的信道。
数据线171，第二源极173c，和漏极175a-175c最好由难溶金属例如，但并不限于此，铬、含钼金属、钛、含钛金属、或者含铝金属制成。每一元件可以具有包括最好由难溶金属制成的下薄膜(未示出)和被置于其之上并最好由低电阻系数材料制成的上薄膜(未示出)的多层结构。
同样的栅极线121和存储电极线131，数据线171，第二源极173c，和漏极175a-175c可以有锥形侧边，和大约在30-80度范围内的倾斜角。
使电阻接触161，163a和165a-165c仅插入(i)在下面的半导体条151和上面的数据线171间，(ii)在第二源极173c和上面的漏极175a-175c间以减小它们间的接触电阻。半导体条151可以包括多个没有被数据线171，第二源极173c或者漏极175a-175c覆盖的暴露部分。如图所示，可以将该暴露部分置于源极173a、173c和漏极175a-175c之间。
参考图4，可以将一钝化层180形成在数据线171上、第二源极173c上、和漏极175a-175c上、和半导体条151的暴露部分上。在一个实施例中，钝化层180最好由具有好的平面特性的感光有机材料制成。如图所示，该材料可包括具有一绝缘常数大约小于4.0的低介电绝缘材料，例如，但并不仅限于此，a-Si∶C∶O和a-Si∶O∶F。该材料可以通过等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法形成。另外，该材料可以包括一诸如硅氮化物之类的无机材料。钝化层180可以包括一由无机绝缘物形成的下薄膜和一由有机绝缘物形成的上薄膜。
如图5所示，钝化层180具有多个暴露数据线171的末端部分179、第二源极173c的扩展末端部分、和第一和第二漏极175a和175b的各自的扩展末端部分的接触孔182、183c、185a和185b。
在一个实施例中，将多对第一和第二像素电极190a和190b及多个连接辅助部分82形成在钝化层180上，其最好由一透明导体如ITO和IZO或者一反射导体如铝制成。
将第一/第二像素电极190a/190b通过接触孔185a/185b物理地和电性地连接到第一/第二漏极175a/175b上，从而使第一/第二像素电极190a/190b接受来自第一/第二漏极175a/175b的数据电压。除此之外，将第一像素电极190a通过接触孔173c连接到第二源极173c上，并且使第二像素电极190b覆盖连接到第三漏极175c上的连接电极176。
当提供有数据电压时，像素电极190a和190b与公共电极270协同产生电场，该电场使液晶层3里的液晶分子重新定向。
像素电极190a/190b和公共电极270形成一液晶电容器，其在TFT关断之后存储提供的电压。提供一称之为“存储电容器”的附加电容器，其与液晶电容器并联，用来增强电压存储容量。通过把像素电极190a和190b与存储电极线131和存储电极133a和133b重叠得到存储电容。
参考图1和图3，一对第一和第二像素电极190a和190b互相面对并且封闭一开口间隔(下文中，“间隙”)以使它们的外部边界大致是矩形形状。在一个实施例中，可以将第二像素电极190b形成为可旋转的等腰梯形。第二像素电极可以有形成在第一存储电极133a附近的左边，形成在第二存储电极133b附近的右边，和一对上下倾斜边，每一倾斜边与栅极线121大约成45度角。
第一像素电极190a可以包括一对面对第二像素电极190b的倾斜边的直角三角形部分和一面对第二像素190b的左边的纵向部分。因此，第一像素电极190a和第二像素电极190b间的间隙可以包括一对倾斜下部和上部191和193，每一个都具有大致均匀的宽度并都与栅极线121大约成45度角。间隙也可以包括具有大致均匀宽度的纵向部分。如图所示，倾斜部分191和193比纵向部分长。
如图1所示，第二像素电极190b可以具有一沿着存储电极131延伸并把第二像素电极190分成上下两分离部分的切口192。切口192可以具有来自第二像素电极190b右边的入口。另外，切口192的入口可以包括一对分别与间隙的下倾斜部分191和上倾斜部分193大致平行的倾斜边。间隙191和193及切口192相对于存储电极线131大致反向对称。
分离部分的数目或者切口的数目可以根据设计因素如像素的大小、第一和第二像素电极190a和190b的横向边和纵向边的比例、液晶层3的类式和特点等等发生变化。为了描述方便，有时可以将间隙191和193看作切口。因而，在一个实施例中，存储电极线131可以进一步包括多个与切口191-193重叠的分支(未示出)。
如图1所示，可以通过接触孔182将接触辅助部分82连接到数据线171的末端部分179。接触辅助部分80保护末端部分179并增强末端部分179和外部装置间的粘合。
下面将参考图2-5对公共电极200进行描述。
参考图4和图5，将一用于阻止光泄漏的并称之为黑色基质的光阻挡部件220形成在一绝缘基底210如透明玻璃上。光阻挡部件220可以包括多个面对像素电极190并与像素电极190具有大致相同的形状的开口。然而，如图1所示，为了阻挡像素电极190a和190b和TFTQ1-Q3附近的光泄漏，光阻挡部件220可以有各种形状。
可以把多个滤色器230形成在基底210上并且大致置于由光阻挡部件220包围的区域上。滤色器230可以大致沿着像素电极190的纵向方向延伸。滤色器230可以表示基本色如红、绿和蓝色中的一个。
为了防止滤色器230暴露及提供一平面表面，可以把一覆盖层250形成在滤色器230和光阻挡部件220上。
如图2-4所示，可以把最好由透明传导性材料如ITO或者IZO制成的一公共电极270形成在覆盖层250上，并且该公共电极可以包括多个切口)组271-273。
参考图2，切口组271-273与像素电极190面对并且包括一下切口271、一中间切口272，和一上切口273。把每一个切口271-273形成在像素电极190的相邻的切口191-193(图1)之间或者切口191或193和像素电极190的一削边之间。除此之外，每一个切口271-273具有至少一个沿像素电极190的下切口191或上切口193平行延伸的倾斜部分，和切口271-273和191-193、其中的倾斜部分、其中的倾斜边、和像素电极190的削边中相邻的两个中的间距，该间距彼此平行并大致相同。切口271-273相对于第三存储电极133c大致反向对称。
如图2所示，每一个下切口271和上切口273可以包括大约从像素电极190的左边向像素电极190的上边或下边延伸的倾斜部分，和从像素电极190的倾斜部分的各个末端沿着像素电极190的边延伸，以与像素190的边交叠并与倾斜部分有一钝角夹角的横向和纵向部分。
在一个实施例中，中间切口272可以包括一大约从像素电极190的左边开始沿着第三存储电极133c延伸的中间横向部分，一对从中心横向部分的末端开始大约向像素电极的右边延伸并与中间横向部分有一钝角夹角的倾斜部分，和一对从各个倾斜部分的末端开始沿着像素电极190的右边延伸的终端纵向部分。
切口271-273的数目可以根据设计因素发生变化。相似的，在一个实施例中，光阻挡部件220也可以与切口271-273交叠以阻挡通过切口271-273的光泄漏。
参考图4和图5，将调整液晶分子的调整层11和21涂覆在板100和200的内表面。将交叉的偏光器12和22分别形成在板100和200的外表面，以使偏光器12和22之一的传送轴与横向平行。术语“交叉”此处包括一个偏光器的传送轴与另一个偏光器的传送轴方向相反的结构。当LCD是反射式LCD时可以省略其中的一个偏光器。
在一个实施例中，液晶层3具有负介电各向异性，并且这样调整液晶层3的液晶分子是为了使在没有电场存在时该液晶分子的长轴能大致与面板表面垂直。
如上所述，一组切口191-193和271-273将一对第一和第二像素电极190a和190b分成多个子区域。如图3所示，每一子区域都有两个主要边。切口191-193和271-271控制液晶层3中的液晶分子的倾斜方向，下面将对其进一步描述。另外，电极190a，190b和270的切口191-193和271-273扭曲电场以具有一个水平分量。该电场的水平分量与切口191-193和271-273的边垂直。因而，子区域上的液晶分子的倾斜方向是不同的并因此增大了基准视角。
切口191-193和271-273的至少其中一个可以用突起或凹陷代替，并且切口191-193和271-273的形状和排列也可以修改更进一步，连接电极176的形状和位置也可以修改。
图6以等效电路图的形式描述了图1-5中的TFT阵列板100。如图6所示，TFT阵列板100包括多条栅极线，多条数据线，和多个像素。每一像素包括一对第一和第二像素190a和190b，第一、第二和第三TFT Q1-Q3，和一连接电极176。如前面所描述的，把第一/第二TFT Q1/Q2连接到栅极线，提供数据电压的数据线，和第一/第二像素电极190a/190b。把第三TFT Q3连接到与第一和第二TFT Q1和Q2相连的栅极线相邻的栅极线上。还把第三TFT Q3连接到第一像素190a和连接电极176上。把连接电容电极176连接到第二像素190b上以形成连接电容Cbc。
现在，将详细描述一实施例中的一像素的操作过程。
当提供给与第一和第二TFT Q1和Q2相连的栅极线一选通(gate-on)电压时，第一和第二TFT Q1和Q2导通从而把数据电压传送到第一和第二像素电极190a和190b中。与此同时，电容性地连接到第二像素电极190b并因在前一帧被充电而具有一电压的连接电极176可能会改变其电压。当提供给栅极线一非导通(gate-off)电压时，第一和第二像素电极190a和190b变为浮置状态。当提供给连接到第三TFT Q3的相邻的栅极线一选通电压时，第三TFT Q3导通并电连接第一像素电极190a和连接电极176从而使第一像素电极190a和连接电极176具有相同的电压。连接电极176和第二像素电极190b间的电容性连接也改变了第二像素190b的电压。结果是，相对于公共电压第一像素电极190a的电压值变得低于最初的数据电压值，而相对于公共电压第二像素电极190b的电压值变得高于最初的数据电压值。在这种情况下，第一和第二像素电极190a和190b具有不同的电压，这样就减小了灰度曲线的畸变并改进了图像质量。这种改进将参考图7进一步描述。
图7表示图1-6中的LCD的几个电压的时间变化曲线。在图7中，字母“A”和“B”分别表示第一和第二像素电极190a和190b的电压。字母“C”表示连接电极176的电压。字母“D”和“E”分别表示提供给栅极线121和下一条栅极线121的栅极信号。还有，字母“F”表示提供给数据线171的数据电压。字母Vcom表示公共电极270的电压。
如图7所示，五条电压变化曲线都被观察连续的两帧，也就是，第n帧和第n+1帧。
在一试验中，在把选通电压提供给与第一和第二TFT Q1和Q2连接的栅极线并导通第一和第二TFT Q1和Q2时，由于第一和第二TFT Q1和Q2的漏极175a和175b与栅极124a间的寄生电容产生的回扫，使得第一和第二像素电极190a和190b及连接电极176的电压A、B和C发生了轻微变化。
在导通第一和第二TFT Q1和Q2并传送一相对于公共电压Vcom具有负极性的数据电压F后，第一和第二像素电极190a和190b的电压A和B变为与数据电压F具有相同的值。与此同时，连接电极176的电压C也由于与第二像素电极190b电容性连接而发生了变化。然而，电压C的变化比第一和第二像素电极190a和190b的电压A和B的变化小，这样就导致了电压c相对于公共电压Vcom的值小于电压A和B相对于公共电压Vcom的值。
在提供给栅极线一非导通(gate-off)电压并关断第一和第二TFT Q1和Q2时，第一和第二像素电极190a和190b及连接电极176的电压A、B和C也由于回扫而产生了轻微变化。
当提供给与第三TFT Q3相连的下一条栅极线一选通电压并导通该第三TFT Q3时，第一和第二像素电极190a和190b及连接电极176的电压A、B和C由于第三TFT Q3的漏电级175c与栅极124b间的寄生电容产生的回扫而发生了轻微变化。
在导通第三TFT Q3并电连接第一像素电极190a和连接电极176之后，第一像素电极190a和连接电极176的电压A和C变得彼此相等而且第二像素电极190b的电压B也发生了变化。详细地讲，第一像素电极190a的电压A升高了，而第二像素电极190b的电压B降低了。在公共电压Vcom减去电压A和B的绝对值中，第一像素电极190a的电压A降低了，而第二像素电极190b的电压B升高了。换句话说，|A-Vcom|比|F-Vcom|降低了而|B-Vcom|比|F-Vcom|升高了。
在提供给下一条栅极线一非导通电压并关断第三TFT Q3时，第一和第二像素电极190a和190b及连接电极176的电压A、B和C再一次由于回扫而发生了轻微变化。然而，|A-Vcom|仍比|F-Vcom|小并且|B-Vcom|比|F-Vcom|大。
在一个实施例中，第一和第二像素电极190a和190b间的电压差值的大小可能由几个电容决定。例如，由连接电容器Cbc的电容量(下文中称作“连接电容”并且也被称作“Cbc”)及连接电极176和第二存储电极133b的延伸136间的存储电容(下文中称之为“Cstc”)决定。在一个实施例中，连接电极176和第二存储电极133b的延伸136间的存储电容量Cstc最好大约在第一像素电极190a和存储电极线131间的存储电容量(下文中称之为“Csta”)的1/10-1/3范围内。另外，连接电容量Cbc最好与存储电容量Cstc的值相当。在一个特定的实施例中，电容Cbc和Cstc之一最好小于电容Cbc和Cstc中的一个的两倍。
另外，在一个实施例中，最好是第二像素电极190b完全覆盖连接电极176，以使连接电极176和公共电极270间的电容几乎为零。同时发生的连接电极176、第二像素电极190b和存储扩展136间的交叠产生了最大的孔径比。然而，在另一个实施例中，存储扩展连接器136不需要与连接电极176交叠，并且存储电极线131和连接电极176的排列和形状也可以有多种修改。
此外，在另一个实施例中，最好是第一漏极175a和第一栅极124a间的寄生电容(称之为“Cgda”)的大小与第二漏极175b和第一栅极124a间的寄生电容(称之为“Cgdb”)的大小相当。还有，第三漏极175c和第二栅极124b间的寄生电容(称之为“Cgdc”)可以比寄生电容Cgdb大。
接下来，将参考图8详细描述第一和第二像素电极190a和190b的电压和数据电压关系。
图8是根据本发明的实施例，示出了LCD的第一和第二像素电极电压与通过模拟提供的数据电压的函数关系的曲线。图例中的字母A和B分别表示第一和第二像素电极190a和190b的电压。
如图8所示，当数据电压等于2V时，第一和第二像素电极190a和190b间的电压差大约等于0.59V。当数据电压大约等于5.0V时，电压差大约等于1.19V。类似的，当数据电压等于5V时，第一像素电极190a的电压降低大约等于0.55V，并且第二像素电极190b的电压升高值大约是0.64V。在另一个实施例中，如上所述，电压降低和电压升高值可以通过改变电容或电极的面积而进行调整。
在一个实施例中，在最优条件下，第一像素电极190a和第二像素电极190b的面积比可以大约在50∶50-80∶20的范围内，最好在70∶30-80∶20范围内。相似的情况，第一像素电极190a和第二像素电极190b的电压比在1∶1.3-1∶1.5范围内，其将参考附图9和10被详细描述。
图9和图10示出了根据本发明实施例的可见度失真的曲线图，其是第二像素电极(PE)的占有面积的函数和LCD中第二像素电极与第一像素电极的电压比函数，这些函数通过模拟获得。示出的结果通过与直角边和斜边呈60度的视角得到。
如图9所示，由于面积占有率大约等于20-30％可见度畸变达到了最小程度。因而，第一像素电极190a和第二像素电极190b的面积比最好在大约80∶20-70∶30范围内。
如图10所示，电压比在图示的范围约1.3-1.5内，可见度畸变示出了最小化。
现在，将参考图11A-11C详细描述通过在一个像素内提供具有不同电压的两像素电极来补偿灰度曲线畸变的原理。
图11A-11C示出了一没有被分割的像素、一包括两个具有不同电压的子像素的二等分像素、和一包括三个具有不同电压的子像素的三等分像素的正面和侧面的灰度曲线图。灰度包括第1到第64等级，并且正面灰度曲线用实线表示，而侧面灰度曲线用虚线表示。
图11A中在正面灰度曲线上面的侧灰度曲线严重畸变。特别的是，在低灰度级的亮度突然变化导致了侧面灰度曲线的严重畸变。
图11B表示从包括通过TFT或者连接电极电容性连接的第一和第二LC电容的二等分的像素中收集的数据。第一和第二LC电容的充电电压分别高于和低于公共电压与数据电压间的差。在低灰度级，第二LC电容器基本保持在一黑暗状态而第一LC电容成为主要影响图像的因素，所以像素(被称之为“子像素1”)亮度被减小。然而，在高灰度级，第二LC电容器也影响该图像，因此提高了像素(称之为“子像素2)亮度。因此，如图11B所示，侧面灰度曲线的畸变被减小了。
相似地，如图11c所示，三等分像素的侧面灰度曲线的畸变也很大程度上被减小了。
图12是本发明的一个实施例中的包括LCD的三等分像素的TFT阵列面板的等效电路图。如图12所描述的，TFT阵列面板包括多条栅极线，多条数据线，和多个像素。每一像素包括第一、第二和第三像素电极190a-190c，第一、第二、第三和第四TFT Q1-Q4，和一个连接电极176。
在一个实施例中，将第一/第二/第三TFT Q1/Q2/Q3都连接到栅极线、提供数据电压的数据线，并且分别连接到每一第一/第二/第三像素电极190a/190b/190c。将第四TFT Q4连接到与第一到三TFT Q1-Q3相连的栅极线相邻的栅极线上。还将第四TFT Q4连接到第一像素电极190a和连接电极176。将连接电容电极176电容性连接到第二像素电极190b以形成连接电容器Cbc。
在使用中，如参考前面的图6所描述的，第一像素电极190a相对于公共电压的电压值比最初的数据电压小，而第二像素电极190b相对于公共电压的电压值比最初的数据大。然而，第三像素的电压基本保持在与最初的数据电压相等的值。因而，第一到第三像素电极190a-190c具有不同的电压，从而大大减小了灰度曲线的畸变。
下面将参考图13-15详细描述本发明另一个实施例中的LCD的TFT阵列面板。
图13是本发明另一实施例中的LCD的TFT阵列面板的顶视图，图14和15是分别沿着图13中TFT阵列面板的线XIV-XIV’和线XV-XV’的截面图。
本实施例中的TFT阵列的层状结构与图1-5中的结构几乎完全相同。因此，栅极线121包括多个第一栅极124a和第二栅极124c。存储电极线131包括多个存储电极133a、133b和133c。如图所示，所有的这些元件都形成在基底110上。基底110上还包括栅极绝缘层140，多个半导体条151(包括多个突起154a和154c)，和多个电阻接触条161(包括多个突起163a)，和多个电阻接触岛163c、和165a-165c。多条数据线171包括多个第一源极173a，多个第二源极173c，和多个分别包括分别形成在电阻接触161、163c和165a-165c上的连接电极176的第一到第三漏电级175a、175b和175c。将钝化层180形成在数据线171之上。将多个接触孔182、183c、185a和185b形成在钝化层180和栅极绝缘层140上。还有，把多对像素电极190a和190b、和多个接触辅助82形成在钝化层180上。
不同于图1-5中所示的TFT阵列面板的是，半导体条151具有与数据线171、源极173a和173c、和漏极175a-175c及下层的电阻接触161、163c和165a-165c几乎相同的平面形状。然而，半导体条151的突起154a和154c包括一些没有被数据线171等等覆盖的暴露部分，如被置于源极173a、173c和漏极175a-175c间的部分。
另外，每一栅极线121都包括一扩展末端部分129，该末端具有用于和其他层或外部装置连接的大面积区域。此外，每一栅极绝缘层140和钝化层180都有多个暴露栅极线121的末端部分129的接触孔181。将多个电阻接触81形成在钝化层180上并且使它们通过接触孔81与栅极线121的末端部分129接触。
除此之外，本实施例中的TFT阵列面板提供多个在钝化层180下面的滤色器(color filter)230。如图17所示，将每一滤色器230都安排在像素电极190上，并且也可以将一列中的滤色器连接在一起以形成一条形。滤色器230有多个分别暴露第三源极183c，第一漏极175a，和第二漏电级175b并分别围绕接触孔183c、185a和185b的开口233c、235a和235b。不将滤色器230安置在有栅极线121的扩展末端部分129和数据线171的扩展末端部分179的外围区域。虽然图15示出了相邻的滤色器230的边之间完全相互匹配，然而滤色器230可以在数据线171上互相交叠以增强光阻挡。可以选择的是，它们也可以互相相隔一定距离。当滤色器互相交叠时，可以省略在公共电极面板上的一光阻挡薄膜。
一种生产本实施例的TFT阵列面板的方法是利用一个光刻过程同时形成数据线171，源极173a和173c，漏极175a-175c，半导体151，和电阻接触161、163c、和165a-165c。
光刻过程的光刻胶材料图案具有决定于位置的厚度，具体地，它具有减小了厚度的第一和第二部分。将第一部分置于被数据线171、源极173a和173c、和漏极175a-175c占有的线区域；并且将第二部分置于TFT Q1-Q3的信道区。
由位置决定的光刻胶材料的厚度可以通过多种方法得到，例如，通过在暴露掩模上提供半透明区域，以及透明区域和阻挡光的不透明区域形成。半透明区域可以有一切口图案，一格状图案，一具有中等透射率或中等厚度的薄膜。当使用切口图案时，最好是切口的宽度或切口间的距离小于用于光刻中的曝光器分辨率。在另一个实施例中，可以用一可回流抗蚀剂(reflowableresist)。例如，将由回流材料组成的光刻胶(photoresist)材料图案通过利用仅具有透明区域和不透明区域的标准暴露掩模形成。其后，回流材料进行回流过程从而使该材料流到了无光刻胶材料的区域上，这样形成了薄部分。
上面描述的使用光刻胶的实施例通过省略光刻步骤而改进了生产方法。
图13-15给出的LCD也能包括图1-5中的给出的LCD的上述许多特征。
下面将参考图16-21详细描述本发明另一实施例的LCD。图16是本发明另一实施例的LCD的TFT阵列面板的顶视图。图17是本发明另一实施例的LCD的公共电极面板的顶视图。图18是包括图16的TFT阵列面板和图17中的公共电极面板的LCD的顶视图。图19-21是分别沿着图18中的线XIX-XIX’XX-XX’和XXI-XXI’的LCD的截面图。
参考图16-21，本实施例的LCD也包括一TFT阵列面板100，一公共电极面板200，和一插入它们之间的LC层3。
本实施例中面板100和200的层状结构与图1-5的结构几乎一样，为了不使本发明变得不必要的复杂，因而也不再详细描述。然而，本实施例的LCD的布局与图11-15中的不同。
例如，如图所示，每一数据线171包括多对倾斜部分和多对纵向部分以使其能周期地弯曲。一对倾斜部分互相连接以形成人字型，这对倾斜部分的相对末端部分连接到相应的纵向部分。数据线171的倾斜部分与栅极线121呈45度角，并且纵向部分横穿栅极线121，而且还包括向第一和第二栅极124a和124c延伸的第一和第二源极173a和173c。一对倾斜部分的长度大约是纵向部分的长度的1-9倍。换句话说，纵向部分的长度大约是一对倾斜部分的总长度的50-90％。连接到相邻的纵向部分间的倾斜部分的数目和形状可以作各种修改。
可以将每对第一和第二像素电极190a和190b置于由数据线171和栅极线121覆盖的区域。像素电极也形成一人字型结构，该人字型结构具有多条包括两对倾斜部分、两对纵向边、和一对横向上部边和下部边的外部边。
在一个实施例中，第二像素电极190b几乎被第一电极190a包围并且与上述人字型结构的相反的倾斜外部边距离大致相等。第二像素电极190b可以具有窄人字型结构，该人字型结构包括(i)两对与数据线171的倾斜部分大致平行的倾斜边，(ii)一对连接到两对倾斜边的其中一条并且与数据线171的纵向部分大致平行的纵向边，(iii)一连接到两对倾斜边的另一条并与另一对倾斜边大致垂直的倾斜上部边，和(iv)一连接到一对纵向边并形成一对第一和第二像素电极190a和190b的外部边的横向下部边。
第一像素190a可以有多条面对第二像素电极190b的倾斜边和纵向边的内部边。
因而，第一和第二像素电极190a和190b之间的间隙195的形状可以跟随第一和第二像素电极190a和190b的内部边的形状。在一个实施例中，间隙195最好具有大约2-5微米的宽度。
另外，可以将安排在第一漏极175a附近的第一和第二像素电极的倾斜边沿第一漏极175a的边轻微弯曲。第二源极173b和第一和第二漏极175a和175b的扩展部分的形状可以有多种修改形式如菱形和平行四边形。特别的是，扩展部分可以有与数据线171的倾斜部分和第一和第二像素电极190a和190b的倾斜边平行的倾斜边。例如，图16示出了每一第二源极173c可以包括具有一斜切拐角的矩形扩展部分。图16进一步示出了连接电极176可以有一对平行于与其相邻的像素电极190a和190b的倾斜边和另一条连接于该对倾斜边并与之垂直的倾斜边。
接触孔182、183c、185a和185b可能有各种形状例如多边形或圆形。接触孔182、183c、185a和185b的侧壁可以倾斜30-80度角，或者有阶梯式的侧面。每一接触孔182的面积最好等于或大于大约0.5mm×15μm并且不大于约2mm×60μm。
虽然图16-21中所示的TFT阵列面板不包括存储电极线，但它也可以包括多条具有各种形状的存储电极的存储电极线，该形状与像素电极190a和190b及数据线171的形状相似。
在一个实施例中，公共电极270具有多个人字型切口275。每一切口275包括一对彼此互相连接在一起的倾斜部分，一连接到倾斜部分的其中之一的横向部分，和一个连接到另一个倾斜边的纵向部分。切口275的倾斜部分可以大致平行于数据线171的倾斜部分延伸并且面对第二像素电极190b从而把每一个第一和第二像素电极190a和190b二等分成完全相等的左半部分和右半部分。切口275的每一倾斜部分可以包括将左半部分和右半部分均分成上下四分之一的横向分支(未示出)。分别将切口275的横向和纵向部分与像素电极190的横向边和纵向边形成一体，并且它们可以与切口190呈钝角。切口275最好具有大约在9-12微米范围内的宽度，而且可以用突起替代，该突起最好由有机材料制成并且最好具有大约在5-10微米范围内的宽度。
光阻挡部件220可以包括多个面对栅极线121和数据线171的线性部分。它还可以进一步包括多个面对TFT的矩形部分以使光阻挡部件220阻止第一像素190间的光泄漏并且限定面对像素电极190的开口区域。
可以将滤色器230完全置于光阻挡部件220定义的开口区域并因此它们也具有人字型结构。另外，可以使置于纵向方向排列的两相邻的数据线171内的滤色器230互相连接以形成条状。
在应用中，当将公共电压提供到公共电极270并将数据电压提供到LCD的像素电极190a和190b时，就会产生最初的完全与板100和200的表面垂直的电场。液晶分子通过改变方向响应该电场，以使它们的长轴变为与电场方向垂直的方向。同时，公共电极270的切口275和像素电极190a和190b的外部边将最初的电场扭转到具有一确定液晶分子的倾斜方向的水平分量。最初电场的水平分量与切口275的边和像素电极190a和190b的外部边垂直。
同样，将具有不同倾斜方向的四个子区域形成在液晶层3的一个像素区域，并且像素电极190a和190b形成在该液晶层上。如图所示，该四个子区域通过(i)一对像素电极190a和190b的外部边，(ii)均分像素电极190a和190b的切口275，和(iii)一穿过切口275的倾斜部分的交点的虚设横向中心线被分割。在一个实施例中，每个子区域具有两个分别由切口275和像素电极190a和190b的倾斜外部边定义的主要边。根据倾斜方向将子区域分成多个域。在一个实施例中，最好使用四个域。
因为第二像素电极190b的电压高于第一像素电极190a的电压，所以一水平分量出现在间隙195附近的电场中。在一个实施例中，该水平分量与第一像素电极190a的相邻的外部边附近的电场中的水平分量指向相同的方向。因而，间隙195附近的水平分量增强了子区域中的液晶分子的倾斜方向的确定并且减小了响应时间且没有产生间隙275附近的光泄漏。在一个实施例中，间隙195还减小了孔径比。根据几何原理，间隙195可能产生该电场的一水平分量，该水平分量平行或反平行于子区域中的液晶分子的倾斜方向。
在一个实施例中，由于相邻的第一像素190a间的电压不同，所以第二电场的方向可能与切口275的边垂直。如果这样，第二电场的方向将可能与最初电场的水平分量一致。从而，在第一像素电极190a间形成的第二电场就能增强液晶分子的倾斜方向的确定。
图21是通过模拟实现的用点线描述的等电位线。
因为LCD有如点反转、列反转等反转形式，所以要给相邻的像素电极提供相对于公共电压具有不同极性的数据电压。因此，几乎总能产生相邻电极间的第二电场以增加域稳定性。
因为所有域的倾斜方向与数据线121呈45度角，且与板100和200平行或垂直，并且倾斜方向和偏光器的传送轴的45度交叉给出了最大的透射率，所以可以将偏光器置于使该偏光器的传送轴与板100或200的边平行或垂直。这样就减小了生产成本。
图16-21的LCD可以有多种修改。
例如，像素电极190连同公共电极270可以具有形成边缘电场的切口(未示出)。另外，切口可以由在公共电极270或像素电极190a和190b上形成的突起代替。
切口或突起的形状和排列方式可以根据设计条件如像素大小、像素电极190a和190b的宽度和长度的比例、液晶层3的类型和特点等而发生变化。
图16-21中的LCD也可以有图1-5中的LCD的许多特点。
下面将参考图22-24详细描述本发明的另一实施例的LCD的TFT阵列面板。
图22是根据本发明的另一个实施例，一LCD的TFT阵列面板的顶视图，并且图23和24是分别沿着图22中的线XXIII-XXIII’和线XXIV-XXIV’的TFT阵列面板的截面图。
本实施例的TFT阵列面板的层状结构和布局几乎与图16-21中的相同。
如图所示，将多条包括多个第一栅极124a和第二栅极124c的栅极线121形成在基底110上。也将一栅极绝缘层140，多个包括多个突起154a和154c的半导体条151形成在基底上。然后，将多个包括多个突起163a的电阻接触条161，和多个电阻接触岛163c、和165a-165c都形成在基底上。如前所描述的，分别将多条数据线171(包括多个第一源极173a)、多个第二源极173c、和多个第一至第三漏极175a-175c(包括连接电极176)分别形成在电阻接触161、163c和165a-165c。另外，可以将钝化层180形成在数据线之上。可以将多个接触孔182、183c、185a和185b提供在钝化层180和栅极绝缘层140上。还有，可以将多对通过间隙195分开的像素电极190a和190b、和多个连接辅助器82形成在钝化层180上。
不同于图16-21的TFT阵列板的是，半导体条151几乎与数据线171、源极173a和173c、和漏极175a-175c以及下面的电阻接触161、163c和165a-165c具有相同的平面形状。然而，半导体条151的突起154a和154c包括许多不被数据线171等覆盖的暴露部分，例如置于源极173a和173c和漏极175a-175c间的部分。
另外，每一栅极线121具有一扩展末端部分129，该末端部分具有一连接其它层和外部装置的大面积区域，并且栅极绝缘层140和钝化层180具有多个暴露栅极线121的末端部分129的接触孔181。多个在钝化层180上形成的电阻接触81通过接触孔81与栅极线121的末端部分129接触。
除此之外，本实施例的TFT阵列面板还在钝化层180的下面提供多个滤色器230。每一个滤色器230都置于像素电极190上。另外，可以将每一列中的滤色器连接在一起以形成条。滤色器230可以有多个分别暴露第三源极183c、第一漏极175a、和第二漏极175b，并分别包围接触孔183c、185a和185b的开口233c、235a和235b。在一个实施例中，不将滤色器230安排在由栅极线121和数据线171的延伸末端129和179提供的外围区域。虽然图23示出了相邻滤色器230的边互相完全匹配，然而滤色器230也可以在数据线171上互相交叠以提高光阻挡。另外，它们也可以互相相隔一定距离。当滤色器230互相交叠时，可以将公共电极面板上的光阻挡薄膜省略。
一生产本实施例中的TFT阵列面板的方法利用一光刻技术同时形成数据线171、源极173a和173c，漏极175a-175c，半导体条151，和电阻接触161、163c和165a-165c。
例如，光刻过程的光刻胶材料图案包括一由位置决定的厚度。在一个实施例中，该光刻胶材料图案具有减小了厚度的第一和第二部分。第一部分置于被数据线171、源极173a和173c、和漏极175a-175c占有的线区域。第二部分置于TFT Q1-Q3的信道区。
结果是，由于省略了光刻过程简化了生产过程。
图22-24中的LCD也可以具有图16-21的LCD的许多特点。
虽然通过本发明的优选实施例对本发明作了详细描述，但是在不脱离本发明的权利要求书所述的本发明的实质和范围的前提下，本领域的普通技术人员可以对本发明进行各种修改和替代。
权利要求
1.一种平板显示器，包括一个或多个像素区域，每一像素区域包括一个或多个子像素区域；在每一子像素区域中，第一像素电极和第二像素电极互相接合并且包围一开口间隔(间隙)从而使它们的外部边界具有一大致的矩形形状；其中第一像素电极包括一对面对第二像素电极的一条或多条倾斜边的直角三角形部分，并且还包括面对第二像素电极的一侧边的纵向部分，其中第二像素电极具有接近于等腰梯形的形状。
2.根据权利要求1所述的平板显示器，其中第二像素电极具有一条置于最靠近第一存储电极的边和另一条置于最靠近第二存储电极的边。
3.根据权利要求1所述的平板显示器，其中进一步包括一置于子像素区域之上的公共电极，该公共电极由一透明导电材料形成并且在其中具有至少一个切口。
4.根据权利要求1所述的平板显示器，其中该间隙置于在公共电极中形成的至少一切口和一开口之间，该开口将一个或多个像素区域中的一个像素区域与另一像素区域分开。
5.根据权利要求3所述的平板显示器，进一步包括一置于公共电极和一个或多个子像素区域间的液晶(LC)层，该LC层包括大量LC分子。
6.根据权利要求1所述的平板显示器，进一步包括一电容性连接第二像素电极以形成一连接电容器的连接电容电极。
7.根据权利要求6所述的平板显示器，其中连接电容改变给定数据电压的大小从而使提供给第一像素电极的电压值小于给定数据电压，并且使提供给第二像素电极的电压值大于给定数据电压。
8.根据权利要求7所述的平板显示器，其中提供给第一像素电极和第二像素电极的电压的不同减小了灰度曲线的畸变并且改进了图像质量。
9.根据权利要求1所述的平板显示器，其中第二像素电极包括将第二像素电极均分成下部分和上部分的切口。
10.根据权利要求2所述的平板显示器，其中第一像素电极的表面面积与第二像素电极的表面面积的比大约在50∶50-80∶20的范围内。
11.根据权利要求2所述的平板显示器，其中该间隙具有大约在2-5微米范围内的宽度。
12.一种平板显示器，包括一个或多个像素区域，每一像素区域包括一个或多个子像素区域；在每一子像素区域中，第一像素电极和第二像素电极互相接合并且包围一开口间隔(间隙)从而使它们的外部边界大致是一矩形形状；一电容性连接第二像素电极以形成一连接电容器的连接电容电极；其中连接电容改变给定数据电压的大小从而使提供给第一像素电极的电压值小于给定数据电压，并且使提供给第二像素电极的电压值大于给定数据电压。
13.根据权利要求12所述的平板显示器，其中第一像素电极包括一对面对第二像素电极的一条或多条倾斜边的直角三角形部分，并且还包括面对第二像素电极的一侧边的纵向部分。
14.根据权利要求12所述的平板显示器，其中第二像素电极具有大约是等腰梯形的形状。
15.根据权利要求12所述的平板显示器，其中第一像素电极的表面面积与第二像素电极的表面面积的比大约在50∶50-80∶20的范围内。
16.根据权利要求12所述的平板显示器，其中安排在第一像素电极之上的液晶(LC)分子的倾斜方向不同于安排在第二像素电极之上的LC分子的倾斜方向。
17.根据权利要求12所述的平板显示器，其中该间隙具有大约在2-5微米范围内的宽度。
18.一种平板显示器，包括一由透明导电材料形成并在其内具有至少一个切口的公共电极；一个或多个安置在公共电极下面的像素区域，每一像素区域包括一个或多个子像素区域；一置于公共电极和一个或多个子像素区域间的液晶(LC)层，该LC层包括大量LC分子；在每一子像素区域中，第一像素电极和第二像素电极互相接合并且包围一开口间隔(间隙)从而使它们的外部边界大致是一矩形形状；其中第一像素电极包括一对面对第二像素电极的一条或多条倾斜边的直角三角形部分，并且还包括面对第二像素电极的一侧边的纵向部分；其中第二像素电极具有接近于等腰梯形的形状，并且具有一条置于最靠近第一存储电极的边和另一条置于最靠近第二存储电极的边，并且其中将该间隙置于在公共电极中形成的至少一切口和一个开口之间，该开口将一个或多个像素区域中一个像素区与另一个像素区域分开。
19.根据权利要求18所述的平板显示器，其中提供给第一像素电极的电压小于提供给第二像素电极的电压，从而使得置于第一像素电极之上的LC分子的倾斜方向不同于置于第二像素电极之上的LC分子的倾斜方向。
20.根据权利要求19所述的平板显示器，其中该间隙包括一对倾斜下部和上部，每一部分具有大致相同的宽度并且相对于一条或多条栅极线具有一定的角度。
21.根据权利要求20所述的平板显示器，其中该间隙进一步包括具有大致相同宽度的纵向部分。
22.根据权利要求21所述的平板显示器，其中，每一倾斜部分比纵向部分长。
23.根据权利要求19所述的平板显示器，其中第二像素电极包括一个将第二像素电极均分成下部分和上部分的切口。
24.根据权利要求23所述的平板显示器，其中切口具有来自于第二像素电极的外侧边的入口，和一对大致与间隙的下部倾斜边和上部倾斜边平行的倾斜边。
25.根据权利要求19所述的平板显示器，进一步包括一形成在置于公共电极之上的透明绝缘基底上的光阻挡部件，其中该光阻挡部件包括多个面对第一和第二像素电极的开口。
26.根据权利要求25所述的平板显示器，进一步包括多个形成在透明绝缘基底上并置于在光阻挡部件内形成的多个开口内的滤色器。
27.根据权利要求26所述的平板显示器，其中多个滤色器大致沿着第一和第二像素电极的纵向方向延伸，并且多个滤色器中的每一颜色表示一基本色如红、绿和蓝色。
28.根据权利要求18所述的平板显示器，进一步包括一电容性连接第二像素电极以形成一连接电容器的连接电容电极。
29.根据权利要求28所述的平板显示器，其中连接电容改变给定数据电压的大小从而使提供给第一像素电极的电压值小于给定数据电压，并且使提供给第二像素电极的电压值大于给定数据电压。
30.根据权利要求29所述的平板显示器，其中提供给第一像素电极和第二像素电极的电压的不同减小了灰度曲线的畸变并且改进了图像质量。
31.根据权利要求28所述的平板显示器，其中数据电压约为2.0V，并且第一像素电极和第二像素电极间的电压差约为0.59V。
32.根据权利要求28所述的平板显示器，其中数据电压约为5.0V，并且第一像素电极的电压下降约为0.55V，第二像素电极的电压上升约为0.64V。
33.根据权利要求29所述的平板显示器，其中第一像素电极的表面面积与第二像素电极的表面面积的比大约50∶50至大约80∶20的范围内。
34.根据权利要求33所述的平板显示器，其中所述面积比大约是70∶30。
35.根据权利要求18所述的平板显示器，其中该间隙具有大约在2-5微米范围内的宽度。
全文摘要
本发明披露了一种改进了图像质量的平板显示器。在一个实施例中，将第一像素电极和第二像素电极形成在每一子像素区域上。电极包围一开口间隔(间隙)从而使它们的外部边界具有大致矩形的形状。该平板显示器还可以包括一连接于第二像素电极以形成一连接电容的电容电极。在应用中，连接电容操作使提供给第一像素电极的电压低于给定数据电压，并且使提供给第二像素电极的电压高于给定数据电压。该电压差使得置于第一像素电极之上的LC分子的倾斜方向不同于置于第二像素电极之上的LC分子的倾斜方向。
文档编号G02F1/1368GK1601362SQ20041009018
公开日2005年3月30日 申请日期2004年8月13日 优先权日2003年8月13日
发明者宋长根 申请人:三星电子株式会社