专利名称：混合碱用于提高铬或敏感基材上的图案化抗蚀剂分布的应用的制作方法
背景技术：
在微电子工业中以及在涉及到微观结构(例如微电机、磁阻磁头等)构造的其它工业中，依据导致获得预期结构的顺序，使用光刻技术，以得到多种材料如绝缘体、半导体和/或金属的图案化结构。
大多数光刻法(不包括所谓的直接写技术)一般使用一些类型的图案化掩模，通过它将成像照射投射到关注的基材上的(待图案化的)抗蚀剂材料上。抗蚀剂层和基材之间的界面通常存在相互作用(化学和/或光学)方面的问题，其妨碍或折衷光刻性能。例如，在掩模制造的范围内，如果将抗蚀剂层直接施加到基材(例如玻璃板)上的铬上面的包括氧氮化铬和/或氧化铬的含铬的膜上，在光刻过程中会发生起脚(footing)，导致图案精确性的损失。
已经将在某些基材上的化学放大的(又称为酸催化的)抗蚀剂的变形分布(profile)的生成归因于碱性表面基团或表面能的毒害，其阻止界面附近的光子(photo)或产生的酸，并对正性抗蚀剂引起“起脚”或对负性抗蚀剂引起“内凹(coving)”。见K.Dean等，SPIEProceed.，2438，514(1995)。
已经做了尝试，通过基材的处理或改变(例如用酸处理或铬的氧化)来解决起脚问题，但是这些方法可能与器件或掩模生产不相容。这些处理方法还增加了制造工艺的成本。因此，尤其在掩模制造中通常使用的含铬材料的图案化的范围内，需要改良的抗蚀剂配制物，避免这些与底部基材不利的相互作用。
发明概述本发明提供改良的抗蚀剂组合物和使用这些组合物形成图案化材料结构的方法。本发明的组合物和方法的特征在于结合了包含室温(20-25℃)固体碱和室温液体低蒸气压碱的碱添加剂的存在。本发明有利地解决了起脚问题，而不需基材处理或特殊的加工步骤。
在一个方面，本发明涵盖了一种化学放大的抗蚀剂组合物，该组合物包括a)成像聚合物，b)酸不稳定部分，c)照射敏感的酸产生剂，和d)碱添加剂组分，其中碱添加剂组分包括i)室温固体碱，和ii)室温液体低蒸气压碱。
该低蒸气压碱优选在室温下具有约2mm或更小，更优选约1mm或更小的蒸气压。成像聚合物优选包括低活化能酸敏感部分。
在另一个方面，本发明涵盖了一种在基材上形成图案化的材料结构的方法，该方法包括(A)提供带有材料层的基材，(B)将本发明的抗蚀剂组合物涂覆到该基材上，以在该基材上形成抗蚀剂层，(C)将基材以图案方式对照射曝光，由此在抗蚀剂层的曝光区域内，由抗蚀剂的照射敏感的酸产生剂产生酸，(D)通过去除抗蚀剂的照射曝光部分，使抗蚀剂层内的图案化抗蚀剂结构显影，和(E)通过穿过抗蚀剂结构图案中的间隔而去除材料层部分，将抗蚀剂结构图案转移到材料层上。
材料层优选选自有机电介质、金属、陶瓷和半导体，更优选含铬的组合物、SiON或TiN，最优选含铬的组合物。转移优选地包括活性离子蚀刻或湿法蚀刻。在步骤(C)中使用的照射优选电子束、离子束或激光照射。
本发明还涵盖了一种在基材上或在基材内形成材料结构的方法，该方法包括(A)提供基材，
(B)将本发明的抗蚀剂组合物涂覆到基材上，以在基材上形成抗蚀剂层，(C)将基材以图案方式对照射曝光，由此在抗蚀剂层的曝光区域内，由抗蚀剂的照射敏感的酸产生剂产生酸，(D)通过去除抗蚀剂的照射曝光部分，使抗蚀剂层内的图案化抗蚀剂结构显影，和(E)通过将材料沉积到抗蚀剂结构图案中的间隔内的基材上或将材料注入抗蚀剂结构图案中的间隔内的基材内，将抗蚀剂结构图案转移到材料上。
下面进一步详细说明本发明的这些和其它方面。
发明详述本发明的抗蚀剂组合物的特征在于结合了包含室温(20-25℃)固体碱和室温液体低蒸气压碱的碱添加剂的存在。本发明的抗蚀剂组合物优选包括a)成像聚合物，b)酸不稳定部分，c)照射敏感的酸产生剂，和d)碱添加剂组分，其中碱添加剂组分包括i)室温固体碱，和ii)室温液体低蒸气压碱。
成像聚合物可以是均聚物、共聚物、三元共聚物或由四种或多种不同单体重复单元组成的聚合物。为了简便，到此为止，包括多于一种单体类型的聚合物(共聚物、三元共聚物等)将被简称为共聚物，但是应当理解，超过两种的单体类型可以构成聚合物主体。聚合物优选地具有约1000-50,000道尔顿(更优选约2000-10000)的分子量和优选具有1-5之间的多分散性。合适的聚合物的例子包括聚(羟基苯乙烯)、聚(乙烯基安息香酸)、聚(丙烯酸)、聚(甲基丙烯酸)、聚(降冰片烯羧酸)、聚(5-(1，1，1，3，3，3-六氟甲基-2-羟丙基)降冰片烯)、聚(羟基全氟苯乙烯)及其衍生物和共聚物。最优选的聚合物是聚(4-羟基苯乙烯)的共聚物。
酸不稳定部分优选悬挂于聚合物和/或作为含酸不稳定部分的单独溶解抑制剂分子在聚合物基质内提供。如果使用的话，当溶解抑制剂的一个或多个酸不稳定部分裂解时，优选其不作为交联剂。酸不稳定部分优选地可以在室温下、酸存在时裂解。优选的酸不稳定部分是划分为低活化能保护基团(例如Ea＜20kcal/mol)的那些。该酸不稳定部分优选选自缩醛、缩酮和原酸酯，更优选地，酸不稳定部分是缩酮部分如在US专利5,712,078和EP公开的申请EP0628876A1中描述的那些，其公开内容在此引用作为参考。优选的缩酮保护基团的例子包括但并不限于甲氧基丙基、甲氧基环己基和苄氧基丙基及其衍生物和类似物。当酸不稳定基团悬挂于成像聚合物时，成像聚合物优选地包含约5-95mol％，更优选约10-40mol％，最优选约20-30mol％的酸不稳定保护基团(以成像聚合物上总的官能团为基础)。该聚合物的制备在US专利5,919,597和6,037,097和6,043,003中有教导，其公开内容在此引用作为参考。甲氧基环己基缩酮是最优选的保护基团。
在本发明的抗蚀剂配制物中可以使用多种照射敏感的酸产生剂(又称为光产酸剂或PAG)。合适的PAG包括但并不限于锍和碘的磺酸盐，其阴离子可以全部或部分被氟取代。优选的例子包括三芳基锍全氟烷基磺酸盐如三苯基锍三氟甲磺酸盐、三苯基锍九氟丁磺酸盐、三(叔丁苯基)锍三氟甲磺酸盐、叔丁苯基二苯基锍三氟甲磺酸盐、叔丁苯基二苯基锍九氟丁磺酸盐、叔丁苯基二苯基锍全氟辛烷磺酸盐和相似的衍生物和类似物。其它优选的PAG是二芳基碘全氟烷烃磺酸盐(例如二苯基碘九氟丁磺酸盐和双(叔丁苯基)碘三氟甲磺酸盐)、二芳基烷基锍盐、二烷基芳基锍盐及其衍生物、三芳基锍双(全氟烷基)酰胺和三(全氟烷基)甲基化物和相应的二芳基碘类似物。优选地，以成像聚合物的重量为基础，抗蚀剂配制物包含约0.1-20wt％，更优选约0.5-15wt％的酸产生剂。
该抗蚀剂的碱添加剂组分包括
i)室温固体碱，和ii)室温液体低蒸气压碱。
固体碱优选选自芳族胺和咪唑。优选的固体碱是N，N-二甲氨基吡啶(DMAP)和三苯基咪唑。低蒸气压碱优选在室温下具有约2mm或更小，更优选约1mm或更小的蒸气压。低蒸气压碱优选选自三乙醇胺、1-萘胺、2-萘胺、二苯胺、N-乙酰苯胺、3，6，9-三氮杂十一亚甲基二胺、4，4′-丙烷-1，3-二基双吗啉和1，8-氮杂二环十一碳烯。三乙醇胺是一种优选的低蒸气压碱。该组合物优选包含约2wt％或更少(以成像聚合物的总重量为基础)，更优选约0.0025-1wt％的碱组分。低蒸气压碱与固体碱的摩尔比优选约为0.05-20，更优选约为0.1-5和最优选0.15-0.5。
该抗蚀剂可以包含其它已知的添加剂如感光剂、染料、表面活性剂等。
本发明的抗蚀剂组合物在它们被涂覆到所需的基材上之前，一般都含有溶剂。溶剂可以是常规用于酸催化的抗蚀剂的任意溶剂，其另外不会对抗蚀剂组合物的性能带来任何过多的负面影响。优选的溶剂是丙二醇单甲醚乙酸酯和环己酮。
可以通过采用常规方法将聚合物、溶解抑制剂(如果使用)、酸产生剂、碱组分和任意其它需要的成分相结合，来制备本发明的抗蚀剂组合物。将被用于光刻工艺的该抗蚀剂组合物将通常含有显著数量的溶剂。
本发明的抗蚀剂组合物尤其可用于在掩模的制造或在半导体基材上生产集成电路所用的光刻工艺。对于掩模制造，一般使用电子束照射。在需要使用其它照射(例如中UV、248nm深UV、193nmUV或x-射线)的情况下，可以通过将合适的染料或感光剂加入到该组合物中来调节本发明的组合物(如果必要的话)。
本发明涵盖了一种在基材上形成图案化材料结构的方法，该方法包括(A)提供带有材料层的基材，
(B)将本发明的抗蚀剂组合物涂覆到该基材上，以在该基材上形成抗蚀剂层，(C)将基材以图案方式对照射曝光，由此在抗蚀剂层的曝光区域内，由抗蚀剂的照射敏感的酸产生剂产生酸，(D)通过去除抗蚀剂的照射曝光部分，使抗蚀剂层内的图案化抗蚀剂结构显影，和(E)通过穿过抗蚀剂结构图案中的间隔而去除材料层部分，将抗蚀剂结构图案转移到材料层上。
材料层优选选自有机电介质、金属、陶瓷和半导体。本发明在待图案化的材料层是含铬组合物、SiON或TiN，最优选含铬组合物的情况的范围内最有用。可以使用任何合适的技术涂覆待图案化的材料。基材优选半导体晶片或玻璃(例如熔融石英)板。
如果需要，可以在抗蚀剂层涂覆之前将抗反射涂层(ARC)涂覆到材料层上。ARC层可以是与酸催化的抗蚀剂、底部材料层、随后的加工相容的任意常规ARC。
通常，接下来可以采用旋涂或其它技术将含有溶剂的抗蚀剂组合物涂覆到所需的基材上。然后将带有抗蚀剂涂层的基材优选地加热(曝光前烘焙)，以去除溶剂并且提高抗蚀剂层的粘附性。涂覆层的厚度优选尽可能地薄，条件是厚度优选基本均匀并且抗蚀剂层足以承受随后的加工(通常为活性离子蚀刻)，以将光刻图案转移到底部基材材料层上。曝光前烘焙步骤优选地进行约10秒-15分钟，更优选约15秒-1分钟。曝光前烘焙温度可取决于抗蚀剂的玻璃化转变温度而改变。
在溶剂去除后，接着将抗蚀剂层以图案方式对所希望的照射(例如电子束或深UV照射)曝光。在使用扫描的粒子束(如扫描的电子束)的情况下，可以通过扫描该粒子束穿过基材，以预期的图案选择性地施加粒子束能量来实现以图案方式的曝光。在波状照射形成例如248nm紫外线照射的情况下，通常通过置于抗蚀剂层上的掩模进行以图案方式的曝光。对于248nm UV照射，总的曝光能量优选约100毫焦耳/cm2或更小，更优选约50毫焦耳/cm2或更小(例如15-30毫焦耳/cm2)。
在预期的以图案方式的曝光之后，一般将抗蚀剂层烘焙，以进一步完成酸催化的反应并且增强已曝光图案的对比。曝光后烘焙优选在约60-175℃，更优选约90-160℃下进行。曝光后烘焙优选进行约30秒-5分钟。对于低活化能抗蚀剂，可以任选地省略或在较温和的条件下进行曝光后烘焙。
在曝光后烘焙后(如果使用的话)，通过将抗蚀剂层与碱性溶液接触获得具有所需图案的抗蚀剂结构(显影)，该碱性溶液选择性地溶解对照射曝光的抗蚀剂区域。优选的碱性溶液(显影剂)是氢氧化四甲基铵的水溶液。优选地，可以用常规的0.26N含水碱性溶液将本发明的抗蚀剂组合物显影。也可以使用0.14N或0.21N或其它的含水碱性溶液将本发明的抗蚀剂组合物显影。然后通常将在基材上得到的抗蚀剂结构干燥，以除去任何残留的显影剂溶剂。
接着可以将得自于抗蚀剂结构的图案转移到底部基材的材料(例如有机电介质、陶瓷、金属或半导体)上。一般通过活性离子蚀刻、湿法蚀刻或者一些其它的蚀刻技术来实现转移。对于本发明的抗蚀剂材料，最优选地应用在金属层，尤其是通常用于掩模制造的含铬金属组合物的图案化。在这些应用中，通常使用含卤素化合物的图案转移蚀刻剂(例如Cl2、Br2、I2和BCl3)，其中卤素是Cl、Br或I。含卤素化合物的蚀刻剂可以包含卤素化合物的结合物和/或可以包含另外的化合物如强氧化剂(例如O2)。Cl2和O2的结合是通常优选的蚀刻剂。使用本发明的抗蚀剂，要求在US专利5,948,570中描述的除了没有显影后氧化步骤的蚀刻方法。US专利5,948,570的公开内容在此引用作为参考。也可以使用其它合适的蚀刻技术。
可以使用本发明的组合物和得到的抗蚀剂结构以生成其它图案化的材料层结构，如可被用于集成电路器件设计的金属配线、用于接触的孔或通孔、绝缘部分(例如金属镶嵌的沟槽或浅的沟槽绝缘体)、电容器结构用的沟槽等。
用于制备这些(陶瓷、金属或半导体)特征体的方法通常涉及提供待图案化的材料层或基材的一部分、将抗蚀剂层涂覆到材料层或者该部分上、将抗蚀剂以图案方式对照射曝光、通过将曝光的抗蚀剂与溶剂接触使图案显影、在图案的间隙中将抗蚀剂层下面的层蚀刻，由此形成图案化的材料层或基材部分，并且从基材上除去任何残留的抗蚀剂。在一些情况下，可以在抗蚀剂层下面使用硬掩模，以有利于图案转移到另外的底部材料层或部分上。这些方法的例子公开于US专利4,855,017；5,362,663；5,429,710；5,562,801；5,618,751；5,744,376；5,801,094；5,821,469和5,948,570，这些专利的公开内容在此引用作为参考。图案转移方法的其它例子描述于Plenum出版社(1988)，Wayne Moreau的“半导体光刻技术、原理、实践和材料”的第12和13章中，其公开内容在此引用作为参考。应该理解本发明并不限于任何特定的光刻技术或器件结构。
本发明还涵盖了一种在基材上或在基材内形成材料结构的方法，该方法包括(A)提供基材，(B)将本发明的抗蚀剂组合物涂覆到该基材上，以在该基材上形成抗蚀剂层，(C)将基材以图案方式对照射曝光，由此在抗蚀剂层的曝光区域内，由抗蚀剂的照射敏感的酸产生剂产生酸，(D)通过去除抗蚀剂的照射曝光部分，使抗蚀剂层内的图案化抗蚀剂结构显影，和(E)通过将材料沉积到抗蚀剂结构图案中的间隔内的基材上或将材料注入抗蚀剂结构图案中的间隔内的基材内，将抗蚀剂结构图案转移到材料上。
优选地通过电镀法、化学气相沉积或者物理气相沉积法进行步骤(E)的沉积。步骤(E)中待沉积的材料优选选自有机电介质、金属、陶瓷和半导体。该方法可以包括其它步骤，如现有技术中已知的抗蚀剂层的提升(lift-off)或剥离。
下面举出的实施例仅是为了说明的目的，并不意味对本发明的范围的限制。
实施例1(比较)含有单碱(TBAH)的抗蚀剂通过使用部分保护的聚合物得到抗蚀剂配制物，在US专利5,919,597和6,037,097以及6,043,003中教导有这些聚合物的制备。保护程度约为25％。将在丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)溶剂中的聚合物与0.14wt％(相对于该聚合物)氢氧化四丁基铵(TBAH)和0.7wt％三苯基锍三氟甲磺酸盐(TPS-Tf)混合。该溶液中的总固体重量含量约为12％。石英晶片上的铬用作基材。这些购买自Hoya公司的晶片带有沉积在基材上的抗反射铬膜(AR3)，其在化学组成方面与通常在掩模空白处使用的含铬的层一样。将这些晶片在硫酸和过氧化氢的溶液中进行清洗，随后在115℃下脱水烘焙5分钟。将该抗蚀剂旋涂到石英晶片上的AR3铬上，随后在110℃下进行热板烘焙步骤1分钟。然后在75kv下，将此抗蚀剂对IBM制造的高透过量电子束照射体系曝光。在曝光后，使该抗蚀剂在用0.263N TMAH进行显影60秒之前，在室温下放置30分钟。得到的抗蚀剂分布在特征体之间具有显著数量的残留，并且该分布具有大量的起脚。
实施例2(比较)含室温固体单碱(DMAP)的抗蚀剂通过将如上所述的部分保护的聚合物与0.07wt％(相对于该聚合物)的N，N-二甲氨基吡啶(DMAP)和0.7wt％TPS-Tf混合，得到抗蚀剂配制物。该溶液中的总固体重量含量约为12％。如在实施例1中，在硫酸和过氧化氢的溶液中清洗石英晶片上的铬，并在115℃下脱水烘焙5分钟。将该抗蚀剂旋涂到石英晶片上的铬上，随后在110℃下进行热板烘焙步骤1分钟。然后在75kv下，将此抗蚀剂对I BM制造的高透过量电子束照射体系曝光。在曝光之后，使该抗蚀剂在用0.263NTMAH进行显影60秒之前，在室温下放置30分钟。得到的抗蚀剂分布相比于含TBAH碱的配制物，具有显著较少的残留，但是仍有一些起脚，和分布约略凹陷。
实施例3(比较)含液体低蒸气压单碱(TEA)的抗蚀剂通过将如上所述的部分保护的聚合物与0.08wt％(相对于该聚合物)的三乙醇胺(TEA)和0.7wt％TPS-Tf混合，得到抗蚀剂配制物。该溶液中的总固体重量含量约为12％。如在实施例1中，在硫酸和过氧化氢的溶液中清洗石英晶片上的铬，并在115℃下脱水烘焙5分钟。将该抗蚀剂旋涂到石英晶片上的铬上，随后在110℃下进行热板烘焙步骤1分钟。然后在75kv下，将此抗蚀剂对IBM制造的高透过量电子束照射体系曝光。在曝光之后，使该抗蚀剂在用0.263N TMAH进行显影60秒之前，在室温下放置30分钟。得到的抗蚀剂分布相比于含TBAH碱的配制物，具有显著较少的残留，并且与DMAP碱相比具有稍微较少的残留，但是仍有一些起脚，和分布约略咬边。
实施例4(比较)含室温固体碱和液体低蒸气压碱(DMAP和TEA)等摩尔混合物的抗蚀剂通过将如上所述的部分保护的聚合物与0.04wt％(相对于该聚合物)等于6.31E-3mol％的TEA、0.03wt％(相对于该聚合物)等于6.31E-3mol％的DMAP和0.7wt％TPS-Tf混合，得到抗蚀剂配制物。该溶液中的总固体重量含量约为12％。如在实施例1中，在硫酸和过氧化氢的溶液中清洗石英晶片上的铬，并在115℃下脱水烘焙5分钟。将该抗蚀剂旋涂到石英晶片上的铬上，随后在110℃下进行热板烘焙步骤1分钟。然后在75kv下，将此抗蚀剂对IBM制造的高透过量电子束照射体系曝光。在曝光之后，使该抗蚀剂在用0.263N TMAH进行显影60秒之前，在室温下放置30分钟。得到的抗蚀剂分布相比于含TBAH碱的配制物，具有显著较少的残留，与含TEA碱的配制物相似。相比于DMAP配制物，有更少的起脚。该分布呈现出与含TEA的配制物相似量的凹陷。
实施例5
含室温固体碱和液体低蒸气压碱(DMAP和TEA)的混合物、改变PAG(TPS-Tf)的荷载和不同的保护程度的抗蚀剂通过将如上所述处于多种保护程度下的部分保护的聚合物与多种用量(如下表所示)的TEA和DMAP及TPS-Tf混合，得到抗蚀剂配制物。该溶液中的总固体重量含量约为7.25％。AR3十字线板(reticleblank)用作基材。将此十字线板在硫酸和过氧化氢的溶液中进行清洗并在120℃下脱水烘焙9分钟。将该抗蚀剂旋涂到此十字线板上，随后在110℃下进行热板烘焙步骤260秒。然后在75kv下，将此抗蚀剂对IBM制造的高透过量电子束照射体系曝光。在曝光之后，使该抗蚀剂在用0.263N TMAH进行显影之前，在室温下放置30分钟。
实施例6(最佳配制物)含室温固体碱和液体低蒸气压碱(DMAP和TEA)的混合物的抗蚀剂通过将如上所述的具有22％保护程度的部分保护的聚合物与0.03wt％(相对于该聚合物)TEA、0.11wt％(相对于该聚合物)的DMAP和0.7wt％TPS-Tf混合，得到抗蚀剂配制物。该溶液中的总固体重量含量约为7.25％。将AR3十字线板在硫酸和过氧化氢的溶液中进行清洗，并在120℃下脱水烘焙9分钟。将该抗蚀剂旋涂到此十字线板上，随后在80℃下进行热板烘焙步骤600秒。然后在75kv下，将此抗蚀剂对IBM制造的高透过量电子束照射体系曝光。在曝光之后，使该抗蚀剂在用0.263N TMAH进行显影90秒之前，室温放置30分钟。得到的成像没有残留。该抗蚀剂起脚最小并且分布几乎垂直。
权利要求
1.化学放大的抗蚀剂组合物，该组合物包括a)成像聚合物，b)酸不稳定部分，c)照射敏感的酸产生剂，和d)碱添加剂组分，其中碱添加剂组分包括i)室温固体碱，和ii)液体低蒸气压碱。
2.权利要求1的组合物，其中上述低蒸气压碱在室温下具有约2mm的蒸气压。
3.权利要求1的组合物，其中上述低蒸气压碱在室温下具有约1mm的蒸气压。
4.权利要求1的组合物，其中上述固体碱选自芳族胺和咪唑。
5.权利要求1的组合物，其中上述低蒸气压碱选自三乙醇胺、1-萘胺、2-萘胺、二苯胺、N-乙酰苯胺、3，6，9-三氮杂十一亚甲基二胺、4，4′-丙烷-1，3-二基双吗啉和1，8-氮杂二环十一碳烯。
6.权利要求1的组合物，其中上述酸不稳定部分悬挂于上述成像聚合物。
7.权利要求1的组合物，其中上述酸不稳定部分选自缩醛部分和缩酮部分。
8.在基材上形成图案化材料结构的方法，该方法包括(A)提供带有上述材料层的基材，(B)将权利要求1-7中任一项的抗蚀剂组合物涂覆到该基材上，以在该基材上形成抗蚀剂层，(C)将该基材以图案方式对照射曝光，由此在该抗蚀剂层的曝光区域内，由照射敏感的酸产生剂产生酸，(D)通过去除该抗蚀剂的照射曝光部分，使该抗蚀剂层内的图案化抗蚀剂结构显影，和(E)通过穿过该抗蚀剂结构图案中的间隔而去除上述材料层部分，将抗蚀剂结构图案转移到上述材料层上。
9.权利要求8的方法，其中该材料选自有机电介质、金属、陶瓷和半导体。
10.权利要求8的方法，其中该酸不稳定保护基团是选自缩酮、缩醛和原酸酯的部分。
11.权利要求8的方法，其中步骤(E)的上述转移包括活性离子蚀刻。
12.权利要求8的方法，其中在上述材料层和上述抗蚀剂层之间提供至少一个中间层，并且步骤(E)包括通过上述中间层的蚀刻。
11.权利要求8的方法，其中上述抗蚀剂在步骤(C)和(D)之间进行热处理。
12.权利要求8的方法，其中在步骤(C)中使用的上述照射具有选自248nm、193nm、157nm、13.4nm、1.4nm和1.1nm的波长。
13.权利要求8的方法，其中在步骤(C)中使用的上述照射选自电子束和离子束。
14.权利要求8的方法，其中上述材料层包括含铬的组合物、SiON或TiN。
15.权利要求14的方法，其中上述材料层包括含铬的组合物。
16.在基材上形成材料结构的方法，该方法包括(A)提供基材，(B)将权利要求1-7中任一项的抗蚀剂组合物涂覆到该基材上，以在基材上形成抗蚀剂层，(C)将基材以图案方式对照射曝光，由此在抗蚀剂层的曝光区域内，由照射敏感的酸产生剂产生酸，(D)通过去除抗蚀剂的照射曝光部分，使抗蚀剂层内的图案化抗蚀剂结构显影，和(E)通过将材料沉积到基材上或将材料注入抗蚀剂结构图案中的间隔内的基材内，将抗蚀剂结构图案转移到材料上。
17.权利要求16的方法，其中通过电镀法、化学气相沉积或物理气相沉积法进行步骤(E)的上述沉积。
全文摘要
通过使用结合包括室温固体碱和液体低蒸气压碱的碱添加剂，获得即使在困难的基材上也具有良好起脚性能的抗蚀剂组合物。该组合物尤其在金属基材如通常用于掩模制造的含铬层上有用。
文档编号G03F7/20GK1914558SQ200480041556
公开日2007年2月14日 申请日期2004年2月11日 优先权日2004年2月11日
发明者W·M·莫罗, M·安耶洛普洛斯, 黄武松, D·R·梅代罗斯, K·E·波得里洛 申请人:国际商业机器公司