专利名称：特别用于制造电子微电路的成像或曝光设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及成像或曝光设备，更具体但不排外地涉及用于制造电子微电路的设备。
背景技术：
通过连续沉积导电的、半导体的或绝缘的材料层而在晶片上同时制造大批电子微电路是已知的，其中各层在经确定暴露哪些区域以便对这些区域进行化学蚀刻的掩模选择性曝光之后被化学蚀刻。
微电路中的每一部件都是通过在给定区域内叠加各相互接触的层来获得的。为了获得高部件密度以所制造的部件的恒定性能，就需要被连续使用的掩模图像呈现出高质量，即图像中的线路十分精密且畸变极小，从而能够将用于蚀刻每一层的连续图像十分精确地对准。
为制造电子微电路，已知使用包含发出辐射的辐射源、由要被复制的掩模形成的掩模原版(reticle)、安装在辐射源和光学投影系统之间用于对掩模原版下游的辐射成形的掩模的曝光设备，其中光学投影系统包含用于形成掩模原版图像的一系列反射镜和/或透镜。
若使用目前正在探寻的部件密度，则需要形成呈现出几十纳米的数量级的图像质量的图像，并且为了获得连续图像之间令人满意的对准，则畸变的数量级必需仅为几纳米。
若在光学器件中存在各种干扰因素，尤其是会在制造微电路的不同层时出现的温度变化，以及构成对光学系统的支承的材料的热膨胀系数，则只有在能够补偿光学投影系统的尺寸干扰的情况下才可能获得这一精确度。
美国专利文献US 2004/27632公开了一种成像或曝光设备，该设备包含发出辐射的辐射源；掩模原版，它被安装在辐射源和光学投影系统之间用于对掩模原版下游的辐射成形；光学投影系统，它含有用于形成掩模原版图像的一系列反射镜，其中光学投影系统的某些反射镜是包括连接至控制单元的变形件的可变形反射镜。
发明目的本发明的目的是提出一种能够改善对各种干扰效应的补偿的成像或曝光设备。
发明概述根据本发明，提出了属于以上指定的文献中所描述的类型的一种成像或曝光设备，其中控制单元与图像分析器相关联，用于主要根据相对于图像质量调整点的差异来变形所述可变形反射镜之一，并用于主要根据相对于图像畸变调整点的差异来变形另一可变形反射镜。
于是，对图像质量和图像畸变的独立分析和控制就使得在变形上述可变形反射镜以校正非分析差异时触发更精确的相应变形件控制信号成为可能。
根据本发明的优势方面，可变形反射镜之一被放置在所述光学投影系统的光瞳附近，而相应的变形件主要根据所述图像质量调整点来控制。较佳地，另一可变形反射镜是位于光学投影系统的光瞳与图像之间的中间反射镜，而其相应的变形件优选地主要根据所述图像畸变调整点来控制。
附图
简述本发明的其他特性和优点在阅读了以下参考唯一附图而对一具体、非限制性的本发明实施例的描述之后将变得显而易见，其中附图是本发明的曝光设备的图示。
发明的详细描述参考附图，曝光设备按传统的方式包括辐射源1，该辐射源1发出聚焦在掩模原版3上的辐射2。在用于呈现所定义的种类的图像质量的电子微电路的实施例中，辐射1优选地是具有远紫外区波长(例如，13纳米(nm)波长)的辐射，而掩模原版则由定义要在暴露的各层上制造的微电路的掩模组成。
同样按传统方式，穿过掩模原版3或由其反射的辐射通过整体予以参考的光学投影系统4，该系统在此示例中包括在要被暴露的物品6(例如，硅晶片)上形成图像5的一系列反射镜。
在示出的本发明实施例中，光学投影系统4包括刚性结构的第一反射镜7，它将来自掩模原版3的辐射2朝着同样为刚性结构的第二反射镜8反射。按照传统的方式，反射镜7和8由镜片组成，它们都具有绕光学投影系统的光轴9旋转的曲面。
在反射镜8下游的辐射2的路径上，光学投影系统4包括放置在光学投影系统的光瞳附近的第一可变形反射镜10，(其中“光瞳”是本领域普通技术人员能够理解的术语)。在光学反射镜10的下游，光学投影系统4具有第二可变形反射镜11。
可变形反射镜10具有变形件12，而可变形反射镜11具有变形件13。变形件12和13连接至用于单独控制变形件12和13的每一个的控制单元14。控制单元14接收来自被放置以在图像5形成时或形成之后立即对该图像做出分析的图像分析器15的信息。
控制件14接收图像质量调整点和图像的畸变。在曝光期间，在扫描仪型光刻机内，在掩模原版3和辐射源1之间进行相对运动以扫描形成掩模原版3的掩模。并行地，移动晶片6以实现要在晶片6上形成的图像5的相应扫描。形成的实际图像5由图像分析器15分析。当控制件14观测到在应当获得的理想图像与分析器15观测到的图像之间的差异时，该控制件14就出于校正观测差异的目的，使用逆向优化算法来生成指令，这些指令传输至变形件12和13以使得可变形反射镜10和11变形。
优选地，在本发明中，置于光学投影系统4的光瞳处的可变形反射镜10主要根据图像质量调整点来控制，而中间的可变形反射镜11则主要根据图像畸变调整点来控制，这样就能够更容易地分开校正以便获取更佳的整体效果。
为了避免可变形反射镜中过快的波动，优选地用1赫兹(Hz)以下的速率来控制变形件。
自然地，本发明不限于示出的实施例，并且包含本领域普通技术人员显见的不同实施例而不背离由权利要求书定义的本发明的范围。
更具体地，虽然实施例中描述的光学投影系统4仅具有四面反射镜，但是光学投影系统可以具有数目更多的反射镜，例如六面反射镜，并且可以在某些反射镜之间插入透镜。
当光学投影系统在位于该系统的光瞳处的反射镜下游具有多个反射镜时，优选地将第二可变形反射镜放置在紧接图像5的上游。
虽然示出的优化设备仅包括可变形反射镜10和11的变形，但是也可使其他部件(反射镜或透镜)在六个可能自由度上平移和旋转。
虽然在示出的实施例中，图像分析器15被放置用于执行图像5的后验分析，但是当光学配置允许时，也可以使图像质量和图像畸变信息由置于图像5上游的辐射路径上恰当位置(即，当正生成图像时)处的传感器来拾取。
虽然参考了对电子微电路晶片的曝光更具体地描述了本发明，但是本发明能够应用于任何曝光或任何类型的成像。
权利要求
1.一种成像或曝光设备，包括发出辐射(2)的辐射源(1)；掩模原版(3)，它被安装在所述辐射源和光学投影系统(4)之间，用于对所述掩模原版(3)下游的辐射成形；所述光学投影系统(4)，它包括用于形成所述掩模原版(3)的图像(5)的一系列反射镜(7，8，10，11)，所述光学投影系统(4)的至少两个反射镜(10，11)是包括连接至控制单元(14)的变形件(12，13)的可变形反射镜，所述设备的特征在于所述控制单元与图像分析器(15)相关联，用于主要根据相对于图像质量调整点的差异来变形所述可变形反射镜之一(10)，并用于主要根据相对于图像畸变调整点的差异来变形另一可变形反射镜。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述可变形反射镜之一(10)被放置在所述光学投影系统(4)的光瞳处。
3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，被放置在所述光学投影系统(4)的光瞳处的所述可变形反射镜(10)的变形件(12)主要根据所述图像质量调整点来控制。
4.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述可变形反射镜之一(11)是位于所述光学投影系统的光瞳与所述图像(5)之间的中间反射镜。
5.如权利要求4所述的设备，其特征在于，所述中间反射镜(11)主要根据所述图像畸变调整点来控制。
6.如权利要求4所述的设备，其特征在于，所述中间可变形反射镜(11)被紧接地放置在所述图像(5)的上游。
7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述变形件(12，13)以1Hz以下的速率来控制。
全文摘要
成像或绝缘设备包括辐射源(1)；掩模原版(3)，它被安装在辐射源和光学成形设备之间，用于位于掩模原版下游的辐射；所述光学成形设备(4)，它包括一系列反射镜(7，8，10，11)，其中的至少两个反射镜(10，11)是包含连接至控制单元(14)的变形件(12，13)的可变形反射镜，该控制单元(14)与图像分析器(15)相关联，以确保对上述可变形反射镜的分别根据相对于图像质量调整点的差异以及根据相对于图像畸变调整点的差异的独立变形。
文档编号G02B13/14GK101048692SQ200580036770
公开日2007年10月3日 申请日期2005年10月25日 优先权日2004年10月27日
发明者R·海尔 申请人:萨甘安全防护公司