专利名称：薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，更特别地涉及一种适于防止图像质量恶化的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
背景技术：
液晶显示器件利用电场来控制液晶的透光率，从而显示图像。根据驱动液晶的电场方向，液晶显示器件可大致划分为垂直电场施加型和水平电场施加型。
垂直电场施加型液晶显示器件在形成于相对设置在上、下基板上的像素电极和公共电极之间的垂直电场作用下以TN(扭曲向列)模式驱动液晶。垂直电场施加型液晶显示器件具有大孔径比的优点，但同时具有约为90的度窄视角的缺陷。
水平电场施加型液晶显示器件在形成于相互平行设置在下基板上的像素电极和公共电极之间的水平电场作用下以共平面开关(以下，称为“IPS”)模式驱动液晶。IPS模式的液晶显示器件具有约为160度的宽视角优点。
以下，将详细描述水平电场施加型液晶显示器件。
图1是表示现有技术的水平电场施加型液晶显示器件的薄膜晶体管阵列基板的平面图，图2是沿着图1中剖面线I-I’，II-II’和III-III’的薄膜晶体管阵列基板截面图。
参照图1和图2，现有技术的水平电场施加型液晶显示器件的薄膜晶体管(下文中，称为“TFT”)阵列基板包括以相互交叉的方式形成在下基板42上的栅线2和数据线4，并在其间具有栅绝缘膜44，形成在栅线2和数据线4的每个交叉处的TFT 6，设置像素电极18和公共电极22以对具有栅线2和数据线4交叉结构的像素区域提供水平电场，以及与公共电极22相连的公共线20。并且，TFT阵列基板包括与栅线2连接的栅焊盘26和与数据线4连接的数据焊盘34。
TFT 6包括与栅线2连接的栅极8，与数据线4连接的源极10，与像素电极18连接的漏极12以及用于在源极10和漏极12之间形成沟道的有源层14。有源层14形成为重叠于下数据焊盘电极36，数据线4，源极10和漏极12。在有源层14上进一步形成用于与源极10和漏极12进行欧姆接触的欧姆接触层48。这样，薄膜晶体管6响应施加在栅线2上的栅信号以将施加在数据线4上的像素电压信号充入并保持在像素电极18中。
像素电极18经贯穿保护膜50的第一接触孔16与TFT 6的漏极12相连。该像素电极18包括与漏极12相连并与相邻栅线2平行的的第一水平部分18a和第二水平部分18b，以及形成于第一水平部分18a和第二水平部分18b之间的指状部分18c。
公共线20以与栅线2平行的方式形成，并向公共电极22提供用于驱动液晶的基准电压。
公共电极22包括与公共线20平行的水平部分22a，以及以沿着像素电极18的指状部分18c提供水平电场的方式形成于水平部分22a和公共线20之间的垂直部分22b。
因此，如果经TFT将像素电压信号施加给像素电极18，并且经公共线20将基准电压施加给公共电极22，则在像素电极18的指状部分18c与公共电极22的垂直部分22b之间形成水平电场。液晶显示器件由于介电各向异性将位于薄膜晶体管阵列基板和滤色片阵列基板之间的液晶旋转，并将通过像素电极18由背光(未图示)输入的光向上基板传送，从而显示图像。
栅线2经棚焊盘26与栅驱动器(未图示)连接。栅焊盘26由从栅线2延伸的下栅焊盘电极28，以及通过贯穿栅绝缘膜44和保护膜50的第二接触孔30与下栅焊盘电极28连接的上栅焊盘电极32组成。
数据线4经数据焊盘34与数据驱动器(未图示)连接。数据焊盘34由从数据线4延伸的下数据焊盘电极36，以及通过贯穿保护膜50的第三接触孔38与下数据焊盘电极36连接的上数据焊盘电极40组成。
具有这样结构的TFT阵列基板通过4轮掩模工序形成。以下将通过附图描述该工序。
首先，在第一掩模工序中形成包括栅线2，栅极8，下栅焊盘电极28，公共线20和公共电极22的栅图案。包括有源层14和欧姆接触层48，以及诸如下数据焊盘电极36和源极10和漏极12等的源/漏图案的半导体图案在第二掩模工序中顺序地形成于整体设置在下基板42上的栅绝缘膜44上。包括第一到第三接触孔16，30和38的保护膜50形成于第三掩模工序中。像素电极18，上栅焊盘电极32和上数据焊盘电极40形成于第四掩模工序。
在这样的现有技术的TFT阵列基板的制造方法中，源/漏图案和半导体图案通过衍射掩模同时形成，从而有源层14和欧姆接触层48的线宽比源极10和漏极12的线宽更宽。
以下将参照顺序地表示第二掩模工序部分的图3A到3E做出详细描述。
参照图3A，栅绝缘膜44，非晶硅层14a，由n+杂质掺杂的非晶硅层47a，源/漏金属层10a和光刻胶55顺序地形成于具有栅图案的下基板42上，所述栅图案包括由诸如PECVD和溅射等沉积技术形成的栅极8，栅线(未图示)和栅焊盘。并且，屏蔽部分形成于具有源极10和漏极12的区域，以及将在薄膜晶体管沟道区域具有衍射曝光部分的衍射曝光掩模对准下基板42。
接下来，如图3B所示，具有阶梯覆盖的光刻胶图案55a通过使用第二掩模的光刻工序形成于源/漏金属层10a上。在这种情况下，第二掩模应用在对应于TFT 6的沟道的区域具有衍射曝光部分的衍射曝光掩模，从而，形成于TFT 6沟道处的光刻胶图案55a具有比形成于源/漏图案上的光刻胶图案55a更低的高度。
接下来，如图3C所示，通过使用光刻胶图案55a作为掩模的湿刻工序对源/漏金属层10a进行构图，从而将包括完整的数据线4，源极10和漏极12的源/漏图案提供给源极10。
并且，通过同时使用相同的光刻胶图案55a的干刻工序对非晶硅层48a进行构图，从而形成包括欧姆接触层48和有源层14的半导体图案。
接下来，进行灰化工序，如图3D所示，将在TFT 6的沟道具有相对较低高度的光刻胶图案55a部分去除，从而形成用于暴露对应于TFT 6的沟道的源/漏金属的光刻胶图案55a。
这里，使用O2和SF6的比率为20∶1的灰化气体。但是，如果光刻胶图案55a由该灰化气体灰化，那么光刻胶图案55a的厚度以及光刻胶图案55a的边缘A将部分地去除。因此，经过灰化工序的光刻胶图案55a暴露出源/漏金属层10a的边缘。
并且随后，由残留的光刻胶图案55a暴露出的TFT 6的沟道的源/漏图案和欧姆接触层48通过干刻工序蚀刻。这样，对有源层14进行曝光从而将源极10与漏极12分离。这里，形成TFT 6的沟道并且对源/漏金属层10a的边缘A进行蚀刻，从而有源层14和欧姆接触层48的线宽比源/漏图案的线宽更宽。
残留在源/漏图案上的光刻胶图案55a通过剥离工序去除，从而形成源极10和漏极12，以及位于源极10和漏极12更下部分的欧姆接触层48和有源层14。
现有技术的TFT阵列基板的制造方法利用衍射曝光掩模作为第二掩模来同时形成半导体图案，源极10和漏极12，从而有源层14和欧姆接触层48的线宽比源极10和漏极12的线宽更宽。
因此，屏蔽了不存在光的诸如栅极8和栅线2等的薄膜图案的区域位于形成在源极10和漏极12更低部分的有源层14的更低部分，从而由背光发射的光直接照射到有源层14。
这里，如果进行光照，则有源层14被照射光激活而形成沟道，从而电流流入TFT 6。特别地，如果形成于TFT 6的下漏极12上的有源层14被照射光激活，则在TFT 6未由栅信号启动的情况下，TFT 6经激活的有源层14形成沟道。也就是说，TFT 6形成与TFT阵列基板的驱动无关的沟道。因此，通过该与TFT阵列基板的驱动无关的沟道流入像素电极18的电流在液晶显示器件中会泄漏。因此，液晶显示器件的图像质量由于电流的泄漏而恶化。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，其适于防止图像质量的恶化。
为了实现本发明的这些及其它目的，根据本发明的实施方式的薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括以下步骤将透明导电材料和金属材料顺序地设置在基板上；第一掩模工序，其用于对所述的透明导电材料和金属材料进行构图以形成栅金属图案，该栅金属图案包括设置有透明导电材料和金属材料的双层结构的栅线，与该栅线连接的薄膜晶体管的栅极，从所述栅线延伸的栅焊盘，与栅线平行的公共线，以及垂直延伸于公共线并形成指状结构的公共电极，并且形成由透明导电材料构成并沿着公共电极形成水平电场的像素电极；将第一绝缘材料，第一半导体材料和第二半导体材料顺序地沉积在具有栅金属图案和像素电极的基板上；第二掩模工序，其用于对所述第一绝缘材料，第一半导体材料和第二半导体材料进行构图以形成具有暴露出像素电极的第一接触孔的栅绝缘膜，由与栅极重叠的栅绝缘膜上的第一半导体材料构成的有源层，以及由有源层上的第二半导体材料构成的欧姆接触层；将源/漏金属材料设置在具有第一接触孔，有源层和欧姆接触层的基板上；第三掩模工序，其用于对源/漏金属材料进行构图以形成数据金属图案，该数据金属图案包括与栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜的数据线，通过第一接触孔与像素电极接触的薄膜晶体管的漏极，与漏极分离并在其间具有薄膜晶体管的沟道的薄膜晶体管的源极以及从栅线延伸的数据焊盘；在具有数据金属图案的下基板上整体镀上第二绝缘材料；以及第四掩模工序，其用于对第二绝缘材料进行构图以形成暴露出栅焊盘的第二接触孔和暴露出数据焊盘的第三接触孔。
第一掩模是半透射掩模，其屏蔽部分形成于与具有栅金属图案的区域相对应的区域，并且其半透射部分形成于与具有像素电极的区域相对应的区域。
第二掩模是半透射掩模，其屏蔽部分形成于与具有有源层和欧姆接触层的区域相对应的区域，并且其半透射部分形成于与除了具有有源层，欧姆接触层和第一接触孔以外的具有栅绝缘膜的区域相对应的区域。
有源层形成区域与形成栅极的区域相同或窄于形成栅极的区域。
第三掩模工序进一步包括去除薄膜晶体管的沟道部分的欧姆接触层的步骤。
第四掩模工序进一步包括去除第三接触孔处的第一绝缘材料的步骤。
根据本发明另一个实施方式的薄膜晶体管阵列基板包括栅线，其具有在基板上设置透明导电层和金属层的双层结构；数据线，其与栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜；公共电极，其包括与栅线平行并设置有透明导电层和金属层的双层结构的公共线，并且具有垂直延伸于公共线并到达由栅线和数据的交叉点限定的像素区域的指状部分；像素电极，其具有在像素区域沿着公共电极形成水平电场的指状部分，并且由透明导电层构成；薄膜晶体管，其具有与栅线连接的薄膜晶体管的栅极，与数据线连接的薄膜晶体管的源极，薄膜晶体管的漏极，其与源极不连接并在其与薄膜晶体管之间具有沟道，并通过暴露出像素电极的第一接触孔与像素电极连接，以及岛状的有源层，其用于形成薄膜晶体管的沟道并形成于与栅极重叠的区域的栅绝缘膜上；以及保护膜，其用于覆盖数据线，源极和漏极。
在薄膜晶体管阵列基板中，所述有源层形成区域与形成栅极的区域相同或窄于形成栅极的区域。
在薄膜晶体管阵列基板中，进一步包括欧姆接触层，其用于对岛状的有源层上的源极和漏极进行欧姆接触。
在薄膜晶体管阵列基板中，在薄膜晶体管的沟道将所述欧姆接触层去除。
在薄膜晶体管阵列基板中，进一步包括从栅线延伸的栅焊盘；以及从数据线延伸的数据焊盘。
在薄膜晶体管阵列基板中，进一步包括穿过栅绝缘膜和保护膜而暴露出栅焊盘的第二接触孔；以及穿过保护膜而暴露出数据焊盘的第三接触孔。
包含用来提供本发明进一步理解并结合进来组成本申请一部分的附图，其示出了本发明的实施方式，并和说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中图1是表示现有技术的水平电场施加型液晶显示器件的薄膜晶体管阵列基板的平面图；图2是沿着图1中剖面线I-I’，II-II’和III-III’的薄膜晶体管阵列的截面图；图3A到3E是按步骤顺序地表示现有技术的薄膜晶体管阵列基板的第二掩模工序部分的截面图；图4是表示根据本发明的实施方式的薄膜晶体管阵列基板的平面图；图5是沿着图4中剖面线IV-IV’，V-V’和VI-VI’的薄膜晶体管阵列基板的截面图；图6A到6D是按步骤顺序地表示本发明的实施方式的薄膜晶体管阵列基板的制造方法的截面图；图7A到7E是按步骤顺序地表示本发明的第一掩模工序的截面图；图8A到8E是按步骤顺序地表示本发明的第二掩模工序的截面图。
具体实施例方式
下面详细参考本发明的优选实施方式，在附图中示出其实施例。尽可能，在整个附图中对于相同或者相似的部件使用同样附图标记。
以下，将参照图4到图8E对本发明的优选实施方式做出详细说明。
图4是表示根据本发明的实施方式的薄膜晶体管阵列基板的平面图，图5是沿着图4中剖面线IV-IV’，V-V’和VI-VI’的薄膜晶体管阵列基板的截面图。
参照图4和图5，根据本发明的实施方式的水平电场施加型液晶显示器件的TFT阵列基板包括以相互交叉的方式形成在下基板142上的栅线102和数据线104，并在其间具有栅绝缘膜144，形成在栅线102和数据线104的每个交叉处的TFT 106，在具有栅线102和数据线104的交叉结构的像素区域形成水平电场的像素电极118和公共电极122，以及与公共电极122连接的公共线120。并且，TFT阵列基板包括与栅线102连接的栅焊盘26和与数据线104连接的数据焊盘134。
TFT 106包括与栅线102连接并且设置有透明导电层101和金属层103的栅极108，与数据线104连接的源极110，与像素电极118连接的漏极112，以及在源极110和漏极112之间形成沟道并且在与栅极108重叠的区域上为岛状的有源层114。在岛状的有源层114上进一步形成有对源极110和漏极112进行欧姆接触的欧姆接触层148。该薄膜晶体管106响应施加在栅线102上的栅信号将施加在数据线104上的像素电压信号充入并保持在像素电极118中。
像素电极118经贯穿于栅绝缘膜144的第一接触孔116与TFT 106的漏极112相连。该像素电极118由与栅线102平行的方式形成的水平部分118a，以及从水平部分118a延伸的指状部分118c所组成。
公共线120平行于栅线102，并将用于驱动液晶的基准电压提供给公共电极122。在公共线120上设置透明导电层101和金属层103。
公共电极122垂直延伸于公共线120并进入像素区域，从而沿着像素电极118的指状部分118c形成水平电场。
因此，如果经TFT将像素电压信号施加给像素电极118，并且经公共线120将基准电压施加给公共电极122，则在像素电极118的指状部分118c与公共电极122之间形成水平电场。液晶显示器件由于介电各向异性而将位于薄膜晶体管阵列基板和滤色片阵列基板之间的液晶旋转，并将通过像素电极118由背光(未图示)输入的光向上基板传送，从而显示图像。
在栅线102上设置透明导电层101和金属层103，并通过栅焊盘126与栅驱动器(未图示)连接。栅焊盘126包括从栅线102延伸的栅焊盘电极128，并通过贯穿栅绝缘膜144和保护膜150的第一接触孔130与栅驱动器连接。
数据线104通过数据焊盘134与数据驱动器(未图示)连接。数据焊盘134包括从数据线104延伸的数据焊盘电极136，并经贯穿于保护膜150的第三接触孔138与数据驱动器连接。
以下，将参照图6A到6D描述根据本发明的实施方式的TFT阵列基板的制造方法。
参照图6A，根据本发明的实施方式的TFT阵列基板的制造方法中，透明导电材料和栅金属材料通过第一掩模工序整体设置在下基板142上，并且随后通过光刻工序和蚀刻工序进行构图，从而形成包括设置有透明导电层101和金属层103的栅线102，栅极108，栅焊盘电极128，公共线20和公共电极22的栅图案，以及由透明导电层101构成的像素电极118。
第一掩模是半透射掩模。这里，该半透射掩模由位于与具有栅图案的区域相对应区域的屏蔽部分，位于与具有公共电极122和像素电极118的区域相对应区域的半透部分，以及位于除了以上所述部分以外区域的透过部分组成。
接下来，如图6B所示，将绝缘材料整体镀在具有栅图案和像素电极118的下基板142上，以及通过第二掩模工序将非晶硅层和n+杂质掺杂的非晶硅层顺序地整体形成，并随后由光刻工序和蚀刻工序进行构图，从而形成通过第一接触孔116暴露出像素电极118的栅绝缘膜144，在重叠于栅极108以岛状形成于与重叠区域的有源层114，以及欧姆接触层148。在这种情况下，有源层114和欧姆接触层148具有与栅极108相同或者比栅极108更窄的宽度。
第二掩模是半透射掩模。这里，该半透射掩模由位于与具有有源层114和欧姆接触层148的区域相对应区域的屏蔽部分，位于与具有暴露出像素电极118的第一接触孔116的区域相对应区域的半透部分，以及位于除了以上所述部分以外区域的透过部分组成。
接下来，如图6C所示，通过第三掩模工序将源/漏金属材料整体设置于具有岛状的有源层114和欧姆接触层148的下基板142上，并且随后由光刻工序和蚀刻工序进行构图，从而形成数据线104，源极110，漏极112，以及数据焊盘电极136。在这种情况下，漏极112通过第一接触孔116与像素电极连接。
接下来，如图6D所示，通过第四掩模工序来整体形成绝缘材料，并且随后由光刻工序和蚀刻工序进行构图，从而形成包括用于暴露出栅焊盘电极128的第二接触孔130和用于暴露出数据焊盘电极136的第三接触孔138的保护膜150。并且通过第四掩模工序，对第二接触孔130和第三接触孔138的栅绝缘膜144进行构图，从而暴露出栅焊盘电极128和数据焊盘电极134，并且暴露出的栅焊盘电极128和数据焊盘电极134分别与栅驱动器和数据驱动器(未图示)连接。
如上所述，根据本发明实施方式的TFT阵列基板的制造方法利用第二掩模工序在与栅极108重叠的区域形成岛状的有源层114和欧姆接触层148，以及利用不同于第二掩模工序的第三掩模工序来形成源极110和漏极112。因此，栅极108屏蔽了从背光发射的光，从而不能将光直接照射到本发明的TFT阵列基板的有源层114上。因此，TFT 106不考虑TFT阵列基板的驱动时不会形成沟道，从而TFT阵列基板可以消除充入像素电极118的像素电压信号的泄漏。结果，TFT阵列基板可以防止液晶显示器件图像质量的恶化。
以下，将参照图7A到图8E详细本发明的第一掩模和第二掩模工序。
参照图7A，第一掩模工序使用诸如溅射等的沉积技术在下基板142上顺序地设置透明导电材料101a和金属材料103a。
并且，将半透射掩模对准下基板142。这里，该半透射掩模是由位于与具有包括栅线(未图示)，栅极108，栅焊盘电极128，公共线120和公共电极122的栅金属图案的区域相对应区域的屏蔽部分，位于与具有像素电极118的区域相对应区域的半透部分组成。
并且随后，如图7B所示，具有阶梯覆盖的光刻胶图案155a通过使用第一掩模的光刻工序形成于金属材料103a上。在这种情况下，形成于像素电极118上的光刻胶图案155a比形成于栅金属图案上的光刻胶图案155a具有更小的高度。
接下来，如图7C所示，透明导电材料101a和金属材料103a通过使用光刻胶图案155a作为掩模的湿刻工序进行构图，从而形成像素电极118。并且，如图7D所示，在像素电极118上具有相对较低高度的光刻胶图案通过使用O2等离子的灰化工序来去除，从而暴露出形成于像素电极118上的金属材料103a，并形成其高度在具有栅金属图案的区域被降低的光刻胶图案155b。
接下来，如图7E所示，暴露出的金属材料通过使用其高度已降低的光刻胶图案155b作为掩模的湿刻工序进行构图，从而形成栅图案。
并且，残留在栅金属图案上的光刻胶图案155b通过剥离工序来去除，从而形成栅线(未图示)，栅极108，栅焊盘电极128，公共线120和公共电极。
另外，如图8A所示，本发明的第二掩模工序将栅绝缘膜144a整体形成于具有栅图案和像素电极118的下基板142上，并且非晶硅层114a和n+杂质掺杂的非晶硅层148a通过诸如PECVD和溅射等沉积技术顺序地设置在栅绝缘膜144a上。
并且，将半透射掩模对准下基板142。这里，该半透射掩模是由位于与具有包括有源层114和欧姆接触层148的半导体图案的区域相对应区域的屏蔽部分，以及位于与除了第一接触孔116以外的具有栅绝缘膜144的区域相对应区域的半透部分组成。
并且随后，如图8B所示，通过使用第二掩模的光刻工序在栅绝缘膜144a上形成具有阶梯覆盖的光刻胶图案165a。在这种情况下，形成于除了第一接触孔116的栅绝缘膜144上的光刻胶图案165a具有比形成于半导体图案上的光刻胶图案165a更小的高度。
接下来，如图8C所示，通过使用光刻胶图案165a作为掩模的干刻工序来形成第一接触孔116。并且，如图8D所示，通过使用O2等离子的灰化工序去除在除了第一接触孔116的栅绝缘膜144上的具有相对较低高度的光刻胶图案，从而形成高度被降低为半导体图案区域的光刻胶图案165b。
并且，如图8E所示，非晶硅层114a和n+杂质掺杂的非晶硅层148a使用已降低高度的光刻胶图案165b作为掩模的干刻工序进行构图，从而形成半导体图案。
并且，通过剥离工序去除残留在半导体图案上的光刻胶图案165b，从而形成有源层114和欧姆接触层148。
如上所述，根据本发明的实施方式的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法使用第二掩模工序在与栅极重叠的区域形成岛状的有源层和欧姆接触层，并使用不同于第二掩模工序的第三掩模工序形成源极和漏极。因此，像素电极屏蔽了从背光发射的光从而将光不照射到本发明的TFT阵列基板的有源层上。因此，TFT不考虑TFT阵列基板的驱动时不会形成沟道，从而TFT阵列基板可以消除充入像素电极的像素电压信号的泄漏。结果，TFT阵列基板可以防止液晶显示器件图像质量的恶化。
虽然本发明如上述附图中所示的实施方式所阐明，但应该理解对于熟悉本领域的技术人员来说，本发明并不限于这些实施方式，相反地对可以对本发明进行改进和修改而不会偏离本发明的构思或范围。因此，本发明意欲覆盖所附权利要求及其等同范围内对本发明所规定的所有改进和变形。
权利要求
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括步骤将透明导电材料和金属材料顺序设置在基板上；第一掩模工序，用于对所述的透明导电材料和金属材料进行构图以形成栅金属图案，该栅金属图案包括设置有透明导电材料和金属材料的双层结构的栅线，与该栅线连接的薄膜晶体管的栅极，从所述栅线延伸的栅焊盘，与栅线平行的公共线，以及垂直延伸于公共线并形成指状结构的公共电极，并且形成由透明导电材料构成并沿着公共电极形成水平电场的像素电极；将第一绝缘材料，第一半导体材料和第二半导体材料顺序设置在具有栅金属图案和像素电极的基板上；第二掩模工序，其用于对所述第一绝缘材料，第一半导体材料和第二半导体材料进行构图以形成具有暴露出像素电极的第一接触孔的栅绝缘膜，由与栅极重叠的栅绝缘膜上的第一半导体材料构成的有源层，以及由有源层上的第二半导体材料构成的欧姆接触层；将源/漏金属材料设置在具有第一接触孔，有源层和欧姆接触层的基板上；第三掩模工序，其用于对源/漏金属材料进行构图以形成数据金属图案，该数据金属图案包括与栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜的数据线，通过第一接触孔与像素电极接触的薄膜晶体管的漏极，与漏极分离并在其间具有薄膜晶体管的沟道的薄膜晶体管的源极以及从栅线延伸的数据焊盘；在具有数据金属图案的下基板上整体镀上第二绝缘材料；以及第四掩模工序，其用于对第二绝缘材料进行构图以形成暴露出栅焊盘的第二接触孔和暴露出数据焊盘的第三接触孔。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，其中所述第一掩模是半透射掩模，其屏蔽部分形成于与具有栅金属图案的区域相对应的区域，并且其半透射部分形成于与具有像素电极的区域相对应的区域。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，其中所述第二掩模是半透射掩模，其屏蔽部分形成于与具有有源层和欧姆接触层的区域相对应的区域，并且其半透射部分形成于与除了具有有源层、欧姆接触层和第一接触孔以外的具有栅绝缘膜的区域相对应的区域。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述有源层形成区域与形成栅极的区域相同或窄于形成栅极的区域。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第三掩模工序进一步包括去除薄膜晶体管的沟道部分的欧姆接触层的步骤。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述的第四掩模工序进一步包括去除第三接触孔处的第一绝缘材料的步骤。
7.一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅线，其具有在基板上设置透明导电层和金属层的双层结构；数据线，其与栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜；公共电极，其包括与栅线平行并设置有透明导电层和金属层的双层结构的公共线，并且具有垂直延伸于公共线并到达由栅线和数据的交叉点限定的像素区域的指状部分；像素电极，其具有在像素区域沿着公共电极形成水平电场的指状部分，并且由透明导电层构成；薄膜晶体管，其具有与栅线连接的薄膜晶体管的栅极，与数据线连接的薄膜晶体管的源极，薄膜晶体管的漏极，其与源极不连接并在其与薄膜晶体管之间具有沟道，并通过暴露出像素电极的第一接触孔与像素电极连接，以及岛状的有源层，其用于形成薄膜晶体管的沟道并形成于与栅极重叠的区域的栅绝缘膜上；以及保护膜，其用于覆盖数据线，源极和漏极。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有源层形成区域与形成栅极的区域相同或窄于形成栅极的区域。
9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，进一步包括欧姆接触层，其用于对岛状的有源层上的源极和漏极进行欧姆接触。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，在薄膜晶体管的沟道将所述欧姆接触层去除。
11.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，进一步包括从栅线延伸的栅焊盘；以及从数据线延伸的数据焊盘。
12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，进一步包括穿过栅绝缘膜和保护膜而暴露出栅焊盘的第二接触孔；以及穿过保护膜而暴露数据焊盘的第三接触孔。
全文摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括具有双层结构的栅线；与栅线交叉的数据线；公共电极，其包括公共线以及垂直延伸于公共线并到达像素区域的指状部分；具有指状部分的像素电极；薄膜晶体管，其具有栅极、源极、漏极和岛状的有源层；以及用于覆盖数据线、源极和漏极的保护膜。
文档编号G02F1/136GK1992236SQ20061014526
公开日2007年7月4日 申请日期2006年11月24日 优先权日2005年12月29日
发明者林柄昊 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社