感光性树脂组合物及感光性转印薄膜以及图案形成方法

专利名称：：感光性树脂组合物及感光性转印薄膜以及图案形成方法
技术领域：
：本发明涉及一种适合于干膜抗蚀剂(dryfilmresist)(DFR)的感光层的形成的感光性树脂组合物、具有利用该感光性树脂组合物形成的感光层的感光性转印薄膜，以及使用该感光性转印薄膜的图案形成方法。
背景技术：
：过去，在形成图案时，使用的是通过在支撑体上涂布感光性树脂组合物进行干燥后形成感光层的感光性转印薄膜。作为所述图案的形成方法，例如在形成所述图案的镀铜叠层板等的基体上，使用所述感光性转印薄膜形成感光层，对该感光层进行曝光，曝光后使所述感光层显影形成图案，进行蚀刻，然后形成上述永久图案。在所述图案的形成中，作为组合基板的制作方法，已知有采用了在各层必要部分形成导通孔(ViaHole)的InterstitialViaHole(局部层间导通孔)(IVH)结构的Anylayer(全层)IVH(ALIVH)方式之类的方法。在该方法中，在100pm左右的极薄的芳香族聚酰胺树脂上涂敷铜，因此在其他方法中，12^m左右的凹凸变大而成为12pm左右，要求得到的基板上的抗蚀剂具有随动性。另一方面，在所述图案的形成中，感光层的剥离片等引起的装置的污染或析像度的降低成为大问题。例如，在具有穿通孔或导通孔等孔部的印刷线路板等在多个孔部已开口的基体上层叠感光层的情况下，在该感光层曝光之后，如果为了显影而从该感光层剥离支撑体，则在所述基体的孔部附近，感光层未固化的未曝光部分附着于支撑体上，进而发生断裂并从基体剥离之类的所谓未曝光膜破裂。所以，有时发生从所述感光层剥离的微小剥离片污染装置或者使图案的析像度降低等问题。针对该问题，为了防止显影浮渣、改善剥离性，提出了将单官能单体用作干膜抗蚀剂(DFR)的材料的方法(参照专利文献1及专利文献2等)，或者调整粘合剂的酸值、玻璃化转变温度(Tg)、I/O值等的方法，但如果利用所述专利文献1及2，则存在显影性变差的问题。这样，出现了通过改善抗蚀剂的剥离性而使显影性等其他性能降低的问题。因而，目前尚未提供在基板上的抗蚀剂的随动性良好且可以同时实现出色的显影性和抗蚀剂剥离时的剥离片的微细化的感光性树脂组合物，具有利用该感光性树脂组合物形成的感光层的感光性转印薄膜，以及使用该感光性转印薄膜的可以形成高精细的图案的图案形成方法，需要进一步改良开发。专利文献l:特开2003—330189号公报专利文献2:特开2003—345005号公报
发明内容本发明正是鉴于这种现状而提出的，其课题在于解决以往的所述各问题并实现以下目的。即，本发明的目的在于提供一种在基板上的抗蚀剂的随动性良好且可以同时实现出色的显影性和抗蚀剂剥离时的剥离片的微细化的感光性树脂组合物，具有利用该感光性树脂组合物形成的感光层的感光性转印薄膜，以及使用该感光性转印薄膜的可以形成高精细的图案的图案形成方法。本发明人等鉴于所述课题进行了潜心研究，结果得到以下见解。艮P，通过使含有粘合剂、聚合性化合物以及光聚合引发剂而成的感光性树脂组合物的熔融粘度在50。C下为40,000120,000Pas，在70。C下为5，00020,000Pa可以形成在基板上的抗蚀剂的随动性良好且可以同时实现出色的显影性和抗蚀剂剥离时的剥离片的微细化的感光层。本发明是基于本发明人等的所述见解而提出的，作为用于解决所述课题的手段，如下所述。艮P，<1>一种感光性树脂组合物，其特征在于，含有粘合剂、聚合性化合物以及光聚合引发剂而成，熔融粘度在50。C下为40,000120,000Pas，在70。C下为5，00020，000Pas。<2>根据所述<1>所述的感光性树脂组合物，其中，粘合剂含有重均分子量为3，00010,000的共聚物A和重均分子量为30,000150,000的共聚物B，所述共聚物A与所述共聚物B的质量比为A/B=10/卯90/10。<3>根据所述<2>所述的感光性树脂组合物，其中，共聚物A与共聚物B的质量比为A/B=10/9040/60。<4>根据所述<3>所述的感光性树脂组合物，其中，共聚物A具有来源于苯乙烯及苯乙烯衍生物的至少任意一种的结构单元。<5>根据所述<3><4>中任意一项所述的感光性树脂组合物，其中，共聚物B含有具有羧基的乙烯系单体。<6>根据所述<1><5>中任意一项所述的感光性树脂组合物，其中，聚合性化合物含有具有尿烷基及芳基的至少任意一种的单体。<7>根据所述<6>所述的感光性树脂组合物，其中，聚合性化合物含有具有聚烯化氧链的化合物，该聚烯化氧链具有亚乙基及异丙基的至少任意一种。<8>根据所述<1><7>中任意一项所述的感光性树脂组合物，其中，光聚合引发剂含有从卤代烃衍生物、氧化膦、六芳基联咪唑、肟衍生物、有机过氧化物、硫代化合物、酮化合物、酰基氧化膦化合物、芳香族鎿盐、及酮肟醚中选择的至少一种。<9>一种感光性转印薄膜，其特征在于，具有在支撑体上利用所述<1><8>中任意一项所述的感光性树脂组合物形成的感光层。<10>根据所述<9>所述的感光性转印薄膜，其中，用390420nm波长的激光对感光层进行曝光、显影时，使该感光层的曝光部分的厚度在该曝光及显影后不发生变化的、在该曝光中使用的光的最小能量(感度)为0.120mJ/cm2。<11>根据所述<9>或<10>所述的感光性转印薄膜，其中，感光层的厚度为l100|im。<12>根据所述<9><11>中任意一项所述的感光性转印薄膜，其中，支撑体含有合成树脂且为透明。<13>根据所述<9><12>中任意一项所述的感光性转印薄膜，其中，支撑体为长尺寸。<14>根据所述<9><13>中任意一项所述的感光性转印薄膜，其中，,所述感光性转印薄膜为长尺寸，且被巻成辊状。<15>根据所述<9><14>中任意一项所述的感光性转印薄膜，其中，在感光层上具有保护薄膜。<16>—种图案形成方法，其特征在于，包括在将所述<9><15>中任意一项所述的感光性转印薄膜中的该感光层层叠于被处理基体之后，对该感光层进行曝光的步骤。<17>根据所述<16>所述的图案形成方法，其中，包括使用曝光头，其中，所述曝光头具备光照射机构和光调制机构，所述光调制机构具有接受来自所述光照射机构的光并射出的n个(其中，n为2以上的自然数)排列成二维状的描素部、所述光调制机构可以对应图案信息来控制所述描素部，另外，所述曝光头配置成所述描素部的列方向相对该曝光头的扫描方向呈规定的设定倾斜角度e，利用使用描素部指定机构，对于所述曝光头，指定可以使用的所述描素部中的用于N重曝光(其中，N为2以上的自然数)的所述描素部的工序，利用描素部控制机构，对于所述曝光头，进行所述描素部的控制，使得只有由所述使用描素部指定机构指定的所述描素部参与曝光的工序，相对于所述感光层，使所述曝光头在扫描方向上相对地移动，从而进行曝光的工序。在该<17>中记载的图案形成方法中，利用使用描素部指定机构，对于所述曝光头，指定可以使用的所述描素部中的用于N重曝光(其中，N为2以上的自然数)的所述描素部，利用描素部控制机构，对于所述曝光头，进行所述描素部的控制，使得只有由所述使用描素部指定机构指定的所述描素部参与曝光。相对于所述感光层，使所述曝光头在扫描方向上相对地移动，来进行曝光，从而平均所述曝光头的安装位置或安装角度的偏移引起的在所述感光层的被曝光面上形成的所述图案的析像度的不均或浓度的不均。结果，可以高精细地对所述感光层进行曝光。例如，之后，可以通过显影所述感光层来形成高精细的图案。<18>根据所述<17>所述的图案形成方法，其中，利用多个曝光头进行曝光，使用描素部指定机构指定在利用多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域即曝光曝光头间连接区域的曝光中涉及的描素部中在为了实现所述曝光曝光头间连接区域中的N重曝光而使用的所述描素部。在该<18>中记载的图案形成方法中，利用多个曝光头进行曝光，使用描素部指定机构指定在利用多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域即曝光曝光头间连接区域的曝光中涉及的描素部中在为了实现所述曝光曝光头间连接区域中的N重曝光而使用的所述描素部，由此，使所述曝光头的安装位置或安装角度的偏移引起的在所述感光层的被曝光面上的曝光曝光头间连接区域形成的所述图案的析像度的不均或浓度的不均变得均一。结果，可以高精细地对所述感光层进行曝光。例如，之后，可以通过显影所述感光层来形成高精细的图案。<19>根据所述<18>所述的图案形成方法，其中，利用多个曝光头进行曝光，使用描素部指定机构指定在利用多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域即曝光曝光头间连接区域以外的曝光中涉及的描素部中在为了实现所述曝光曝光头间连接区域以外的区域中的N重曝光而使用的所述描素部。在该<19>中记载的图案形成方法中，利用多个曝光头进行曝光，使用描素部指定机构指定在利用多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域即曝光头间连接区域以外的曝光中涉及的描素部中在为了实现所述曝光头间连接区域以外的区域中的N重曝光而使用的所述描素部，由此，使所述曝光头的安装位置或安装角度的偏移引起的在所述感光层的被曝光面上的曝光头间连接区域以外形成的所述图案的析像度的不均或浓度的不均变得均一。结果，可以高精细地对所述感光层进行曝光。例如，之后，可以通过显影所述感光层来形成高精细的图案。<20>根据所述<17><19>中任意一项所述的图案形成方法，其中，设定倾斜角度e设定成相对eideal，满足e^9id^的关系，其中，相对于N重曝光数的N、描素部的列方向的个数s、所述描素部的列方向的间隔p以及在使曝光头倾斜的状态下沿着与该曝光头的扫描方向正交的方向上的描素部的列方向的间距5，e^r满足spsineideal^N5。<21>根据所述<17><20>中任意一项所述的图案形成方法，其中，N重曝光的N为3以上的自然数。在该<21>中记载的图案形成方法中，可以通过使N重曝光的N为3以上的自然数，进行多重描绘。结果，由于补偿效果，可以更紧密地平均所述曝光头的安装位置或安装角度的偏移引起的在所述感光层的被曝光面上形成的所述图案的析像度的不均或浓度的不均。<22>根据所述<17><21>中任意一项所述的图案形成方法，其中，使用描素部指定机构具备在被曝光面上检测作为利用描素部生成的构成被曝光面上的曝光区域的描素单元的光点位置的光点位置检测机构，和基于所述光点位置检测机构的检测结果来选择用于实现N重曝光而使用的描素部的描素部选择机构。<23>根据所述<17><22>中任意一项所述的图案形成方法，其中，使用描素部指定机构用行单位指定为了实现N重曝光而使用的使用描素部。<24>根据所述<22>或<23>所述的图案形成方法，其中，基于光点位置检测机构检测出的至少2个光点位置，特定利用在使曝光头倾斜的状态下的被曝光面上的光点的列方向与所述曝光头的扫描方向所成的实际倾斜角度e'，选择使用描素部，从而使描素部选择机构吸收所述实际倾斜角度e'与设定倾斜角度e的误差。<25>根据所述<24>所述的图案形成方法，其中，实际倾斜角度e'是在使曝光头倾斜的状态下的被曝光面上的光点的列方向与所述曝光头的扫描方向所成的多个实际倾斜角度的平均值、中间值、最大值及最小值的任意一个。<26>根据所述<22><25>中任意一项所述的图案形成方法，其中，描素部选择机构基于实际倾斜角度e'，导出与满足ttan6'=N(其中，N表示N重曝光数的N)的关系的t最近的自然数T，将排列成m行(其中，m表示2以上的自然数)的描素部中从第1行到第T行的所述描素部选择为使用描素部。<27〉根据所述<22><25>中任意一项所述的图案形成方法，其中，描素部选择机构基于实际倾斜角度e'，导出离满足ttane'二N(其中，N表示N重曝光数的N)的关系的t最近的自然数T，将排列成m行(其中，m表示2以上的自然数)的描素部中从第(T+l)行到第m行的所述描素部特定为不使用描素部，将除了该不使用描素部以外的所述描素部选作使用描素部。<28〉根据所述<22><27〉中任意一项所述的图案形成方法，其中，描素部选择机构为在至少包括利用多个描素部列形成的被曝光面上的重复曝光区域的区域中，(1)选择使用描素部，以使相对理想的N重曝光成为曝光过多的区域及成为曝光不足的区域的总面积为最小的机构；(2)选择使用描素部，以使相对理想的N重曝光成为曝光过多的区域的描素单元数与成为曝光不足的区域的描素单元数相等的机构；(3)选择使用描素部，以使相对理想的N重曝光成为曝光过多的区域的面积最小，而且，不产生成为曝光不足的区域的机构；及(4)选择使用描素部，以使相对理想的N重曝光成为曝光不足的区域的面积最小，而且，不产生成为曝光过多的区域的机构；的任意一种。<29>根据所述<22><28>中任意一项所述的图案形成方法，其中，描素部选择机构为在作为利用多个曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的曝光头间连接区域中，(1)将以下所述的描素部选作使用描素部的机构，即从在所述曝光头间连接区域的曝光中涉及的描素部，特定不使用描素部，以使相对理想的N重曝光成为曝光过多的区域及成为曝光不足的区域的总面积为最小，除了该不使用描素部以外的所述描素部；(2)将以下所述的描素部选作使用描素部的机构，S卩从在所述曝光头间连接区域的曝光中涉及的描素部，特定不使用描素部，以使相对理想的N重曝光成为曝光过多的区域的描素单元数与成为曝光不足的区域的描素单元数相等，除了该不使用描素部以外的所述描素部；(3)将以下所述的描素部选作使用描素部的机构，即从在所述曝光头间连接区域的曝光中涉及的描素部，特定不使用描素部，以使相对理想的N重曝光成为曝光过多的区域的面积最小，而且，不产生成为曝光不足的区域，除了该不使用描素部以外的所述描素部；及(4)将以下所述的描素部选作使用描素部的机构，即从在所述曝光头间连接区域的曝光中涉及的描素部，特定不使用描素部，以使相对理想的N重曝光成为曝光不足的区域的面积最小，而且，不产生成为曝光过多的区域，除了该不使用描素部以外的所述描素部；的任意一种。<30>根据所述<29>所述的图案形成方法，其中，用行单位特定不使用描素部。<31>根据所述<21〉<30>中任意一项所述的图案形成方法，其中，为了在使用描素部指定机构中指定使用描素部，在可以使用的所述描素部中，相对N重曝光的N，只使用构成每隔(N—l)列的描素部列的所述描素部，进行参照曝光。在该<31>中记载的图案形成方法中，为了在使用描素部指定机构中指定使用描素部，在可以使用的所述描素部中，相对N重曝光的N，只使用构成每隔(N—l)列的描素部列的所述描素部，进行参照曝光，可以得到大致l重描绘的单纯的图案。结果，可以容易地指定所述曝光头间连接区域中的所述描素部。<32>根据所述<21><30>中任意一项所述的图案形成方法，其中，为了在使用描素部指定机构中指定使用描素部，在可以使用的所述描素部中，相对N重曝光的N，只使用构成每隔1/N行的描素部列的所述描素部，进行参照曝光。在该<32>中记载的图案形成方法中，为了在使用描素部指定机构中指定使用描素部，在可以使用的所述描素部中，相对N重曝光的N，只使用构成每隔1/N行的描素部列的所述描素部，进行参照曝光，可以得到大致l重描绘的单纯的图案。结果，可以容易地指定所述曝光头间连接区域中的所述描素部。<33>根据所述<17><32>中任意一项所述的图案形成方法，其中，使用描素部指定机构具有缝隙及光检测器作为光点位置检测机构，以及，具有与所述光检测器接续的演算装置作为描素部选择机构。<34>根据所述<17><33>中任意一项所述的图案形成方法，其中，N重曝光的N为3以上7以下的自然数。<35>根据所述<17><34>中任意一项所述的图案形成方法，其中，光调制机构进一步具有基于形成的图案信息生成控制信号的图案信号生成机构而成，对应该图案信号生成机构生成的控制信号来调制从光照射机构照射的光。<36>根据所述<17〉<35>中任意一项所述的图案形成方法，其中，具有使图案信息表示的图案的规定部分的尺寸与能够利用指定的使用描素部实现的对应部分的尺寸一致地转换所述图案信息的转换机构。<37>根据所述<17><36>中任意一项所述的图案形成方法，其中，光调制机构为空间光调制元件。<38>根据所述<37>所述的图案形成方法，其中，空间光调制元件是数字微镜器件(digitalmicromirrordevice)(DMD)。<39>根据所述<17><38>中任意一项所述的图案形成方法，其中，描素部为微镜。<40>根据所述<17><39>中任意一项所述的图案形成方法，其中，光照射机构可以复合照射两种以上的光。在该<40>中记载的图案形成方法中，通过所述光照射机构可以复合照射两种以上的光，可以利用焦点深度较深的曝光光进行曝光。结果，可以极高精细地对所述曝光层进行曝光。例如，如果在之后对所述感光层进行显影，则可以形成极高精细的图案。<41>根据所述<17><40>中任意一项所述的图案形成方法，其中，光照射机构具有多种激光器、多模光纤和将从该多种激光器分别照射的激光束进行聚光从而结合于所述多模光纤的聚光光学系统。在该<41>中记载的图案形成方法中，利用所述光照射机构，通过利用所述聚光光学系统可以将从该多种激光器分别照射的激光束进行会聚从而结合在所述多模光纤，可以用焦点深度较深的曝光光进行曝光。结果，可以极高精细地对所述感光层进行曝光。例如，如果在之后对所述感光层进行显影，则可以形成极高精细的图案。<42>根据所述<16〉<41>中任意一项所述的图案形成方法，其中，在进行曝光之后，进行感光层的显影。如果利用本发明，则可以解决过去的问题，可以提供在基板上的抗蚀剂的随动性良好且可以同时实现出色的显影性和抗蚀剂剥离时的剥离片的微细化的感光性树脂组合物，具有利用该感光性树脂组合物形成的感光层的感光性转印薄膜，以及使用该感光性转印薄膜的可以形成高精细的图案的图案形成方法。图1是表示图案形成装置的一例的外观的立体图。图2是表示图案形成装置的扫描器(scanner)结构的一例的立体图。图3A是表示在感光层的被曝光面上形成的已曝光区域的俯视图。图3B是表示各曝光头所曝光区域的排列的俯视图。图4是表示曝光头的概略结构的一例的立体图。图5A是表示曝光头的具体结构的一例的俯视图。图5B是表示曝光头的具体结构的一例的侧面图。图6是表示图1的图案形成装置的DMD的一例的局部放大图。图7A是表示用于说明DMD的动作的立体图。图7B是表示用于说明DMD的动作的立体图。图8是表示在存在曝光头的安装角度误差及图案偏斜时，在被曝光面上的图案中产生的不均的例子的说明图。图9是表示1个DMD的曝光区域与对应的缝隙的位置关系的俯视图。图10是表示用于说明使用缝隙测定被曝光面上的光点的位置的方法的俯视图。图11是表示用于说明在只有被选择的微镜(micromirror)被用于曝光的结果，在被曝光面上的图案上产生的不均被改善的状态的说明图。图12是表示在相邻的曝光头之间存在相对位置的偏离时，在被曝光面上的图案中产生的不均的例子的说明图。图13是表示相邻的2个曝光头的曝光区域与对应的缝隙之间的位置关系的俯视图。图14是表示用于说明使用缝隙测定被曝光面上的光点的位置的方法的俯视图。图15是表示在图12的例子中只有被选择的使用像素在实际动作，在被曝光面上的图案中产生的不均被改善的状态的说明图。图16是表示在相邻的曝光头存在相对位置的偏离及安装角度误差时，在被曝光面上的图案上产生的不均的例子的说明图。图17是表示在图16的例子中只使用选择的使用描素部的曝光的说明图。图18A是表示倍率失真的例子的说明图。图18B是表示光束直径失真的例子的说明图。图19A是表示使用单一曝光头的参照曝光的第一例子的说明图。图19B是表示使用单一曝光头的参照曝光的第一例子的说明图。图20是表示使用多个曝光头的参照曝光的第一例子的说明图。图21A是表示使用单一曝光头的参照曝光的第二例子的说明图。图21B是表示使用单一曝光头的参照曝光的第二例子的说明图。图22是表示使用多个曝光头的参照曝光的第二例子的说明图。具体实施方式(感光性树脂组合物)本发明的感光性树脂组合物至少含有粘合剂、聚合性化合物以及光聚合引发剂而成，根据需要含有适当选择的其他成分。所述感光性树脂组合物的熔融粘度在5(TC下为40,000120,000Pa's，优选为45,000110，000Pas。另外，在70。C下为5,00020，000Pa's，优选为5，50018，000。如果在50。C下超过120,000Pa's或者在7(TC下超过20，000Pa's，则基板上的抗蚀剂的随动性变差。另外，如果所述熔融粘度在5(TC下不到40，000Pa*s或者在7(TC下不到5,000Pa，s，则膜自身的强度不充分，遮蔽性变差。所述熔融粘度可以例如反复进行由所述感光性树脂组合物构成的感光层的面之间的层叠，将样本调整成厚度为150±10pm，然后将感光层放置于25"C、50XRH的环境下24小时，然后使用流变仪(动态粘弹性测定装置)(REOLOGCA公司制，DynAlyserDAR—lOO),在频率1Hz、间距1.5mm的条件下测定。<粘合剂>作为所述粘合剂，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选含有重均分子量为3,00010,000的共聚物A和重均分子量为30，000150,000的共聚物B，所述共聚物A与所述共聚物B的质量比为A/B=10/9090/10。'所述重均分子量是聚苯乙烯换算的相对值，例如可以从测定已知分子量的聚苯乙烯标准混合样品得到的校正曲线求得。作为所述粘合剂，例如优选相对碱性水溶液为溶胀性，更优选相对碱性水溶液为可溶性。作为相对碱性水溶液显示为溶胀性或溶解性的粘合剂，例如可以优选举出具有酸性基的粘合剂。作为所述酸性基，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出羧基、磺酸基、磷酸基等，其中优选羧基。作为具有羧基的粘合剂，例如可以举出具有羧基的乙烯系共聚物、聚氨酯树脂、聚酰胺酸树脂、改性环氧树脂等，其中，从对涂敷溶剂的溶解性、对碱显影液的溶解性、合成适合性、膜物理性能的调节的容易程度等观点来看，优选具有羧基的乙烯系共聚物。另外，作为显影性的观点出发，还优选苯乙烯及苯乙烯衍生物的至少任意一种的共聚物。所述具有羧基的乙烯系共聚物至少可以利用(1)具有羧基的乙烯系单体、及(2)可以与它们共聚合的单体的共聚合得到，例如可以举出特开2005—258431号公报的说明书的段落"0164""0205"中记载的化合物等。作为所述感光层中的所述粘合剂的含量，没有特别限制，可以根据目的适当选择，但例如优选1090质量％，更优选2080质量％，特别优选4080质量％。如果所述含量不到10质量％，则碱显影性或与印刷线路板形成用基板(例如镀铜叠层板)的粘附性降低，如果超过90质量％，则相对显影时间的稳定性或固化膜(遮盖膜)的强度可能会降低。此外，所述含量也可以为与根据需要与所述粘合剂并用的高分子粘结剂的总含量。在所述粘合剂为具有玻璃化转变温度(Tg)的物质的情况下，对该玻璃化转变温度没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如从所述感光性转印薄膜的粘性及边缘熔合的抑制以及所述支撑体的剥离性提高的至少任意一种观点出发，优选为8(TC以上、更优选为IO(TC以上，特别优选为12(TC以上。如果所述玻璃化转变温度不到80°C,则可能发生所述感光性转印薄膜的粘性或边缘熔合增加或者所述支撑体的剥离性变差。对所述粘合剂的酸值没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选为70250mgKOH/g，更优选为90200mgKOH/g，特别优选为100180mgKOH/g。如果所述酸值不到70mgKOH/g，则显影性不足，或者析像度差，可能不能高精细地得到布线图案等永久图案，如果超过250mgKOH/g，则图案的耐显影液性及粘附性的至少任意一种变差，有时可能不能得到高精细的图案。一共聚物A—作为所述共聚物A，只要重均分子量为3，00010,000即可，没有特别限制，可以根据目的适当选择，重均分子量更优选为3，0009,000，特别优选为3,0008，000。如果所述共聚物A的重均分子量不到3,000，则显影后的残膜率可能会降低。如果所述重均分子量超过10,000，则有时相对显影液的溶解性降低，析像度降低，同时变得难以实现剥离片的微细化，或者，不能使所述熔融粘度在本发明的范围内，基板上的抗蚀剂的随动性变差。作为构成所述共聚物A的单体，例如可以举出(甲基)丙烯酸、乙烯基苯甲酸、马来酸、马来酸一烷基酯、富马酸、衣康酸、巴豆酸、桂皮酸、丙烯酸二聚体、具有羟基的单体(例如(甲基)丙烯酸2—羟基乙基酯等)与环状酐(例如马来酸酐或邻苯二甲酸酐、环己烷二甲酸酐)的加成反应物、co—羧基一聚己内酯一(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸酯类、巴豆酸酯类、乙烯酯类、马来酸二酯类、富马酸二酯类、衣康酸二酯类、(甲基)丙烯酰胺类、乙烯基醚类、乙烯醇的酯类、苯乙烯类(例如苯乙烯、苯乙烯衍生物等)、(甲基)丙烯腈、乙烯基被取代的杂环式基(例如乙烯基吡啶、乙烯吡咯烷酮、乙酰基咔唑等)、N—乙烯基甲酰胺、N_乙烯基乙酰胺、N—乙烯基咪唑、乙烯基己内酯、2—丙烯酰胺一2—甲基丙垸磺酸、磷酸一(2—丙烯酰氧基乙基酯)、磷酸一(l一甲基一2—丙烯酰氧基乙基酯)及具有官能团(例如尿垸基、脲基、磺酰胺基、苯酚基、酰亚胺基)的乙烯系单体等。另外，作为所述共聚物A，从可以高精细地形成布线图案等永久图案的观点以及提高所述遮蔽性的观点出发，例如优选具有来源于苯乙烯及苯乙烯衍生物的至少任意一种的结构单元。作为所述共聚物A，例如可以举出甲基丙烯酸苄基酯与甲基丙烯酸的共聚物、苯乙烯与丙烯酸的共聚物、甲基丙烯酸甲酯与甲基丙烯酸的共聚物、苯乙烯与甲基丙烯酸的共聚物、苯乙烯与马来酸酐的共聚物、甲基丙烯酸苄基酯与甲基丙烯酸与苯乙烯的共聚物、甲基丙烯酸甲酯与甲基丙烯酸与苯乙烯的共聚物以及甲基丙烯酸苄基酯与甲基丙烯酸与甲基丙烯酸甲酯与甲基丙烯酸2—乙基己基酯的共聚物等。一共聚物B—作为所述共聚物B，只要重均分子量为30，000150,000即可，没有特别限制，可以根据目的适当选择，重均分子量更优选为40,000130，000，特别优选为40，000120,000。如果所述共聚物B的重均分子量不到30,000，则有时遮蔽性等要求的固化膜的强度不足，如果超过150,000，则有时显影性变差。作为构成所述共聚物B的单体，例如可以举出(甲基)丙烯酸、乙烯基苯甲酸、马来酸、马来酸一垸基酯、富马酸、衣康酸、巴豆酸、桂皮酸、丙烯酸二聚体、具有羟基的单体(例如(甲基)丙烯酸2—羟基乙基酯等)与环状酐(例如马来酸酐或邻苯二甲酸酐、环己烷二甲酸酐)的加成反应物、o)—羧基一聚己内酯一(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸酯类、巴豆酸酯类、乙烯酯类、马来酸二酯类、富马酸二酯类、衣康酸二酯类、(甲基)丙烯酰胺类、乙烯基醚类、乙烯醇的酯类、苯乙烯类(例如苯乙烯、苯乙烯衍生物等)、(甲基)丙烯腈、乙烯基被取代的杂环式基(例如乙烯基吡啶、乙烯吡咯烷酮、乙酰基咔唑等)、N—乙烯基甲酰胺、N—乙烯基乙酰胺、N—乙烯基咪唑、乙烯基己内酯、2—丙烯酰胺一2—甲基丙垸磺酸、磷酸一(2—丙烯酰氧基乙基酯)、磷酸一(l一甲基一2—丙烯酰氧基乙基酯)及具有官能团(例如尿垸基、脲基、磺酰胺基、苯酚基、酰亚胺基)的乙烯系单体等。另外，作为所述共聚物B，从可以高精细地形成布线图案等永久图案的观点以及提高所述遮蔽性的观点出发，例如优选具有含羧基的乙烯系单体。作为所述共聚物B，例如可以举出甲基丙烯酸苄基酯与甲基丙烯酸的共聚物、苯乙烯与丙烯酸的共聚物、甲基丙烯酸甲酯与甲基丙烯酸的共聚物、苯乙烯与甲基丙烯酸的共聚物、苯乙烯与马来酸酐的共聚物、甲基丙烯酸苄基酯与甲基丙烯酸与苯乙烯的共聚物、甲基丙烯酸甲酯与甲基丙烯酸与苯乙烯的共聚物以及甲基丙烯酸苄基酯与甲基丙烯酸与甲基丙烯酸甲酯与甲基丙烯酸2—乙基己基酯的共聚物等。只要所述共聚物A与所述共聚物B的质量比(A/B)为A/B=10/9090/10，则没有特别限制，可以根据目的适当选择，优选为A/B=10/9080/20，从减少未曝光膜破裂的观点出发，更优选为A/B=10/9040/60。<聚合性化合物>作为所述聚合性化合物，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以优选举出具有尿烷基及芳基的至少任意一种的单体或寡聚物。另外，它们优选具有2种以上聚合性基。作为所述聚合性基，例如可以举出乙烯性不饱和键(例如(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰胺基、苯乙烯基、乙烯酯或乙烯醚等乙烯基，烯丙醚或烯丙酯等烯丙基等)、可以聚合的环状醚基(例如环氧基、氧杂环丁烷基等)等，其中，优选乙烯性不饱和键。一具有尿垸基的单体一作为所述具有尿垸基的单体，只要具有尿垸基，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出特开2005—258431号公报的说明书的段落记载的化合物等。一具有芳基的单体一作为所述具有芳基的单体，只要具有芳基，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出具有芳基的多元醇化合物、多元胺化合物及多元氨基醇化合物的至少任意一种与不饱和羧酸的酯或酰胺等，例如可以举出特开2005—258431号公报的说明书的记载的化合物等。一一具有聚烯化氧链的化合物一一在本发明的感光性树脂组合物中也可以含有具有聚烯化氧链的化合物。作为所述具有聚烯化氧链的化合物，没有特别限制，可以为单官能单体，也可以为多官能单体。作为所述单官能单体，例如可以优选举出由下述结构式(i)表示的化合物。[化l]==<结构式(i)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>在所述结构式(i)中，R"表示氢原子或甲基。X表示碳原子数为26的亚烷基，与环状结构相比更优选具有链状结构。链状亚烷基也可以具有分支。作为该亚烷基，例如可以举出亚乙基、亚丙基、四亚甲基、五亚甲基、六亚甲基等，其中，优选亚乙基及亚丙基。n为130的整数，n为2以上的情况下，多个(一X—O—)可以彼此相同或不同，(一X—O—)彼此相同的情况下，例如可以优选举出亚乙基与亚丙基的组合等。作为R2，例如可以举出垸基、芳基、芳烷基等，这些基进而也可以由取代基取代。作为所述垸基，作为碳原子数为120的垸基，例如可以举出甲基、乙基、丙基、己基、环己基、2—乙基己基、十二烷基、十六垸基、十八烷基等。该垸基可以具有取代基，也可以具有分支或环结构。作为所述芳烷基，例如可以举出苄基、苯乙基等。该芳垸基也可以具有取代基。作为所述芳基，例如可以举出苯基、萘基、甲苯基、二甲苯基、乙苯基、甲氧基苯基、丙基苯基、丁基苯基、叔丁基苯基、辛基苯基、壬基苯基、氯苯基、氰基苯基、二溴苯基、三溴苯基、联苯基、苄基苯基、(x—二甲基一苄基苯基等。该芳基也可以具有取代基。作为在所述烷基、芳烷基及芳基中的取代基，例如可以举出卤原子、芳基、烯基、烷氧基、氰基等。作为所述卤原子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子等。所述芳基优选总碳原子数为620，更优选为614。作为该芳基，例如可以举出苯基、萘基、蒽基、甲氧基苯基等。作为所述烯基，优选总碳原子数为210，更优选为26。作为该烯基，例如可以举出乙炔基、丙烯基、丁酰基等。作为所述烷氧基，也可以支化，优选总碳原子数为110，更优选为15。作为该垸氧基，例如可以举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、2—甲基丙氧基、丁氧基等。作为由所述结构式(i)表示的化合物，具体而言，可以举出由下述结构式表示的化合物等。其中，在下述式中，R表示氢原子或甲基。n表示130的整数，m及L分别表示1以上的整数，m+L表示130的整数。Me表示甲基，Bu表示丁基。[化2]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>[化3]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>另外，在具有聚烯化氧链的化合物中，作为具有亚乙基及亚丙基的至少任意一种的化合物，还可以优选举出亚乙基或亚丙基的数目为1030的聚乙二醇、聚丙二醇。所述具有聚烯化氧链的化合物可以单独使用1种，也可以并用2种以上。作为多官能单体，例如以举出乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、亚乙基的数目为230的聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯(例如二甘醇二(甲基)丙烯酸酯、三甘醇二(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇弁400二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇井600二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇#1000二甲基丙烯酸酯等)、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、亚丙基的数目为218的聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯(例如二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、十二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等)、至少各具有1个乙二醇链/丙二醇链的亚烷基二醇链的二(甲基)丙烯酸酯(例如国际公开第01/98832号手册中记载的化合物)、聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。其中，从其获得的容易度等观点出发，优选乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、至少各具有1个乙二醇链/丙二醇链的亚垸基二醇链的二(甲基)丙烯酸酯等。所述具有聚烯化氧链的化合物在所述聚合性化合物中的含量优选为40质量％以下，更优选为130质量％，进而优选为125质量％。如果所述含量不到0.1质量％，则有时剥离性或显影范围改良的效果变得不充分，如果超过40质量％，则有时析像、粘附性、遮蔽性等变差。一其他聚合性单体一在不使作为所述感光性转印薄膜的特性变差的范围内，也可以在本发明的图案形成方法中并用除了含有所述尿垸基的单体、具有芳基的单体以外的聚合性单体。作为除了含有所述尿垸基的单体、具有芳香环的单体以外的聚合性单体，例如可以举出不饱和羧酸(例如丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、巴豆酸、异巴豆酸、马来酸等)与脂肪族多元醇化合物的酯、不饱和羧酸与多元胺化合物的酰胺等，例如可以举出在特开2005—258431号公报的中记载的化合物等。所述感光层中的聚合性化合物的含量例如优选为590质量％，更优选为1560质量％，特别优选为2050质量％。如果所述含量成为5质量％，则有时遮盖膜的强度降低，如果超过90质量％，则有时保存时的边缘熔合(从辊端部的渗出故障)变差。另外，聚合性化合物中的所述具有2个以上聚合性基的多官能单体的含量优选为5100质量％,更优选为20100质量％，特别优选为40100质量％。《光聚合引发剂》作为所述光聚合引发剂，只要具有引发所述聚合性化合物的聚合的能力，没有特别限制，可以从公知的光聚合引发剂中适当选择，但例如优选对从紫外线区域到可见光线具有光敏感性的光聚合引发剂，可以为被光激发的与增感剂发生某种作用、产生活性自由基的活化剂，也可以为对应单体的种类引发阳离子聚合的引发剂。另外，所述光聚合引发剂优选至少含有1种在约300800nm(更优选330500nm)的范围内至少具有约50的摩尔吸光系数的成分。作为所述光聚合引发剂，例如可以举出卤代烃衍生物(例如具有三嗪骨架的衍生物、具有噁二唑骨架的衍生物等)、六芳基联咪唑、肟衍生物、有机过氧化物、硫代化合物、酮化合物、芳香族鑰盐、芳环烯金属衍生物类等。其中，从感光层的感度、保存性及感光层与印刷线路板形成用基板的粘附性等观点出发，优选具有三嗪骨架的卤代烃、肟衍生物、酮化合物、六芳基联咪唑系化合物。具体而言，例如可以举出在特开2005—258431号公报的中记载的化合物等。作为感光层中的所述光聚合引发剂的含量，优选为0.130质量0/^，更优选为0.520质量％，特别优选0.515质量％。《其他成分》作为所述其他成分，例如可以举出增感剂、热阻聚剂、增塑剂、发色剂、着色剂等，进而也可以并用向基体表面的附着促进剂及其他助剂类(例如颜料、导电性颗粒、填充剂、消泡剂、阻燃剂、流平剂、剥离促进剂、抗氧化剂、香料、热交联剂、表面张力调节剂、链转移剂等)，例如可以举出在特开2005—258431号公报的中记载的化合物等。通过适当含有这些成分，可以调节需要的感光性转印薄膜的稳定性、照相性、印像性、膜物性等性质。(感光性转印薄膜)本发明的感光性转印薄膜在所述支撑体上至少具有利用本发明的感光性树脂组合物形成的感光层，根据需要具有保护薄膜，进而根据需要具有缓冲层、阻氧层(PC层)等其他层。作为所述感光性转印薄膜的形态，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出在所述支撑体上依次具有所述感光层、所述保护薄膜而成的形态；在所述支撑体上依次具有所述PC层、所述感光层、所述保护薄膜而成的形态；在所述支撑体上依次具有所述缓冲层、所述PC层、所述感光层、所述保护薄膜而成的形态等。此外，所述感光层可以为单层，也可以为多层。[感光层]所述感光层利用本发明的所述感光性树脂组合物形成。作为感光层的形成方法，可以举出通过将本发明的所述感光性组合物溶解、乳化或分散于水或溶剂从而配制感光性组合物溶液，在所述支撑体上，直接涂敷该溶液，使其干燥，从而层叠的方法。作为所述感光性组合物溶液的溶剂，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、sec—丁醇、正己醇等醇类；丙酮、甲基乙基甲酮、甲基异丁基甲酮、环己酮、二异丁基甲酮等酮类；醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙酸正戊酯、硫酸甲酯、丙酸乙酯、酞酸二甲酯、安息香酸乙酯及甲氧基丙基乙酸酯等酯类；甲苯、二甲苯、苯、乙苯等芳香族烃类；四氯化碳、三氯乙烯、氯仿、1，1，1—三氯乙烷、二氯甲烷、一氯苯等卤代烃类；四氢呋喃、二乙醚、乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、l一甲氧基一2—丙醇等醚类；二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲亚砜、环丁砜等。它们可以单独使用1种或并用2种以上。另外，也可以添加公知的表面活性剂。作为所述涂敷方法，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以使用旋涂机、缝隙旋涂机、辊涂机、金属型涂料机、帘式涂料机等，在所述支撑体上直接涂敷的方法。作为所述干燥的条件，根据各成分、溶剂的种类、使用比例等而不同，但通常在60110。C的温度下为30秒15分钟左右。对所述感光层的厚度没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选为1100)im，更优选为570|im。另外，在用390420nm的波长的激光对所述感光层进行曝光、显影的情况下，优选使该感光层的曝光部分的厚度在该曝光及显影后不发生变化的、在该曝光中使用的光的最小能量(感度)为0.120mJ/cm2。在此，所述"使感光层的曝光部分的厚度在该曝光及显影后不发生变化的、在所述曝光中使用的光的最小能量"是指所谓的显影感度，例如可以从表示对所述感光层进行曝光时的所述曝光中使用的光的能量(曝光量)与接着所述曝光而利用所述显影处理产生的所述固化层的厚度之间的关系的曲线图(感度曲线)求得。所述固化层的厚度随着所述曝光量增加而增加，然后变成与所述曝光前的所述感光层的厚度大致相同而且大致恒定。所述显影感度是通过读取所述固化层的厚度成为大致恒定时的最小曝光量而求得的值。在此，所述固化层的厚度与所述曝光前的所述感光层的厚度之间的差为土lpm以内时，认为所述固化层的厚度不被曝光及显影改变。作为所述固化层及所述曝光前的所述感光层的厚度的测定方法，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出使用膜厚测定装置、表面粗糙度测定机(例如撒布库穆(廿一7^厶)1400D(东京精密公司制))等进行测定的方法等。[支撑体及保护薄膜]作为所述支撑体，没有特别限制，可以根据目的适当选择，优选可以剥离所述感光层且光的透过性良好的支撑体，进而更优选表面的平滑性良好的支撑体。作为所述支撑体及保护薄膜，具体而言，例如在特开2005一258431号公报的及中所记载。对所述支撑体的厚度没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选为4300|um,更优选为5175|tim。[其他层]作为所述其他层，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出缓冲层、阻挡层、剥离层、粘接层、光吸收层、表面保护层等层。所述感光性转印薄膜可以单独具有这些层中的l种，也可以具有2种以上，另外，也可以具有2层以上同种层。所述感光性转印薄膜例如优选绕于圆筒状的巻芯上，以长尺寸巻成辊状来保管。对所述长尺寸的感光性转印薄膜的长度没有特别限制，例如可以从1020,000m的范围适当选择。另外，为了使使用者容易使用，也可以进行切割加工，使1001,000m的范围的长尺寸体成为辊状。这种情况下，优选将上述支撑体巻在最外侧。另外，也可以将所述辊状的感光性转印薄膜切成片状。在保管时，从端面的保护、防止边缘熔合的观点出发，优选在端面设置隔离件(尤其是防湿性的隔离件、加入干燥机的隔离件)，另外，捆包还优选使用渗潮性低的原材料。(图案形成方法)本发明的图案形成方法至少包括将本发明的感光性转印材料中的感光层转印到基材的表面来形成层叠体的层叠工序以及曝光工序，还包括适当选择的显影工序、蚀刻工序、抗蚀剂剥离工序等其他工序。[层叠工序]作为所述层叠体的形成方法，没有特别限制，可以根据目的适当选择，但优选在所述基体上，边剥离所述保护薄膜，边通过加热及加压的至少任意一种来层叠所述感光性转印薄膜。作为所述加热温度，没有特别限制，可以根据目的适当选择，但例如优选15180。C，更优选6014(TC。作为所述加压的压力，没有特别限制，可以根据目的适当选择，但例如优选0.11.0MPa，更优选0.20.8MPa。作为进行所述加热及加压的至少任意一种的装置，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以优选举出层压机、真空层压机等。作为进行所述加热及加压的至少任意一种的装置，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以优选举出层压机(例如大成层压机公司制，vp—ii)等。《基材》作为所述基材，没有特别限制，可以从公知的材料中，从表面平滑性高的基材到具有有凸凹的表面的基材，根据光致阻焊剂(photosolderresist)、布线图案形成用光致抗蚀剂、彩色抗蚀剂的目的分别适当选择，优选板状基材(基板)，具体而言，可以举出公知的印刷线路板形成用基板(例如镀铜叠层板)、玻璃板(例如钠钙玻璃板、溅射氧化硅的玻璃板、石英玻璃板等)、合成树脂性薄膜、纸、金属板等。所述层叠体可以在基材上形成所述感光层，相对该感光层，使利用后述曝光工序曝光的区域固化，利用后述的显影工序形成图案。[曝光工序]所述曝光工序是对在所述层叠工序中形成的所述层叠体的所述感光层进行曝光的工序。作为所述曝光，没有特别限制，可以根据目的适当选择，可以举出数字曝光、模拟曝光等，其中，优选数字曝光。作为所述数字曝光，例如优选进行如下所述的方法，艮口使用曝光头，所述曝光头具备光照射机构和光调制机构，所述光调制机构具有接受来自所述光照射机构的光并射出的n个(其中，n为2以上的自然数)排列成二维状的描素部、所述光调制机构可以对应图案信息来控制所述描素部，另外，所述曝光头配置成所述描素部的列方向相对该曝光头的扫描方向呈规定的设定倾斜角度e，利用使用描素部指定机构，对于所述曝光头，指定可以使用的所述描素部中的用于n重曝光(其中，n为2以上的自然数)的所述描素部，利用描素部控制机构，对于所述曝光头，进行所述描素部的控制，使得只有由所述使用描素部指定机构指定的所述描素部参与曝光，相对于所述感光层，使所述曝光头在扫描方向上相对地移动。此外，所述"n重曝光"是指被设定成在所述感光层的被曝光面上的曝光区域的大致全部区域，与所述曝光头的扫描方向平行的直线与照射到所述被曝光面上的n根光点列(像素列)交叉的曝光。在此，"光点列(像素列)"是指利用所述描素部产生的作为描素单元的光点(像素)的排列中比与所述曝光头的扫描方向所成的角度更小的方向的排列。其中，所述描素部的配置不一定为矩形格子状，也可以为例如平行四边形状的配置等。在此，称为曝光区域的"大致全部区域"是因为，在各描素部的两侧缘部，通过使描素部列倾斜，与平行于所述曝光头的扫描方向的直线交叉的使用描素部的描素部列的数目会减少，所以这种情况下，即使将多个曝光头联结起来使用，由于该曝光头的安装角度或配置等误差，而与扫描方向平行的直线交叉的使用描素部的描素部列的数目可能会略微增减，另外，在各使用描素部的描素部列间的连接部分的析像度程度以下的极少的部分，由于安装角度或描素部配置等误差，沿着与扫描方向正交的方向的描素部的间距(pitch)不会与其他部分的描素部的间距严格地一致，与扫描方向平行的直线交叉的使用描素部的描素部列的数目在土l的范围增减。此外，在以下的说明中，将n为2以上的自然数的n重曝光总称为"多重曝光"。进而，在以下的说明中，对于将本发明的曝光装置或曝光方法作为描绘装置或描绘方法实施的方式中，将"n重描绘"及"多重描绘"的用语用作对应"n重曝光"及"多重曝光"的用语。作为所述n重曝光的n，只要是2以上的自然数，没有特别限制，可以根据目的适当选择，优选3以上的自然数，更优选3以上7以下的自然数。<图案形成装置〉参照附图，对本发明的图案形成方法中的图案形成装置的一例进行说明。作为所述图案形成装置，为所谓平板型(flatbedtype)的曝光装置，如图l所示，具备在表面吸附并保持层叠所述感光性转印薄膜中的至少所述感光层而成的层叠体12(以下有时称为"感光材料12"、"感光层12")的平板状移动平台14。在由4根脚部16支撑的厚板状的设置台18的上面，设置沿着平台移动方向延伸的2根导轨20。平台14被配置成其长径方向朝向平台移动方向，同时被支撑为可以利用导轨20来回移动。此外，在该图案形成装置10中设有沿着导轨20驱动平台14的平台驱动装置(未图示)。在设置台18的中央部设有横跨平台14的移动路径的"n"字状的门22。"〕"字状的门22的端部分别被固定于设置台18的两侧面。在夹持该门22的一侧设有扫描器24，另一侧设有检测感光材料12的前端及后端的多个(例如2个)的传感器26。扫描器24及传感器26分别被安装于门22，被固定配置于平台14的移动路径的上方。此外，扫描器24及传感器26与控制它们的未图示的控制器相连。在此，为了说明，如图1所示，在与平台14的表面平行的平面内，规定彼此正交的X轴及Y轴。沿着平台14的扫描方向，在上游(以下有时简单地称为"上游"。)的端缘部，以等间隔形成10根向X轴方向开口的"〈"字型缝隙28。各缝隙28由位于上游的缝隙28a和位于下游的缝隙28b构成。缝隙28a与缝隙28b彼此正交，同时相对X轴，缝隙28a具有一45度、缝隙28b具有+45度的角度。使缝隙28的位置与所述曝光头30的中心大致一致。另外，各缝隙28的大小为充分覆盖对应的曝光头30的曝光区域32的宽度的大小。另外，作为缝隙28的位置，也可以使其与相邻的已曝光区域34间的重复部分的中心位置大致一致。这种情况下，各缝隙28的大小为充分覆盖已曝光区域34间的重复部分的宽度的大小。在平台14内部的各缝隙28的下方位置，在后述的使用描素部指定处理中，分别插入检测作为描素单元的光点的光点位置检测机构即单一单元型光检测器(未图示)。另外，在后述的使用描素部指定处理中，各光检测器与作为进行所述描素部的选择的描素部选择机构的演算装置(未图示)连接。作为曝光时的所述图案形成装置的动作方式，可以为经常使曝光头移动，并同时进行连续地曝光的方式，也可以为阶段地使曝光头移动，并同时在各移动目的地的位置使曝光头静止进行曝光动作的方式。《曝光头》各曝光头30被安装于扫描器24，并使后述的内部的数字微镜器件(digitalmicromirrordevice)(DMD)36的各描素部(微镜)的列方向与扫描方向成规定的设定倾斜角度0。所以，各曝光头30的曝光区域32成为相对扫描方向倾斜的矩形状的范围。伴随着平台14的移动，在感光层12的每个曝光头30形成带状的已曝光区域34。在图2及图3B所示的例子中，在扫描器24上具备排列成2行5列的近似矩阵状的10个曝光头。此外，在以下，在表示排列在第m行的第n列的各曝光头时，标记成曝光头30mn，在表示排列在第m行的第n列的各曝光头的曝光区域时，标记为曝光区域32mn。另外，如图3A及图3B所示，为了使带状的已曝光区域34分别与相邻的已曝光区域34部分重叠，已排列成线(line)状的各行曝光头30分别向其排列方向错开规定间隔(曝光区域的长边的自然数倍，在本实施方式中为2倍)配置。所以，在第1行的曝光区域32与曝光区域3212之间不能曝光的部分，可以利用第2行的曝光区域3221曝光。如图4及图5A及图5B所示，曝光头30分别具备DMD36(美国德克萨斯州仪器(亍年廿7'一y;^乂少乂y、乂)公司制)，作为对应图像数据在每个描素部对入射的光进行调制的光调制机构(调制每个描素部的空间光调制元件)。该DMD36与具备数据处理部和镜驱动控制部的作为描素部控制机构的控制器连接。该控制器的数据处理部基于输入的图像数据，在每个曝光头30，产生对DMD36上的使用区域内的各微镜进行驱动控制的控制信号。另外，镜驱动控制部基于在图像数据处理部产生的控制信号，在每个曝光头30，对DMD36的各微镜的反射面的角度进行控制。如图4所示，在DMD36的光入射侧，依次配置具备光纤的射出端部(发光点)沿着与曝光区域32的长边方向一致的方向排列成一列的激光射出部的光纤阵列光源38，校正从光纤阵列光源38射出的激光并聚光于DMD上的透镜系统40，向DMD36反射透过该透镜系统40的激光的镜42。此外，图4概略地表示透镜系统40。如图5A及图5B所详示，所述透镜系统40由如下所述结构构成，即使从光纤阵列光源38射出的激光平行光化的一对组合透镜44、将被平行光化的激光的光量分布校正成均一的一对组合透镜46及将光量分布己被校正的激光聚光于DMD36上的聚光透镜48构成。另外，在DMD36的光反射侧配置有使在DMD36射出的激光在感光层12的被曝光面上成像的透镜系统50。透镜系统50由被配置成DMD36与感光层12的被曝光面成共轭关系的2片透镜52及54构成。在本实施方式中，从光纤阵列光源38射出的激光在实际上被放大5倍之后，被设定为来自DMD36上的各微镜的光线被所述透镜系统50集中成约5pm。一光调制机构一作为所述光调制机构，只要具有n个(其中，n为2以上的自然数)排列成二维状的所述描素部、可以对应所述图案信息控制所述描素部即可，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如优选空间光调制元件。作为所述空间光调制元件，例如可以优选举出数字微镜器件(digital.micromirror'device)(DMD)、MEMS(微电子机械系统(MicroElec加MechanicalSystems))型的空间光调制元件(SLM;空间光调节器(SpetialLightModulator))、利用电光学效果调制透过光的光学元件(PLZT元件)、液晶光开闭器(FLC)等，其中，可以优选举出DMD。另外，所述光调制机构优选具有基于要形成的图案信息生成控制信号的图案信号生成机构。这种情况下，对应所述图案信号生成机构所生成的控制信号调制光。作为所述控制信号，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以优选举出数字信号。以下参照附图，对所述光调制机构的一例进行说明。如图6所示，DMD36是在SRAM单元(存储器单元)56上，使大多数微镜58作为分别构成像素(像点(pixel))的描素部，排列成格子状而成的镜器件。在本实施方式中，使用1024列X768行的微镜58排列而成的DMD36，其中，可以利用与DMD36连接的控制器驱动的即可以使用的微镜58仅为1024列X256行。DMD36的数据处理速度存在极限，与使用的微镜数成正比，确定每l线的调制速度，所以通过这样地只使用一部分微镜，每l线的调制速度会变快。各微镜58被支柱支撑，在其表面蒸镀铝等反射率高的材料。此外，在本实施方式中，各微镜58的反射率在90%以上，其排列间距在纵方向、横方向均为13.7pm。SRAM单元56是借助包括铰链和轴叉(yoke)的支柱，在通常的半导体存储器的制造线上制造的硅栅(silicongate)的CMOS的SRAM单元，整体被构成为单片型(monolithic)(—体型)。如果向DMD36的SRAM单元(存储器单元)56输入以2值表示构成需要的二维图案的各点的浓度的图像信号，则被支柱支撑的各微镜58，在以对角线为中心相对配置DMD36的基板侧，以士(x度(例如土10度)的任意角度倾斜。图7A表示微镜58处于作为开通(ON)状态的向+(x度倾斜的状态，图7B表示微镜58处于作为关(OFF)状态的向一a度倾斜的状态。这样，如图6所示，通过对应图像信号控制DMD36的各像点中的微镜58的倾斜度，向DMD36入射的激光B被向各自的微镜58的倾斜方向反射。图6是表示放大DMD36的一部分，各微镜58被控制为+a度或一a度的状态的一例。利用与DMD36连接的所述控制器，进行各微镜58的开关控制。另外，在关闭状态的微镜58反射的激光B前进的方向上，配置光吸收体(未图示)。一光照射机构一作为所述光照射机构，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出(超)高压汞灯、氙灯、炭棒弧光灯、卤素灯、复写机用等荧光管、LED、半导体激光等公知光源或可以合成照射2种以上的光的机构，其中，优选可以合成照射2种以上的光的机构。作为从所述光照射机构照射的光，例如在借助支撑体进行光照射的情况下，可以举出透过该支撑体并活化使用的光聚合引发剂或增感剂的电磁波、从紫外到可见光线、电子射线、X射线、激光等，其中，优选激光，更优选复合2种以上的光的激光(以下有时称为"合波激光")。另外，从剥离支撑体开始进行光照射的情况下，也可以使用同样的光。作为所述从紫外到可见光线的波长，例如优选3001500nm，更优选320800nm，特别优选330650nm。作为所述激光的波长，例如优选2001500nm,更优选300800nm，进而优选330500nm，特别优选400450nm。作为可以照射所述合波激光的机构，例如优选具有多种激光、多模光纤和从该多种激光分别照射的激光光束进行聚光并使其结合于所述多模光纤的聚光光学系统的机构。以下对所述可以照射合波激光的机构(光纤阵列光源)，可以举出特开2005_258431号公报的说明书的段落中记载的方法等。《使用描素部指定机构》作为所述使用描素部指定机构，优选至少具备在被曝光面上检测作为描素单元的光点的位置的光点位置检测机构，和基于所述光点位置检测机构的检测结果来选择用于实现N重曝光而使用的描素部的描素部选择机构。以下对利用所述使用描素部指定机构指定N重曝光中使用的描素部的方法的例子进行说明。(1)单一曝光头内的使用描素部的指定方法在本实施方式(1)中，是利用图案形成装置10，对感光材料12进行2重曝光的情况，对减轻各曝光头30的安装角度误差引起的析像度的不均和浓度不均的、用于实现理想的2重曝光的使用描素部的指定方法进行说明。作为相对曝光头30的扫描方向的描素部(微镜58)的列方向的设定倾斜角度0，如果是没有曝光头30的安装角度误差等的理想的状态，使用可以使用的1024列X256行的描素部，采用恰好略大于成为2重曝光的角度<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula>的角度。该角度eided是对于N重曝光的数目N、可以使用的微镜58的列方向的个数s、可以使用的微镜58的列方向的间隔p及在使曝光头30倾斜的状态下利用微镜形成的扫描线的间距S，利用下述式1spsin6idea|^N5(式1)得到。本实施方式中的DMD36如上所述，纵横配置间隔相等的大多数微镜58被配置成矩形栅格状，所以为pCOSQideal二5(式2)上述式1成为stan0ideai二N(式3)o在本实施方式(1)中，如上所述，s=256、N=2，所以根据所述式3，角度0i^约为O.45度。因而，作为设定倾斜角度e，例如也可以采用0.50度左右的角度。图案形成装置10在可以调节的范围内，被初期调节为各曝光头30即各DMD36的安装角度成为接近该设定倾斜角度9的角度。图8是表示在被如上所述初期调节的图案形成装置10中，在1个曝光头30的安装角度误差及图案偏斜的影响下，在被曝光面上的图案上产生的不均的例子的说明图。在以下的附图及说明中，对于由各描素部(微镜)产生的作为构成被曝光面上的曝光区域的描素单元的光点，分别将第m行的光点标记成r(m)、第n列的光点标记成c(n)、第m行第n列的光点标记成P(m，n)图8的上段部分表示在使平台14静止的状态下在感光材料12的被曝光面上投影的、来自可以使用的微镜58的光点组的图案，下段部分表示在上段部分所示之类的光点组的图案出现的状态下使平台14移动并进行连续曝光时，在被曝光面上形成的曝光图案的状态。其中，在图8中，为了便于说明，将可以使用的微镜58分成奇数列的曝光图案和偶数列的曝光图案进行表示，但实际上的被曝光面上的曝光图案重叠了这2个曝光图案。在图8的例子中，作为设定倾斜角度e采用若干大于所述角度eideal的角度的结果，另外还由于曝光头30的安装角度的微调节很困难，所以作为实际的安装角度与所述设定倾斜角度e之间具有误差的结果，在被曝光面上的任意区域也产生了浓度不均。具体而言，在利用奇数列的微镜的曝光图案及利用偶数列的微镜的曝光图案双方，在由多个描素部列形成的被曝光面上的重复曝光区域，相对理想的2重曝光，曝光变得过多，产生描绘变得冗长的区域，产生浓度不均。进而，在图8的例子中，是在被曝光面上出现的图案偏斜的一例，产生投影到被曝光面上的各像素列的倾斜角度变得不均一的"角度失真"。作为这样的角度偏斜产生的原因，可以举出DMD36与被曝光面间的光学系统的各种像差或定位偏离及DMD36自身的偏斜或微镜的配置误差等。图8的例中显现的角度失真是，相对扫描方向的倾斜角度，比图左侧的列小、比图右侧的列大的形态的失真。作为这一角度失真的结果，曝光过度的区域，在靠近图的左侧的被曝光面上变得更小，靠近图的右侧的被曝光面上变得更大。如上述，为了减轻多个描素部列形成的被曝光面上的重复曝光区域中的浓度不均，作为上述光点位置检测机构使用上述狭缝28及光检测器的组合，对每个曝光头30设定实际倾斜角度e'，以该实际倾斜角度e'为基础，使用连接于上述光检测器的上述演算装置作为上述描素部检测机构，进行选择用于实际曝光的微镜的处理。实际倾斜角度e'，基于光点位置检测机构检测的至少2个光点位置，由曝光头倾斜状态下被曝光面上光点的列方向与上述曝光头的扫描方向形成的角度设定。下面用图9和图io对上述实际倾斜角度e'的设定及使用像素选择处理加以说明。——实际倾斜角度e'的特定——图9是表示1个DMD36的曝光区域32与对应的狭缝28的位置关系的仰视图。狭缝28的大小设为充分覆盖曝光区域32的宽的大小。本实施方式(1)的例子中，测定位于曝光区域32大致中心的第512列的光点列与曝光头30的扫描方向形成的角度作为上述的实际倾斜角度6'。具体地讲，是将DMD36上第1行第512列的微镜58和第256行第512列的微镜58设为开通状态，检测与这些分别对应的被曝光面上的光点P(1，512)和P(256，512)的位置，将连接它们的直线与曝光头的扫描方向形成的角度设定为实际倾斜角度e'。图10是说明光点P(256，512)的位置的检测方法的仰视图。首先，在点亮第256行第512列的微镜58的状态下，缓慢移动平台14，使狭缝28沿Y轴方向做相对移动，使狭缝28位于使光点P(256，512)移至上游的狭缝28a和下游的狭缝28b之间任意位置的位置。将此时狭缝28a和狭缝28b的交点坐标定为(X0,Y0)。这一坐标(X0,Y0)的值取决于赋予平台14的驱动信号所示的平台14移动至上述位置的移动距离和已知的狭缝28在X轴方向的位置，并被记录。其次，移动平台14，使狭缝28沿Y轴方向向图IO中的右侧相对移动。然后如图10中二点连线所示，在光点P(256，512)的光通过左侧的狭缝28b并被光检测器检测的位置停止平台14。此时狭缝28a和狭缝28b的交点的坐标(X0,Y1)记录为光点P(256，512)的位置。接着向相反方向移动平台14，使狭缝28沿Y轴向图IO中左方相对移动。然后如图10中二点连线所示，在光点P(256，512)的光通过右侧的狭缝28a并被光检测器检测的位置停止平台14。此时狭缝28a和狭缝28b的交点的坐标(X0，Y2)记录为光点P(256，512)的位置。由以上的测定结果，通过X二XO十(Yl-Y2)/2、Y=(Yl+Y2)/2的计算决定表示光点P(256，512)在被曝光面上位置的坐标(X,Y)。也用同样的方法决定表示P(1，512)位置的坐标，导出连接各个坐标的直线与曝光头30的扫描方向形成的倾斜角度，将此设定为实际倾斜角度e'。——使用描素部的选择——使用这样设定的实际倾斜角度e'，连接于上述光检测器的上述演算装置导出与满足下述式4Uan6'=N(式4)的关系的值t最接近的自然数T，进行选择DMD36上第1行至第T行的微镜作为本曝光时实际使用的微镜的处理。由此，在第512列附近的曝光区域内，可以选择相对于理想的2重曝光，曝光过度区域与曝光不足区域的合计面积为最小的微镜作为实际使用的微镜。在此，可以以导出t值以上的最小的自然数来代替导出最接近上述t值的自然数。这种情况下，在第512列附近的曝光区域中，可以选择相对于理想的2重曝光，曝光过度区域的面积变得最小而且不产生曝光不足的区域的微镜作为实际使用的微镜。另外，也可以导出t值以下的最大的自然数。这种情况下，在第512列附近的曝光区域，可以选择对于理想的2重曝光，曝光不足区域的面变得最小而且不产生曝光过度的区域的微镜作为实际使用的微镜。图11是只使用通过上述方法被作为实际使用的微镜所选择的微镜生成的光点进行的曝光中，如何改善图8所示的被曝光面上的不均的说明图。该例中作为上述自然数T导出T=253，第1行至第253行的微镜被选中。对于没被选择的第254行至第256行的微镜，通过上述描素部控制机构，输送设定为平时关闭状态角度的信号，这些微镜实质上没有参与曝光。如图11所示，第512列附近的曝光区域内，曝光过度和曝光不足几乎完全被消除，实现了非常接近于理想的2重曝光的均一的曝光。另一方面，在图11左侧的区域(图中c(1)附近)，由于上述角度失真，被曝光面上光点列的倾斜角度变得比中央附近(图中c(512)附近)区域光线列的倾斜角度还小。因此，以c(512)为基准测定实际倾斜角度e'后基于此选择微镜，并利用该微镜进行曝光时，各偶数列的曝光图案和奇数列的曝光图案，与理想的2重曝光相比，只产生了一点曝光不足的区域。然而，将图示的奇数列曝光图案和偶数列曝光图案重合形成的实际曝光图案中，曝光量不足的范围相互被补充，可以通过2重曝光的补偿效果使上述角度变形引起的曝光不均成为最小。另外，在图ll右侧的区域(图中c(1024)附近)，由于上述角度失真，被曝光面上光线列的倾斜角度变得比中央附近(图中c(512)附近)区域光线列的倾斜角度还大。因此，以c(512)为基准测定实际倾斜角度e'后基于此选择微镜，并利用该微镜迸行曝光时，如图所示，与理想的2重曝光相比，只产生了一点曝光过多的区域。然而，将图示的奇数列曝光图案和偶数列曝光图案重合形成的实际曝光图案中，曝光量过多的区域相互补充，可以通过2重曝光的补偿效果使上述角度失真引起的浓度不均成为最小。本实施方式(1)中，如上所述，测定第512列的光线列的实际倾斜角度e'，用该实际倾斜角度e'，基于由上述式(4)导出的T，选择使用的微镜58，作为上述实际倾斜角度e'的设定方法，可以分别测定多个描素部的列方向(光点列)与上述曝光头的扫描方向形成的多个实际倾斜角度，将它们的平均值、中间值、最大值和最小值中的任一个设定为实际倾斜角度e'，根据上述式4等选择实际曝光时实际使用的微镜。若将上述平均值或上述中间值定为实际倾斜角度e'，则可以实现相对于理想的n重曝光而言曝光过度区域和曝光不足区域的平衡良好的曝光。例如，可以实现将曝光过度区域和曝光量不足区域的合计面积控制到最小、而且曝光过度区域的描素单元数(光点数)和曝光不足区域的描素单元数(光点数)相等的曝光。另外，若将上述最大值定为实际倾斜角度e'，则可以实现更重视排除相对于理想的n重曝光而言曝光过度的区域的曝光，例如，可以实现将曝光不足区域的面积控制为最小且不产生曝光过度区域的曝光。若将上述最小值定为实际倾斜角度e'，则可以实现更重视排除相对于理想的n重曝光而言曝光不足的区域的曝光，例如，可以实现将曝光过度区域的面积控制为最小而且不产生曝光不足区域的曝光。另一方面，上述实际倾斜角度e'的设定，并不限定于基于同一描素部的列(光点列)中至少2个光点的位置的方法。例如，可以设定从同一描素部列c(n)中1个或多个光点的位置和该c(n)附近的列中1个或多个光点的位置求得的角度作为实际倾斜角度e'。具体地讲，检测c(n)中1个光点的位置和位于沿曝光头的扫描方向延伸的直线上且含于附近的光点列的1个或多个光点位置，由这些位置信息求得实际倾斜角度e'。进而，也可以设定基于c(n)列附近的光点列中至少2个光点(如跨过c(n)配置的2个光点)的位置求得的角度作为实际倾斜角度e'。如上，根据使用图案形成装置IO的本实施方式(1)的使用描素部的指定方法，可以减轻由各曝光头的安装角度误差或图案失真的影响引起的析像度的不均匀或浓度不均，实现理想的n重曝光。(1)多个曝光曝光头间使用描素部的指定方法<1>本实施方式(2)说明如下的方法，即利用图案形成装置10对感光材料12进行2重曝光的情况下，由多个曝光头30形成的被曝光面上的重复曝光区域即曝光曝光头间连结区域中，由于2个曝光头(以曝光头3012和3021作为一例)的与X轴方向有关的相对位置与理想的状态偏离而引起析像度的不均匀和浓度不均的情况下，减轻这些并实现理想的2重曝光的使用描素部的指定方法。作为各曝光头30即各DMD36的设定倾斜角度e采用如果是曝光头30没有安装角度误差的理想的状态，则使用可以使用的1024列X256行的描素部微镜58正好成为2重曝光的角度eid^。该角度eic^，与上述实施方式(1)同样，由上述式13求得。本实施方式(2)中，图案形成装置IO被实施初期调整，以使各曝光头30即各DMD36的安装角度成为该角度eidd。图12是表示如上述地被实施初期调整的图案形成装置10中，由于2个曝光头(以曝光头3012和302作为一例)的与X轴方向有关的相对位置与理想状态偏离的影响，而在被曝光面上的图案上生成浓度不均的例子的说明图。各曝光头的与X轴方向有关的相对位置的不吻合，是由于曝光曝光头间的相对位置难以进行微调整而产生的。图12的上段部分是表示使平台14处于静止的状态下投影于感光材料12的被曝光面上的、来自曝光头3012和3021具有的DMD36的可以使用的微镜58的光点群图案的图。图12的下段部分表示的是关于曝光区域3212和3221，在如上段部分所示的光点群图案表现出的状态下，移动平台14进行连续曝光时，在被曝光面上形成的曝光图案的状态。图12中，为说明方便，将可以使用的微镜58的每隔一列的曝光图案分为像素列群A的曝光图案和像素列群B的曝光图案表示，但实际被曝光面上的曝光图案是这2个曝光图案重合在一起的产物。图12的例子中，作为上述与乂方向有关的曝光头3012和3021间相对位置与理想状态偏离的结果，在像素列群A的曝光图案和像素列群B的曝光图案上，在曝光区域3212和3221的上述曝光曝光头间连接区域内，均出现了相对于理想的2重曝光的状态而言曝光量过多的部分。为了减轻这样的多个上述曝光头在被曝光面上形成的上述曝光曝光头间连接区域内出现的浓度不均，本实施方式(2)中，将狭缝28和光检测器的组合作为上述光点位置检测机构使用，检测来自曝光头3012和3021的光点群中构成被曝光面上形成的上述曝光曝光头间连接区域的几个光点的位置(坐标)。基于该位置(坐标)，使用连接于上述光检测器的演算装置作为上述描素部选择机构，进行选择用于实际曝光的微镜的处理。——位置(坐标)的检测——图13是表示与图12同样的曝光区域3212和3221与对应的狭缝28的位置关系的仰视图。狭缝28的大小定为充分覆盖曝光头3012和3021的已曝光区域34间重复部分的宽的大小，即充分覆盖曝光头3012和3021在被曝光面上形成的上述曝光曝光头间连接区域的大小。图14是作为一个例子说明检测曝光区域322,的光点P(256，1024)的位置时的检测手法的仰视图。首先，在第256行第1024列的微镜被点亮的状态下，缓慢移动平台14，使狭缝28沿Y轴方向相对移动，使狭缝28位于使光点P(256，1024)移至上游的狭缝28a和下游的狭缝28b之间任意位置的位置。将此时的狭缝28a和狭缝28b的交点坐标定为(X0，Y0)。这一坐标(X0，Y0)的值取决于赋予平台14的驱动信号所示的平台14移动至上述位置的移动距离和巳知的狭缝28在X方向的位置，并被记录。其次，移动平台14，使狭缝28沿Y轴方向向图14中的右侧相对移动。然后如图14中二点连线所示，在光点P(256，1024)的光通过左侧的狭缝28b并被光检测器检测的位置，停止平台14。此时狭缝28a和狭缝28b的交点的坐标(X0，Y1)记录为光点P(256，1024)的位置。接着向相反方向移动平台14，使狭缝28沿Y轴向图14中左侧相对移动。然后如图14中二点连线所示，在光点P(256，1024)的光通过右侧的狭缝28a并被光检测器检测的位置，停止平台14。此时狭缝28a和狭缝28b的交点的坐标(X0，Y2)记录为光点P(256，1024)。由以上的测定结果，通过X二X(H(Yl-Y2)/2、Y=(Yl+Y2)/2的计算决定表示光点P(256，1024)在被曝光面上位置的坐标(X，Y)。——不使用描素部的设定——图12的例子中，首先用作为上述光点位置检测机构的狭缝28和光检测器的组合，检测曝光区域32,2的光点P(256，1)的位置。接着，按照P(256，1024)、P(256，1023)、...的顺序检测曝光区域3221的第256行的光点行r(256)上各光点的位置，表示比曝光区域3212的光点P(256,1)还要大的X坐标的曝光区域322,的光点P(256，n)被检测时，结束检测动作。接下来，设定与构成曝光区域32^的光点列c(n+l)至c(1024)的光点对应的微镜，作为本曝光时不使用的微镜(不使用描素部)。例如，图12中，如果曝光区域322,的光点P(256，1020)表示比曝光区域32u的光点P(256，l)还要大的X坐标，该曝光区域3221的光点P(256，1020)被检测后检测动作结束，则对应于构成曝光区域3221的第1021行至第1024行(相当于图15中斜线覆盖部分70)的光点的微镜，被设定为本曝光时不使用的微镜。其次，对于N重曝光的数N，检测曝光区域32u的光点P(256，N)的位置。本实施方式(2)中，由于N:2，检测光点P(256，2)的位置。接着，曝光区域3221的光点列中，除去与被设定为上述本曝光时不使用的微镜对应的光点列，从P(1，1020)起，按照P(1，1020)、P(2，1020)...的顺序检测构成最右侧的第1020列的光点的位置，表示比曝光区域32,2的光点P(256，2)还要大的X坐标的光点P(m，1020)被检测后，结束检测动作。其后，连接于上述光检测器的演算装置中，比较曝光区域3212的光点P(256，2)的X坐标和曝光区域322,的光点P(m，1020)及P(m-l，1020)的X坐标，在曝光区域322,的光点P(m，1020)的X坐标接近于曝光区域32^的光点P(256，2)的X坐标的情况下，设定对应于曝光区域32a的光点P(1，1020)至P(m-l,1020)的微镜作为本曝光时不使用的微镜。另外，曝光区域322,的光点P(m-l，1020)的X坐标接近于曝光区域32^的光点P(256,2)的X坐标的情况下，设定对应于曝光区域3221的光点P(1，1020)至P(m-2，1020)的微镜作为不用于本曝光的微镜。还有，对于曝光区域32,2的光点P(256，N-l)即光点P(256，1)的位置和构成曝光区域3221的次列即第1019列的各光点的位置，也进行同样的检测处理及不使用的微镜的设定。其结果，如图15中，构成由网线覆盖的区域72的光点所对应的微镜，作为实际曝光时不使用的微镜被加以追加。将平时把该微镜的角度设定至关闭状态角度的信号送至这些微镜，这些微镜实际上不用于曝光。这样，设定实际曝光时不使用的微镜，通过选择除去该不使用的微镜的微镜作为实际曝光时使用的微镜，在曝光区域3212和3221的上述曝光曝光头间的连接区域内，可以将相对于理想的2重曝光而言曝光过度的区域及曝光不足的区域的合计面积变为最小，如图15的下段所示，可以实现非常接近于理想的2重曝光的均一的曝光。上述的例子中，设定构成图15中由网线覆盖的区域72的光点时，可以不进行曝光区域3212的光点P(256，2)的X坐标与曝光区域3221的光点P(m，1020)及P(m-l，1020)的X坐标的比较，直接设定对应于曝光区域32^的光点P(1，1020)至P(m-2，1020)的微镜作为本曝光时不使用的微镜。这种情况下，可以选择上述曝光曝光头间连接区域内相对于理想2重曝光而言曝光过度的区域的面积变得最小、而且不产生曝光不足区域的微镜作为实际使用的微镜。另夕卜，可以设定曝光区域32^的光点P(1，1020)至P(m-l，1020)所对应的微镜作为不用于本曝光的微镜，这种情况下，可以选择上述曝光曝光头间连接范围内相对于理想的2重曝光而言曝光不足的区域的面积变得最小、而且不产生曝光过度区域的微镜作为实际使用的微镜。进而，还可以以在上述曝光曝光头间连接区域内相对于理想的2重描绘而言曝光过度的区域的描素单元数(光点数)和曝光不足区域内的描素单元数(光点数)相等的方式选择实际使用的微镜。如上所述，根据使用图案形成装置10的本实施方式(2)的使用描素部的指定方法，可以减轻多个曝光头的与X轴方向有关的相对位置的错位引起的析像度的不均匀和浓度不均，实现理想的N重曝光。(3)多个曝光曝光头间的使用描素部的指定方法<2〉本实施方式(3)中说明如下指定方法，即利用图案形成装置10对感光材料12进行2重曝光的情况下，由多个曝光头30形成的被曝光面上的重复曝光区域即曝光曝光头间连结区域中，减轻由2个曝光头(以曝光头3012和3021作为一例)的与X轴方向有关的相对位置与理想的状态偏离、各曝光头的安装角度误差以及2个曝光曝光头间的相对安装角度误差而引起的析像度的不均匀和浓度不均，用于实现理想的2重曝光的使用描素部的指定方法。作为各曝光头30即各DMD36的设定倾斜角度，采用比角度6^31稍大一些的角度，所述eid^为如果是没有曝光头'30的安装角度误差等的理想状态则使用可以使用的1024列X256行的描素部(微镜58)正好成为2重曝光的角度。该角度eid^是与上述(1)的实施方式同样用上述式13求得的值，本实施方式中，如上所述，由于5=256、N=2，所以角度9idea,约为0.45度。因此，作为设定倾斜角度e，可以采用如0.50度左右的角度。图案形成装置10，在可以调制的范围内可以被实施初期调整，以使各曝光头30即各DMD36的安装角度成为接近于该设定倾斜角度e的角度。图16是表示说明如下例子的图，即，各曝光头30即各DMD36的安装角度被如上所述地初期调整的图案形成装置10中，由于2个曝光头(以曝光头3012和3021作为一例)的安装角度误差以及各曝光头3012和3021间的相对安装角度误差和相对位置不吻合的影像，于被曝光面的图案上产生斑的例子。.图16的例子中，作为与图12的例子同样的、与X轴方向有关的曝光头3012和3021的相对位置不吻合的结果，在每隔一列光点群(像素列群A和B)的曝光图案上，在曝光区域3212和3221的被曝光面上的与上述曝光头的扫描方向垂直的坐标轴上重复的曝光区域内，均产生了相对于理想的2重曝光状态曝光量过多的区域74，由此引起了浓度不均。进而，图16的例子中，将各曝光头的设定倾斜角度e设定为比满足上述式(1)的角度9ic^稍大一些，同时由于各曝光头的安装角度难以进行微调整，实际的安装角度与上述设定倾斜角度e不吻合，其结果，即使在被曝光面上的与上述曝光头的扫描方向垂直的坐标轴上重复的曝光区域以外的区域，在每隔一列光点群(像素列群A和B)的曝光图案上，在由多个描素部列形成的、被曝光面上的重复曝光区域即描素部列间连接区域内，也均会产生相对于理想的2重曝光的状态呈曝光过度的区域76，这进一步引起了浓度不均。本实施方式(3)中，首先，为了减轻各曝光头3012和3021的安装角度误差及由于相对安装角度不吻合的影响而引起的浓度不均，进行使用像素选择处理。具体是，使用狭缝28及光检测器的组合作为上述光点位置检测机构，对各曝光头3012和3021分别设定实际倾斜角度e'，基于该实际倾斜角度e'，作为上述描素部选择机构使用连接于光检测器的演算装置，进行选择用于实际曝光的微镜的处理。——实际倾斜角度e'的设定——实际倾斜角度e'的设定中，利用上述实施方式(2)中所用的狭缝28和光检测器的组合，分别检测曝光头3012的曝光区域3212内的光点P(1，1)和P(256,1)的位置、以及曝光头302,的曝光区域322,内的光点P(1,1024)和P(256，1024)的位置，测定连接它们的直线的倾斜角度和与曝光头的扫描方向所成的角度。——不使用描素部的设定——连接于光检测器的演算装置，使用这样设定的实际倾斜角度e'，与上述实施方式(1)的演算装置同样，针对曝光头3012和3021分别导出最接近于满足下述式4的关系的t值的自然数T，ttan0'=N(式4)进行设定DMD36上第(T+l)行至第256行的微镜作为不用于本曝光的微镜的处理。例如，如果导出曝光头3012的T=254，曝光头3021的T=255，则设定与构成图17中被斜线覆盖的部分78和80的光点相对应的微镜作为不用于本曝光的微镜。由此，可以将曝光区域32,2和3221中曝光曝光头间连接区域以外的各区域中，相对于理想的2重曝光而言曝光过度的区域和曝光不足区域的合计面积变为最小。在此，可以用导出t值以上的最小自然数的步骤取代导出上述最接近于t值的自然数的步骤。这种情况下，曝光区域3212和3221的由多个曝光头形成的被曝光面上的重复爆光区域即曝光曝光头间连接区域以外的各区域内，可以使相对于理想的2重曝光而言曝光量过多的面积变得最小，而且不产生曝光量不足的面积。或者可以定为导出t值以下的最大自然数。这种情况下，曝光区域3212和322,的由多个曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域即曝光曝光头间连接区域以外的各区域内，可以使相对于理想的2重曝光而言曝光不足的面积变得最小，而且不产生曝光量过多的区域。也可以如下所述地设定不用于本曝光的微镜，即，由多个曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域即曝光曝光头间连接区域以外的各区域内，相对于理想的2重曝光而言曝光过度的区域的描素单元数(光点数)和曝光不足区域的描素单元数(光点数)趋于相等。其后，对与构成图17中被斜线覆盖的区域78和80的光点以外的光点相对应的微镜，进行与用图12至图15说明的本实施方式(3)同样的处理，设定与构成图17中斜线覆盖区域82和网线覆盖区域84的光点相对应的微镜，并作为本曝光时不使用的微镜追加。对于这些作为曝光时不使用的微镜而被设定的微镜，通过上述描素部控制机构，输送平时设定为关闭状态角度的信号，这些微镜实质上不参与曝光。如上所述，根据使用图案形成装置10的本实施方式(3)的使用描素部的指定方法，可以减轻多个曝光头的与X轴方向有关的相对位置的不吻合以及各曝光头的安装角度误差和曝光曝光头间的相对安装角度误差引起的析像度的不均匀和浓度不均，实现理想的N重曝光。以上对图案形成装置10的使用描素部指定方法进行了详细的说明，但上述实施方式(1)(3)只不过是例子，不脱离本发明的范围的种种变化也是可以的。另外，上述实施方式(1)(3)中，使用狭缝28和单一单元型光检测器的组合作为检测被曝光面上光点位置的机构，但不限于此，也可以使用任何形态，例如可以使用2维检测器。还有，上述实施方式(1)(3)中，由狭缝28和光检测器的组合所得的被曝光面上的光点的位置检测结果求得实际倾斜角度e'，并基于该实际倾斜角度e'，选择了使用的微镜，但也可以不借助实际倾斜角度e'的导出而直接选择可以使用的微镜。本发明的范围也可以包含如下的形态，如，使用所有可以使用的微镜进行参照曝光，通过对参照曝光结果由目视确认析像度或浓度不均，由操作者通过手动指定所使用的微镜的形态。另外，被曝光面上产生的图案变形，除了上述例子说明的角度失真，还存在各种的形态。作为一例，如图18A所示，有来自DMD36上的各微镜58的光线以不同倍率到达被曝光面上曝光区域32的倍率失真的形态。另外，作为其它的例子，如图18B所示，有来自DMD36上各微镜58的光线，以不同光束径到达被曝光面上曝光区域32的光束径失真的形态。这些倍率失真和光束径失真主要起因于DMD36和被曝光面间光学系统的各种像差或定位不准。作为另外的例子，有来自DMD36上各微镜58的光线以不同光量到达被曝光面上曝光区域32的光量失真的形态。该光量失真，除了各种像差或定位不准，还起因于DMD36与被曝光面间光学因素(如作为1个透镜的图5A和图5B的透镜52和54)的透过率的位置依赖性或DMD36自身的光量斑。这些形态的图案失真也会在形成于被曝光面上的图案上生成析像度不均或浓度不均。根据上述实施方式(1)(3)，选择实际用于本曝光的微镜后的、这些形态的图案失真的残留要素，也同上述角度失真的残留要素，可以由多重曝光的补偿效果使之变均匀，可以在各曝光头的全部曝光区域减轻析像度不均或浓度不均。《参照曝光》作为上述实施方式(1)(3)的变更例，实施如下例子。即，在可以使用的微镜中，只使用每隔(N—l)列的微镜列、或者全光点行中构成相当于1/N行的相邻行的微镜群，进行参照曝光，并以能够实现均一的曝光的方式，从用于所述参照曝光的微镜中设定实际曝光时不使用的微镜。采样输出上述参照曝光机构产生的参照曝光结果，对该输出的参照曝光结果，确认析像度的不均匀或浓度不均，进行推定实际倾斜角度等的分析。对于上述参照曝光结果的分析可以通过操作者的目视进行。图19A和图19B是表示使用单一的曝光头并只使用每隔(N—l)列的微镜进行参照曝光的形态的一例的说明图。该例中，本曝光时定为2重曝光，因此N二2。首先只使用图19A中用实线表示的奇数列的光点列所对应的微镜进行参照曝光，将参照曝光结果釆样输出。以上述采样输出的参照曝光结果为基础，确认析像度的不均匀或浓度不均，推定实际倾斜角度，由此可以指定本曝光时使用的微镜。例如，图19B中以斜线覆盖表示的光点列对应的微镜以外的微镜被指定为构成奇数列的光点列的微镜中，实际用于本曝光的微镜。对于偶数列的光点列，可以同样进行参照曝光来指定本曝光时使用的微镜，也可以适用与对应于奇数列的光点列的图案同样的图案。通过如此指定本曝光时使用的微镜，使用奇数列和偶数列双方的微镜的本曝光中，可以实现接近于理想的2重曝光的状态。图20是表示用多个曝光头并只使用每隔(N—l)列的微镜进行参照曝光的形态之一例的说明图。该例中，本曝光时定为2重曝光，因此N二2。首先，只使用图20中实线所示的在X轴方向上相邻的2个曝光头(例如曝光头3012和3021)的奇数列的光点列所对应的微镜，进行参照曝光，将参照曝光结果采样输出。以上述输出的参照曝光结果为基础，确认2个曝光头在被曝光面上形成的曝光曝光头间连接区域以外的区域内析像度的不均匀或浓度不均、或推定实际倾斜角度，由此可以指定本曝光时使用的微镜。例如，图20中以斜线覆盖表示的区域86和网线表示的区域88内的光点列所对应的微镜以外的微镜，被指定为构成奇数列的光点的微镜中，实际用于本曝光的微镜。对于偶数列的光点列，可以同样进行参照曝光来指定本曝光时使用的微镜，也可以适用与对应于奇数列的像素列的图案同样的图案。通过如此指定本曝光时使用的微镜，使用奇数列和偶数列双方的微镜的本曝光中，在由2个曝光头于被曝光面上形成的上述曝光曝光头间连接区域以外的区域，可以实现接近于理想的2重曝光的状态。图21A和图21B是表示用单一曝光头并只使用构成相当于全光点行数的1/N行的相邻行的微镜群进行参照曝光的形态之一例的说明图。该例中，本曝光时定为2重曝光，因此N二2。首先，只使用图21A中实线所示的第1行至第128(二256/2)行的光点所对应的微镜，进行参照曝光，将参照曝光结果采样输出。以上述输出的参照曝光结果为基础，可以指定本曝光时使用的微镜。例如，图21B中以斜线覆盖表示的光点群所对应的微镜以外的微镜,可以被指定为第1行至第128行的微镜中，实际用于本曝光时的微镜。对于第129行至第256行的微镜，可以同样进行参照曝光来指定本曝光时使用的微镜，也可以适用与对应于第1行至第128行的微镜的图案同样的图案。通过如此指定本曝光时使用的微镜，在使用全部微镜的本曝光，可以实现接近于理想的2重曝光的状态。图22是表示用多个曝光头，对于X轴方向上相邻的2个曝光头(例如曝光头3012和3021)，只使用分别构成相当于全光点行数的1/N行的相邻行的微镜群进行参照曝光的形态之一例的说明图。该例中，本曝光时定为2重曝光，因此N二2。首先，只使用图22中实线所示的第1行至第128(二256/2)行的光点所对应的微镜，进行参照曝光，将参照曝光结果采样输出。以上述输出的参照曝光结果为基础，可以指定本曝光时使用的微镜，以实现由2个曝光头于被曝光面上形成的曝光曝光头间连接区域以外的区域中的析像度的不均匀或浓度不均被控制为最小的本曝光。例如，图22中以斜线覆盖表示的区域90和网线表示的区域92内的光点列所对应的微镜以外的微镜被指定为第1行至第128行的微镜中，实际用于本曝光时的微镜。对于第129行至第256行的微镜，可以同样进行参照曝光来指定本曝光时使用的微镜，也可以适用与对应于第1行至第128行的微镜的图案同样的图案。通过如此指定本曝光时使用的微镜，在由2个曝光头于被曝光面上形成的上述曝光曝光头间连接区域以外的区域，可以实现接近于理想的2重曝光的状态。以上实施方式(1)(3)及变更例中，任何一个都是将本曝光定为2重曝光的情况加以说明，但并不限于此，可以定为2重曝光以上的任何多重曝光。特别是通过定为3重至7重左右的曝光，可以实现确保高析像度、析像度的不均匀和浓度不均被减轻的曝光。另外，上述实施方式及变更例所涉及的曝光装置中，为了使图像数据表示的2维图案的规定部分的尺寸、与由所选择的使用像素可以实现的对应部分的尺寸一致，优选设置变换图像数据的装置。通过如此变换图像数据，可以在被曝光面上形成如所需2维图案的高精细的图案。[显影工序]所述显影工序是通过在利用所述曝光工序对所述图案形成材料中的感光层进行曝光并使该感光层的已曝光的区域固化之后，除去未固化区域来进行显影，形成图案的工序。所述显影工序例如可以优选利用显影机构实施。作为所述显影机构，可以使用显影液进行显影，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出喷雾所述显影液的机构、涂敷所述显影液的机构、浸渍于所述显影液的机构等。它们可以单独使用1种或并用2种以上。另外，所述显影机构也可以包括交换所述显影液的显影液交换机构、供给所述显影液的显影液供给机构等。作为所述显影液，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出碱性液、水系显影液、有机溶剂等，其中，优选弱碱性的水溶液。作为该弱碱性液的碱成分，例如可以举出氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢锂、碳酸氢钠、碳酸氢钾、磷酸钠、磷酸钾、焦磷酸钠、焦磷酸钾、硼砂等。作为所述弱碱性的水溶液的pH，例如优选约为812，更优选约为911。作为所述弱碱性的水溶液，例如可以举出0.15质量％的碳酸钠水溶液或碳酸钾水溶液等。作为所述显影液的温度，可以对应所述感光层的显影性适当选择，例如优选约为25°C40°C。所述显影液也可以与表面活性剂、消泡剂、有机碱(例如乙二胺、乙醇胺、四甲基铵氢氧化物、三亚乙基三胺、三亚乙基五胺、吗啉、三乙醇胺等)或用于促进显影的有机溶剂(例如醇类、酮类、酯类、醚类、酰胺类、内酯类等)等。另外，所述显影液可以为混合水或碱水溶液与有机溶剂的水系显影液，也可以单独为有机溶剂。[蚀刻工序]作为所述蚀刻工序，可以利用从公知的蚀刻处理方法中适当选择的方法进行。作为所述蚀刻处理中使用的蚀刻液，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如由铜形成所述金属层的情况下，可以举出氯化铜溶液、氯化铁溶液、碱蚀刻溶液、过氧化氢系蚀刻液等，其中，从蚀刻因素(etchingfactor)的观点出发，优选三氯化铁溶液。通过在利用所述蚀刻工序进行蚀刻处理之后作为剥离片除去所述图案，可以在所述基体的表面上形成永久图案。作为所述永久图案，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出布线图案等。[抗蚀剂剥离工序]作为所述抗蚀剂剥离工序，只要是在剥离处理所述图案之后，作为剥离片除去的工序即可，没有特别限制，可以利用从公知的抗蚀剂剥离处理方法中适当地选择的方法进行。由本发明的感光性树脂组合物构成的感光层在所述抗蚀剂剥离工序中产生的剥离片极为微细，可以防止剥离不良等，可以防止该剥离片引起的装置的污染。作为在所述抗蚀剂剥离处理中使用的剥离液，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如可以举出110质量％的氢氧化钠水溶液、110质量％氢氧化钾水溶液等无机碱水溶液或120质量％胺系有机碱水溶液等，其中，优选110质量％的无机碱水溶液。作为在所述抗蚀剂剥离工序中产生的剥离片，该剥离片中的最大边的长度优选为5cm以下。如果所述剥离片的最大边的长度超过5cm，则有时发生剥离不良，或者妨碍装置的输送系统而成为输送不良的原因。[印刷线路板的制造方法]本发明的所述图案形成方法可以优选用于印刷布线板的制造特别是具有穿通孔或导通孔等孔部的印刷线路板的制造。以下对利用本发明的图案形成方法的印刷线路板的制造方法的制造方法的一例进行说明。一印刷线路板的制造方法一特别是作为具有穿通孔或导通孔等孔部的印刷线路板的制造方法，可以通过(1)在作为所述基体的具有孔部的印刷线路板形成用基板上，以其感光层成为所述基体侧的位置关系层叠所述感光性转印薄膜，形成层叠体，(2)从所述层叠体的与所述基体相反侧对需要的区域进行光照射，使感光层固化，(3)从所述层叠体除去所述感光性转印薄膜中的支撑体、缓冲层及阻挡层，(4)对所述层叠体中的感光层进行显影，除去该层叠体中的未固化部分，来形成图案。然后，为了得到印刷线路板，只要利用使用所述已形成的图案，蚀刻处理或镀敷处理所述印刷线路板形成用基板的方法(例如公知的减(subtractive)法或力口(additive)法(例如半力口(semiadditive)法、全力口(fUlladditive)法))进行处理即可。其中，为了用工业上有利的隆起(tenting)工序形成印刷线路板，优选所述减法。剥离所述处理后印刷线路板形成用基板上残存的固化树脂，另外在所述半加法的情况下，可以通过在剥离后进一步蚀刻铜薄膜部，制造需要的印刷线路板。另外，多层印刷线路板也可以与所述印刷线路板的制造方法同样地制造。接着，对使用所述感光性转印薄膜的具有穿通孔的印刷线路板的制造方法进一步说明。首先，准备具有穿通孔、表面被金属镀敷层覆盖的印刷线路板形成用基板。作为所述印刷线路板形成用基板，例如可以使用在镀铜叠层板及玻璃一环氧等绝缘基材上形成铜镀敷层的基板，或在这些基板上层叠层间绝缘膜形成铜镀敷层的基板(层叠基板)。接着，在所述感光性转印薄膜上具有保护薄膜的情况下，剥离该保护薄膜，使用加压辊，压接所述感光性转印薄膜中的感光层，使其与印刷线路板形成用基板的表面接触(层叠工序)。这样，可以得到依次具有所述印刷线路板形成用基板和所述层叠体的层叠体。作为所述感光性转印薄膜的层叠温度，没有特别限制，例如可以举出室温U530'C)或加热下(30180°C)，其中，优选加热下(60140。C)。作为所述压接辊的辊压，没有特别限制，例如优选0.1lMPa。作为所述压接的速度，没有特别限制，优选l3m/分钟。另外，也可以预热所述印刷线路板形成用基板，或在减压下层叠。所述层叠体的形成也可以在所述印刷线路板形成用基板上层叠所述感光性转印薄膜，或者通过在所述印刷线路板形成用基板的表面上直接涂敷并干燥所述感光性转印薄膜制造用的感光性树脂组合物溶液等，由此在所述印刷线路板形成用基板上层叠感光层、阻挡层、缓冲层及支撑体。接着，从所述层叠体的与基体的相反侧的面，照射光使感光层固化。在进行该曝光之后，从所述层叠体剥离所述支撑体(剥离工序)。接着，用适当的显影液溶解除去所述印刷线路板形成用基板上的感光层的未固化区域，形成布线图案形成用的固化层和穿通孔的金属层保护用固化层的图案，在所述印刷线路板形成用基板的表面上露出金属层(显影工序)。另外，也可以在显影后根据需要利用后加热处理或后曝光处理，进一步进行促进固化部的固化反应的处理。显影可以为如上所述的湿显影法，也可以为干显影法。接着，用蚀刻液溶解除去在所述印刷线路板形成用基板的表面上露出的金属层(蚀刻工序)。穿通孔的开口部由固化树脂组合物(遮盖膜)覆盖，所以蚀刻液不会进入穿通孔内腐蚀穿通孔内的金属镀层，穿通孔的金属镀层残存为规定的形状。这样，在所述印刷线路板形成用基板上形成布线图案。作为所述蚀刻液，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如所述金属层由铜形成的情况下，可以举出氯化铜溶液、氯化铁溶液、碱蚀刻溶液、过氧化氢系蚀刻液等，其中，从蚀刻因素的观点出发，优选氯化铁溶液。接着，作为用强碱水溶液等，将所述固化层作为剥离片，从所述印刷线路板形成用基板除去(抗蚀剂剥离工序)。在所述抗蚀剂剥离工序中产生剥离片，但由于利用由本发明的感光性树脂组合物构成的感光层形成的图案的剥离片极微小，所以没有剥离不良，可以防止该剥离片对装置的污染。作为所述强碱水溶液中的碱成分，没有特别限制，例如可以举出氢氧化钠、氢氧化钾等。作为所述强碱水溶液的pH，例如优选约为1214，更优选约为13作为所述强碱水溶液，没有特别限制，例如可以举出110质量％的氢氧化钠水溶液或氢氧化钾水溶液等。另外，印刷线路板也可以为多层结构的印刷线路板。此外，所述感光性转印薄膜不仅可以在所述蚀刻过程中使用，还可以在镀敷过程中使用。作为所述镀敷法，例如可以举出硫酸铜镀敷、焦磷酸铜镀敷等铜镀敷，高流动性(highflow)焊锡镀敷等焊锡镀敷，瓦特浴(硫酸镍一氯化镍)镀敷，氨基磺酸镍等镍镀敷，硬(hard)金镀敷、软金镀敷等金镀敷等。本发明的图案形成方法由于使用本发明的所述感光性转印薄膜，所以可以优选用于各种图案的形成、布线图案等永久图案的形成、滤色片、柱材、肋材、间隔件、隔壁等液晶结构构件的制造、全息摄影、微型电机，印样等的制造，特别可以优选用于形成高精细的布线图案。实施例以下利用实施例对本发明进行更具体的说明，但本发明不被这些所限定。(实施例1)一感光性转印薄膜的制造一作为所述支撑体，向厚16pm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜，涂敷由下述组成构成的感光性树脂组合物溶液并使其干燥，形成厚15pm的感光层，接着，在该感光层上，用层压机层叠20nm厚的聚丙烯薄膜作为所述保护薄膜，制造所述感光性转印薄膜。[感光性树脂组合物溶液的组成]由下述表1所示的组成构成的粘合剂("…20质量份BPE500(新中村化学制)…10质量份UAT1(新中村化学制)…10质量份N—甲基吡咯烷酮…0.11质量份2，2'—双(邻氯苯基)一4，4，，5，5'—四苯基联二咪唑…2.17质量份2—巯基苯并咪唑…0.23质量份孔雀绿草酸盐…0.02质量份无色结晶紫…0.26质量份甲基乙基甲酮…40质量份l一甲氧基一2—丙醇…20质量份*:包括共聚物A及共聚物B。各共聚物的重均分子量、质量比、组成如下述表1所示。接着，作为所述基体，在对表面进行了研磨、水洗、干燥的镀铜叠层板(没有穿通孔，铜的厚12|im)的表面上，剥离所述感光性转印薄膜的保护薄膜，同时使用层压机(MODEL8B—720—PH，大成层压机(株)制)压粘该感光性转印薄膜的感光层，使其与所述镀铜叠层板接触，制作依次层叠了所述镀铜叠层板、所述感光层、所述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撑体)的层叠体。压接条件为压接辊温度105°C、压接辊压力0.3MPa、层叠速度lm/分钟。利用以下方法对所述层叠体中的所述感光性转印薄膜的感光层评价熔融粘度、基板上的随动性、未曝光膜破裂、显影性、感度、析像度、边缘粗糙度、剥离片尺寸及遮蔽性。<熔融粘度>反复进行感光层的面之间的层叠，将样本调整成厚150±10pm，然后在25X:、50XRH的环境下放置感光层24小时之后，使用流变仪(动态粘弹性测定装置)(REOLOGCA公司制，DynAlyserDAR—lOO)，在频率lHz、间距1.5mm的条件下测定。结果如表2所示。<显影性>从所述层叠体剥去所述支撑体，用0.15MPa的压力向镀铜叠层板上的所述感光层的全面喷射3(TC的1质量％碳酸钠水溶液，测定从开始喷射碳酸钠水溶液到溶解除去镀铜叠层板上的感光层所需要的时间，将其作为最短显影时间。利用以下标准评价该最短显影时间。结果如表3所示。—评价标准一0…30秒以下A…超过30秒、60秒以下X…超过60秒<感度〉对所述配制的层叠体中的感光性转印薄膜的感光层，从所述支撑体侦IJ，使用以下说明的图案形成装置，照射以21/2倍间隔、从0.1mJ/cr^到100mJ/cn^的光能量不同的光，进行曝光，使所述感光层的一部分区域固化。在室温下静置10分钟，然后从所述层叠体剥去所述支撑体，用喷射压0.15MPa向镀铜叠层板上的感光层的全面喷射30'C的1质量％碳酸钠水溶液，喷射时间为在所述显影性的评价中求得的最短显影时间的2倍，溶解除去未固化的区域，测定残留的固化区域的厚度。接着，绘制光的照射量与固化层的厚度之间的关系的曲线图，得到感度曲线。这样从该感度曲线可知，将固化区域的厚度成为与曝光前的感光层同样为15pm时的光能量，作为使感光层固化所必需的光能量(感度)。结果如表3所示。《图案形成装置》作为所述光照射机构，使用特开2005—258431号公报中记载的，具有以下构件的具备曝光头30的图案形成装置10。S卩，具有合波激光光源，和作为所述光调制机构的将图6中的概略图所示的将主扫描方向上排列1024个微镜58的微镜列在副扫描方向排列成768组内、控制成仅驱动1024个X256列的DMD36，和图5A及图5B所示的将光成像于所述感光性转印薄膜的光学系统。作为各曝光头30即各DMD36的设定倾斜角度，采用了使用可以使用的1024列X256行的微镜58而恰好成为若干大于成为2重曝光的角度9id^的角度。该角度eid^是相对N重曝光的数目N、可以使用的微镜58的列方向的个数s、可以使用的微镜58的列方向的间隔p及在使曝光头30倾斜的状态下利用微镜形成的扫描线的间距S，利用下述式1spsin6ideaj^N8(式1)得到。本实施方式中的DMD36如上所述，纵横配置间隔相等的大多数微镜58被配置成矩形格子状，所以为pcos6ideal=5(式2)，上述式l成为stan0ideai^N(式3)，由于s二256、N=2，所以角度0idea,约为O.45度。因而，作为设定倾斜角度0，例如采用0.50度。首先，为了校正2重曝光中的析像度的不均或曝光不均，分析被曝光面的曝光图案的状态。结果见图16。在图16中，表示在使平台14静止的状态下，来自向感光性转印薄膜12的被曝光面上投影的曝光头3012和3021具有的DMD36的可以使用的微镜58的光点组的图案。另夕卜，在下段部分，在如上段部分所示的光点组的图案出现的状态下使平台14移动并迸行连续曝光时，对曝光区域3212和3221显示在被曝光面上形成的曝光图案的状态。此外，在图16中，为了便于说明，将可以使用的微镜58的每隔1列的曝光图案分成利用像素列组A的曝光图案和利用像素列组B的曝光图案进行表示，但实际的被曝光面上的曝光图案重叠了这2个曝光图案。如图16所示，判断为，作为曝光头3012和3021之间的相对位置的从理想的状态偏离的结果，在利用像素列组A的曝光图案和利用像素列组B的曝光图案的双方，在曝光区域3212和3221的与所述曝光头的扫描方向正交的坐标轴上重复的曝光区域，相对于理想的2重曝光的状态，产生曝光量过多的部分。作为所述光点位置检测机构，使用缝隙28及光检测器的组，对于曝光头30,2而言的曝光区域32,2内的光点P(1，1)和P(256,1)的位置，对于曝光头3021而言的曝光区域3221内的光点P(1，1024)和P(256，1024)的位置，进行检测，测定连接它们的直线的倾斜角度与曝光头的扫描方向所成角度。使用实际倾斜角度e'，分别对于曝光头3012和3021，导出与满足下述式4ttane'=N(式4)的关系的值t最近的自然数T。分别对于曝光头3012导出1=254，对于曝光头3021导出T=255。结果，构成图17中用斜线覆盖的部分78及80的微镜被特定作为本曝光时不使用的微镜。然后，关于对应构成在图17中用斜线覆盖的区域78及80的光点以外的光点的微镜，同样地对应构成在图17中用斜线覆盖的区域82及用网线表示的区域84的光点的微镜被特定，追加作为本曝光时不使用的微镜。相对这些被特定作为曝光时不使用的微镜，利用所述描素部控制机构，传送设定成经常关闭状态的角度的信号，这些微镜被控制为实际上不参与曝光。这样，在曝光区域3212和3221中的作为由多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域的曝光头间连接区域以外的各区域，可以使相对理想的2重曝光成为曝光过多的区域及成为曝光不足的区域的总面积为最小。<析像度>用与所述显影性的评价相同的方法及条件制作所述层叠体，在室温下(23°C，55%RH)静置10分钟。从得到的层叠体的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撑体)上，使用所述图案形成装置，以线(line)/空间(space)二1A，从线(line)宽1(Him50nm，以每l(am,进行各线宽的曝光。此时的曝光量为在所述感度的测定中求得的固化所述感光性转印薄膜的感光层所必需的光能量。在室温下静置IO分钟之后，从所述层叠体剥去聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撑体)。用喷射压0.15MPa向镀铜叠层板上的感光层的全面喷射3(TC的1质量％碳酸钠水溶液，喷射时间为最短显影时间的2倍，溶解除去未固化区域。用光学显微镜观察这样进行而得到的带有固化树脂图案的镀铜层叠板的表面，在固化树脂图案的线中测定没有堵塞、皱巴等异常且可以形成空间的最小线宽，将其作为析像度。该析像度的数值越小越为良好。结果如表3所示。<边缘粗糙度>向所述层叠体，使用所述图案形成装置，进行照射、曝光，以使与所述曝光头的扫描方向正交的方向的横线图案形成，与所述析像度的测定同样地在所述感光层的一部分区域形成图案。得到的图案中，对线宽30)am的线的任意5处，使用激光显微镜(VK—9500，基恩斯(keyence)(株)制；物镜50倍)进行观察，将视野内的边缘位置中最膨胀的地方(凸出部)与最狭窄的地方(凹陷部)之间的差作为绝对值求得，算出观察的5处的平均值，将其作为边缘粗糙度。该边缘粗糙度越小，则越显示良好的性能，优选。结果见表3。<遮蔽性>作为所述基体，除了使用对表面进行研磨、水洗、干燥的镀铜叠层板(4mm直径的穿通孔100个，铜厚度12pm)以外，利用与所述显影性的评价方法相同的方法及条件，配制层叠体。使用所述图案形成装置对所述层叠体进行全面曝光、显影。然后，用光学显微镜观察在穿通孔的贯通孔上形成的固化树脂图案的破裂的有无。结果如表3所示。<剥离片尺寸>使用在所述析像度的测定中形成的具有图案的所述层叠体，在该层叠体中露出的镀铜叠层板的表面，以0.25MPa，喷射36秒钟氯化铁腐蚀剂(含有氯化铁蚀刻溶液，40°玻美度，液温40'C)，溶解除去没有用固化层覆盖的露出的区域的铜层，由此进行蚀刻处理。接着，向所述基体上的固化树脂图案喷射3质量％的氢氧化钠水溶液(40°C)，进行抗蚀剂剥离处理，除去剥离片。测定除去的所述剥离片的尺寸，对最大的剥离片，利用光学显微镜测定最大边的长度。结果如表3所示。<基板上的随动性>作为所示基体(基板)，对表面进行研磨、水洗、干燥，在以线/空间=1/1、线宽50pm、蚀刻深度8pm形成半蚀刻线的镀铜叠层板(铜厚度为16iim)上，用与所述显影性的评价方法相同的条件制作所述层叠体，从得到的层叠体的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撑体)上，使用所述图案形成装置，与所述半蚀刻线垂直地照射、曝光，进而形成线/空间^3(^m的线，与所述析像度的测定相同地进行，形成图案。接着，与所述剥离片尺寸的评价方法同样地进行，进行蚀刻处理，然后利用光学显微镜观察所述基板的表面，以以下标准进行评价。结果如表2所示。0…半蚀刻线部分的抗蚀剂也随动，所以没有图案的断线X…半蚀刻线部的抗蚀剂没有充分地随动，有图案的断线<未曝光膜破裂>对所述层叠体中的镀铜叠层板，以所述压接条件，在两面层叠感光层，除此以外，与所述层叠体同样地进行，配制未曝光膜破裂的评价用的层叠体，在室温(25°C、50%RH)保管得到的层叠体5天。从该保管后的层叠体，剥离支撑体，计数所述孔部分的感光层剥离、破裂的个数，评价未曝光膜破裂。在所述直径16mm的各孔部中，将30个孔全部没有破裂的孔部中的最大的孔部的直径作为未曝光膜破裂的值。结果如表2所示。(实施例26)在实施例1中，使粘合剂的共聚物A及共聚物B成为表1所示的组成及质量比，除此以外，与实施例1同样地进行，评价熔融粘度、基板上的随动性、未曝光膜破裂、显影性、感度、析像度、边缘粗糙度、剥离片尺寸及遮蔽性。结果如表2及表3所示。(实施例7)在实施例1中，将所述曝光装置代替成具备超高压汞灯作为光源的曝光装置，使用光掩模进行曝光，除此以外，与实施例1同样地进行，评价熔融粘度、基板上的随动性、未曝光膜破裂、显影性、感度、析像度、边缘粗糙度、剥离片尺寸及遮蔽性。结果如表2及表3所示。(实施例8)在实施例1的图案形成装置中，基于所述式3，作为N二l算出设定倾斜角度e，基于所述式4，导出与满足ttane'二l的关系的t最近的自然数T，进行N重曝光(N=l)，除此以外，与实施例1同样地进行，评价熔融粘度、基板上的随动性、未曝光膜破裂、显影性、感度、析像度、边缘粗糙度、剥离片尺寸及遮蔽性。结果如表2及表3所示。此外，最短显影时间为10秒，为了使感光层固化而必需的光能量为3mJ/cm。(比较例15)在实施例1中，使粘合剂的共聚物A及共聚物B成为表1所示的组成，除此以外，与实施例1同样地进行，评价熔融粘度、基板上的随动性、未曝光膜破裂、显影性、感度、析像度、边缘粗糙度、剥离片尺寸及遮蔽性。结果如表2及表3所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>AA:丙烯酸St:苯乙烯MAA:甲基丙烯酸MMA:甲基丙烯酸甲酯EHT:丙烯酸2—乙基己基酉lBzMA:甲基丙烯酸节基酯<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage62</column></row><table>从表2及表3的结果可以判断，在熔融粘度在5(TC下为40，000120,000Pas、在70。C下为5,00020,000Pas的实施例18中，基板上的随动性良好。尤其可以判断在共聚物A与共聚物B的质量比为A/B=10/9040/60的实施例1及实施例48中，未曝光膜破裂也少。另外，还可以判断从本发明的感光性树脂组合物形成感光层的实施例18与比较例15相比，蚀刻剥离片小，显影性也出色。进而，还可以判断已校正2重曝光中的析像度的不均和曝光不均的实施例16的布线图案为高精细，边缘粗糙度也小，另外，蚀刻性出色。(实施例9)如下所述地改变感光性树脂组合物溶液的组成，除此以外，与实施例1同样地进行，制造感光性转印薄膜，配制层叠体。对所述层叠体中的所述感光性转印薄膜的感光层，与实施例1同样地进行，评价熔融粘度、基板上的随动性、未曝光膜破裂、显影性、感度、析像度、边缘粗糙度、剥离片尺寸及遮蔽性。这些结果如表6及表7所示。由下述表4所示的组成构成的粘合剂("…139.6质量份由下述结构式(1)表示的化合物(第一工业制药制，纽弗仑戴阿(二二一:7口y亍一7)BPEM—10F)…39.7质量份由下述结构式(2)表示的化合物(第一工业制药制，纽弗仑戴阿GX8702C)…35.7质量份由下述结构式(3)表示的化合物(东亚合成制，阿罗尼库斯(7口二、乂夕7)M270)…4.2质量份由下述结构式(4)表示的化合物(新中村化学制，NK酯(工7X》)4G)…26.5质量份由下述结构式(5)表示的化合物(新中村化学制，NK酯23G)…5.6质量份2，2'—双(邻氯苯基)—4，4，，5,5'—四苯基联二咪唑…18.5质量份N—丁基—氯吖啶酮…0.99质量份吩噁嗪…0.03质量份无色结晶紫…1.10质量份维多利亚纯蓝一萘磺酸盐…0.19质量份由下述结构式(6)表示的化合物…0.37质量份甲基乙基甲酮…248.8质量份四氢呋喃…72.7质量份l一甲氧基一2—丙醇…406质量份*:包括共聚物A及共聚物B。各共聚物的重均分子量、质量比、组成如下述表4所示。[化4]结构式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage63</formula>其中，所述结构式(1)中，m+n表示10。[化5]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage64</formula>其中，所述结构式(2)中，m+n表示20([化6]结构式(3)其中，所述结构式(3)中，n表示12([化7]结构式(4)结构式(5)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage64</formula>结构式(6)(实施例1014及比较例69)在实施例9中，使粘合剂的共聚物A及共聚物B成为表4所示的组成及质量比，除此以外，与实施例9同样地进行，评价熔融粘度、基板上的随动性、未曝光膜破裂、显影性、感度、析像度、边缘粗糙度、剥离片尺寸及遮蔽性。结果如表6及表7所示。(实施例15)在实施例9中，进而以表5所示的组成及质量比使用重均分子量为20,000的粘合剂的共聚物C，除此以外，与实施例9同样地进行，评价熔融粘度、基板上的随动性、未曝光膜破裂、显影性、感度、析像度、边缘粗糙度、剥离片尺寸及遮蔽性。结果如表6及表7所示。(实施例16及实施例18)在实施例9中，使粘合剂的共聚物A及共聚物B成为表5所示的组成及质量比，除此以外，与实施例9同样地进行，评价熔融粘度、基板上的随动性、未曝光膜破裂、显影性、感度、析像度、边缘粗糙度、剥离片尺寸及遮蔽性。结果如表6及表7所示。(实施例17)在实施例9中，代替由结构式(3)表示的化合物、由结构式(4)表示的化合物、由结构式(5)表示的化合物，使用由结构式(2)表示的化合物72质量份，除此以外，与实施例9同样地进行，评价熔融粘度、基板上的随动性、未曝光膜破裂、显影性、感度、析像度、边缘粗糙度、剥离片尺寸及遮蔽性。结果如表6及表7所示。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage65</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>实施例158000600002000010/90/1037632919522855，1.74.5实施例16800060000一40/60/03763291952实施例17800060000—10/90/03763291952实施例18800060000_3763255025AA:丙烯酸St:苯乙烯MAA:甲基丙烯酸MMA:甲基丙烯酸甲酯BzMA:甲基丙烯酸节基熙<table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage68</column></row><table>从表6及表7的结果可以判断，在熔融粘度在5(TC下为40，000120，000Pas、在70。C下为5,00020,000Pas的实施例918中，基板上的随动性良好，感度及析像度也出色。尤其可以判断在共聚物A与共聚物B的质量比为A/B二10/9040/60且没有使用共聚物C的实施例9及实施例1214及实施例1618中，未曝光膜破裂也少。另外，还可以判断从本发明的感光性树脂组合物形成感光层的实施例918与比较例69相比，蚀刻剥离片小，显影性也出色。.产业上的可利用性本发明的感光性树脂组合物在基板上的抗蚀剂的随动性良好且可以同时实现出色的显影性和蚀刻时的剥离片的微细化的感光性树脂组合物，所以具有利用该感光性树脂组合物形成的感光层的感光性转印薄膜可以优选用于高精细的各种图案的形成等，尤其可以优选用于高精细的永久图案的形成。权利要求1.一种感光性树脂组合物，其特征在于，含有粘合剂、聚合性化合物以及光聚合引发剂，熔融粘度在50℃下为40,000～120,000Pa·s，在70℃下为5,000～20,000Pa·s。2.根据权利要求l所述的感光性树脂组合物，其中，粘合剂含有重均分子量为3，00010,000的共聚物A和重均分子量为30,000150,000的共聚物B，所述共聚物A与所述共聚物B的质量比为A/B=10/9090/10。3.根据权利要求2所述的感光性树脂组合物，其中，共聚物A与共聚物B的质量比为A/B=10/9040/60。4.根据权利要求23中任意一项所述的感光性树脂组合物，其中，共聚物A具有来源于苯乙烯及苯乙烯衍生物的至少任意一种物质的结构单元。5.根据权利要求24中任意一项所述的感光性树脂组合物，其中，共聚物B含有具有羧基的乙烯系单体。6.根据权利要求15中任意一项所述的感光性树脂组合物，其中，聚合性化合物含有具有尿烷基及芳基的至少任意一种基团的单体。7.根据权利要求16中任意一项所述的感光性树脂组合物，其中，光聚合引发剂含有从卤代烃衍生物、氧化膦、六芳基联咪唑、肟衍生物、有机过氧化物、硫代化合物、酮化合物、酰基氧化膦化合物、芳香族鎗盐以及酮肟醚中选择的至少一种物质。8.—种感光性转印薄膜，其特征在于，在支撑体上具有由权利要求17中任意一项所述的感光性树脂组合物形成的感光层。9.根据权利要求8所述的感光性转印薄膜，其中，在用390420mn波长的激光对感光层进行曝光、显影时，使该感光层的曝光部分的厚度在该曝光及显影后不发生变化的、在所述曝光中使用的光的最小能量即感度为0.120mJ/cm2。10.—种图案形成方法，其特征在于，包括在将权利要求89中任意一项所述的感光性转印薄膜中的该感光层层叠在被处理基体上之后，对该感光层进行曝光的工序。11.根据权利要求10所述的图案形成方法，其中，使用曝光头，其中，所述曝光头具备光照射机构和光调制机构，所述光调制机构具有接受来自所述光照射机构的光并射出的n个(其中，n为2以上的自然数)排列成二维状的描素部，所述光调制机构可以对应图案信息来控制所述描素部，另外，所述曝光头配置成所述描素部的列方向相对该曝光头的扫描方向呈规定的设定倾斜角度0，利用使用描素部指定机构，对于所述曝光头，指定可以使用的所述描素部中的用于N重曝光的所述描素部，其中，N为2以上的自然数，利用描素部控制机构，对于所述曝光头，以只有由所述使用描素部指定机构指定的所述描素部参与曝光的方式，进行所述描素部的控制，相对于所述感光层，使所述曝光头在扫描方向上相对地移动。12.根据权利要求ll所述的图案形成方法，其中，利用多个曝光头进行曝光，使用描素部指定机构指定在参与由多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域即曝光曝光头间连接区域的曝光的描素部中，为了实现所述曝光曝光头间连接区域中的N重曝光而使用的所述描素部。13.根据权利要求12所述的图案形成方法，其中，利用多个曝光头进行曝光，使用描素部指定机构指定在参与由多个所述曝光头形成的被曝光面上的重复曝光区域即曝光曝光头间连接区域以外的曝光的描素部中，为了实现所述曝光曝光头间连接区域以外的区域中的N重曝光而使用的所述描素部。14.根据权利要求1113中任意一项所述的图案形成方法，其中，设定倾斜角度e设定成相对eideal，满足e^0id^的关系，其中，相对于N重曝光数的N、描素部的列方向的个数s、所述描素部的列方向的间隔p以及在使曝光头倾斜的状态下沿着与该曝光头的扫描方向正交的方向上的描素部的列方向的间距5，eideaf满足spsineideal^N5。15.根据权利要求1114中任意一项所述的图案形成方法，其中，使用描素部指定机构具备光点位置检测机构，其在被曝光面上检测作为由描素部生成并构成被曝光面上的曝光区域的描素单元的光点位置，和描素部选择机构，其基于所述光点位置检测机构的检测结果来选择为了实现N重曝光而使用的描素部。16.根据权利要求1015中任意一项所述的图案形成方法，其中，在进行曝光之后，进行感光层的显影。全文摘要本发明的目的在于提供一种在基板上的抗蚀剂的随动性良好且可以同时实现出色的显影性和蚀刻时的剥离片的微细化的感光性树脂组合物，具有利用该感光性树脂组合物形成的感光层的感光性转印薄膜，以及使用该感光性转印薄膜的可以形成高精细的图案的图案形成方法。为此，该感光性树脂组合物的特征在于，含有粘合剂、聚合性化合物以及光聚合引发剂，熔融粘度在50℃下为40,000～120,000Pa·s，在70℃下为5,000～20,000Pa·s。本发明提供具有利用该感光性树脂组合物形成的感光层的感光性转印薄膜以及使用该感光性转印薄膜的可以形成高精细的图案的图案形成方法。文档编号G03F7/027GK101401035SQ20068005383公开日2009年4月1日申请日期2006年11月8日优先权日2006年1月13日发明者佐藤守正,南一守,后藤靖友申请人:富士胶片株式会社