专利名称：液晶显示器供电及放电电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器供电及放电电路。
技术背景由于液晶显示器具有轻薄，耗电低和辐射少等特点，因此被广泛用于便携式DVD、可视音乐播放器、移动电话和笔记本 电脑等领域。通常，液晶显示器中包括一供电电路对其供电。 另外，由于液晶显示器内部电路为电容负载，使液晶显示器在 断电以后仍然有大量剩余电荷，因此液晶显示器还需要 一 放电 电路来释放所述的剩余电荷。请参阅图l，是一种现有技术液晶显示器供电及放电电路的 示意图。该液晶显示器供电及放电电路10包括 一 控制讯号输入 端110， 一供放电端120， 一 12伏直流电源130, —5V直流电源140， 一NPN双极性第 一晶体管150, —NPN双极性第二晶体管170, — N沟道增强型MOS场效晶体管160， 一第一电阻155， 一第二电阻 156， 一第王电阻165， 一第四电阻175和 一 第五电阻176。该第 一 晶体管1 50的基极b通过该第 一 电阻15 5连接到该控 制讯号输入端110，发射极e通过该第二电阻156连接到该基极b， 并且该发射极e接地，集电极c通过该第三电阻165连接到该12V 直流电源130。该第二晶体管170的基极b通过该第四电阻1 75连接到该控 制讯号输入端110,发射极e接地，集电极c通过该第五电阻176 连接到该供放电端120。该N沟道増强型MOS场效晶体管160的栅极G连接到该NPN 型第 一 晶体管150的集电极c,源极S连接到该供放电端120，漏 极D连接到镇5V直流电源140。 .该液晶戲示器供电及放电电路10的工作原理如下当该控制讯号输入端11 O为 一 逻辑低电位时，该第 一 晶体管 150和该第二晶体管170都截止，该12V直流电源130通过该第三 电阻165提供给该N沟道增强型MOS场效晶体管160的栅极G,使 该N沟道增强型MOS场效晶体管160导通。该5V直流电源140通过 处在导通状态的N沟道增强型MOS场效晶体管160提供给该供放 电端120,向液晶显示器供电。当该控制讯号输入端IIO为 一逻辑高电位时，该第一、第二 晶体管150、 170都导通，该N沟道增强型MOS场效晶体管160的 栅极G通过处在导通状态的该第 一 晶体管150接地，下拉为低电 位，故该N沟道增强型MOS场效晶体管160截止。此时该供放电 端120依次通过该第五电阻1 76和处在导通状态的该第二晶体管 170接地来释放该液晶显示器内部的剩余电荷。该液晶显示器供电及放电电路10工作时向液晶显示器供电 的电压波形如图2所示。当控制信号是逻辑低电位使第一晶体管 150关闭，这时N沟道增强型MOS场效晶体管160就会立即导通， 使得5V直流电源140向液晶显示器供电。如图2所示，N沟道增强 型MOS场效晶体管160导通瞬间会产生较大的冲击电流，长期如 此将会加速液晶显示器内部元器件老化，减少液晶显示器使用 寿命。发明内容为了解决现有技术中液晶显示器供电及放电电路沖击电流 较大的缺点，有必要提供 一 种沖击电流较小的液晶显示器供电 及i支电电路。一种液晶显示器供电及放电电路，其包括 一 电源， 一 提供 控制讯号的控制讯号输入端， 一 用于为该液晶显示器供电及放 电的供放电端， 一第一偏置电阻， 一第二偏置电阻， 一放电电 阻，一二极管， 一充电电容，一NPN双极晶体管，一P沟道增 强型MOS场效晶体管，和一 N沟道耗尽型MOS场效晶体管。 该NPN双极晶体管的基极连接到该控制讯号输入端，发射极接 地，集电极通过该第 一 偏置电阻连接到该电源。该P沟道增强型MOS场敫晶体管的栅极分别通过该放电电阻和该二极管连接 到该NPN双才及晶体管的集电极，并且通过该充电电容连接到源 极，源极连接到该电源，漏极连接到该供放电端。该N沟道耗 尽型MOS场效晶体管的栅极连接到该NPN双极晶体管的集电 极，源极接地，漏极通过该第二偏置电阻连接到供放电端。一种液晶显示器供电及放电电路，其包括一电源， 一提供 控制讯号的控制讯号输入端， 一 用于为该液晶显示器供电及放 电的供放电端， 一第一偏置电阻， 一第二偏置电阻， 一放电电 阻，一二极管， 一充电电容， 一第一N沟道耗尽型MOS场效晶 体管，一 P沟道增强型MOS场效晶体管，和一 第二 N沟道耗尽 型MOS场效晶体管。该N沟道耗尽型MOS场效晶体管的栅极 连接到该控制讯号输入端，源极接地，漏极通过该第 一 偏置电 阻接至该电源 该P沟道增强型MOS场效晶体管的栅极分别通 过该；改电电阻和该二极管连4妄到该第一 N沟道耗尽型MOS场效 晶体管的漏极，并且通过该充电电容连接到源极，源极连接到 该电源，漏极连接到该供放电端。该N沟道耗尽型MOS场效晶 体管的栅极连接到该第一 N沟道耗尽型MOS场效晶体管的漏 极，源极接地，漏极通过该第二偏置电阻连接到供放电端。一种液晶显示器供电及放电电路，其包括 一 电源， 一 提供 控制讯号的控制讯号输入端， 一 用于为该液晶显示器供电及放 电的供放电端， 一第一偏置电阻， 一第二偏置电阻， 一放电电 阻，一二极管， 一充电电容， 一第一NPN双极晶体管，一 PNP 双极晶体管，和 一 第二 N沟道耗尽型MOS场效晶体管。该NPN 双极晶体管的基极连接到该控制讯号输入端，发射极接地，集 电极通过该偏置电阻连接到该电源。该PNP双极晶体管的基极 分别通过该放电电阻和该二极管连接到该NPN双极晶体管的集 电极，并且通过该充电电容连接到发射极，该PNP双极晶体管 的发射极连接到该电源，该PNP双极晶体管的集电极连接到该 供放电端。该N沟道耗尽型MOS场效晶体管的栅极连接到该 NPN双极晶体管的集电极，源极接地，漏极通过该第二偏置电 阻连接到供放电端。一种液晶显示器供电及放电电路，其包括 一 电源，一 提供 控制讯号的控制讯号输入端，一 用于为该液晶显示器供电及放电的供i丈电端， 一第一偏置电阻，一第二偏置电阻， 一放电电 阻，一二极管， 一充电电容， 一第一 NPN双极晶体管，一 P沟 道增强型MOS场效晶体管，和 一 第二 NPN双极晶体管。该第一 NPN双极晶体管的基极连接到该控制讯号输入端，发射极接地， 集电极通过该第 一 偏置电阻连接到该电源。该P沟道增强型M O S 场效晶体管的栅极分别通过该放电电阻和该二极管连接到该第 一 NPN双极晶体管的集电极，并且通过该充电电容连接到源极， 源极连接到该电源，漏才及连接到该供放电端。该第二NPN双极 晶体管的基极连接到该第一 NPN双极晶体管的集电极，发射极 接地，集电极通过该第二偏置电阻连接到供放电端。相较于现有技术，上述液晶显示器供电及放电电路包括一 充电电容， 一第一偏置电阻，一二极管和一放电电阻，使得连 接在该电源与该供放电端之间的晶体管緩慢导通并迅速截止。 因此，液晶显示器产生的瞬间冲击电流较小。
图1是一种现有技术液晶显示器供电及放电电路的电路图。 图2是图l液晶显示器供电及放电电路产生的冲击电流的 波形示意图。图3是本发明液晶显示器供电及放电电路一较佳实施方式 的示意图。图4是图3液晶显示器供电及放电电路产生的沖击电流的 波形示意图，具体实施方式
请参阅困3 施方式的示意图 讯号输入端210 伏直流电源2408，是本发明液晶显示器供电及放电电路 一 较佳实。该液晶显示器供电及放电电路20包括 一 控制 ， 一供^t电端220, — 5伏直流电源230, — 3.3 ,一 NPN双极性型晶体管250 , — P沟道增强型MOS场效晶体管260， 一 N沟道耗尽型MOS场效晶体管270， 一第一限流电阻251, —上拉'电阻252， 一第一偏置电阻263, 一i文电电阻264， 一充电电容265， 一二极管266， 一第二限流 电阻276， 一第二偏置电阻275， 一第一滤波电容221, —第二 滤波电容222 ， 一第三滤波电容23 1,和 一 第四滤波电容232 。该控制讯号输入端210通过该上拉电阻252连接到该3.3伏 直流电源240。该NPN双极晶体管250的基极b通过该第 一 限流电阻251 连接到该控制讯号输入端210,发射极e接地，集电极c通过该 第 一 偏置电阻263连接到该5V直流电源230 ，集电极c还分别 通过该二极管266和该放电电阻264连接到该P沟道增强型MOS 场效晶体管260的栅极G。该二极管266的正极与NPN双极晶 体管250的集电极c连接。该P沟道增强型MOS场效晶体管260的栅极G通过该充 电电容265连接到源极S,漏极D连接到该供放电端220,源极 S连接到该5V直流电源230。该N沟道耗尽型MOS场效晶体管270的栅极S通过该第二 限流电阻276连接到该NPN双极晶体管250的集电极c，源极S 接地，漏极D通过该第二偏置电阻275连接到该供放电端220。该供放电端220分别通过该第一滤波电容221和第二滤波 电容222接地。该5V直流电源230分别通过该第三滤波电容23 1和第四滤 波电容232接地。该液晶显示器供电及放电电路20的工作原理如下 当该控制讯号输入端210为 一逻辑高电位时，该NPN双极 晶体管250导通，该充电电容265上的电荷通过该放电电阻264 和处在导通状态的该NPN双极晶体管250接地緩慢释放，因此 该P沟道增强型MOS场效晶体管260的栅极G的电压緩慢下降 为0。而P沟道增强型MOS场效晶体管260栅极G与源极S之 间的电压VGS由0V逐渐变为-5V,使得该P沟道增强型MOS 场效晶体管260緩慢导通，然后该5V直流电源230通过处在导通状态的P沟道增强型MOS场效晶体管260提供给该供放电端 220,向液晶显示器供电。此时该N沟道耗尽型MOS场效晶体 管270的柵极G通过该第二限流电阻276和处在导通状态的该 NPN双极晶体管250接地，因此该N沟道耗尽型MOS场效晶体 管270截止。该液晶显示器供电及放电电路20产生的瞬间产生 较大的冲击电流可参考图4。当该控制讯号输入端210为 一 逻辑低电位时，该NPN双极 晶体管250截止，该5V直流电源230通过该第 一偏置电阻263 和该二极管266提供给该P沟道增强型MOS场效晶体管260的 栅极G并对该充电电容265迅速进行充电，此时，该P沟道增 强型MOS场效晶体管260栅极G与源极S之间的电压VGS=0V, 使得该P沟道增强型MOS场效晶体管260截止。因此，该供放 电端220无电压输出。此时该N沟道耗尽型MOS场效晶体管270 的栅极G通过该笫二限流电阻276和该第 一 偏置电阻263连接 到该5 V直流电源230 。因此该N沟道耗尽型MOS场效晶体管 270导通，并且液晶显示器内部的电荷通过该第二偏置电阻275 和处在导通状态的该N沟道耗尽型MOS场效晶体管270接地释 放。相较于现有4支术，该液晶显示器供电及放电电路20包括一 充电电容265， 一第一偏置电阻263， 一二极管266和一放电电 阻264，使得该P沟道增强型MOS场效晶体管260緩慢导通并 迅速截止。因此，液晶显示器产生的瞬间冲击电流较小。本发明的液晶显示器供电及放电电路20还可具有其它变更 设计，如该液晶显示器供电及放电电路20中，该NPN双极晶体管 250可替换为一 N沟道耗尽型MOS场效晶体管，其栅极G通过 该第 一 限流电阻251连接到该控制讯号输入端210,源极S接地， 漏极D通过该第 一偏置电阻263连接到该5V直流电源230。该液晶显示器供电及放电电路20中，该P沟道增强型MOS 场效晶体管260可替换为 一 双极性PNP双极晶体管，其基极b 分别通过该放电电阻264和二极管266连接到该NPN双极晶体管250的集电极c，该PNP双极晶体管的发射极e连接到该5V 直流电源230 ，该PNP双极晶体管的集电极c连接到该供放电 端220。该液晶显示器供电及放电电路20中，该N沟道耗尽型MOS 场效晶体管270可替换为一 NPN双极性型晶体管，其基极b通 过该第二限流电阻276连接到该NPN双极晶体管250的集电极 c,发射极e接地，集电极c通过该第二偏置电阻275连接到该 供放电端220。该液晶显示器供电及放电电路20中，该NPN双极晶体管 250，该P沟道增强型MOS场效晶体管260和N沟道耗尽型 MOS场效晶体管270该还可分别替换为一 N沟道耗尽型MOS 场效晶体管， 一 双极性PNP双极晶体管和一 NPN双极性型晶体 管，其电路连接关是参照前述两种变更设计。
权利要求
1. 一种液晶显示器供电及放电电路，包括一电源；一控制讯号输入端，其提供控制讯号；一供放电端，用于为液晶显示器供电及放电；一NPN双极晶体管，其基极连接到该控制讯号输入端，发射极接地，集电极通过一第一偏置电阻连接到该电源；一P沟道增强型MOS场效晶体管，其源极连接到该电源，漏极连接到该供放电端；和一N沟道耗尽型MOS场效晶体管，其栅极连接到该NPN双极晶体管的集电极，源极接地，漏极通过一第二偏置电阻连接到供放电端；其特征在于该P沟道增强型MOS场效晶体管的栅极分别通过一放电电阻和一二极管连接到该NPN双极晶体管的集电极，并且通过一充电电容连接到该P沟道增强型MOS场效晶体管的源极。
2. 如权利要求1所述的液晶显示器供电及放电电路，其特征 在于该液晶显示器供电及放电电路进一步包括一限流电阻，其 串联于该NPN双极晶体管的基极与该控制讯号输入端之间。
3. 如权利要求1所述的液晶显示器供电及放电电路，其特征 在于该液晶显示器供电及放电电路进一步包括一限流电阻，其 串联于该N沟道耗尽型MOS场效晶体管的栅极与该第一 NPN双 极晶体管的集电极之间。
4. 如权利要求1所述的液晶显示器供电及放电电路，其特征 在于该液蟲显示器供电及放电电路进一步包括一 3.3V直流电源 和一上拉电阻，该控制讯号输入端通过该上拉电阻连接到该3.3V 直流电源。
5. 如权剩要求1所述的液晶显示器供电及放电电路，其特征 在于该液晶显示器供电及放电电路进一步包括两个滤波电容， 该供放电端通过该两个滤波电容接地。
6. 如权利要求1所述的液晶显示器供电及放电电路，其特征 在于该电源为一 5V直流电源。
7. 如权利要求1所述的液晶显示器供电及放电电路，其特征 在于该控制讯号为一高电位或一低电位。
8. —种液晶显示器供电及放电电路，包括 一电源；一控制讯号输入端，其提供控制讯号；一供放电端，用于为液晶显示器供电及放电；一第一 N沟道耗尽型MOS场效晶体管，其栅极连接到该控制讯号输入端，源极接地，漏极通过一第一偏置电阻接至该电源； 一 P沟道增强型MOS场效晶体管，其源极连接到该电源，漏极连接到该供放电端；和一第二N沟道耗尽型MOS场效晶体管，其栅极连接到该第一 N沟道耗尽型MOS场效晶体管的漏极，源极接地，漏极通过一第二偏置电阻连接到供放电端；其特征在于该P沟道增强型MOS场效晶体管的栅极分别通过一放电电阻和一二极管连接到该第一 N沟道耗尽型MOS场效晶体管的漏极，并且通过一充电电容连接到该P沟道增强型MOS场效晶体管的源极。
9. 一种液晶显示器供电及放电电路，包括 一电源；一控制讯号输入端，其提供控制讯号； 一供放电端，用于为液晶显示器供电及放电； 一NPN双极晶体管，其基极连接到该控制讯号输入端，发射极接地，集电极通过一偏置电阻连接到该电源；一 PNP双极晶体管，其基极分别通过一放电电阻和一二极管连接到该NPN双极晶体管的集电极，并且通过一充电电容连接到发射极，该？NP双极晶体管的发射极连接到该电源，该PNP双极晶体管的集电极连接到该供放电端；和一 N沟道耗尽型MOS场效晶体管，其栅极连接到该NPN双极晶体管的集电极，源极接地，漏极通过一第二偏置电阻连接到供放电端；其特征在于该PNP双极晶体管的基极分别通过一放电电阻 和一二极管连接到该NPN双极晶体管的集电极，并且通过一充电 电容连接到该PNP双极晶体管的发射极。
10. —种液晶显示器供电及放电电路，包括一电源；一控制讯号输入端，其提供控制讯号；一供放电端，用于为液晶显示器供电及放电；一第一 NPN双极晶体管，其基极连接到该控制讯号输入端，发射极接地，集电极通过一第一偏置电阻连接到该电源；一 P沟道增强型MOS场效晶体管，其栅极分别通过一放电电阻和一二极管连接到该第一 NPN双极晶体管的集电极，并且通过一充电电容连接到源极，源极连接到该电源，漏极连接到该供放电端；和一第二 NPN双极晶体管，其基极连接到该第一 NPN双极晶 体管的集电极，发射极接地，集电极通过一第二偏置电阻连接到 供放电端；其特征在于该P沟道增强型MOS场效晶体管的栅极分别通 过一放电电阻和一二极管连接到该第一 NPN双极晶体管的集电 极，并且通过一充电电容连接到该P沟道增强型MOS场效晶体管 的源极。
全文摘要
本发明公开一种液晶显示器供电及放电电路，其包括一电源，一控制讯号输入端，一供放电端，一第一偏置电阻，一第二偏置电阻，一放电电阻，一二极管，一充电电容，一NPN双极晶体管，一P沟道增强型MOS场效晶体管和一N沟道增强型MOS场效晶体管。该NPN双极晶体管的基极连接到控制讯号输入端，发射极接地，集电极通过第一偏置电阻连接到电源。该P沟道增强型MOS场效晶体管的栅极分别通过放电电阻和二极管连接到NPN双极晶体管的集电极，并且通过充电电容连接到源极，源极连接到电源，漏极连接到供放电端。该N沟道增强型MOS场效晶体管的栅极连接到NPN双极晶体管的集电极，源极接地，漏极通过第二偏置电阻连接到供放电端。
文档编号G02F1/13GK101236316SQ20071007307
公开日2008年8月6日 申请日期2007年2月2日 优先权日2007年2月2日
发明者通 周, 屠家辉 申请人:群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司